DE2321099B2 - Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem transparenten Leitermuster - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem transparenten Leitermuster

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
ίο Herstellung einer Anordnung mit einem transparenten, isolierenden Träger, der mit einem Leitermurter aus transparentem, leitendem Material versehen ist.
Mit transparenten Elektroden versehene Transparente, isolierende Träger werden bekanntlich u. a. bei
n Bildwiedergabevorrichtungen angewendet, die nachstehend als »Displays« bezeichnet werden.
Z. B. werden bei »Displays«, die mil flüssigen Kristallen oder mit Elektrolytzellen wirken, wobei der Durchgang eines elektrischen Stromes Lumineszenz im
•to sichtbaren Teil des Spekirurr.s aulu-kt. transparente Elektroden, meistens aus Indiumoxid, Zinnoxid oder Kupferjodid, verwendet.
Diese transparenicn Elektroden müssen mit anderen Teilen der elektrischen Schaltung verbunden werden, zu welchem Zweck meistens auf den Enden dieser Elektroden ein Anschlußglied angebracht wird. Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß die Enden der Elektroden dadurch lölbar gemacht werden, daß jede der Kontaktstellen mit einer .Silberpaste bestrichen wird. Dabei müssen die Koniakisiellen meistens verhältnismäßig weit auseinander liegen, entweder wegen der Abmessungen des Anschlußgliedes oder zur Vermeidung von Kurzschluß beim Lötbarmachen und/oder beim Löten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren der eingangs genannten Art so auszubilden, daß die Kontaktstellen alle gleichzeitig lölbar gemacht werden, wobei unter dem Ausdruck »lötbar machen« das Anbringen einer Metallschicht zu verstehen ist, auf
m> der mit Hilfe der bekannten Verbindungstechniken, wie Löten, Thermokompression und Ultraschallschweißen, elektrische Verbindungen hergestellt werden können.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch I angegebene Erfindung gelöst.
<>5 Weitere Ausgestallungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Dieses gleichzeitige »Lötbarmachen« der Kontaktstellen bedeutet nicht nur eine erhebliche Vereinfa-
chung des Verfahrens zur Herstellung von Anordnungen mit solchen Leitermustern, sondern schafft auch die Möglichkeit, die Kontaktstellen dichter beieinander mit einem kleineren gegenseitigen Abstand zu gruppieren, wobei dieser gegenseitige Abstand sogar derart klein gewählt werden kann, daß z. B. integrierte Schaltungen für die elektrische Steuerung des Displays direkt an den »lötbaren« Kontaktstellen durch z. B. ein Direktkontaktverfahren montiert werden können.
Es ist wichüg, daß eine metallene Hilfsschicht verwendet wird. Viele Metalle sind in genügend reiner Form verfügbar und können auf verhältnismäßig einfache Weise, z. B. durch Aufdampfen oder Zerstäuben angebracht werden.
Weiter sind für eine Vielzahl Metalle, einschließlich Legierungen, selektive Ätzmittel zum Mustern und/oder zum Entfernen bekannt. Beim Mustern können die üblichen photolithographischen Maskierungsschichten verwendet werden. Nach der Ätzbehandlung kann diese Maskierungsschicht vollständig entfernt werden, so daß auf der Oberfläche keine organischen Rückstände verbleiben, die bekanntlich oft 1 iafiungsproblcrnc herbeiführen.
Beim Aufdampfen der leitenden Schicht für das Leitermuster kann unbedenklich eine erhöhte Substrattemperatur angewandt werden. Auch bei dieser erhöhten Temperatur, die oft zur Verbesserung der Haftung des Leitermusters an der Unterlage erforderlich ist, ist die metallene Hilfsschicht formfest und stabil und weist z. B. seilen oder niemals die Neigung auf, zu so zerreißen oder spröde zu werden. Überdies läßt sich die metallene Hilfsschicht auch nach einer Behandlung bei erhöhter Temperatur ohne Schwierigkeiten entfernen, dies im Gegensatz zu Photolackschichten, hei denen eine vollständige Entfernung unter diesen Bedingungen r> oft Schwierigkeiten bereitet.
Ein wesentlicher Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung besteht übrigens darin, daß dabei eine größere Wahlfreiheit in bezug auf die .Substrattemperatur während der Anbringung der leitenden Schicht für das Leitermüiter erhalten wird. Diese Substrattemperatur übt einen großen Einfluß auf die Haftung des Leitermusters auf dem isolierenden Träger ai's.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung kommt die leitende Schicht nur mit dem isolierenden Träger an 4ί denjenigen Stellen in Berührung, an denen endgültig das Leitermuster verlangt wird. Die Hahung zwischen der leitenden Schicht und der metallenen Hilfsschicht spielt bei der Entfernung keine wichtige Rolle, we;l die Entfernung nicht durch das Wegätzen der leitenden w Schicht, sondern durcr, das Lösen der darunter liegenden Hilfsschicht erfolgt. Beim Anbringen der metallener. Hilfsschicht genügt meistens eine niedrigere Substraliemperatur, weil die wichtigste Anforderung die an die Haftung zwischen der Hilfsschicht und der v, Isolierschicht gestellt wird, ist, daß diese Haftung genügend ist, um die Hilfsschicht genau mustern zu können.
Das Lösen der metallenen Hilfsschich! kann trotz der Tatsache, daß diese wenigstens größtenteils von der m) leitenden Schicht bedeckt ist, verhältnismäßig schnell erfolgen, weil bei der Wahl des Lösungsmittels die Haftung einer (photolithographischen) Ätzmaske und die Regelung und Beschränkung des Ausmaßes der Unterätzung nicht berücksichtigt zu werden brauchen, wodurch in diesem Falle ein schnell wirkendes Ätzmittel verwendet werden kann, während weiter infolge der Tatsache, daß die Mater.alien der Hilfsschicht und der leitenden Schicht, die voneinander verschieden, aber beide leitend sind, sich zugleich in direktem elektrischem Kontakt miteinander in dem Lösungsmittel befinden, leicht ein galvanisches Element erhalten wird. Bei passender Wahl der beiden Materialien kann dadurch die Hilfsschicht erheblich schneller gelöst werden. Dieser Effekt einer beschleunigten Lösung durch die Bildung eines galvanischen Elements kann sich auch beim Ausätzen von Leitermustern ergeben, die aus einer zusammengesetzten Schicht bestehen. Es tritt dann leicht und schnell eine zu starke Unterätzung der unleren leitenden Schicht auf, wodurch sich namentlich bei feinen Leitermustern große Schwierigkeiten ergeben. Dadurch, daß die untere leitende Schicht meistens mit einer undurchsichtigen Schicht abgedeckt ist, ist das Ausmaß der Unterätzung nicht sichtbar und dadurch praktisch unzuverlässig. Bei der Herstellung ist der Ausschuß daher groß.
Bei Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung, bei dem d'e leitende Schicht nicht durch Ausätzen strukturiert wird, treten diese di;;.:h Unterätzung herbeigeführten Probleme nicht auf.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden imfolgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig.! schematisch eine Draufsicht auf einen transparenten Träger, der mit einem durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellten Leitermuster versehen ist,
Fig. 2 schematisch einen Querscnn'tt durch einer Bildwiedergabevorrichtung (»display«), in der der Träger nach der Erfindung verwendet wird, und
F i g. 3 schematisch eine Draufsicht auf einen zweiten transparenten Träger zur Anwendung in dem »Display« nach Fi g. 2.
Im allgemeinen umfaßt das Verfahren zur Herstellung von Displays nach der Erfindung, von dem nachstehend an Hand des Ausführungsbeispiels eine Möglichkeit im Detail beschrieben wird, die nachstehenden Schritte:
Auf einem transparenten Träger, /.. B. aus Glas oder Kunststoff, wird eine metallene Hilfsschicht, z. B. aus Aluminium, mit darin einer negativen Abbildung des gewünschten Leitermusters angebracht, welche Abbildung z. B. durch Ätzen erhallen werden kann
Auf der mit dem Muster versehenen Hilfsschicht wird eine transparente leitende Schicht aus /.. B. Zinnoxyd, Indiumoxyd oder Kupferiodid angebracht, z. B. durch Bespritzung oder Besprühung mit einer Salzlösung, aus der das leitende Oxyd erhalten werden kann, durch Zerstäuben, durch Aufdampen oder Zerstäuben des Metalls in einer Sauerstoffatmosphäre oder durch ein anderes übliches Verfahren.
Auf einem Teil der transparenten leitenden Schicht, innerhalb dessen sich wenigstens die gewünschte »lotbaren« Kontaktstellen befinden, wird eine aus einer oder mehreren M^tallschichlen bestehende leitende Schicht angebracht, von weichen Schichten wenigstens die letzte, d. h. die obere, aus einem Metall besteht, auf dem durch eine der bekannten Verbindungstechniken, wie Löten, Warn a-Druck-Binden oder Ultraschallschweißen, Verbindungen hergestellt werden können. Eine derartige Schicht, die die Anwendung dieser Verbindungstechniken ermöglicht, wird nachstehend kurz als »lötbare« Schicht bezeichnet. In der Regel wird eine Zwischenschicht zwischen der transparenten Schicht und der »lötbcren« Schicht erforderlich sein, um eine gute Haftung zu erhalten und/oder störende chemische Reaktionen oder die Bildung störender
Verbindungen zwischen den Materialien der transparenten und der »lötbaren« Schicht zu verhindern. Abhängig von der gewählten Verbindungstechnik können z. B. nacheinander eine Nickel-Chrom-Schicht und eine Nickelschicht oder eine Chromschicht und eine Goldschicht verwendet werden. Die Metalle können z. B. durch Aufdampfen oder Zerstäuben angebracht werden und von dem nicht zu überziehenden Teil der transparenten Schicht weggeätzt werden. Vorzugsweise wird unter Verwendung einer Maske aufgedampft oder gesplittert oder wird der nicht zu überziehende Teil der transparenten Schicht mittels einer darauf liegenden Makse oder Maskierungsschicht abgeschirmt. Die nichttransparenten Schichten der leitenden Schicht können z. B. auch völlig oder teilweise auf elektrochemischem Wege angebracht werden.
Nachdem auf diese Weise die »lötbarc« Metallschicht angebracht ist, wird die Hilfsschicht /. B. durch eine ucnariuiüng mu Lauge gelöst, wobei zugleich die überflüssigen Teile der leitenden Schichten von dem Träger abgelöst werden und nur das gewünschte Leitermuster zurückbleibt.
Auf diese Weise ist der transparente Träger mit einem Leitermuster versehen, dessen Leiterbahnen teilweise nur aus transparentem Zinnoxyd oder Indiumoxyd oder Kupferiodid und zum anderen Teil aus 7. B. drei aufeinander angebrachten Schichten, z. B. aus Zinnoxyd. Indiumoxyd oder Kupferjodid. Nickel-Chrom oder Chrom und Nickel oder Gold bestehen.
Falls Löten als Verbindungstechnik verwendet wird, wobei die obere Schicht des Leitcrmusters z. B. aus Nickel bestehen kann, können die Kontaktstellen in einer einzigen Bearbeitung mit Lot versehen werden. Z. B. kann der Träger wenigstens teilweise in flüssiges Lot eingetaucht werden. Nur auf der Nickeloberfläche bleibt dann Lot zurück.
Die Dicke der Hilfsschicht kann innerhalb verhältnismäßig weiter Grenzen geändert werden. Eine geeignete Dicke ist z. B. etwa 0,15 μπι. Die Dicke tier transparenten Schicht wird, um störenden Reflexionen entgegenzuwirken und dadurch eine möglichst große Transparenz zu erhalten, vorzugsweise gleich etwa einer Viertel der Wellenlänge der durchzulassenden Strahlung gewählt. In der Praxis werden günstige Ergebnisse mit einer Dicke zwischen etwa 0,05 und 0,15 μπι erzielt. Die Dicke der Nickel-Chrom-Haftschicht liegt vorzugsweise zwischen etwa 0,1 μπι und höchstens etwa 3 μπι. während die Nickelschicht vorzugsweise eine Dicke von mehr als 0.15 um aufweist. Günstige Ergebnisse wurden mit einer Nickelschicht mit einer Dicke zwischen 0!5 um und 0.35 μτι erzielt.
Das Entfernen der Aluminiumschicht erfolgt vorzugsweise durch eine Ätzbehandlung mit Lauge, insbesondere mit Natronlauge. Das Lösen der Hilfsschicht kann dadurch beschleunigt werden, daß die Hilfsschicht örtlich, z. B. am Rande, nicht überzogen wird oder die leitende Schicht örtlich entfernt wird ehe die Behandlung mit Lauge stattfindet
Vorzugsweise wird der Laugelösung Wasserstoffperoxyd zugesetzt. Es hat sich herausgestellt, daß dann Leiterbahnen einer höheren Güte erhalten werden können. Vermutlich tritt bei der Behandlung mit Lauge ohne Zusatz von Wasserstoffperoxyd eine gewisse Reduktion von Zinnoxyd zu Zinn oder von Indiumoxyd zu Indium auf und wird diese Reduktion durch das Vorhandensein von Wasserstoffperoxyd in der Lösung unterdrückt. In diesem Zusammenhang sei bemerkt, daß, wenn die transparente Schicht nicht aus einer (warmen) Lösung, sondern aber z. B. durch Zerstäuben angebracht wird, die Aluminiumhilfsschichl vorzugsweise in geringem Maße, /.. B. durch Erhitzung auf etwa 400'C während etwa einer Stunde, oxydiert wird. Die "> auf diese Weise gebildete Oxydhaut verhindert, daß die leitende Schicht von dem unterliegenden Aluminium reduziert wird.
Die Dicke der leitenden Schicht und namentlich der »lötbaren« Schicht wird vorzugsweise innerhalb gewisser Grenzen gehalten. Z. B. ist die Dicke der Nickelschicht kleiner als 1 (im und vorzugsweise nicht größer als 0.3 bis 0.4 μηι. Auf diese Weise wird erreicht, daß die leitende Schicht während und/oder nach dem Lösen der Aluminiumschicht nötigenfalls an den Rändern der Aussparungen in der llilfsschichi noch leicht zerbricht. Die »lötbarc« Schicht kann erwiinschtenfiills im Zusammenhang mit der gewählten Verbindungstechnik nach dem Lösen der I lilfsschicht weiter ι. υ. uiit <. ti
2» Die Dicke einer verstärkten Nickelschicht liegt vorzugsweise zwischen etwa I und 5 μηι. Erwünschtenfails kann auf der Nickelschicht noch eine weitere Schicht, z. B. eine Goldschicht, angebracht werden. So kann z. B auf einer Nickelschichl, die mit 0,1 μιη Gold
-'> überzogen ist. ohne Flußmittel gelötet werden.
Im Ausführungsbeispiel wird ein 9-Ziffern-Muster. wie es schematisch in F i g. I dargestellt ist, auf einer 2 mm dicken Pyrexglasplatte (Abmessungen 94 χ 46,5 mm) angebracht, jede Ziffer ist aus 7
>" Segmenten (Bildelektrodcn) zusammengesetzt, wobei der kleinste Abstand zwischen benachbarten Segmenten z. B. etwa 50 μηι ist (in Fig. I sind diese Segmente mit 41—47 bezeichnet). Jedes Segment ist über eine schmale Leiterbahn (in F i g. I sind die Leiterbahnen für
>'< eine Ziffer mit 48 — 54 bezeichnet) mit einem »Lötkontakt« verbunden (in der Figur sind für eine Ziffer die Lötkontakte mit 55—61 bezeichnet). Für eine zweite Ziffer sind die Segmente (Bildelektroden), die schmalen Leiterbahnen und die Lötkontakte in der Figur mit den
■*fl folgenden Bezugsziffern bezeichnet: Segmente 62 — 68: die dünnen Leiterbahnen 69 — 75 und die Lötkontakte 76-82.
In dem fertigen Ziffernmuster gemäß dem Beispiel bestehen die Bildelektroden aus transparentem, leiten-
4ϊ dem Zinnoxyd. Die Teile der schmalen Leiterbahnen oberhalb der Linie E-F bestehen ebenfalls aus transparentem, leitendem Zinoxyd. Die Teile der schmalen Leiterbahnen unterhalb der Linie £-Fund die Lötkontakte sind bei dem fertigen Ziffernmuster gemäß dem Beispiel aus drei Schichten aufgebaut: auf der auf der Glasplatte angebrachten Zinnoxydschicht befi, det sich eine Nickel-Chrom-Schicht (Dicke etwa 0.2 μπι) und darauf liegt eine Nickelschicht (Dicke etwa 0,2 μπι).
Auf der Glasplatte ist jeweils für drei Ziffern ein Satz Lötkontakte (für einen Satz mit 83—88 bezeichnet) zur Verbindung mit den Speiseleitungen (in der Figur als breite dunkle Bahnen dargestellt) vorhanden.
Das Verfahren gemäß dem vorliegenden Beispiel bestaht aus den folgenden Bearbeitungen:
Die Glasplatte wird gereinigt und einer Glimmentladung ausgesetzt. Auf der Platte wird dann bei einem Druck von 1.33 - I0"3 bis 1,33 · 10-4 Pa eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von etwa 0,25 μπι durch Aufdampfen angebracht. Auf der Aluminiumschicht wird ein üblicher posiver Photolack angebracht; die Lackschicht wird getrocknet. Über eine positive Photomaske wird der Lack belichtet; dann wird er durch Erhitzung auf 1300C während 10 Minuten ausgehärtet.
Die belichteten Teile des Photolacks werden mit Hilfe eines Entwicklers gelöst. Das dabei frei gelegte Aluminium wird bei Zimmertemperatur mit vcrdünnlcr Phosphorsäure weggeätzt. Dann wird der Photolack ζ. B. mit Aceton entfernt. Anschließend wird mit Wasser gespült und bei etwa 100"C getrocknet. Nun ist eine οΐίΐϊμκ,Ιΐε mit einem Negativmustcr in Aluminium des herzustellenden Ziffernmusters erhalten.
Von der Glasplatte, deren Größe in der Figur mit dem Rechteck AHCF)angegeben ist. wird dcrT.il außerhalb des Rechtecks ClIKI. abgedeckt. Dann wird das Ganze in einem Ofen auf etwa 430'C erhitzt und danach mit einer warmen Lösung (etwa 100'C) von 20 Gew. 1Vn Zinnchlorid (SnCU) in Butylacctat bespritzt. Der Teil der Glasplatte innerhalb des Rechtecks wird dabei mil einer Schicht aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd überzogen. Dann wird die Glasplatte in eine
ecks CMNI. wird abgedeckt. Aul dem nicht abgedeckten Teil wird durch Aufdampfen im Vakuum zunächst eine Nickel-Chrom-Schicht (Dicke etwa 0.2 μηι) und darauf, gleichfalls durch Aufdampfen im Vakuum, eine Nickclschicht (Dicke etwa 0.2 μηι) angebracht.
Nach Entfernung aus der Vakuumglocke wird die Glasplatte in eine Lösung von I N Kalilauge gebracht, die z. B. 2.5 bis 3 Gcw.% Wasserstoffperoxyd enthält. Durch Zusatz von Wasserstoffperoxyd wird Reduktion von Zinnoxyd während der Ätzbehandlung möglichst vermieden, wodurch das Aluminium schneller mit einer verhältnismäßig starken Laugelösung weggeätzt werden kann. Dadurch, daß der Teil der Glasplatte außerhalb des Rehtccks CHKI. nicht mit Zinnoxyd. Nickel-Chrom oder Nickel überzogen ist. ist die Aluminiumsehicht für die Lauge leicht zugänglich und wird diese Schicht, samt den darauf liegenden Schichten, entfernt. Nach Ätzung mit Lauge wird die Plane mit Wasser gespült und dann bei Zimmertemperatur getrocknet.
Auf die beschriebene Weise ist ein Ziffernmuster erhalten, bei dem die Segmente (Elektroden) der Ziffern und dicTcilc der schmalen Leiterbahnen (die Segmente und Lötkontakte miteinander verbinden) oberhalb der Linie F-F aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd bestehen, während die Teile der schmalen Leiterbahnen unterhalb der Linie E-F und die Kontaktstellen aus Schichten bestehen, die aus aufeinanderfolgenden Schichten aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd. Nickel-Chrom und Nickel aufgebaut sind.
Auf ähnliche Weise kann ein Ziffernmuster hergestellt werden, bei dem die Teile der schmalen Leiterbahnen unterhalb der Linie E-F und die Kontaktstellen aus Schichten bestehen, die aus aufeinanderfolgenden Schichten aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd, Chrom und Gold aufgebaut sind. In diesem Falle wird statt Nickel-Chrom Chrom und statt Nickel Gold aufgedampft. Die Chromschicht hat dann z. B. eine Dicke von etwa 50 nm und die Goldschicht von etwa 30 nm. Nachdem sich die Hilfsschicht gelöst hat. kann auf der Goldschicht z. B. »stromlos« eine Nickelschicht mit einer Dicke zwischen z. B. 1 und 5 μτη angebracht werden.
Alle Kontaktstellen können in einer einzigen Bearbeitung durch Tauchlöten »verzinnt« werden, wobei die Platte derart weit in das geschmolzene Lot, ζ. B. aus 95 Gew.% Blei und 5 Gew.% Zinn, bei etwa 3500C eingetaucht wird, daß die Kontaktstellen mit Lot versehen werden.
Nach dem Anbringen von Lot an den Kontakistellen können darauf integrierte Schaltungen zur Steuerung der Segmente (Bildclcktmdcn) befestigt werden. In diesen integrierten Schallungen können z. IJ. in binärem Kode zur Verfügung kommen, in Signale umgewandelt werden, die den Bildelcklroden zugeführt werden können, um diese Daten in den Ziffernmustern sichtbar zu machen. Die Kontaktstellen der integrierten Schaltungen selber, d.h. die Kontaktstellen des HaIblciterkörpcrs dieser Schaltungen, können z. B. durch sogenannte »Buckel« (»bumps«) oder »l.eitcrbäunic« (»beam-leads«) gebildet werden. Diese können direkl mit den Kontaktstellen auf dem isolierenden Träger verbunden werden. Bei Anwendung integrierter Schalls tungcn mil »Leilerbüi.men«. die meistens aus Gold bestehen, kann auf der 50 nm dicken Chromschiclu eine dickere Goldsehicht. z. B. von I μηι. angebracht werden, iv.ler k:!!!!1 '.'ic Gnlflschichi. nach dem Lösen der Hilfsschicht. /. IV zu einer Gesamtdicke /wischen 1 und
2n 10 μηι verstärkt werden. Auf dieser Goldsehicht können die »Leiterbäume« durch Wärme-Druck-Biiulen befestig! werden.
Durch das crfmdungsgemälte Verfahren hergestellte Ziffernmuster sind neu, gleich wie die mit diesen
2ri Mustern hergestellten »Displays«. Daher bezieht sich die Erfindung auch auf Iransparente isolierende Träger, die mit Ziffernmustern versehen sind, deren Segmente (Bildelcklroden) transparent und elektrisch leitend sind und bei denen die Teile der schmalen Leiterbahnen, die
ίο die Segmente mil Lötkontakten verbinden, ebenfalls aus einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht bestehen, während die Lötkontakt und gegebenenfalls Teile der schmalen Leiterbahnen, die an die l.ölkontakte grenzen, aus einer transparenten, elektrisch leitenden
i1"' Schicht, einer Nickcl-Chrom-Schicht und einer Nickclschicht, oder aus einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht, einer Chromschicht und einer Goldsehicht aufgebaut sind.
Auch bezieht sich die Erfindung auf »Displays«, die unter Verwendung solcher Träger rnii solchen Ziffcrnmustern hergestellt sind.
D;r Aufbau einer »Display«/'.cllc ist in F i g. 2 veranschaulicht, die einen Querschnitt durch die Zelle zeigt. In dieser Figur bezeichnen 91 und 92 parallele Platten aus Pyrcxglas mil einer Dicke von 2 mm. während 93 eine reflektierende Aluminiumschicht bezeichnet und 94 und 95 sogenannte »spacers« (Distanzglieder) bezeichnen, die aus Glasplatten oder Platten aus isolierendem Kunststoff mit einer bcslimmten Dicke bestehen und dazu dienen, die Elektroden 96, 9.' und 98 in einem gewissen gegenseitigen Abstand zu halten. Auch kann für diesen Zweck eine Kunststoffolie Anwendung finden. % und 97 sind Segmente (Bildelektroden) einer Ziffer. 98 ist eine Gegenelektrode. Die dargestellte Zelle wird mit nematischen flüssigen Kristallen 99.
F i g. 3 zeigt eine Glasplatte, die mit den Gegenelektroden der Ziffern versehen ist. Jede Gegenelektrode (die Elektroden sind mit 101 — 109 bezeichnet) entspricht, was Form und Abmessungen anbelangt, einer aus 7 Segmenten bestehenden Ziffer (siehe in F i g. 1 z.B. die Segmente 41—47). Jede Gegenelektrode besteht aus einer transparenten, elektrisch leitenden Schicht aus z. B. Zinnoxyd, Indiumoxyd oder Kupferjo-
did. jede Gegenelektrode ist über eine Leiterbahn, die ebenfalls aus transparentem, elektrisch leitendem Zinnoxyd. Indiumoxyd oder Kupferjodid bestehen kann, elektrisch mit einem gemeinsamen Kontakt Ii-O
verbunden. So ist /. H. die Gegenelektrode 101 über die Leiterbahn III mil dem Kontakt 110 verbumkn. .Auch können reflektierende Gegcneleklroden verwendet werden, die dann /. B. aus Aluminium bestehen können.
Anstelle der oben angegebenen können auch andere Materialien verwendet werden. Rir die Hilfsschicht kommen neben den bereits genannten Metallen Aluminium. Kupfer und Silber /.. B. Magnesium. Mangan. Blei und Indium in Betracht.
Wenn die Dicke der Leiterbahnen derartig ist, daß das Brechen an den Rändern der Aussparungen vielleicht nicht so leicht vor sich geht wie erwünscht ist. kann (können) die obere(n) Schicht(en) der leitenden Schicht
10
völlig oder über einen Teil ihrer Dicke mit Hilfe einer weiteren Maske gemustert werden. Die verschiedenen Schichten können statt durch Aufdampfen oder Zerstäuben /.. B. auch auf elektrochemischem Wege angebracht werden, wobei es z. B. möglich ist, nach dem Lösen der Hilfsschicht durch »stromlose« Ablagerung das l.eitermuster weiter zu verstärken und/oder eine oder mehrere weitere Schichten aus einem anderen leitenden Material anzubringen. Auf diese Weise kann
ίο also auch die »lötbarc« Schicht angebracht werden, nachdem zunächst mittels der Hilfsschicht und durch das I .ösen dieser Schicht ein I .eitcrmustcr erhallen ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (16)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem transparenten, isolierenden Träger, der mit einem Leitermuster aus transparentem, leitendem Material versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Träger eine metallene Hilfsschicht, die eine oder mehrere Aussparungen in Form des anzubringenden Leitermusters aufweist, hergestellt wird, dann auf der Hilfsschicht und in den Aussparungen auf dem Träger eine transparente leitende Schicht angebracht wird, daraufhin ein Teil der Oberfläche der transparenten, leitenden Schicht mit einer »lötbaren« Metallschicht versehen wird, und schließlich durch selektives Ablösen der Hilfsschicht das Leitermuster erhalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der transparenten, leitenden Schicht und der »lötbaren« Metallschicht eine oder mehrere Zwischenschichten angebracht werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine metaüene Hilfsschicht mit einer Dicke mindestens gleich der Summe der Dicken der auf der Hilfsschicht anzubringenden leitenden Schichten des Leitermusters verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1. 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Hilfsscbicht eine Schicht aus Aluminium, Kupfer, Silber oder Magnesium angebracht wird.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als transparente, leite.-.Je Schicht eine Zinnoxid-, Indiumoxid- oder Kupferjodidfchicht .-^gebracht wird.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als »lötbare« Schicht eine Nickelschichi verwendet und zwischen der transparenten Schicht und der Nickelschicht eine Nickel-Chronischicht angebracht wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als »lötbare« Schicht eine Goldschicht verwendet und zwischen der transparenten Schicht und der Goldschicht eine Chromschicht angebracht wird.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Aussparungen versehene Hilfsschicht nur teilweise mil den zu der leitenden Schicht gehörenden Schichten bedeckt wird.
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Hilfsschicht aus Aluminium verwendet und diese Schicht in einer Lauge abgelöst wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Hilfsschicht aus Aluminium mit einer Dicke zwischen 0,1 μπι und I um angebracht wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10. dadurch gekennzeichnet, daß zum Ablösen der Aluminiurnhilfsschicht eine Lauge verwendet wird, der Wasserstoffperoxid zugesetzt ist.
12. Verfahren nach den Ansprüchen 6 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine transparent, elektrisch leitende Schicht mit einer Dicke zwischen 0,05 μπι und 0,15 μηι, eine Nickel-Chrom-Schicht mit einer Dicke von höchstens 0,3 μπι und eine Nickelschicht mit einer Dicke zwischen 0,15 μηι und 0,35 μιη angebracht werden.
13. Verfahren nach den Ansprüchen 7 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine transparente, elektrisch leitende Schicht mit einer Dicke zwischen 0,05 μιη und 0,15 μηι, eine Chromschicht mit einer
Dicke zwischen 0,01 μπι und 0,1 μιη und eine Goldschicht mit einer Dicke zwischen 0,0! μπι und 0,1 μιη angebracht werden.
14. Nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12 hergestellte Anordnung, dadurch
ίο gekennzeichnet, daß das Leitermuster Ziffermuster mit Bildelektroden, Leiterbahnen und Kontaktstellen bildet, die Bildelektroden nur aus der transparenten, elektrisch leitenden Schicht bestehen und die Leiterbahnen Verbindungen zwischen den Bildelektroden und den Kontaktstellen bilden.
15. Anordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens für eine Anzahl der Kontaktstellen, der Abstand zwischen benachbarten Kontaktstellen kleiner als 500 μπι ist.
16. Anordnung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere integrierte Schaltungen zur Steuerung eines oder mehrerer Bildelemente unmittelbar an den Kontaktstellen auf dem isolierenden Träger montiert sind.
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