DE2415625A1 - Verfahren zur erhoehung des aufloesungsvermoegens - Google Patents
Verfahren zur erhoehung des aufloesungsvermoegensInfo
- Publication number
- DE2415625A1 DE2415625A1 DE2415625A DE2415625A DE2415625A1 DE 2415625 A1 DE2415625 A1 DE 2415625A1 DE 2415625 A DE2415625 A DE 2415625A DE 2415625 A DE2415625 A DE 2415625A DE 2415625 A1 DE2415625 A1 DE 2415625A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- wavelength
- reflectivity
- transmission
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
- G11C13/048—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using other optical storage elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
Böblingen, den 29. März 19 74
pr-aa
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: SA 973 008
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erhöhung des Auflösungsvermögens beim Auslesen von Speichern, bei denen die Information
durch Bereiche unterschlxedlicher Reflektivität dargestellt wird, mittels Laserstrahlen.
Auf dem Gebiete der Datenverarbeitung und Datenspeicherung gewinnen
optische Speicher wegen ihrer relativen Einfachheit und ihrer außerordentlich hohen Speicherdichte zunehmend an Bedeutung.
Es hat sich gezeigt, daß die bei einer immer weiteren Erhöhung der Speicherdichte entstehenden Schwierigkeiten nicht so sehr bei
der Aufzeichnung als beim Abtasten des aufgezeichneten Speicherinhalts
auftreten. Diese Erscheinung ist vor allem darauf zurückzuführen, daß die selbst bei Verwendung von Lasern unvermeidlicherweise
auftretenden Beugungsscheibchen im allgemeinen größer sind als die kleinsten mit optischen Hilfsmitteln aufzeichenbaren
Strukturen. Derartige Vorgänge finden beispielsweise bei einem optischen Speicher statt, bei dem die Information mit Hilfe eines
zeilenweise über eine lichtempfindliche Schicht bewegten, zeitlich modulierten Laserstrahls aufgezeichnet und durch einen
die mit in dieser Art erstellten Aufzeichnungen versehene Schicht zeilenweise abtastenden unmodulierten Laserstrahl ausgelesen wird.
Beim Auslesen darf die Intensität des Laserstrahls einen bestimmten Schwellwert nicht überschreiten, damit eine Beeinflussung
409842/0845
der die Aufzeichnung tragenden Schicht mit Sicherheit vermieden werden kann. Bekannte Verfahren zur optischen Speicherung beruhen
beispielsweise auf der thermischen Umorientierung und Rückorientierung
der Domänen einer ferromagnetischen Substanz oder auf der thermischen Kristallisation einer amorphen Substanz. In beiden
Fällen gibt es genau definierte Schwellwerttemperaturen, bei denen die physikalischen Umwandlungen stattfinden, so daß es
möglich ist, Informationsbits aufzuzeichnen, deren Durchmesser
in der Speicherebene kleiner ist als die Halbwertbreite der Gauss'sehen Verteilung des aufzeichnenden Strahls. Beim Auslesen
der Information gehen aber die durch den oben beschriebenen Tatbestand möglich werdenden hohen Aufzeichnungsdichten wieder
verloren, da bei der Abtastung selbst eines verschwindend schmalen Bits das durch die Faltung eines Lichtstrahls mit Gauss'scher
Verteilung mit einer ö-Funktion entstehende Profil eine Breite aufweist, die gleich der Breite des beugungsbegrenzten optischen
Strahls ist.
Die Erfindung geht von der Aufgabenstellung aus, diese Nachteile zu vermeiden und ein Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe bei
einem guten Signal/Rausverhältnis Aufzeichnungen gelesen werden
können, deren Abstände kleiner als das durch die Gesetze der optischen Beugung bedingte Auflösungsvermögen sind.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Verfahren zur Erhöhung des Auflösungsvermögens beim Auslesen von optischen
Speichern, bei denen die Information durch Bereiche unterschiedlicher Reflektivität dargestellt wird, mittels Laserstrahlen
gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Pumpenergie des
Lasers so unterhalb des Ansprechschwellwertes eingestellt wird, daß ein Senden nur bei Auftreffen des Strahls auf einen gut
reflektierenden Speicherplatz einsetzt, daß der Strahl auf die jeweils auszulesenden Bereiche gerichtet und der dabei jeweils
auftretende Anregungszustand des Lasers als Kriterium für den
jeweils vorliegenden Speicherwert ermittelt wird.
SA 973 008
409842/084S
Eine weitere vorteilhafte Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens
ist dadurch gekennzeichnet, daß die Pumpenergie eines in zwei Wellenlängenbereichen mit einem gemeinsamen Energieniveau
sendenden Laser^ bei dem Senden im Bereich der eine niedrigere Güte erfordernden ersten Wellenlängen aufgrund der selektiven
Reflektivität eines der Resonatorspiegel stattfindet, so eingestellt wird, daß beim Auftreffen des Strahls auf einen schlecht
reflektierenden Speicherbereich das Senden im ersten Wellenlängenbereich unverändert aufrechterhalten wird, während beim Auftreffen
des Strahls auf einen gut reflektierenden Speicherbereich die Güte des Resonators so erhöht wird, daß Senden im Bereich
der eine höhere Güte erforderlichen Wellenlänge einsetzt, durch die das Senden im Bereich der ersten Wellenlänge unterdrückt
wird, und daß die beim Abtasten eines Speicherbereichs sich einstellende Wellenlänge als Kriterium für den jweils gespeicherten
Wert ermittelt wird.
Die Erfindung wird anschließend anhand der Figuren näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung
des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 2 Kurven zur Veranschaulichung des Auflösungsvermögens des vorliegenden Verfahrens,
Fig. 3 Kurven zur Veranschaulichung des Auflösungsvermögens bei bekannten Verfahren und beim
erfindungsgemäßen Verfahren,
Fig. 4 eine weitere Darstellung zur Veranschaulichung
des erfindungsgemäßen Verfahrens.
SA 973 008
A098A2/08AS
Die Erfindung wird in Zusammenhang mit einer besonderen Art von
als amorphe Halbleiter bekannten Substanzen erläutert. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Rückwirkung der beiden binären
Zustände des Speichermediums zur nichtlinearen Beeinflussung der Leistungsabgabe des die Auslesung bewirkenden Lasers verwendet.
Zu diesem Zweck wird das Arbeitsniveau eines Lasers so eingestellt, daß die Rückwirkung des einen Informationszustandes ins
Resonatorinnere den Laser über einen Schwellwert bringt, während die Rückwirkung des anderen Informationszustandes nicht genügt,
um den Anregungszustand des Lasers über den besagten Schwell·«-..
wert anzuheben. Somit wird das Auslesen selbst ein Schwellwertprozeß un^ ermöglicht im optischen Speicher eine sogenannte Superauf
lösung, d.h. ein überschreiten des durch die Beugungserscheinungen begrenzten Auflösungsvermögens optischer Systeme.
GaAs-Laser haben, ebenso wie andere Halbleiterlaser gegenüber anderen
Lasern, eine Reihe von Vorteilen. Die Schwellwertstromdichte eines GaAs-Lasers kann, wie sich aus der folgenden Gleichung ergibt,
im großen umfang durch Änderung der Güte Q des Resonators,
verändert werden.
th ao + "b + 1/Ä £n <R1R2^1/ (1)
tn cto + Oj3 + 1/Ä An (R1)
wobei R1 und R_ die Reflektivitäten der Resonatorflächen, £ die
Resonatorlänge, α die energieunabhängigen Verluste der Resonators
aufgrund von Streuung und der Absorption freier Träger und α' die Absorption aufgrund von Dotierungsschwanzbandverlusten
ist. Für den zuletzt genannten Term gilt die Gleichung
ΔΕ/Ε
α1 = α, e , wobei E das Energieniveau im Leitungsband ist, von dem ein Sendeübergang (lasing transition) bei fehlender Rückkopplung zuerst beginnt und wobei ΔΕ die Verschiebung des Niveaus -als Folge der Verbesserung der Resonatorgüte Q ist.
α1 = α, e , wobei E das Energieniveau im Leitungsband ist, von dem ein Sendeübergang (lasing transition) bei fehlender Rückkopplung zuerst beginnt und wobei ΔΕ die Verschiebung des Niveaus -als Folge der Verbesserung der Resonatorgüte Q ist.
SA 973 008
409842/08AS
In Nichthalbleiter-Lasersystemen existiert der zweite Term der Gleichung (1) nicht. Bei einer Anwendung des Verfahrens auf
solche Vorrichtungen würde man versuchen, nur den Effektivwert von R2 durch Rückwirkungsänderungen von den amorphen und kristallinen
Zuständen des Materials zu verändern. R2 aber ist im
allgemeinen bei Resonatoren mit hoher Güte Q hoch, während die absolute Reflektivitätsdifferenz zwischen den beiden Zuständen
der Speiche^schicht höchstens 0,2 beträgt. Das hat zur Folge, daß selbst bei einem ursprünglichen Wert von R2 von nur 0,8, die
durch die Rückwirkung verursachte Änderung AR2 nur in der Größenordnung
von 0,01 oder 0,02 läge. Werden diese Werte gemäß Gleichung (1) in Schwellwertströme umgesetzt, ergibt sich ein
Unterschied der durch die beiden Zustände bedingte Anregungsschwellwerte
von weniger als 1 %. Gaslaser sind für das erfindungsgemäße Verfahren daher bei weitem weniger geeignet als
GaAs-Laser.
Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung besteht aus einem GaAs-Laser
1, dessen Resonator von Flächen mit den Reflektivitäten
R1 und R„ eingeschlossen ist. Der von diesem Laser erzeugte
Strahl wird über Linsen 2 und 3 auf eine Fläche 4 fokussiert, auf der schematisch Bits 5, 6 und 7 als Flächen mit unterschiedlicher
Reflektivität R angedeutet sind. Gemäß der gewählten Darstellungsweise
weisen die mit 5 und 7 bezeichneten Bits eine höhere Reflektivität auf als das mit 6 bezeichnete Bit. Der
Laser 1 ist eine Vorrichtung mit einem übergang zwischen gleichen Materialien, die bei 77 0K arbeitet, während die Speicherfläche
aus einer TeGeAs-Schicht mit der Zusammensetzung Te„ noGe~ ^oAs^ ^1- besteht, deren Reflektivität, die in Fig. 1
0,93 0,02 0,05
durch den Pfeil R und die unterschiedliche Profilhöhe angedeutet, verschiedene Werte aufweist. Bei einer Erprobung des Verfahrens
wurden, um eine Beobachtung der Vorgänge auf einen Fernsehmonitor zu ermöglichen, zusätzliche, jedoch an sich bekannte
Komponenten verwendet, die eine Aufzeichnung von Punkten durch das Substrat der Schicht erforderlich machten. Bei dieser
Vorrichtung wird die Rückkopplung um 0,33 verringert. Ein
SA 973 008
409842/0848
zusätzlicher Verlust von 0,67 wurde durch den zweimaligen Durchgang
der Strahlen durch die relativ verlustreiche Optik verursacht. Auf diese Weise war im Vergleich zu einem ohne Rückkopplung
auftretenden Normalwert von R„ von 0,33 die durch die
Rückwirkung von einem sich in kristallinen Zustand befindlichen Speicherbereich erzeugte effektive Änderung der Reflektivität
AR2 = 0,04. Setzt man aQ = 13 cm"1 und ab = 40 cm"1 und einen
ebenfalls üblichen gemessenen Wert von 30 cm"1 für £~1, so ist
die erwartete Änderung des Schwellwertes wegen des durch das kristalline Material eingeführten Ar nur gleich 0,03. Die gemessene
Änderung des Schwellwertes ist aber 0,10, was bedeutet, daß die durch auf Dotierungsschwanzbandverlust beruhenden Absorptionsverschiebungen
bedingte Änderung des zweiten Terms der Gleichung (1) den wesentlichen Beitrag bei der Änderung der Güte
Q des GaAs-Laser-Resonators im Bereich des Schwellwerts liefert.
Durch diese Stärkung des Rückkopplungseffektes, durch die eine ausreichende Schwellwertdifferenz durch die Rückwirkung der beiden
Zustände des Speichermaterials (annähernd 5 %) erzeugt wird, wird das erfindungsgemäße Verfahren funktionsfähig.
Ein weiterer Vorteil des GaAs-Lasers im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren besteht darin, daß es wegen seiner
relativ geringen Güte Q relativ stabil und unempfindlich gegen kleine Änderungen der Rückkopplungs-Weglänge ist und daher
keine besonderen Vorkehrungen zur Vermeidung kleiner mechanischen Veränderungen erforderlich sind.
Das TeGeAs-Speichermedium wurde im kristallinen Zustand hergestellt
und ein umgekehrtes Modenschreibverfahren verwendet. Die in der Speicherebene gemessene Halbwertsbreite des GaAs-Lasers
war 2,5 μ und die Größe der in den amorphen Zustand überführten
Punkte der Schicht kleiner als 2,0 μια. Es wurden Paare derartiger
in den amorphen Zustand überführter Punkte aufgezeichnet, wobei die einen kristallinen Zustand der Schicht umfassenden Abstände
zwischen diesen Punkten als der veränderliche Parameter verwendet wurden. Diese Bitmuster wurden dann mit einem Laser
SA 973 008
40984 2/0845
einmal nach dem herkömmlichen Verfahren und einmal nach dem
Schwellwertverfahren ausgelesen. Beim herkömmlichen Abtastverfahren wurde der Laser entweder unterhalb oder wesentlich oberhalb
des Schwellwertes betrieben. Bei Verkleinerung der Abstände zwischen den besagten Punkten wird die bei Anwendung des herkömmlichen
Abtastverfahrens erzielte Modulationstiefe immer kleiner und erreicht schließlich, wie in Fig. 2a dargestellt, einen Punkt,
in dem die anspruchslose RayIeigh-Bedingung für die Auflösung
zweier Punkte nicht mehr erfüllt wird. Die Modulationstiefe ist
in diesem Fall etwa 7 %. Bei Anwendung des Schwellwertverfahrens wird jedoch eine Modulationstiefe von 60 % erreicht, so daß, wie
in Fig. 2b dargestellt, die Punkte deutlich aufgelöst werden. Aus diesen Versuchen ergibt sich die Überlegenheit der Auflösung
bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Wie aus Fig. 3
ersichtlich, wird bei der Abtastung nach dem Schwellwertverfahren eine Erhöhung der Moduluationstiefe für alle Abstände zwischen
einem Punktepaar erreicht, bei denen mit herkömmlichen Abtastverfahren Modulationstiefen von weniger als 100 % auftreten. Je
nach der Definition für das Vorliegen der Auflösung von Bitpunkten kann die maximale Speicherdichte um 50 bis 100 % verbessert
werden.
Wird der Abstand zwischen den im amorphen Zustand befindlichen Punktpaaren weiter verkleinert, so tritt schließlich ein Zustand
ein, bei dem die durch die Beugung an Punkten mit einem kleineren Durchmesser als der Durchmesser des Abtaststrahls auftretenden
Verluste die Rückkopplung auf ein nicht mehr ausnutzbares Niveau senken. Im vorliegenden Fall wurde dieser Zustand erreicht, wenn
die kristallinen Bereiche zwischen den Punkten enger als 1 ym wurden. Es ist allerdings möglich, das Verfahren in verschiedener
Hinsicht zu verbessern. Bei Verwendung einer oberflächenvergüterten
Optik und mit einem auf die Luftgrenzschicht auffallenden
Strahl kann die den beiden Zuständen des Speichermaterials zugeordnete Schwellwertdifferenz bis auf 0,1 oder sogar 0,15 vergrößert
werden. Eine weitere Verbesserung des Verfahrens kann dadurch erreicht werden, daß Laserstrahlen mit möglichst einheit-
SA 973 008
409842/0845
licher Energieverteilung verwendet werden, durch die die Speicherschicht
im gesamten Bereich des Lichtfeldes in den amorphen Zustand überführt wird. Wird die Gleichmäßigkeit der Energieverteilung
verbessert oder wird nur ein Teil des abgebildeten Übergangs ausgenützt, so können äußerst klare und gut aufgelöste Punkte
erzielt werden. Werden Laser mit übergängen zwischen gleichen Materialien, sogenannte HomoÜbergänge, verwendet, die sehr schmale
aktive Bereiche haben, so können schmälere Gauss'sehe Intensitätsverteilungen
des Strahls erreicht werden. Jede dieser Maßnahmen verbessert das Verfahren und ermöglicht höhere Bitdichten.
Das beschriebene Verfahren kann daher als ein Verfahren zum Auslesen mittels Lichtstrahlen zur optischen Auflösung von Informationen
beschrieben werden, die in einer Speicherschicht als Bereiche unterschiedlicher Reflektivität dargestellt sind. Das
Verfahren enthält folgende Schritte:
1. Ein von einem unterhalb seines Anregungsschwellwertes betriebenen
Laser ausgehender Lichtstrahl wird auf eine Oberfläche gerichtet, die mindestens zwei Bereiche unterschiedlicher
Reflektivität aufweist, wobei der Laserstrahl derartig auf di« Speicherfläche ausgerichtet wird, daß
das auf die Fläche auffallende Licht in den Laser zurückreflektiert wird,
2. die Pumpenergie des Lasers wird so eingestellt, daß die Summe des erzeugten Lichtes und des von den beaufschlagten
Bereich reflektierten Lichtes nur dann höher als der besagte Schwellwert ist und somit ein Senden des Lasers
bewirkt, wenn ein Bereich höherer Reflektivität abgetastet
3. daß man die Unterschiede der Ausgangsleistung des Lasers im sendenden und im nichtsendenden Zustand feststellt
und als Kriterium für die in den abgetasteten Bereichen gespeicherte Information verwendet.
SA 973 008
4098A2/084S
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es somit möglich. Muster
aufzulösen, die unterhalb des optischen Auflösungsvermögens des verwendeten optischen Systems liegen.
Es ist aber auch möglich, Laser zu verwenden, bei denen zwei übergänge mit weitgehend unterschiedlicher Energie und Güte oder
Verstärkung ein Energieniveau gemeinsam haben, wobei der schwächere dieser übergänge durch Erhöhung der Güte Q für den stärkeren
übergang über einen bestimmten Schwellwert abgeschaltet werden kann. Geeignete Übergangspaare sind die den 0,63 ym- und 3,39 \im-Linien
eines HeNe-Lasers und die den 0.615 ym- und 1,115 nm-Linien
eines Hg -Lasers entsprechenden übergänge. In diesem Fall ist der Spiegel 1 als hochreflektierender Breitbandspiegel und
der Spiegel 2 als mäßig reflektierender Schmalbandspiegel ausgebildet, der im Bereich des sichtbaren Spektrums eine mäßige und
im Bereich des Infrarotspektrums eine niedrige Reflektivität aufweist, wobei die Speicherschicht den Resonator für die im Infrarotbereich
liegende Wellenlängen ergänzt. Das Detektorfenster des Lasers läßt ausschließlich im sichtbaren Bereich liegende
Strahlung durch. Eine derartige Vorrichtung wird in Fig. 4 dargestellt, άχα einen Laser 50 mit einem Spiegel 51 hoher Reflektivität
und einen Spiegel 52 aufweist, der für den Infrarotbereich liegende Strahlung ein*» schlechte Reflektivität und für im sichtbaren
Bereich liegende Strahlung eine mäßige Reflektivität aufweist.
Die Anordnung ist so getroffen, daß Strahlung 53 zur Fläche 54 eines Speichermediums 55 übertragen wird, das Bereiche
hoher Reflektivität 56 und Bereiche schlechter Reflektivität 57
aufweist. Wird ein Bereich hoher Reflektivität 56 abgetastet, so gelangt so viel reflektierte Strahlung zurück in den Resonator
58 des Lasers 50, daß ein Senden im Bereich der Wellenlängen mit hoher Verstärkung einsetzt, wodurch das Senden in den Bereichen
der Wellenlängen mit niedrigen Verstärkung unterdrückt wird. Mit Hilfe eines Wellenlängendetektors 59, der in der Nähe des Lasers
50 angeordnet wird, kann das Auftreten von Strahlung mit langen oder kurzen Wellenlängen festgestellt werden. Es hat sich
dabei als besonders vorteilhaft erwiesen, das Vorliegen von
SA 973 008
409842/0845
Strahlung mit langen Wellenlängen als Äbtastkriterium zu verwenden.
Das beschriebene Lichtstrahl-Abtastverfahren kann somit durch folgende Schritte charakterisiert werden:
1. Ein Laser, der in zwei Wellenlängenbereichen mit einem gemeinsamen
Energieniveau sendet und bei dem die Wellenlänge mit der niedrigeren Verstärkung aufgrund der selektiven Reflektivität
eines der Resonatorspiegel angeregt wird, erzeugt einen Strahl, der durch diesen Spiegel auf eine Bereiche unterschiedlicher
Reflektivität aufweisende Speicherfläche gerichtet wird, die so in Bezug auf den Laser ausgerichtet ist, daß das auf sie
auftreffende Licht in den Laser zurückreflektiert wird,
2. das Pumpenergrenxveau des Lasers wird so eingestellt, daß nur die von einem Bereich hoher Reflektivität reflektierte Strahlung
die einer höheren Verstärkung oder Güte zugeordnete Strahlung auf ein Anregungsniveau hebt, wobei die einer niedrigeren Verstärkung
zugeordnete Wellenlänge unterdrückt wird und
3. Feststellung der Sendewellenlänge des Lasers als Kriterium für die jeweils abgetasteten Informationen.
Als besonders vorteilhaft zur Durchführung dieses Verfahrens haben
sich HeNe oder Hg+-Gaslaser erwiesen. Die Reflektivität des
Spiegels sollte so gewählt werden, daß sie für die einer geringeren Güte zugeordnete Wellenlänge kürzer ist als für eine einer
höheren Güte zugeordnete Wellenlänge. Die Wellenlängendetektoren sollten vorzugsweise auf die einer niedrigeren Verstärkung
zugeordnete Wellenlängen abgestimmt sein.
SA 973 008
409842/0 845
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHECU'' Verfahren zur Erhöhung des Auflösungsvermögens beim Auslesen von optischen Speichern, bei denen die Information durch Bereiche unterschiedlicher Reflektivität dargestellt wird, mittels Laserstrahlen, dadurch gekennzeichnet, daß die Pumpenergie des Lasers so unterhalb des Ansprechschwellwertes eingestellt wird, daß das Senden nur bei Auftreffen des Laserstrahls auf einen gut reflektierenden Speicherbereich einsetzt, daß der Strahl auf die jeweils auszulesenden Bereiche gerichtet und der dabei jeweils entstehende Anregungszustand des Lasers als Kriterium für den jeweils vorliegenden Speicherinhalt ermittelt wird.
- 2. Verfahren zur Erhöhung des Auflösungsvermögens beim Auslesen von optischen Speichern, bei denen die Information durch Bereiche unterschiedlicher Reflektivität dargestellt wird,dadurch gekennzeichnet, daß die Pumpenergie eines in zwei Wellenlängenbereichen mit einem gemeinsamen Energieniveau sendenden Laser5·, bei dem Senden im Bereich der eine niedrigere Güte erfordernden ersten Wellenlänge aufgrund der selektiven Reflektivität eines der Resonatorspiegel stattfindet, so eingestellt wird, daß beim Auftreffen des Strahls auf einen schlecht reflektierenden Speicherbereich das Senden im ersten Wellenlängenbereich unverändert aufrechterhalten wird, während beim Auftreffen des Strahls auf einen gut reflektierenden Bereich die Güte des Resonators so erhöht wird, daß Senden im Bereich der eine höhere Güte erforderlichen Wellenlänge einsetzt, durch die das Senden im Bereich der ersten Wellenlänge unterdrückt wird, und daß die beim Abtasten eines Speicherbereichs sich einstellende Wellenlänge als Kriterium des jeweils gespeicherten Wertes ermittelt wird.SA 973 008A098A2/0845
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Halbleiterlasers.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Verwendung eines GaAs-Lasers.
- 5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Laserresonators mit einer Fläche, deren Reflektivität kleiner als 0,5 ist.
- 6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Laser als HeNe oder Hg Laser ausgebildet ist. - 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflektivität des Spiegels höher ist für eine einer
niedrigen Güte zugeordnete Wellenlänge als für eine
einer hohen Güte zugeordnete Wellenlänge.SA 973 008409842/0845
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00349170A US3812477A (en) | 1973-04-09 | 1973-04-09 | Method for superresolution in an optical memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2415625A1 true DE2415625A1 (de) | 1974-10-17 |
Family
ID=23371198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2415625A Pending DE2415625A1 (de) | 1973-04-09 | 1974-03-30 | Verfahren zur erhoehung des aufloesungsvermoegens |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3812477A (de) |
JP (1) | JPS49131459A (de) |
DE (1) | DE2415625A1 (de) |
FR (1) | FR2224834B1 (de) |
GB (1) | GB1417374A (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7312139A (de) * | 1972-09-08 | 1974-03-12 | ||
US4190775A (en) * | 1975-02-18 | 1980-02-26 | Agency Of Industrial Science & Technology | Optical memory playback apparatus |
NL7608561A (nl) * | 1976-08-02 | 1978-02-06 | Philips Nv | Optische uitleeseenheid voor het aftasten van een registratiedrager voorzien van een stra- lingsreflekterende informatiestruktuur. |
JPS5483848A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Automatic focusing device |
US4189735A (en) * | 1978-02-24 | 1980-02-19 | Rca Corporation | Record playback apparatus and information record therefor |
NL7811003A (nl) * | 1978-11-06 | 1980-05-08 | Philips Nv | Schijfvormige, optisch uitleesbare registratiedrager, als opslagmedium voor data-informatie. |
NL8004159A (nl) * | 1979-08-03 | 1981-01-22 | Hitachi Ltd | Optische opneeminrichting. |
US4562569A (en) * | 1982-01-05 | 1985-12-31 | California Institute Of Technology | Tandem coupled cavity lasers with separate current control and high parasitic resistance between them for bistability and negative resistance characteristics and use thereof for optical disc readout |
US5012407A (en) * | 1984-12-11 | 1991-04-30 | Finn Charles A | Computer system which accesses operating system information and command handlers from optical storage via an auxiliary processor and cache memory |
US5247510A (en) * | 1990-06-29 | 1993-09-21 | Digital Equipment Corporation | Increasing storage density of optical data media by detecting a selected portion of a light spot image corresponding to a single domain |
US5268564A (en) | 1990-08-03 | 1993-12-07 | Symbol Technologies, Inc. | Bar code scanner actuated by detection of scanner motion |
-
1973
- 1973-04-09 US US00349170A patent/US3812477A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-03-05 FR FR7408775A patent/FR2224834B1/fr not_active Expired
- 1974-03-08 JP JP49026476A patent/JPS49131459A/ja active Pending
- 1974-03-14 GB GB1137074A patent/GB1417374A/en not_active Expired
- 1974-03-30 DE DE2415625A patent/DE2415625A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2224834A1 (de) | 1974-10-31 |
JPS49131459A (de) | 1974-12-17 |
US3812477A (en) | 1974-05-21 |
GB1417374A (en) | 1975-12-10 |
FR2224834B1 (de) | 1977-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2514678C3 (de) | Metallfilm-Aufzeichnungsmedium | |
DE69022796T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Matrizen für optische Platten und optische Platten. | |
DE2803121A1 (de) | Optische datenspeichervorrichtung | |
DE3850050T2 (de) | Optisches Speichermedium. | |
DE2307488A1 (de) | Informationsspeichereinrichtung | |
DE69518584T2 (de) | Optischer Kopf, der evaneszentes Licht verwendet und optisches Aufzeichnungs/Wiedergabegerät für Daten | |
DE2415625A1 (de) | Verfahren zur erhoehung des aufloesungsvermoegens | |
DE3027318A1 (de) | Optisches abtastsystem | |
DE69818166T2 (de) | Filme aus Metall(III)-nitrid als Phasenwechsel-Medium für optische Aufzeichnung | |
WO2001036208A2 (de) | Verfahren zum aufbringen von farbigen informationen auf einen gegenstand | |
DE69206038T2 (de) | Verfahren zum Auslesen von Daten aus einer optischen Scheibe. | |
DE2439295A1 (de) | Optischer wandler | |
DE69734139T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Initialisierung eines optischen Aufzeichnungsmediums vom Phasenwechseltypus | |
DE3883349T2 (de) | Gleichzeitiges Löschen und erneutes Einschreiben einer Information in einen magnetooptischen Speicher. | |
DE69726527T2 (de) | Optischer kopf und optisches aufzeichnungsgerät | |
DE1816606A1 (de) | Optische Speichervorrichtung | |
DE69425810T2 (de) | Optisches Aufzeichnungsverfahren und optisches Wiedergabeverfahren | |
DE69727101T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer optischen Platte | |
EP1494067B1 (de) | System mit einem Scanner und einer Speicherschicht sowie Speicherschicht zum Speichern von Röntgeninformationen | |
DE2040278A1 (de) | Magnetschichtspeicher | |
DE2803603A1 (de) | Binaer codierte digitale optische datenaufzeichnung sowie auslesevorrichtung fuer eine derartige datenaufzeichnung | |
DE2353808B2 (de) | Informationsignalen | |
DE2103044A1 (de) | Speicheranordnung fur Informationen | |
DE1524875A1 (de) | Magnetooptischer Datenspeicher | |
DE69423792T2 (de) | Wiedergabegerät für die Wiedergabe von magnetischen Daten auf mehreren Spuren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHJ | Non-payment of the annual fee |