DE2434129A1 - Feuchtigkeitsempfindliches element - Google Patents

Feuchtigkeitsempfindliches element

Info

Publication number
DE2434129A1
DE2434129A1 DE2434129A DE2434129A DE2434129A1 DE 2434129 A1 DE2434129 A1 DE 2434129A1 DE 2434129 A DE2434129 A DE 2434129A DE 2434129 A DE2434129 A DE 2434129A DE 2434129 A1 DE2434129 A1 DE 2434129A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
moisture
metal oxide
oxide
sensitive element
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2434129A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2434129C3 (de
DE2434129B2 (de
Inventor
Noboru Ichinose
Masaki Katsura
Yuhji Yokomizo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP7847873A external-priority patent/JPS5316917B2/ja
Priority claimed from JP7847773A external-priority patent/JPS5316916B2/ja
Priority claimed from JP7847673A external-priority patent/JPS5316915B2/ja
Priority claimed from JP48105455A external-priority patent/JPS5243487B2/ja
Priority claimed from JP10545673A external-priority patent/JPS5318278B2/ja
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Publication of DE2434129A1 publication Critical patent/DE2434129A1/de
Publication of DE2434129B2 publication Critical patent/DE2434129B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2434129C3 publication Critical patent/DE2434129C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/121Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

EIKENBERG & BRÜMMERSTEDT PATENTANWÄLTE IN HANNOVER
5okyo Shibaura Electric Co. Ltd. 235/85
Feuchtigkeitsempfindliches Element
Die Erfindung betrifft ein feuchtigkeitsempfindliches Element ,,welches den Zv/eck hat, Änderungen der Umgebungs—!Feuchte als Änderungen des elektrischen Widerstandes anzuzeigen.
Es ist bereits ein feuchtigkeitsempfindliches Elenent bekannt, welches eine auf ein anorganisches isolierendes Substrat aufgebrachte Schicht an feinpulverigen Metalloxiden wie
Fe-zCL ,Fe0O-, Al0CU und Cr0CL enthält. Dieses Element basiert 3 4 23 23 23
auf der ausgezeichneten Hygroskopizität, die diese Metalloxide im allgemeinen haben. Die Schicht aus den feinpulverigen Metalloxiden spricht demzufolge auf Änderungen in der Umgebttngs-Feuehte mit spürbaren Änderungen des elektrischen Widerstandes an* Auch ist das Element physikalisch,chemisch und thermisch durchaus stabil. Allerdings hat die Schicht aus den feinpulverigen Metalloxiden einen sehr hohen Widerstand, so daß das Element kleine Änderungen in der TJmgebungs-Feuchte nicht genau genug elektrisch anzeigen kann. Außerdem sind die Reproduzierbarkeit
4 09885/1102
der Meßwerte und die Alterungsbeständigkeit nicht befriedigend.
Weiterhin ist ein feuchtigkeitsempfindliches Element bekannt, welches einen PiIn. aus Metalloxiden enthält. Dieses Element hat eine geringe Größe und ein geringes Gewicht. Es spricht auch schnell auf Peuchte-Änderungen an, und es arbeitet über einen weiten Temperaturbereich',' von niedrigen bis hohen Temperaturen, durchaus zufriedenstellend. Allerdings erfolgt die Messung der tfkgebungs-Peuehte durchweg nicht genau genug, und außerdem ist die Empfindlichkeit dieses Elements schlecht, v/eil es instabil ist und weil der PiIm auch nicht homogen genug ist. Überdies kann dieses Element nicht in einer Massenproduktion hergestellt werden.
Pur feuchtigkeitsempfindliche Elemente können im Prinzip auch Materialien verwendet werden, die sich unter der Bezeichnung "oxidische Misch-Halbleiter" zusammenfassen lassen und die aus verschiedenen Metalloxiden hergestellte Halbleiter sind. Oxidische Halbleiter haben einen geringeren Widerstand ale die rohen Metalloxide, und man kann deshalb annehmen, daß sich ihr Widerstand in Abhängigkeit von der Absorption und der Desorption von Feuchtigkeit stark ändert. Die meisten Halbleiter dieses Typs, die auch als "Thermistoren (d.h. thermisch empfindliche Resistoren) bezeichnet werden, haben jedoch einen großen negativen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes, so daß ihr Widerstand.sich schon bei geringen Temperaturändemngen stark ändert. Die Verwendung dieser Halbleiter zur Feuchte— Messung ist deshalb nicht möglich, wenn, wie es normalerweise der Pail ist, während der Messung eine Temperaturänderung auftreten kann.
409885/1102
. Hit der Erfindung soll nunmehr ein feuchtigkeitsempfindliches Element auf der Basis eines oxidischen Miscb-Halbleiters geschaffen werden, welches sehr alterungsbeständig ist, eine hohe Empfindlichkeit aufweist, eine gute Reproduzierbarkeit der Messwerte zeigt und nur einen kleinen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes hat.
Überraschend wurde gefunden, daß dieses Ziel erreicht werden kann durch einen Halbleiter, der sich erfindungsgemäß kennzeichnet durch die Zusammensetzung
89,9 bis 20,0 Mo I/. ZnO
0,1 bis 20,0 MoljS Cr2O5 und
10,0 bis 60,0 Mol$ an mindestens einem dritten Metalloxid,
wobei dieses weitere Metalloxid auswählt ist aus der Gruppe Li2O, Ha2O, E2O, Rb2O, Cu2O, BaO, SrO, CaO, PbO, MnQ, MO, CoO, MgO, CdO, CuO, FeO, BeO, TiO2, GeO2, ZrO2, MnO2, TeO2, SnO2, SiO2, CeO2, ThO2, HfO2, Hb2O5, Ta3O5, Sb3O5, V3O5, WO5, MoO5 und TeO5.
Natürlich macht dabei die Summe aller Bestandteile stets 100 M0I5S aus.
Das dritte Metalloxid kann, wie sich aus der vorstehen den Aufzählung ergibt, das Oxid eines einwertigen Metalls (Me ') sein oder aber das Oxid eines zweiwertigen Metalls (Ms ), eines vierwertigen Metalls (Me ), eines fünfwertigen Metalls (Me ) bzw. eines sechswertigen Metalls (Me ). Dabei können die Oxide mehrerer Metalle der gleichen Wertigkeit in Mischung miteinander vorliegen, und es können auch Oxide von Metallen
409885/ 1102
unterschiedlicher ¥ertigkeit miteinander gemeinsam das »dritte Metalloxid" bilden.
Die Erfindung und die damit erzielten Torteile werden nachfolgend anhand der Zeichnungen und in Ausführungsbeispielen näher erläutert. In den Zeichnungen stellen dar:
Pig. 1 graphisch die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von dem Gehalt an CU für ein erfindungsgemäßes Element
mit einem einwertigen dritten Metalloxid, wobei das Molverhältnis des Me« O zu ZnO konstant gehalten ist,
Pig. 2 graphisch die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von dem Gehalt an O- für ein erfindungsgemäßes Element
mit einem zweiwertigen dritten Metalloxid,
(2)
wobei das Molverhältnis des Mex '0 zu
ZnO konstant gehalten ist, Pig. 3 graphisch die Abhängigkeit des spezifischen
Widerstandes von dem Gehalt an Cr^O- für ein erfindungsgemäßes Element mit einem vierwertigen dritten Metalloxid, wobei das Molverhältnis des Me ^'0« zu ZnO konstant gehalten ist,
Pig. A- graphisch die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von dem Gehalt an Cr2O, für ein erfindungsgemäßes Element
mit einem fünfwertigen dritten Metalloxid, 409885/1102
wobei das Molverbältnis des Mei^'Oc zu ZnO konstant gehalten ist, und
Pig. 5 graphisch die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von dem Gehalt an O, für ein erfindungsgemäßes Element
mit einem sechswertigen dritten Metalloxid, •wobei das Molverhältnis des Me^ 0, zu ZnO konstant gehalten ist,
Fig. 6 schematisch die Draufsicht auf eine
Feuchte-Messeinrichtung mit einem feuchtigkeitsempfindlichen Element gemäß der Erfindung,
Fig. 7 graphisch die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von der relativen Feuchte für ein bekanntes feuchtigkeitsempfindliches Element bei konstanter Eemperatur,
Fig. 8 bis 22 graphisch die Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von der Feuchte für verschiedene feuchtigkeitsempfindliche Elemente gemäß der Erfindung bei konstanter Cemperatur^ und
Fig. 23 bis 37 graphisch die Änderungen des spezifischen Widerstandes mit der Temperatur für verschiedene feuchtigkeitsempfindliche Elemente gemäß der Erfindung bei konstanter Feuchte.
409885/1102
Die Erfindung beruht auf der überraschenden Erkenntnis, daß ein oxidischer Halbleiter, der ansich als Thermistor einzustufen wäre, sich als ausgezeichnetes feuchtigkeitsempfindliches Element mit niedrigem Widerstand und einem geringen lemperaturkoeffizienten des Widerstandes erweist, wenn er die Zusammensetzung
89,9 bis 20,0 Mol# ZnO,
0,1 bis 20,0 Mol$ Cr2O- und
10,0 bis 60,0 Mol$ an mindestens dem einen
dritten Metalloxid
hat. Ein derartig zusammengesetzter Halbleiter zeigt bei Änderung der Umgebungs-IPeuchte eine starke Änderung seines Widerstandes bei nur sehr geringem Einfluß der Umgebungstemperatur·
Das dritte Metalloxid kann dabei das Oxid eines einwertigen, eines zweiwertigen, eines vierwertigen, eines fünfwertigen oder eines sechswertigen Metalls sein. Im Falle eines einwertigen Metalloxids (Me^ 'O) ist es ausgewählt aus der Gruppe Li2O, ITa2O, K2O, RbgO und Cu2O, im Pail eines zweiwertigen Metalloxids (Me^ 'O) ist es ausgewählt aus der Gruppe BaO, SrO, CaO, PbO, MnO, UiO, CoO, MgO, CdO, CuO, 3?eO unä BeO, im Ealle eines vierwertigen Metalloxide (Me ^ 'O2) ist es ausgewählt aus der Gruppe EiO2, GeOg, ZrO2, 1InO2, EeO2, SnO2, CeO2, ThO2 und HfO2, im Falle eines fünfwertigen Metalloxids ( Me Oc) ist es ausgewählt aus der Gruppe Mb2O,-, ^a2°5j st un^ ^m ^a^le es sechswertigen Metalloxids ( Me* O
und ^2^5» un^ ^m ^a^le es sechswertigen Metalloxids 3 schließlich ist es ausgewählt aus der Gruppe WO,, MoO* und TeO, Dabei kann jede beliebige Mischung der vorgenannten Oxide zur Anwendung kommen.
409885/1102
Die "bevorzugten Grenzen der Zusammensetzung sind
80,0 bis 30,0 Mol$ ZnO, 5,0 bis 20,0 Mol# Cr2O5 und 15,0 bis 50,0 Mol# an dem dritten Metalloxid.
Als besonders gut hat sich dabei ein Halbleiter erwiesen, der die Zusammensetzung
60 Mol$ ZnO,
10 MoI/o Cr2O3 und
30 Mol# an dem dritten Metalloxid
besitzt.
Sobald der Gehalt an Cr2O5 unter ö,1 Mol$ absinkt, oder sobald das dritte Metalloxid einen Gehalt von weniger als 10 Mol$ hat, ergibt sich ein Element mit einem spezifischen Widerstand von mehr als 100 Mil. Ein solches Element ist als feuchtigkeitsempfindliches Element praktisch ungeeignet· Das gleiche gilt, wenn der Gehalt an ZnO geringer ist als 20 Mol$ und/oder wenn der Gehalt an dem dritten Metalloxid 60 MoVfo übersteigt.
In Pig. 1 bis 5 der Zeichnungen ist graphisch die Veränderung des spezifischen Widerstandes für verschiedene erfindungsgemäße Elemente dargestellt, und zwar in Abhängigkeit von dem Gehalt an Cr2O5. In allen Pällen ist dabei das Malverhältnis des dritten Metalloxids zu ZnO mit 1:3 konstant gehalten. In der Fig. 1 ist das dritte Metalloxid ein einwertiges Metalloxid,
409885/1102
und entsprechend sind in den Pig. 2 bis 5 als drittes Metalloxid verschiedene Oxide von zweiwertigen, vierwertigen, fünfwertigen bzw. sechswertigen Metallen zugrundegelegt. Für die verschiedenen Eurvenzüge in den Pig. 1 bis 5 gilt dabei im einzelnen folgendes:
Kurve a : Me = Li
Kurve b: : Me(i) = K
Kurve C : Mei1 > = Cu
Kurve a : Me(2> = Sr
Kurve e • Me(2) = Ni
Kurve " Me^2) = Co
Kurve S : Me(4) = Ti
Kurve : Me(4) = Sn
Kurve i: Me^' = Ce
Kurve D': Me(5) = Ta
Kurve k: Me^' = Sb
Kurve J_ · JXiO = Y
Kurve m: Me = W
Kurve n: Me^6^ = Mo
Kurve o: Me^6^ = Te
Aus den Fig. 1 bis 5 bestätigt sich, daß der Widerstand des Halbleiterelements immer dann, wenn der Gehalt an CrpO^ größer als 20 MoIjS ist, auf über 100 Milansteigt, wodurch das Element als feuchtigkeitsempfindliches Element ungeeignet wird. Eine weitere Auswertung dieser Kurven ergibt auch, daß die obere Grenze für den Gehalt an ZnO bei 89,9 Mol# liegt.
Zur Herstellung eines feuchtigkeitsempfindlichen Elements gemäß der Erfindung kann von den reinen Oxiden der betreffenden Metalle ausgegangen werden, es kann aber auch von entsprechenden Mengen eiper Metallverbindung ausgegangen werden, die bein Erhitzen in die Oxide übergeht. Beispiele sind die Hydroxide, Karbonate und die Oxalate der betreffenden Metalle.
4 09-8 8 5/1102
_ 9 —
Die verwendeten Ausgangsmaterialien werden genau ausgewogen, in einer Kugelmühle innig miteinander vermischt und dann bei einer relativ geringen Temperatur von z.B. 600 bis 90O0G vorgesintert. Anschließend wird die vorgesinterte Masse zu einem feinteiligen Pulver zerkleinert, w.as ebenfalls wieder in einer Kugelmühle geschehen kann. Das Pulver wird danach mit einem Binder gemischt, z.B. mit Polyvinylalkohol, und dann unter einem Druck von etwa 100 bis 1000 kg/km zu einem Formkörper geformt, beispielsweise zu einer Platte von 10 mm Breite, 20 mm Länge und 1 mm Dicke. Der Formkörper wird abschließend dann noch einer Hauptsinterung bei etwa 1000 bis 13000C unterworfen, wobei die maximale Temperatur etwa 1 bis 5 Stunden lang aufrechterhalten bleibt. Diese Hauptsinterung kann in Luft erfolgen.
Eine unter Verwendung eines erfindungsgemäßen Elements hergestellte Feuchte-Messeinrichtung ist in Fig. 6 gezeigt. Dabei bedeuten das Bezugszeichen 1 das feuchtigkeitsempfindliche Element, während die Bezugszeichen 2 und 3 zwei Elektroden angeben, die aus einem Material bestehen, welches gut an dem Element 1 anhaftet und auch nur einen sehr geringen Übergangswiderstand zum Element 1 hat» Das Material kann dabei eine bei hoher Temperatur angebackene Silber-Farbe sein.
Es wurde bereits erwähnt, daß das feuchtigkeitsempfindliche Element gemäß der Erfindung seinen Widerstand mit der Temperatur kaum ändert, was angesichts der Tatsache, daß das erfindungsgemäße Element in die Gruppe der oxidischen Halbleiter gehört, überraschend ist und nicht vorhersehbar war. Weiterhin hat das erfindungsgemäße Element auch eine ausgezeichnete Alterungsbeständigkeit 9 indem es seinen Widerstand
4098 85/1102
- ίο -
selbst "bei Benutzung über sehr lange Zeiträume hinweg nur in vernachlässigter kleinem Ausmaß ändert. Außerdem spricht es auf Feuchte-Änderungen sehr viel rascher an als die bekannten Elemente. Bei dem erfindungsgemäßen Element beträgt die Ansprechgeschwindigkeit etwa 10 Sekunden für Feuchte-Änderungen von 0 bis 100 fo, und etwa 2 Sekunden für Feuchte-Änderungen von ί 20 S&. Bei den bekannten Elementen liegt dagegen die Ansprechgeschwindigkeit für Feuchte-Änderungen von 0 bis 100 5^ bei 40 Sekunden und für Feuchte-Änderungen von - 20 % bei 5-7 Sekunden. Überdies tritt bei dem erfindungsgemäßen Element kein (oder allenfalls nur ein sehr geringer) Unterschied in den Meßwerten auf, wenn der Widerstand einmal bei abnehmender Feuchtigkeit und zum Anderen bei ansteigender Feuchtigkeit gemessen wird. Schließlich ist auch noch zu erwähnen, daß das erfindungsgemäße Element sehr wirtschaftlich in Massenproduktionen hergestellt werden kann und das die Ausgangsmaterialien billig zur Verfügung stehen.
Es ist noch nicht ganz klar, warum das erfindungsgemäße Element die vorangehend umrissenen, ganz ausgezeichneten Eigenschaften besitzt. Vielleicht kann man annehmen, daß bei einer Belegung der Oberfläche des Elements mit Wasserdampf das Element in der gleichen Weise elektrisch leitend wird, wie (was bekannt ist) ein Halbleiter, wenn er ein Gas absorbiert.
nachfolgend werden zahlenmäßige Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert. Die dabei gefundenen Ergebnisse sind zum Teil in den beigefügten Tabellen 1 bis 6 zusammengefaßt und zum Teil auch in den Figuren 8 bis 37 graphisch dargestellt. Die Figur 7 steht dabei im Zusammenhang mit diesen
409885/1102
Figuren und "bezieht sich auf ein "bekanntes feuchtigkeitsempfindliches Element.
Es wurden insgesamt 194· Proben hergestellt, deren Zu sammensetzung im Bereich
90 his 18 Mol# ZnOs
0 his 22 Mol$ Gr2O, und
10 his 62 Mol$ an dritten Metalloxiden lag.
Von diesen Prohen hatten 174 eine Zusammensetzung im Bereich der Erfindung (nachfolgend "Beispiele" genannt), während 20 Prohen eine Zusammensetzung außerhalb des des Bereich der Erfindung hatten (nachfolgend "Bezugsprohen" genannt).
In allen Fällen wurden dahei die genau ausgewogenen Ausgangsmaterialien (in den in den Tabellen jeweils angegebenen Mengen) in einer Kugelmühle innig miteinander vermischt und dann eine Stunde lang hei 8000C vorgesintert. Die vorgesinterte Masse wurde danach zu einem feinteiligen Pulver zerkleinert, zu dem Polyvinylalkohol als Binder zugefügt wurde. Die so erhaltene Mischung wurde anschließend zu Platten von 10 mm Breite, 20 mm Länge und 1 mm Dicke gepreßt. Diese Platten wurden dann in einem auf 1100 his 13000C gehaltenen elektrischen Ofen zwei Stunden lang hei 1000 kg/cm der Hauptsinterung unterworden.
Zur Herstellung einer Feuchte-Messeinrichtung wurden an die Platten übliche Silberelektroden angebacken, wobei für diese Elektroden entweder elementares Ag oder Ag2O als Ausgangsmaterial verwendet wurde. Da das gesinterte Material Temperaturstabil ist, konnte das Anbacken der Elektroden innerhalb eines
409885/1 1 02
weiten Temperaturbereichs von z.B. 400 bis 8000C erfolgen.
Für jede Probe wurde der Widerstand bei 250C und einer relativen Feuchte von 0 $ (Rp,-(O$ RH)) gemessen, sowie das Verhältnis von R25(0$ RH) zu R25 (100$ RH), d.h. das Verhältnis der Widerstände bei 0$ relativer Feuchte und 100$ relativer Feuchte, jeweils für eine Temperatur von 250C.
Die Messergebnisse sind in den Tabellen 1 bis 6 niedergelegt, und zwar zusammen mit der Zusammensetzung der jeweiligen Proben. Dabei bezieht sich die Tabelle 1 auf Proben, die als drittes Metalloxid das Oxid eines einwertigen Metalls enthalten, während die Tabellen 2 bis 5 sich auf Proben beziehen, bei denen das dritte Metalloxid zweiwertig, vierwertig, fünfwertig bzw. sechswertig ist. Die Tabelle 6 schließlich gibt die Ergebnisse an für Proben, bei denen als drittes Metalloxid Mischungen von Mei '0, Me^ '0, Me^'O9, MeA^Oj- und Me^ '0 verwendet wurden.
Einige der vorgenannten Proben wurden noch in Hinsicht auf die Veränderungen des Widerstandes mit der relativen Feuchte getestet, und zwar jeweils bei einer konstanten Temperatur von 25 C. Die bei dieser Untersuchung gewonnenen Ergebnisse sind graphisch in den Fig. 8 bis 22 dargestellt, wobei sich die Figuren (in der Reihenfolge) auf die Beispiele 6, 13, 23, 57, 60, 78, 90, 100, 113, 117, 126, 135, 139 und I46 beziehen.
Zum Vergleich wurde auch die Widerstands/Feuchte-Kurve für ein bekanntes feuchtigkeitsempfindliches Element aufgenommen, und zwar für ein Element, das aus einer gesinterten Mischung von Silizium mit einem Metalioxid bestand. Die dafür
409885/1102
gewonnenen Ergebnisse zeigt die Fig. 7. Besonders ist aus der Fig. 7 erkennbar, daß beträchtliche Unterschiede in den Messwerten auftreten, je nachdem, ob die Messungen mit zunehmender Feuchte oder mit abnehmender Feuchte durchgeführt wurden. Die Richtung der Messungen ist dabei jeweils durch einen kleinen Pfeil in dem betreffenden Kurvenzug angedeutet. Auch bei den Fig. 8 bis 22 wurden die Messungen jeweils mit zunehmender und mit abnehmender Feuchte durchgeführt (siehe auch dort diePfeile) wobei aber keine bzw. nur geringfügige. Unterschiede in den Messwerten auftraten. Die Messwerte sind also bei den erfindungsgemäßen Elementen sehr viel.besser reproduzierbar als bei dem bekannten Element.
Schließlich wurde auch noch für einige Proben die Änderung des Widerstandes mit der Temperatur gemessen^und zwar jeweils bei relativen Feuchten von 0 fo und 100 fo. Die diesbezüglichen Ergebnisse sind in den Figuren 23 bis 37 veranschaulicht, wobei sich diese Figuren (in der Reihenfolge) auf die Beispiele 3, 15, 25, 39,'50, 66, 74, 91, 102, 111, 116, 126, 132, 137 und 147 beziehen. Die für eine relative Feuchte von 0 cß> geltenden Kurvenzügen sind dabei ausgezogen dargestellt und mit "0 5$ RH" bezeichnet, während die entsprechenden Kurvenzüge für 100 $ relative Feuchte gestrichelt dargestellt und mit "100$ RH" bezeichnet sind. Aus den Figuren 23 bis 37 ist klar erkennbar, daß das feuchtigkeitsempfindliche Element gemäß der Erfindung, obgleich es eine Zusammensetzung als osidischer Halbleiter hat, seinen Widerstand im Temperaturbereich von 0 bis 1000O nur höchst unwesentlich änderte
40988B/1102
- H
TABELLE 1
1 ZnO
(mol%)
Cr2O
(mol
3
%)
«β«1»
(mol
O
%)
10 I ■1 I Il R25
mm
R25(0%RH)
Bezug 2 90 0 Μβ(1» =Li Ii Il Il 155 R25(100%RH)
It 1 Il Il Ii =Na Il 3 170 175
Beispiel 2 89.9 0. 1 ι: =Li Il Il 74 190
• »ι 3 ir !I 11 =Na Il 63 785
Il 4 ■ι Il :; =κ · K Il 57 810
Ii 5 ■ι ΐ! =Rb ti Il 61 745
Il 6 Il Il II =Cu 15 30 78 830
ι: 7 80 5. 0 !I =Li Il 11 20 710
ι: 8 Il Il » =Na 13 1640
κ 9 ■ι 71 I! =K 17 1855
ΐι ιό Il H I= =Rb 11 1705
11 Il Il II =Cu 24 2080
Il 80 5. 0 K =Na 10 1570
(I =K 2120
=Rb
Il =Cu
12 :) =Li
Il 13 60 10 η -Li 0.50
η 14 Il Il Il =Na 0.26 8090
π 15 π Il « =K 0.34 10770
η 16 η Il ι: =Rb 0.47 9565
■ι Il Il ι; =Cu 0.63 9135
7940 '
409885/1102
j
Beispiel
17 60 10 Ke (D =Li 10 0.38 83 9675
:; =Na " 87
U =K " 65
il 18 Il Il 'Il =K l! 0.42 69 9310
5) =Rb "
=Cu "
II 19 30 20 Il =Li 50 28 62 1605
It 20 Il Il Il =Na " 34 1410
ι: 21 Il Il i) =K " 40 156 1300
ι; 22 Il Il t: =Rb " 46 215 1175 j
ι« 23 Il Il ·■' =Cu " 22 1685
Il 24 I! Il /JI =Li 10 20 1720
ΪΙ =Na "
I! =K "
Γ =Rb "
=Cu "
Il 25' 20 Il I; =Li 60 70 845
" 26 Il η Il =Na " 78 810 I
Ii 27 20 20 It =K 60 760
Il 28 Il Il Il =Rb " 720
Il 29 Il Il II- =Cu " 905
Il 30 Il Il *
\
Il =Li 30 885
\
\ ■ 1 =K "
Il 31 Il ti Il =Pb " 920
\ Il =Cu "
Be ziog 3 18 20 Il =K 62 180
ti 4 Il 22 Il =Cu 60 145
409885/1102
TABELLE 2
5 33 ZnO Cr O Me(2)0 =Ca 10 R R25(0%RH)
6 34 (mol%) 2 3 (] =Ba Il (0%RH) R_t.(100%RH)
ZD
Beispiel32 35 (mol%) =Sr Il (ΜΩ)
Bezug Il 36 90 0 TlOl %) =Ca Il 200 185
Cl 37 11 Il =Pb Il 150 190
ι: 38 89.9 0.1 Me*2)=Ba =Mn It 75 545
H 39 Il Il W =Ni Il 82 590
Jl 40 Il Il Ii =Co Il 66 640
■ I 41 Il Il II =Mg Il 87 735
Il 42 Il Il '■ =Cd Il 73 560
Il 43 II ti =Cu Il 61 705
It 44 Il It Il =Fe ■1 58 680 ;
It Il Il It =Be It 60 770 j
Il ■ I Il ti =Ba ■ 1 69 710
11 η Il Il 15.0 74 665
11 It Il 77 635
ti Il It 85 520
80 5.0 « 31 1435
Il
Il
409885/1 1 ü2
Beispiel 45
45 80
46 Il
47 Il
48 Il
49 Il
50 Il
51 Il
52 60
53 Il
54 It
55 Il
56 Il
57 Il
58 II
5.0
10
Me {2)=Cal5.0 Il 28 1620 i
Il =Pb Il 12 1915
Il =Ni Il 22 1535
Il =Co Il 17 1820
SI =Mg Il 26 1580
II =Fe 3 35 1325
ί" =Sr II 14 1870
Γ =Mn Il
!I =Co (I
II =Ni Il
V =Be 30
Il =Ca Il 0.65 6730
Il =Pb Il 0.51 9315
11 =Cd Il 0.74 6040
Il =Cu Il 0.86 7225
Il =Co 10 0.97 5655
ί" =Ba Il 0.48 9635
Γ =Sr Il
U =Ca It
Γ =Pb Il 0.58 8710
=Cu II
=Co
4098 85/ 1 1Ü2
Beispiel 59 30 20 20 Ke <! ^=Ca 50 37 1075
Il 60 ■ι II tr Il =Co Il 40 1020
Il 61 II Il Il Il =Fe Il 28 1320
IS 62 Il Il Il Il =Cu Il 32 1145
Il 63 Il 11 ■ι Il =Ba 5 23 1400
il Il =Sr Il
• 1 =Ca Il
j ·«
}
=Pb 5
V =Mn Il
(
". Il
I
Ι«
=Ni Il
II
1
I
i Il
I
-LO
=Fe
Il
20 f
/ Il
r
ι
=Cu Il
22 V1 =Cd U
It 64 20 Il =Sr 60 75 735
Il 65 Il Il =Fe Il 83 655
Il 66 II Il =Ni Il 90 560
η 67 Il Il =Be Il 71 770
- 68 ir ■ 1 =Ba Il 67 805
« 69 Il Γ " =Ca 10 70 795
Il -Pb ■ 1
1" =Mn
I =Ni Il
I" =Co Il
i" =Fe Il
Bezug 7 18 Il =Cd 62 170 160
If 8 Il Il =Mg 60 240 125
409885/1102
TABELLE 3
9 ZnO Cr O Me 1V =Ge 10 .0 R25 R25(0%RH)
10 90 / j
(mol%)
C
(xnol%)
=Ti ι: (0%RH)
(ΜΩ)
R25(100%RH)
Bezug 70 Il 0 Me^=Ti =Ge Il 180 180
Il 71 89.9 Il =Zr Ii 145 195
Beispiel. 72 Il 0.1 ·■ =Mn I! 72 610
Il 73 11 ■ 1 9 =Te Il 86 575
Ιΐ 74 II Il If =Sn Il 61 790
ι: 75 ti Il -Si Il 74 605
ϊι 76 Il Il Il =Ce Il 69 590
Ii 77 11 Il <t =Th Il 57 860
Il 78 11 Il ;. »Hf Ii 50 825
I. 79 11 Ii Il =Ge Il 65 780
Il 80 If II Il =Zr 15 73 595
·· 81 80 Il η =Mn » 79 535
If 82 Il 5.0 Il =Te Il 28 1630
Il 83 Il Il Il =Si r. 33 1445
V 84 Il Il Il =Ce Il 12 2070
Il 85 Il ι: Il !I 19 1910
H Il Il (I 21 1765
H Il Il 37 1320
409885/ 1 1U2
Beispiel 86 94 80 5.0 Met1
ί
=Ge 3.0 16 1880
95 1 u
I
=Zr Ii
96 1
' Il
S
=Mn Il
97 ! » =Te Il
L =Zr Il
ü 87 60 10 II =Ge 30 0.39 10410
tt 88 60 10 (I =Te 30 0.45 8955
89 II Il Il =rin Il 0.52 8060
11 90 :i Il t: =Ce 0.66 7120
Il 91 11 If ι; =Ti 11 0.74 6535
Il 92 ti It f" =Ge 10 0.61 7685
U. < u '
1
=Zr Il
ι» =Ce Il
Il 93 It I! /'«
)
=Hf
ml-»
ι: 0.77 6390
\: ±11
=Mn
Il
Il
:. 30 20 =Te 50 26 1610
Il II Il ;t ==Sn 33 1325
Il If Il j; =Si U 39 1285
!I ft ι: ;: ι; 44 1170
409885/1102
Beispiel 98 20 20 . ,Me^ I =Ti 5 21 1740
Il Ii =Ge Il
ι; II =Zr Il
Ϊ7 Il Il =Mn Il
Il =Te Il
20 Il =Sn Il
Il Il =Si Il
Il =Ce Il
ι- =Th Il
K- =Hf '■
11 99 fl H =Ti 60 71 765
Il 100 π Il =Zr Il ■ 84 710
!1 101 18 Il It =Te Il 87 670
II 102 Il π =Sn Il 69 785
Il 103 » Il =Si Il 60 820
It 104 20 η =Hf 60 55 940
Il 105 ti (" =Ge 10 62 805
=Zr Il
ii =Mn Il
=Te Il
=Ce Il
, =Sn Il
Bezug 11 20 =Si 62 165 185
■ I 12 22 =Sn 60 220 130
409885/1 102
TABELLE k
13 ZnO Cr2°3 M ,' 2 ,1Sl R25 55 R25(0%RH)
14 JXiOL-S) /τη/-<1 S· ^ 1 ( TO /^ 68 R_c(100%RH)
106 V IH(J J-1B j j \ IHC =Nb 10 (0%RH) 76
Be 2HJg 107 90 0 Me (5) =Ta i! (ΜΩ) 91 175
Il 108 ■ 1 If Il =Nb " 200 72 185
Beispiel 109 89.9 0.1 Ii =Ta " 165 580
Il 110 Il II Il =Sb " 84 69 635
Il 111 If IJ Il =V " 76 720
I. 112 IE II Il =Nb 15.C 69 615
Il 113 80 5.0 K =Ta " 77 1720
Il 114 Il Il !I =Sb " ι 24 1560
Il ■i Il fl =v " 31 1395
ti Il Il Il =Nb 6.0 15 2035
Il i: 1! j :i =Ta 3.0 12 177Q
115 1
/
It =Sb " . 17
116 \
I
η =V "
117 Ϊ
I
\
\
ti =Nb 30
Il 118 60 10 Il =Ta I! 8340
π 119 Il Il Il =Sb " 0. 8125
11- Ii Il =v " 0. 7490
■1 120 Il Il ■ 1 =Nb 15 0. 6660
■I 121 π ti II =Sb " 0. 7715
122 Il =Ta "
=V "
0.
Il 123 Il Il
11
=Nb 50 8040
Il 124 30 20 Il =Ta " 0. 1680
ir η Il ;t =Sb " 24 1520
Il Il Il Il =v " 36 1830
Il II It Il 19 1465
38
A09885/1102
Beispiel 125 20 20 It Il ' =Nb 60 67 775
ti 126 Il Il Il Il =Ta Il 72 720
Il 127 Il Il Il It =Sb Il 55 885
Il 128 ti Il (" It =V Il 61 710
Il 129 It >' /·■ =Nb 15 59 850
η \ =Ta It
=Sb Il
=V It
Bezug 15 18. 20 =Sb 62 155 150
Il 16 11 22 =V 60 201 145
TABEIIE 5
17 ZnO
(mol
Cr2O
(mol
3
%)
Me(6)
(mol
=w 10 R25
(0%RH)
(Mfi)
68 R25(0%RH)
Be ztig 18 90 0 Me(6> =Mo Il 150 62 R25(100%RH)
Il 130 11 Il Il =W I! 165 21 165
Beispiel 131 89.9 0 .1 ti =Mo 10 71 18 180
Il 132 89.9 0 .1 Il =Te Il 16 775
Il 133 It Il Il =W 15 820
Il 134 I: 5 .0 ■i =Mo Il 885
·· 135 Il M Il =Te Il 1620
Il Il t: ρ 1815
1930"
409885/1 Ί 02
Beispiel 13 6 137 89.9 5.0 1 "
/
Il =w 5 14 2020
138 I Il =Mo Il
139 Il =Te ir
ι; 140 60 10 f Il
{
=w 30 0.45 8775
Il Il Il 1 it =MO Il 0.32 9610
H 141 Il Il (" =Te 11 0.21 10330
11 Il t! I- =w 15 0.30 9701
142 11 =Mo 11
Il 143 Il Il Il =Mo Ii 0.26 9910
144 i! =Te Il
Il 145 30 20 ί " =W 50 24 1425
I? K 11 {■■ =Mo 11 36 1305
11 Il Il {" =Te Il 39 1230
Il 146 ti Il Il =W 20 21 1500
147 Il =Mo Il
148 11 =Te 10
It 19 20 20 ■ I =W 60 72 835
Il 20 ■I » Il =Mo 31 88 720
II Il Il =Te It 69 980
Bezug 18 20 =W 62 130 200
Il Il 22 =Te 60 145 185
409885/1Ί 02
TABEIIiE 6
ZnO Cr O Drittes R25 R25(0%RH)
Beispiel 149 (mol Metalloxid
(molfo)
(ΜΩ) R25(100%RH)
60 10 /Me(1^=Li 15 0.56 8950
150 lMe(2)=Mg "
Il Il jMe(1)=K - 0.75 9234
151 (Me^=Zr "
Il ti (Me(1)=Na " 0.38 11095
152 U(5)=v "
Il ■ I ,'Me(1)=Li " 0.43 9020
153 U(6)=Te "
154 Il I! [Me(2)=Co " 0.82 6305
Il Il (Me(2)=Ba " 0.51 9013
155 (Me(5)=Nb "
Il Ii JMe(2)=Sr " 0.35 9500
156 U(6)=Te »
157 Il Il j Me 0.68 7750
Il Il |Me(4)=Ti · 0.52 8028
158 Me (6U »
Il ι: |ife(5)=V -
JMe(6)=Mo "
0.65 7520
409885/1102
;piel 159 60
»f . 16c Il
Il 161 »1
162 Il
Il 163 Il
Il 164 Il
Il 165 Il
!I 166 η
Ii 167 Il
/•Me
^Me
(D
(2)
=Li
=Pb
10
Il
{hie W =Ti Il
■'Me U) =K Il
{Me
1
(2) =Ca I!
^Me (5) =Nb Ii
('Me
i
(1) =Na 10
]
s (Me
(2) =Cd ti
I
!Me
(6) =W If
.''Me (D =Cu ti
-;Me
I
(4) =Zr II
!Me (5) =Ta Il
tie
\
(D =Rb It
Ina (2) =Mn El
iMe (2O =Te H
/Me (D =Li U
/Me (5) =Nb Il
[Me (6) =Mo »
,'Me (2) =Co It
j Me (4) =Zr ■ 1
C Me (5) =Ta II
/Me (2) =Ba ir
iMe (*) =Ti Il
• Me (6) =W Il
Me (2) =Sr Il
=Te "
0.59
0.50
0.48
0.53
0.43
0.50
0.73
0.55
0.53
8210
7845
10095
8895
9427
9113
7520
7940
8140
409885/1 102
60 10 ■ 1 27 - 0.49 2434129
Beispiel 168 <Me (i|)=Ti " 8098
Il If Me(5)=Ta "
.· ( 6) n ti
0.62
169 sMe =Mo
'Me (3^=Li 10
7875
Il !Me(2)=Ba "
Me(4)=Ti 5
Il η (Me^=V " 0.57
1
ι» 170
Il Me' 1^=Cu 10 8541
Me(2)=Sr I!
^ (4)
HeVH'=Zr 5
Il Ma(6)=Te 1! 0.41
11 ' 171 Il 'Me(1^=Na 10 10280
Me (2^=Ca "
Me(5)=Ta 5
Il Me(6)=W » 0.53 -
11 172 'Me(1)=K 10
Mrs ' ' M»-i "
8609
we —Mn
Mevj;=Nb 5
Il ,Me(6)=Mo " 0.69
173 Me(1)=Li 10 7840
Me (21^Zr "
Me(5)=V 5
Il Ue(6)=W " 0.74
174 (Me(1^=Na 10 9860
lMe(2}=Ba 5
i lie ( ^=Ti !1
|ne(5^Sb -
[Me(6)=Te »
409885/ 1 102

Claims (8)

243Λ129 Patentansprüche
1. Feuchtigkeitsempfindliches Element aus einem oxidischen Halbleiter, gekennzeichnet durch die Zusammensetzung
89,9 bis 20,0 MoI^ ZnO,
0,1 bis 20,0 M0I5S Or2O3 und
10,0 bis 60,0 Mol$ an mindestens einem
dritten Metalloxid,
das ausgewählt ist aus der Gruppe Ii2O, Na2O, EpO, Rb2O, BaO, SrO, CaO, PbO, MnO, NiO, CoO, MgO, CdO, PeO, BeO, CuO, GeO2, ZrO2, MnO2, CeO2, SnO2, SiO2, CeO2, !EhO2, HfO2, Hb2Oc, Ta2O5, Sb2O5, V2O5, WO5, MoO5 und IeO5.
2. Feuchtigkeitsempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeicbnet, daß das dritte Metalloxid das Oxid eines einwertigen Metalles ist und aus der Gruppe Ii2O, Na2O, EgO, Rb2O, Cu2O bzw. Mischungen dieser Oxide ausgewählt ist.
3. Feuchtigkeitsempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Metalloxid das Oxid eines zweiwertigen Metalles ist und aus der Gruppe BaO, SrO, CaO, PbO, MnO, NiO, CoO, MgO, CdO, CuO, FeO, BeO bzw. Mischungen dieser Oxide ausgewählt ist.
4. Feuchtigkeitsempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Metalloxid das Oxid eines vierwertigen Metalles ist und aus der Gruppe IiO2, GeO2, ZrO2, MnO2, TeO2, SnO2, SiO2, CeO2, ThO2, HfO2 bzw. Mischungen dieser Oxide ausgewählt ist,
409885/1102
5. Feuchtigkeitsempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Metalloxid das Oxid eines fünfwertigen Metalles ist und aus der Gruppe ITb2Oe, Ia2O,-, ShJO^, T2Oc bzw. Mischungen dieser Oxide ausgewählt ist.
6. Feuchtigkeitsempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennze ichnet, daß das dritte Metalloxid das Oxid eines sechswertigen Metalles ist und aus der Gruppe ¥0,, MoO2, IeO~ bzw. Mischungen dieser Oxide ausgewählt ist.
7. Feuchtigkeitsempfindliches Element nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch. die Zusammensetzung
80,0 bis 30,0 Mol$ ZnO,
5,0 bis 20,0 Mol$ Cr3O5 und
15,0 bis 50,0 Mol% an mindestens dem
einen dritten Metalloxid.
8. Feuchtigkeitsempfindliches Element nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch die Zusammensetzung
60,0 MoIjS ZnO
10,0 Mol# Cr2O3 und
30,0 Mol$ an dem mindestens einen
dritten Metalloxid.
KRE/bk 409885/1102
DE19742434129 1973-07-13 1974-07-12 Feuchtigkeitsabhängiges Widerstandselement Expired DE2434129C3 (de)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7847873A JPS5316917B2 (de) 1973-07-13 1973-07-13
JP7847673 1973-07-13
JP7847773A JPS5316916B2 (de) 1973-07-13 1973-07-13
JP7847873 1973-07-13
JP7847673A JPS5316915B2 (de) 1973-07-13 1973-07-13
JP7847773 1973-07-13
JP10545573 1973-09-20
JP10545673 1973-09-20
JP48105455A JPS5243487B2 (de) 1973-09-20 1973-09-20
JP10545673A JPS5318278B2 (de) 1973-09-20 1973-09-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2434129A1 true DE2434129A1 (de) 1975-01-30
DE2434129B2 DE2434129B2 (de) 1977-05-05
DE2434129C3 DE2434129C3 (de) 1977-12-22

Family

ID=

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2603542B2 (de) 1975-02-03 1978-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Feuchteabhängiger keramischer Widerstand
DE2641577B2 (de) 1975-09-18 1979-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Feuchteabhängiges Keramikwiderstandselement auf Metalloxidbasis
EP0110387A2 (de) * 1982-11-30 1984-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Feuchtigkeitsempfindliches Element und Verfahren zur Herstellung desselben
CN115440457A (zh) * 2022-09-06 2022-12-06 四川汇思电气有限公司 一种新型热敏电阻的制备方法、热敏电阻及应用

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2603542B2 (de) 1975-02-03 1978-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Feuchteabhängiger keramischer Widerstand
DE2641577B2 (de) 1975-09-18 1979-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Feuchteabhängiges Keramikwiderstandselement auf Metalloxidbasis
EP0110387A2 (de) * 1982-11-30 1984-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Feuchtigkeitsempfindliches Element und Verfahren zur Herstellung desselben
EP0110387A3 (en) * 1982-11-30 1985-04-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Humidity-sensitive element and process for producing the same
CN115440457A (zh) * 2022-09-06 2022-12-06 四川汇思电气有限公司 一种新型热敏电阻的制备方法、热敏电阻及应用

Also Published As

Publication number Publication date
US3926858A (en) 1975-12-16
GB1482584A (en) 1977-08-10
DE2434129B2 (de) 1977-05-05
FR2241511A1 (de) 1975-03-21
FR2241511B1 (de) 1977-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69720640T2 (de) Lithium-Ionen leitende Glaskeramiken und damit hergestellte elektrische Zellen und Glassensoren
DE2603542C3 (de) Feuchteabhängiger keramischer Widerstand
DE69611642T2 (de) Zinkoxidkeramik, Verfahren zu deren Herstellung und Zinkoxidvaristoren
DE69734000T2 (de) Verfahren zum aufbringen von kontaktbelegungen auf einen träger
DE2641577C3 (de) Feuchteabhängiges Keramikwiderstandselement auf Metalloxidbasis
DE69209417T2 (de) Nichtreduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung
DE3150558A1 (de) Feuchtigkeitsempfindliche keramik
DE112014001227B4 (de) PTC-Thermistorkeramikzusammensetzung und PTC-Thermistorelement
DE2800495A1 (de) Nichtlinearer widerstand
DE2651160C3 (de) Sensor für reduzierende Gase
DE2526453B2 (de) Gassensor
DE2547077B2 (de) Spannungsabhängiger Widerstand vom Massetyp mit einem auf Grund seiner Zusammensetzung spannungsabhängigen Sinterkörper auf der Basis von Zinkoxid
CA1147945A (en) Oxide thermistor compositions
EP2118037B1 (de) Keramikmaterial und elektrokeramisches bauelement mit dem keramikmaterial
DE2549891A1 (de) Zusammensetzung eines keramischen dielektrikums
EP1019710A2 (de) Sauerstoffsensor
DE2914130C2 (de)
DE69018742T2 (de) Thermistor und Gassensor mit diesem Thermistor.
DE102008046858A1 (de) Keramikmaterial, Verfahren zur Herstellung eines Keramikmaterials, elektrokeramisches Bauelement umfassend das Keramikmaterial
DE3541517C2 (de)
DE2434129A1 (de) Feuchtigkeitsempfindliches element
DE2225431C2 (de) Metalloxid-Varistor mit einem Gehalt an ZnO
DE19832843A1 (de) Thermistor
DE2434129C3 (de) Feuchtigkeitsabhängiges Widerstandselement
DE2914663C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP

8339 Ceased/non-payment of the annual fee