DE2411517A1 - Verfahren zum herstellen einer lichtempfindlichen heterogendiode - Google Patents
Verfahren zum herstellen einer lichtempfindlichen heterogendiodeInfo
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Description
DIpL-Ing. R. BJlETZ serW
DlpMng. K. LAf-.-iPfiECHT
DlpMng. K. LAf-.-iPfiECHT
Dr.-!rsg. R. B "C E: T Z Jr,
München 22, Steinsdorfstr. 18
München 22, Steinsdorfstr. 18
81-22.289P(22.29OH) 11. 3·
HITACHI, LTD., Tokio (Japan) NIPPON HOSO KYOKAI, Tokio (Japan)
Verfahren zum Herstellen einer lichtempfindlichen Heterogendiode
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines lichtempfindlichen Elements, insbesondere auf ein Verfahren zum
Herstellen einer verbesserten Grenzfläche des pn-Überganges einer Fotodiode, einer fotoleitenden Zelle oder eines lichtempfindlichen Elements,
das als Target einer Vidikon-Bildabtaströhre verwendet wird.
Es ist ein lichtempfindliches Element bekannt, bei dem eine n-Oxidleitschicht,
die sich auf einer transparenten Unterlage erstreckt,
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und eine auf der n-Oxidleitschicht vorgesehene p-Leitschicht einen
Gleichrichtkontakt bilden, an den man als Rückwärts vorspannung eine
Spannung anlegt- Auch ist ein lichtempfindliches Element bekannt, bei
dem eine n-Leitmetallchalcogenidschicht, die auf einer n-Transparentleitmetalloxidschicht
vorgesehen ist, und eine p-Leitschicht einen Gleichrichtkontakt bilden.
Ein Vorteil dieser lichtempfindlichen Elemente ist, daß ihr Ansprechen
auf Licht schnell und ihr Dunkelstrom gering ist, wodurch der Rauschabstand verbessert wird, da ihr Gleichricht-Heterogenübergang
gewöhnlich rückwärts vorgespannt ist, und ein anderer Vorteil davon
ist, daß sich Elemente großer Fläche leicht erzeugen lassen, da für sie üblicherweise statt eines Einkristalls ein polykristallines oder amorphes
Material verwendet wird.
Jedoch hängt die Rückwärtsdurchbruchs spannung einer solchen Heterogenübergangsdiode
sehr stark vom Zustand der Grenzfläche zwischen der n-Transparentleitschicht und der p-Leitschicht ab. Man kann bei
Beobachtung mit einem Elektronenmikroskop erkennen, daß die z.B. durch ein Vakuumaufdampfverfahren, eine chemische Dampfabscheidungsmethode
(CVD) oder ein pyrolytisches Zersetzungsverfahren hergestellte n-Transparentleitschicht aus einem Polykristallinaterial mit
einer Korngröße in der Größenordnung von einigen 100 bis einigen 1000 A besteht und ihre Oberfläche ziemlich rauh ist. Wenn p-Leitschichten direkt
auf solche n-Leitschichten mit gleichmäßiger Zusammensetzung und Dicke aufgebracht werden, richtet sich der Bereich der Abweichung der
Schwellenspannung V für den Durchbruch des rückwärts vorgespannten
Heterogenübergangs im Dunkeln (im folgenden mit Rückwärtsdurchbruchs-
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spannung abgekürzt) nach dem Stoff der n-Transparentleitschicht, deren
Herstellungsverfahren und den Verfahrensbedingungen. Diese Tatsache ist für die Herstellung eines lichtempfindlichen Elements mit einem niedrigen
Dunkelstrom und einer hohen Rückwärtsdurchbruchsspannung mit guter Reproduzierbarkeit nachteilig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen
einer glatten Grenzschicht eines pn-Überganges bei der Fertigung eines solchen lichtempfindlichen Elements anzugeben, um die Rückwärtsdurchbruchsspannung
und die Reproduzier bar keit einer lichtempfindlichen Heterogenübergangsdiode zu verbessern.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist
ein Verfahren zum Herstellen eines lichtempfindlichen Elements durch Bilden einer n-Transparentleitschicht auf einer transparenten Unterlage
und Bilden einer p-Fotoleitschicht auf der n-Transparentleitschicht unter
Schaffung eines Gleichrichtkontakts mit dieser, mit dem Kennzeichen,
daß man die Spitzen von MikrovorSprüngen der Oberfläche der
n-Transparentleitschicht vor dem Abscheiden der p-Fotoleitschicht glättet und die Fotoleitschicht aus einem Stoff bildet, dessen Hauptbestandteil
ein wenigstens Selen enthaltendes Chalcogenid ist.
Somit besteht das Hauptmerkmal der Erfindung darin, daß die zunächst
ziemlich rauhe Oberfläche einer n-Transparentleitschicht geebnet wird oder die Spitzen bzw. Außenpunkte von scharfen Vorsprüngen
ihrer Oberfläche durch mechanisches Polieren oder Beschüß von durch Entladung beschleunigten Ionen geglättet werden.
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Die n-Transparentleitschicht kann man durch Abscheiden eines
Stoffes aus der Gruppe Zinnoxid, Indiumoxid, Titanoxid, Tantaloxid, Thalliumoxid, Zinkoxid und deren Mischungen auf einer transparenten
Unterlage nach einem Verfahren der Vakuumaufdampfun g, chemischen Dampfniederschlagung, pyrolytischen Zersetzung oder HF-Aufstäubung
ausbilden. Die so abgeschiedene n-Transparentleitschicht kann weiter mit einer η-leitenden Chalcogenidschicht aus CdS, CdSe, ZnS, ZnSe
oder dergleichen über schichtet werden.
Das durch Abscheiden eines Selen enthaltenden p-Chalcogenids
auf der so gebildeten n-Leitschicht, deren Oberfläche erfindungsgemäß
geglättet ist, hergestellte lichtempfindliches Element ist, wenn man es im rückwärts vorgespannten Zustand verwendet, hinsichtlich der
Rückwärtsdurchbruchsspannung im Vergleich mit dem bekannten lichtempfindlichen Element, bei dem die Grenzfläche des pn-Übergangs nicht
geglättet ist, erheblich verbessert.
Die Erfindung offenbart also ein Verfahren zum Herstellen einer lichtempfindlichen Heterogendiode mit einer n-Transparentleitschicht
und einer darauf vorgesehenen und damit einen Gleichrichtkontakt bildenden p-Fotoleitschicht, bei dem vor Anbringung der p-Fotoleitschicht
auf der n-Transparentleitschicht die Oberfläche der letzteren durch mechanisches
Polieren oder Beschüß mit durch Entladung beschleunigten Ionen geglättet und abgeflacht wird.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigen:
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Fig. 1, 9, 11 und 13 Querschnitte von nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten lichtempfindlichen Elementen,
Fig. 2 eine Elektronenmikroskopaufnahme (χ 20 000) der Oberfläche
einer n^-Zinnoxidleitschicht, die nicht geglättet
wurde,
Fig. 3 eine Elektronenmikroskopaufnahme der Oberfläche einer
n-Zinnoxidleitschicht, die durch mechanisches Polieren geglättet wurde,
Fig. 4 und 5 Abtastelektronenmikroskopaufnahmen (x 6000) der Oberflächen von n-Leitschichten, die nicht geglättet bzw.
geglättet wurden,
Fig. 6 ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit zwischen
der Rückwärtsdurchbruchsspannung und der Ätztiefe,
Fig. 7 eine Elektronenmikroskopaufnahme (x 20 000) der Oberfläche einer n-Zinnoxidleitschicht, die bis zu einem gewissen
Ausmaß geglättet wurde, in der jedoch noch Körner des polykristallinen Materials blieben,
Fig. 8 eine Elektronenmikroskopaufnahme (x 20 000) der Oberfläche einer n-Zinnoxidleitschicht, die durch HF-Plasmaätzung
geglättet wurde,
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Fig. 10 ein Diagramm zur Veranschaulichung der Auswirkungen des Grenzflächenzustands auf die Rückwärtsdurchbruchsspannung
eines Übergangs zwischen einer n-Zinnoxidleitschicht und einem reinen Selenfilm einer Dicke von
Fig. 12 eine Elektronenmikroskopaufnahme (x 20 000) der Oberfläche
einer n-Indiumoxidleitschicht, die nicht geglättet wurde, und
Fig. 14 eine Elektronenmikroskopaufnahme (x 20 000) der Oberfläche
einer durch HF-Aufstäubung abgeschiedenen Zinnoxidschicht .
Seispiel 1
Gemäß Fig. 1 wird eine n-Zinnoxidtransparentleitschicht 2 auf
einer Glasplatte 1 durch pyrolytische Zersetzung einer alkoholischen Lösung von Zinnchlorid bis zu einer Dicke von etwa 2000 A abgeschieden.
Nach Beobachtung mit einem Elektronenmikroskop besteht die Oberfläche der abgeschiedenen Schicht aus Polykristallen mit Korngrößen von
etwa einigen 100 bis einigen 1000 A, wie in Fig. 2 veranschaulicht ist,
wobei alle Kristallkörner Scheitelpunkte und Kanten aufweisen. Wenn man an die abgeschiedene Schicht ein Potential anlegt, konzentrieren
sich die elektrischen Feldlinien an den Scheitelpunkten und Kanten, so daß der meiste Strom konzentriert durch diese Teile fließt. Infolgedessen
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wird angenommen, daß sich die Rückwärtsdurchbruchsspannung verringert.
Als sekundärer Effekt kann angenommen werden, daß der Teil um die Vorsprünge der Mikrokristalle aufgrund der Joule-Erhitzung
eine qualitätsmäßige Veränderung erleidet oder daß, wenn als Chalcogenid ein amorpher Stoff verwendet wird, Kristallkeime entstehen
und Veranlassung für Strompfade bilden können.
Wenn diese Oberfläche während etwa 1 Stunde durch eine Läppmaschine
mit A Ium iniumoxidpulver einer Korngröße in der Größenordnung
von 500 bis 1000 A als Schleifmittel poliert wird, läßt sich die n-Leitschicht um etwa 500 bis 1000 A abschleifen. Nachdem
Polieren unterwirft man die Oberfläche der n-Leitschicht einer ausreichenden
Ultraschallwäsche und trocknet sie anschließend ausreichend durch Erhitzen auf 150 C.
Eine Elektronenmikroskopaufnahme der so bearbeiteten Oberfläche ist in Fig. 3 abgebildet. Wie Fig. 3 zeigt, ist die Oberfläche der n-Oxidleitschicht
geglättet. Der Zustand des Glättens läßt sich noch nachdrücklicher als durch Beobachtung mit einem üblichen Elektronenmikroskop
durch Beobachtung des Zustands der Sekundärelektronenemission aufgrund der elektrischen Feldkonzentration auf Basis eines
Äbtastelektronenmikrogramms der n-Leitschicht, auf die ein Goldfilm
einer Dicke von etwa einigen 100 A aufgebracht ist, beobachten, wie in den Fig. 4 und 5 gezeigt ist.
Fig. 4 ist eine Abtastelektronenmikroskopaufnahme der Oberfläche der n-Leitschicht, die nicht geglättet wurde. Das elektrische Feld
konzentriert sich örtlich in jedem Kristallkorn.
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Fig. 5 ist eine Abtastelektronenmikroskopaufnahme der geglätteten
Oberfläche der n-Leitschicht. Hier verteilt sich das elektrische
Feld ziemlich gleichmäßig über die gesamte Oberfläche.
Auf der n-Oxidleitschicht 2 wird eine Schicht 3 eines p-Fotoleitmaterials,
wie z. B. Selen, abgeschieden, die einen Gleichrichtkontakt mit der n-Leitschicht 2 bildet. Eine Metallelektrode 4, die einen
ohm'sehen Kontakt mit der p-Fotoleitschicht 3 ergibt, wird auf der
p-Fotoleitschicht 3 angebracht, um ein lichtempfindliches Element zu
vervollständigen. Die Bezugsziffern 5 und 6 bezeichnen Anschlußdrähte zur Signalableitung.
Fig. 6 veranschaulicht die Beziehungen zwischen der Ätztiefe und
der Durchbruchs spannung. Wenn die Ätztiefe etwa 100 A beträgt, bleibt
noch eine gewisse Rauhheit aufgrund der polykristallinen Körner übrig.
Jedoch sind die scharfen Spitzen der Kristallkörner schon abgestumpft,
wie Fig. 7 darstellt. Die Rückwärtsdurchbruchsspannung der n-Leitschicht mit einer solchen Oberfläche steigt rasch bis etwa zu der Rückwärtsdurchbruchsspannung
der n-Leitschicht mit der in Fig. 3 veranschaulichten Oberfläche.
Jedoch ist es zur Verbesserung der Lebensdauer und d er Reproduzierbarkeit
der Eigenschaften des lichtempfindlichen Elements vorteilhaft, wenigstens 30 % der Dicke der n-Leitschicht zu entfernen,
deren Vorsprünge noch nicht abgestumpft sind. Hierbei muß man jedoch vorsichtig sein, um die n-Leitschicht nicht in einem solchen Grade
zu entfernen, daß die Leitfähigkeit der n-Leitschicht beeinträchtigt wird.
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Obwohl jedes Polierverfahren und jedes Schleifmittel zum mechanischen
Polieren der n-Leitschicht verwendbar sind, solange sich damit eine glatte und reine Oberfläche ohne Vorsprünge herstellen
läßt, verwendet man vorzugsweise eine wäßrige Suspension von Ceroxid, Aluminiumoxid, Chromoxid oder Siliziumoxid mit einer Korngröße von
etwa einigen 100 bis einigen 1000 A als Schleifmittel. Wenn das mechanische
Polieren angewendet wurde, kann sich der Gleichrichtkontakt unter Umständen infolge einer Verunreinigung der Oberfläche beim mechanischen
Polieren verschlechtern. Dementsprechend ist es erforderlich, daß man die Oberfläche nach dem Polieren einem Ultraschallwaschen
zum Reinigen und einer Erhitzung zum ausreichenden Trocknen unterwirft.
Die Oberfläche der n-Leitschicht kann auch durch elektrische Entladung
statt mechanischen Polierens im Beispiel 1 geglättet werden.
Zur Oberflächenbehandlung der n-Leitschicht durch eine solche Entladung verwendet man z. B. eine HF-Triodenauf Stäubvorrichtung oder
eine HF-Diodenaufstäubvorrichtung. Die mit der n-Leitschicht versehene
transparente Unterlage wird als Kathode (auch Targetseitenelektrode genannt) der HF-Aufstäubvorrichtung eingerichtet und dieser eine
HF-Hochspannung zwischen der Kathode und der entgegengesetzten Elektrode
(der sogenannten Anode oder Unter lagenseitenelektrode) zugeführt,
um eine Glimmentladung in einem Inertgas zu erzeugen. Durch die Entladung erzeugte Inertgasionen treffen auf die Oberfläche der n-Leitschicht
auf und haben eine ätzende Wirkung auf diese. Durch Beobachtung
409839/0711
mit einem Elektronenmikroskop stellt man fest, daß die so behandelte
Oberfläche der n-Leitschicht 2 geglättet ist, wie durch Fig. 8 veranschaulicht
wird. Mit Inertgas sind He, Ne, Ar, Kr oder X gemeint. Dabei wird das "Plasmaätzen" unter solchen Bedingungen durch-
-2 -1
geführt, daß der Druck des Inertgases 1 χ 10 bis 1 χ 10 Torr beträgt,
während eine Beschleunigungsspannung von etwa 0,5 bis 3 kV verwendet wird.
Wenn die Abmessungen der mit der n-Leitschicht versehenen transparenten Unterlage geringer als die der Kathode der HF-Aufstäubvorrichtung
sind, wird auch das die Kathode bildende Metall plasmageätzt, so daß die Oberfläche der n-Leitschicht verunreinigt wird. Daher
ist es zweckmäßig, die Kathode aus einem schwer zu ätzenden Material
zu machen oder sie mit einem Isoliermaterial abzudecken. Als ein solches Isoliermaterial kann man z.B. ein isolierendes Oxid wie
SiO„ oder Al O„ verwenden. Die mit der n-Leitschicht bedeckte trans-
2 2 3
parente Unterlage wird dann auf dem Abdeckisolierstoff angebracht.
Das lichtempfindliche Element, das die einem solchen Plasmaätzverfahren
unterworfene n-Leitschicht und eine Selen enthaltende p-Chalcogeniclschicht
mit einem Gleichrichtkontakt zwischen dieser und der n-Leitschicht aufweist, kann eine bessere Reproduzierbarkeit als
das lichtempfindliche Element aufweisen, dessen n-Leitschicht dem me·
chanischen Polieren entsprechend Beispiel 1 unterworfen wurde. Es ist
anzunehmen, daß dies auf die leichte Steuerungsmöglichkeit des Ätzens der n-Leitschicht und die hohe Genauigkeit des Plasmaätzens zurückzuführen
ist, wobei die Narben, Ungleichmäßigkeit und Verunreinigung
409839/0711
der Oberfläche, die beim mechanischen Polieren leicht auftreten können,
sowie die Tiefe der durch Ätzen erzeugten mechanischen Spannung gering sind.
Wenn man die Elektrode 4 nach Fig. 1 entfernt, kann man ein
lichtempfindliches Element bilden, das mit einem Elektronenstrahl abgetastet wird, wie in Fig. 9 veranschaulicht ist. In Fig. 9 erkennt
man eine Glasunterlage 7, einen Anschlußdraht 12 zur Signalableitung
und eine n-Leitschicht 8, deren Oberfläche wie im Beispiel 1 geglättet
wird bzw. ist. Eine amorphe p-Halbleiterschicht 9 aus Se Te As
wird auf die n-Leitschicht 8 bis zu einer Dicke von 5 um in einem Vakuum
von 3 χ 10 Torr aufgedampft. Auf die Halbleiter schicht 9 wird
dann eine poröse Schicht 10 aus Sb S bis zu einer Dicke von etwa 1000 A in einer Ar-Atmosphäre bei etwa 5 χ 10 Torr aufgedampft,
um das "Landen" eines Abtastelektronenstrahls 11 zu verbessern.
Fig. 10 zeigt die Beziehungen zwischen dem Dunkelstrom und der
Rückwärtsvorspannung von lichtempfindlichen Elementen der in Fig. 9
gezeigten Art, bei denen ein reiner Selenfilm einer Dicke von 1 um als
p-Leitschicht verwendet wurde. Dieses Diagramm zeigt, daß die Rückwärtsdurchbruchsspannung
hauptsächlich vom Muster des elektrischen Feldes um die Grenzfläche des Gleichrichtkontakts abhängt. Die Rückwärtsdurchbruchs
spannung wird durch Glätten der Oberfläche der n-Leitschicht merklich verbessert. In Fig. 10 entspricht die Kurve 13
409839/0711
der η-Leitschicht, die nicht geglättet wurde, und die Kurve 14 entspricht
der geglätteten n-Leitschicht.
Fig. 11 zeigt ein lichtempfindliches Element, das dem nach Fig. 1 mit der Ausnahme gleicht, daß eine n-Chalcogenidleitschicht
17 zwischen der n-Oxidleitschicht 16 und der p-Fotoleitschicht 18
vorgesehen ist, um die thermische und chemische Stabilität des Gleichrichtkontakts
zu verbessern. Das Strom-Spannungs-Verhalten des Elements nach Fig. 11 als Diode ist im wesentlichen das gleiche wie das
des Elements nach Fig. 1, sofern die Dicke der n-Chalcogenidleitschicht
17 ausreichend klein ist.
Fig. 12 zeigt eine Elektronenmikroskopaufnahme einer n-Transparentleitschicht
16 aus Indiumoxid mit einer Dicke von etwa 1500 A, die auf eine bei 200 bis 300 C gehaltene Glasunterlage 15 in einer
Sauerstoffatmosphäre bei 5 χ 10 Torr aufgedampft wurde. Wie Fig. 12 erkennen läßt, ist die Oberfläche der n-Leitschicht ziemlich rauh.
Diese n-Leitschicht läßt sich um etwa 300 bis 500 A abschleifen, indem
man sie etwa 20 Minuten einem mechanischen Polieren mit einem Ceroxidschleifmittel einer Korngröße von etwa 200 bis 800 A
unterwirft. Die erhaltene n-Leitschicht 16 wird durch Ultraschallwäsche
in reinem Wasser ausreichend gereinigt und dann bei 150 C ausreichend getrocknet. Danach dampft man CdSe auf die so behandelte
n-Leitschicht 16, die auf 200 C gehalten wird, bis zu einer Dicke
40983S/0711
-6 von etwa 250 A in einem Vakuum von 5 χ 10 Torr zur Bildung
einer n-Leitschicht 17 auf. Diese Einheit wird in einem Aluminiumunterlagehalter
angeordnet, der auf der Kathode einer HF-A uf stäubvorrichtung unter Bedeckung der Kathode angebracht ist; man schafft
—2
eine Ar-Gasatmosphäre bei 4 χ 10 Torr und legt eine Spannung von 1 kV zwischen den entgegengesetzten Elektroden an, worauf ein HF-Plasmaätzen bei 13,56 MHz während 30 see erfolgt, um die n-Leitschicht 17 um etwa 100 A abzuätzen. Dann wird eine amorphe p-Halbleiterschicht 18 aus Se Ge1nTe1. auf die n-Leitschicht 17 bis
eine Ar-Gasatmosphäre bei 4 χ 10 Torr und legt eine Spannung von 1 kV zwischen den entgegengesetzten Elektroden an, worauf ein HF-Plasmaätzen bei 13,56 MHz während 30 see erfolgt, um die n-Leitschicht 17 um etwa 100 A abzuätzen. Dann wird eine amorphe p-Halbleiterschicht 18 aus Se Ge1nTe1. auf die n-Leitschicht 17 bis
oU IU IU ,
zu einer Dicke von 6 ^im in einem Vakuum von 4 χ 10 Torr auf- '
gedampft, und schließlich dampft man eine Goldelektrode 19 auf die p-Halbleiterschicht 18 bis zu einer Dicke von etwa 1000 A in einem
Vakuum von 1 χ 10 Torr auf. Außerdem erkennt man in Fig. 11 noch die Anschlußdrähte 20 und 21.
Zum Herstellen der im Beispiel 3 beschriebenen Anordnung nach Fig. 9 kann man auch das Glätten durch das im Beispiel 2 beschriebene
HF-Plasmaätzen anwenden.
Die n-Transparentleitschicht 8 wird auf der Glasunterlage 7 durch
pyrolytische Zersetzung einer alkoholischen Lösung von Zinnchlorid bis zu einer Dicke von etwa 1500 A abgeschieden. Die mit der n-Leitschicht
8 bedeckte Glasunterlage 7 wird auf einer Quarzglasplatte angeordnet, die die Kathode einer HF-Aufstäubvorrichtung abdeckt; man
■409839/071 1
_2 schafft eine Ar-Atmosphäre mit etwa 5 χ 10 Torr und legt eine
Spannung von 1 kV zwischen den entgegengesetzten Elektroden an, wonach die HF-Plasmaätzung bei 13,56 MHz während drei Minuten
erfolgt, um die n-Leitschicht um etwa 400 A abzuätzen. Dann wird eine amorphe p-Halbleiterschicht 9 aus Se As Te auf die n-Leitschicht
8 bis zu einer Dicke von 5,5 um in einem Vakuum von 3 χ 10 Torr aufgedampft, und schließlich dampft man zur Verbesserung
des Landens eines Elektronenstrahls 11 eine poröse Schicht 10 aus As Se auf die p-Schicht 9 bis zu einer Dicke von 1500 A in
-2
einer Ar-Atmosphäre bei 2 χ 10 Torr auf.
einer Ar-Atmosphäre bei 2 χ 10 Torr auf.
In gewissen Fällen kann man das Polieren und Ätzen der n-Leitschicht
17 im Beispiel 4 auslassen.
Eine mit einer n-Transparentoxidleitschicht 16 auf Basis von
Tl.„Zn,, durch Aufdampfen bis zu einer Dicke von 2000 A in einer
60 40 „
Sauerstoffatmosphäre von 1 χ 10 Torr beschichtete Glasunterlage
15 wird auf der entsprechend Beispiel 2 zum Plasmaätzen abgedeckten
Kathode angeordnet. Durch eine Entladung in einer Kr-Gasatmosphäre
-4
bei etwa 3 χ 10 Torr wird ein Plasma durch eine andere Elektrode zur Plasmaerzeugung erzeugt, das durch eine Konvergier spule konvergiert wird. Durch Anlegen einer Spannung von 3 kV an die Elektrode zum Plasmaätzen, die senkrecht zum konvergierten Plasma angeordnet ist, um das HF-Plasmaätzen für 10 Minuten durchzuführen, wird die n-Leitschicht 16 um etwa 800 A abgeätzt. Dann wird eine n-Leit-
bei etwa 3 χ 10 Torr wird ein Plasma durch eine andere Elektrode zur Plasmaerzeugung erzeugt, das durch eine Konvergier spule konvergiert wird. Durch Anlegen einer Spannung von 3 kV an die Elektrode zum Plasmaätzen, die senkrecht zum konvergierten Plasma angeordnet ist, um das HF-Plasmaätzen für 10 Minuten durchzuführen, wird die n-Leitschicht 16 um etwa 800 A abgeätzt. Dann wird eine n-Leit-
409839/0711
Schicht 17 aus ZnSe auf der n-Leitschicht 16 bis zu einer Dicke von
100 A in einem Vakuum von 5 χ 10 Torr bei 250 C abgeschieden. Der so erzeugte ZnSe-FiIm 17 ist ausreichend glatt, auch ohne daß
man ihn einem Glatt verfahr en unterwirft, da die n-Leitschicht 16 glatt
und der ZnSe-FiIm 17 sehr dünn ist. Bei 6 χ 10 Torr werden die
Legierungen CdTe und Se„nAS zusammen in einem Verhältnis von
1 : 9 auf die n-Leitschicht 17 bis zu einer Dicke von 10 um zur Bildung einer p-Leitschicht 18 aufgedampft. Schließlich wird eine Elektrode
19 aus Tellur auf die p-Leitschicht 18 bei 5 χ 10 Torr aufgedampft
.
Es ist natürlich möglich, ein lichtempfindliches Element des Elektronenstrahlabtasttyps
zu bilden, indem man die Elektrode 19 im Beispiel 6 ersetzt. Dementsprechend erkennt man in Fig. 13 eine Glasplatte
22, eine n-Transparentoxidleitschicht 23 und eine n-Chalcogenidleitschicht
24. Ähnlich dem im Beispiel 3 beschriebenen Verfahren wird eine amorphe p-Halbleiterschicht 25 auf der n-Leitschicht 24 abgeschieden,
und man dampft anschließend zur Verbesserung des Landens eines Abtastelektronenstrahls 27 eine poröse Schicht 26 aus Sb S auf die p-Halbleiter
schicht 25 bis zu einer Dicke von etwa 1000 A in einer Ar-
—2
Atmosphäre bei etwa 5 χ 10 Torr auf. Man erkennt in Fig. 13 auch noch einen Anschlußdraht 28 zur Signalableitung.
Atmosphäre bei etwa 5 χ 10 Torr auf. Man erkennt in Fig. 13 auch noch einen Anschlußdraht 28 zur Signalableitung.
Die Beziehung zwischen diesem lichtempfindlichen Element und dem in Beispiel 3 beschriebenen und in Fig. 9 dargestellten ist gleich der Be-
409839/0711
ziehung zwischen dem in Fig. 11 dargestellten und in Beispiel 4 beschriebenen
und dem in Fig. 1 dargestellten Element. Und zwar ist das so hergestellte lichtempfindliche Element nach Fig. 13 dem nach
Fig. 1 hinsichtlich der Stärke des Gleichrichtkontakts im Anfangsverhalten
(genauer gesagt im Anfangswert der Rückwärtsdurchbruchsspannung) etwas unterlegen, jedoch ist die Wärmestabilität des Gleichrichtkontakts
gegenüber Fig. 1 verbessert. Beispielsweise tritt eine
Verschlechterung des Gleichrichtverhaltens durch Kristallisation der amorphen p-Fotoleitschicht an der Grenzfläche des Kontakts kaum auf.
Außerdem ergibt sich ein chemische Änderungen verhindernder Effekt. Folglich ist die Lebensdauer verlängert, und die Verläßlichkeit als lichtempfindliches
Element ist hoch.
Es ist auch möglich, eine n-Oxidleitschicht durch HF-Aufstäubung
zu erzeugen.
Ein Abdeckmaterial aus Hartglas auf der Kathode einer HF-Aufstäubvorrichtung
wird mit ausreichend gemahlenem Zinnoxid überstrichen; man ordnet eine Glasplatte auf der entgegengesetzten Elektrode
(Anode) an, füllt den inneren Raum der Aufstäubvorrichtung mit
-2
Ar-Gas von 6 χ 10 Torr und legt eine Spannung von 2 kV zwischen den beiden Elektroden an, um eine HF-Aufstäubung bei 13,56 MHz während 15 Minuten durchzuführen. So wird eine n-Zinnoxidleitschicht von etwa 2000 A Dicke auf der Glasplatte gebildet. Obwohl sich durch
Ar-Gas von 6 χ 10 Torr und legt eine Spannung von 2 kV zwischen den beiden Elektroden an, um eine HF-Aufstäubung bei 13,56 MHz während 15 Minuten durchzuführen. So wird eine n-Zinnoxidleitschicht von etwa 2000 A Dicke auf der Glasplatte gebildet. Obwohl sich durch
409833/0711
dieses HF-Aufstäuben eine ziemlich glatte Aufdampf oberfläche erzeugen
läßt, wie Fig. 14 veranschaulicht, kann man eine noch glattere Oberfläche erreichen, indem man diese Schicht entsprechend dem im
Beispiel 5 beschriebenen Verfahren einem Plasmaätzen unterwirft. Eine
amorphe p-Halbleiterschicht aus Se As Te wird auf die n-Leitschicht
bis zu einer Dicke von 4 um in einem Vakuum von 3· χ 10 Torr aufgedampft. Dann dampft man zur Verbesserung des Landens
eines Abtastelektronenstrahls eine poröse Schicht aus Sb S auf die
p-Halbleiterschicht bis zu einer Dicke von etwa 1000 A in einer Ar-
—2
Atmosphäre bei 5 χ 10 Torr auf.
Atmosphäre bei 5 χ 10 Torr auf.
409839/071\
Claims (9)
- Patentansprüche1 ly Verfahren zum Herstellen eines lichtempfindlichen Elements durch Bilden einer n-Transparentleitschicht auf einer transparenten Unterlage und Bilden einer p-Fotoleitschicht auf der n-Transparentleitschicht unter Schaffung eines Gleichrichtkontakts mit dieser, dadurch gekennzeichnet, daß man die Spitzen von Mikrovorsprüngen der Oberfläche der n-Transparentleitschicht (2; 8; 16; 23) vor dem Abscheiden der p-Fotoleitschicht (3; 9; 18; 25) glättet und die Fotoleitschicht aus einem Stoff bildet, dessen Hauptbestandteil ein wenigstens Selen enthaltendes Chalcogenid ist.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die p-Fotoleitschicht (z. B. 3) im amorphen Zustand ausbildet.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zum Glätten der Spitzen der Mikrovorsprünge der Oberfläche der n-Transparentleitschicht (z. B. 2) wenigstens 30 % der Dicke dieser Schicht entfernt.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man das Entfernen mittels Plasmaätzung durch Beschüß mit Inertgasionen vornimmt.
- 5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß409839/0711man das Entfernen mittels mechanischen Polierens vornimmt.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die n-Transparentleitschicht (z. B. 2) mit einem Stoff aus der Gruppe Zinnoxid, Indiumoxid, Titanoxid, Tantaloxid, Thalliumoxid, Zinkoxid und deren Mischungen als Hauptbestandteil ausbildet.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die n-Transparentleitschicht als Doppelschicht aus einer ersten Schicht (16; 23) mit einem Stoff aus der Gruppe Zinnoxid, Indiumoxid, Titanoxid, Tantaloxid, Thalliumoxid, Zinkoxid und deren Mischungen als Hauptbestandteil und einer zweiten Schicht (17; 24) aus einem Stoff der Gruppe CdS, CdSe, ZnS, ZnSe und deren Mischungen ausgebildet, die auf der ersten Schicht (16; 23) nach deren Glättung vorgesehen wird.
- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß man auch die Spitzen von Mikrovorsprüngen der Oberfläche der zweiten n-Transparentleitschicht (17; 24) glättet.
- 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die n-Transparentleitschicht (z. B. 2) durch HF-Zerstäubungsabs cheidung bildet.409839/0711Leerseite
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2411517A1 true DE2411517A1 (de) | 1974-09-26 |
DE2411517B2 DE2411517B2 (de) | 1976-02-19 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742411517 Ceased DE2411517B2 (de) | 1973-03-12 | 1974-03-11 | Verfahren zum herstellen eines lichtempfindlichen halbleiterelementes |
Country Status (6)
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---|---|
US (1) | US3941672A (de) |
JP (1) | JPS5137155B2 (de) |
DE (1) | DE2411517B2 (de) |
FR (1) | FR2221817B1 (de) |
GB (1) | GB1465367A (de) |
NL (1) | NL159824B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0631301A1 (de) * | 1993-06-21 | 1994-12-28 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Herstellverfahren für ein Leistungshalbleiterbauelement für hohe Abkommutierungssteilheit |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5244194A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Photoelectric conversion device |
JPS5256097A (en) * | 1975-11-04 | 1977-05-09 | Hitachi Ltd | Preparing of target of vidicon |
US4062038A (en) * | 1976-01-28 | 1977-12-06 | International Business Machines Corporation | Radiation responsive device |
JPS535523A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Hitachi Ltd | Pickup tube target |
US4339300A (en) * | 1977-07-25 | 1982-07-13 | Noble Lowell A | Process for smoothing surfaces of crystalline materials |
JPS5696443A (en) * | 1980-12-12 | 1981-08-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of germanium-oxide film for picture tube target |
US4584427A (en) * | 1984-10-22 | 1986-04-22 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell with free tin on tin oxide transparent conductor |
DE3650362T2 (de) * | 1986-01-06 | 1996-01-25 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Atsugi, Kanagawa | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung mit hoher Ansprechgeschwindigkeit und Herstellungsverfahren. |
US4690746A (en) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Genus, Inc. | Interlayer dielectric process |
JP2686266B2 (ja) * | 1988-01-28 | 1997-12-08 | 株式会社日立製作所 | 受光素子の製造方法 |
US7989376B2 (en) * | 2001-06-26 | 2011-08-02 | Afo Research, Inc. | Fluorophosphate glass and method for making thereof |
EP1840966A1 (de) * | 2006-03-30 | 2007-10-03 | Universite De Neuchatel | Transparente, leitende und strukturierte Schicht sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
US8361914B2 (en) * | 2008-10-31 | 2013-01-29 | Margaryan Alfred A | Optical components for use in high energy environment with improved optical characteristics |
US10393887B2 (en) | 2015-07-19 | 2019-08-27 | Afo Research, Inc. | Fluorine resistant, radiation resistant, and radiation detection glass systems |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3185891A (en) * | 1960-09-19 | 1965-05-25 | Gen Electric | Electron optics for infrared camera tubes |
US3346755A (en) * | 1966-03-31 | 1967-10-10 | Rca Corp | Dark current reduction in photoconductive target by barrier junction between opposite conductivity type materials |
DE1262243B (de) * | 1964-03-18 | 1968-03-07 | Ibm Deutschland | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitermaterial |
DE2007318A1 (de) * | 1969-03-13 | 1970-10-01 | ||
US3671338A (en) * | 1968-12-09 | 1972-06-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing a semiconductor photo-sensitive device |
DE2165652A1 (de) * | 1970-12-30 | 1972-07-13 | Thomson Csf | Speicherplatte für eine Bildaufnahmeröhre |
DE2217907A1 (de) * | 1971-04-14 | 1972-11-09 | Hitachi Ltd., Tokio | Verfahren zur Herstellung eines fotoleitfähigen Filmes |
US3718955A (en) * | 1960-09-19 | 1973-03-06 | Gen Electric | Method of manufacturing semiconductor camera tube targets |
US3729645A (en) * | 1964-12-16 | 1973-04-24 | Gen Electric | Photoconductive camera tubes and methods of manufacture |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3770606A (en) * | 1968-08-27 | 1973-11-06 | Bell Telephone Labor Inc | Schottky barrier diodes as impedance elements and method of making same |
US3805128A (en) * | 1971-05-04 | 1974-04-16 | Hughes Aircraft Co | Cadmium sulfide thin film sustained conductivity device with cermet schottky contact |
-
1973
- 1973-03-12 JP JP48028022A patent/JPS5137155B2/ja not_active Expired
-
1974
- 1974-03-11 FR FR7408203A patent/FR2221817B1/fr not_active Expired
- 1974-03-11 US US05/450,186 patent/US3941672A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-03-11 NL NL7403234.A patent/NL159824B/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-03-11 GB GB1079574A patent/GB1465367A/en not_active Expired
- 1974-03-11 DE DE19742411517 patent/DE2411517B2/de not_active Ceased
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3185891A (en) * | 1960-09-19 | 1965-05-25 | Gen Electric | Electron optics for infrared camera tubes |
US3718955A (en) * | 1960-09-19 | 1973-03-06 | Gen Electric | Method of manufacturing semiconductor camera tube targets |
DE1262243B (de) * | 1964-03-18 | 1968-03-07 | Ibm Deutschland | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleitermaterial |
US3729645A (en) * | 1964-12-16 | 1973-04-24 | Gen Electric | Photoconductive camera tubes and methods of manufacture |
US3346755A (en) * | 1966-03-31 | 1967-10-10 | Rca Corp | Dark current reduction in photoconductive target by barrier junction between opposite conductivity type materials |
US3671338A (en) * | 1968-12-09 | 1972-06-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing a semiconductor photo-sensitive device |
DE2007318A1 (de) * | 1969-03-13 | 1970-10-01 | ||
DE2165652A1 (de) * | 1970-12-30 | 1972-07-13 | Thomson Csf | Speicherplatte für eine Bildaufnahmeröhre |
DE2217907A1 (de) * | 1971-04-14 | 1972-11-09 | Hitachi Ltd., Tokio | Verfahren zur Herstellung eines fotoleitfähigen Filmes |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Elektronik-Anzeiger", 3. Jg., Nr. 4, 14. April 1971, S. 93 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0631301A1 (de) * | 1993-06-21 | 1994-12-28 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Herstellverfahren für ein Leistungshalbleiterbauelement für hohe Abkommutierungssteilheit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS49118384A (de) | 1974-11-12 |
GB1465367A (en) | 1977-02-23 |
US3941672A (en) | 1976-03-02 |
FR2221817A1 (de) | 1974-10-11 |
JPS5137155B2 (de) | 1976-10-14 |
FR2221817B1 (de) | 1978-09-08 |
DE2411517B2 (de) | 1976-02-19 |
NL159824B (nl) | 1979-03-15 |
NL7403234A (de) | 1974-09-16 |
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---|---|---|
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DE69202362T2 (de) | Kathode. | |
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