DE2316520B2 - Verfahren zum Dotieren von Halbleiterplättchen durch Diffusion aus einer auf das Halbleitermaterial aufgebrachten Schicht - Google Patents
Verfahren zum Dotieren von Halbleiterplättchen durch Diffusion aus einer auf das Halbleitermaterial aufgebrachten SchichtInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren von Halbleiterplättchen, bei dem während einer ersten
Wärmebehandlung in einer inerten Atmosphäre eine den Dotierungsstoff enthaltende Schicht auf dem
Halbleiterplättchen aufgebracht und gleichzeitig zwischen der aufgebrachten Schicht und der Halbleiteroberfläche
eine das Halbleitermaterial und den Dotierungsstoff enthaltende Phase und in der Halbleiterober
eine fläche eine dünne, hochdotierte Schicht erzeugt wird, bei dem anschließend die aufgebrachte Schicht
und die Phase entfernt werden, und bei dem schließlich während einer zweiten Wärmebehandlung der Dotie-ί
rungsstoff aus der dünnen, hochdotierten Schicht in das
Halbleitermaterial hineindiffundiert wird.
Die genannte Phase aus dem Halbleitermaterial und dem Dotierungsstoff bildet sich, wenn die erste
Wärmebehandlung in einer im wesentlichen inerten
lu Atmosphäre durchgeführt wird. Die Phase ist in
Ätzmitteln, die das Halbleitermaterial nicht lösen, schwer löslich. Die Bildung dieser Phase wird deshalb
normalerweise vermieden, indem die erste Wärmebehandlung in einer oxydierenden Atmosphäre durchgeführt
wird. Allerdings ist dann die erreichbare Oberflächenkonzentration an Dotierungsstoff nach
oben begrenzt
In manchen Fällen, z. B. dann, wenn bes' -jiders hohe
Oberflächenkonzentrationen an Dotierungsstoff gebraucht werden, wird deshalb die Bildung der Phase
begünstigt Aus dem Journal of the Electrochemical Society, Band !!5, Seiie 23i, 1969, ist bekannt, daß bei
Gegenwart der Phase eine homogenere Diffusion möglich ist Allerdings ist es dabei wesentlich, die Phase
y> vor der zweiten Wärmebehandlung zu entfernen, weil
sie sonst bei diesem Verfahrensschritt eine zusätzliche, unerwünschte Dotierungsquelle darstellt Die Phase ist
aber, wie gesagt, schwer zu entfernen, ohne gleichzeitig das Silicium stark anzulesen. Deshalb ist der in der oben
so erwähnten Veröffentlichung gemachte Vorschlag, die Phase mit einer HF, CH3COOH und HNO3 im
Verhältnis I : 6:2 enthaltenden Ätzlösung zu entfernen,
bei der Herstellung von integrierten Schaltungen wenig brauchbar. Auch das als Alternative genannte Zweistu-
Γ) fenverfahren, bei dem das Halbleiterplättchen zunächst
10 Minuten in siedende, verdünnte HNO3 getaucht und anschließend in verdünnter HF behandelt wird, ist für
eine fabrikmäßige Herstellung ungeeignet, da die genannte Behandlung unter Umständen mehrmals
wiederholt werden muß, bis die Phase vollständig entfernt ist. Die Entfernung der Phase durch Läppen hat
sich als zu grobe Methode erwiesen. Durch Proc. IEEE, Band 57, Seite 1507, 1969 ist es bekannt, daß die Phase
durch Verfahren, wie anodische Oxydation oder
■»ι Oxydation bei niedrigen Temperaturen, entfernt werden
kann, daß aber die Schwierigkeiten, die bei der Anwendung der Verfahren auftreten, und ihre Unzuverlässigkeit
ihre Verwendung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise unattraktiv macht. Man kann
w also sagen, daß die Vorteile der Phr.'.e bisher in einem
fabrikmäßigen Herstellungsverfahren für integrierte Schaltkreise nicht nutzbar gemacht werden können.
Es ist deshalb die Aufgabe der Erfindung, ein reproduzierbar effektives, unkompliziertes Verfahren
v> anzugeben, mit dem unter Ausnutzung der Vorteile der
Phase, Halbleiterplättchen homogen dotiert und die gewünschte Oberflächenkonzentration an Dotierungsstoff in weiten Grenzen variiert werden kann.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren der
w> eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß am Schluß
der ersten Wärmebehandlung die Halbleiterplättchen solange einer oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt
werden, bis die Phase oxidiert ist, und daß die oxidativ umgewandelte Phase und die aufgebrachte Schicht mit
einer Ätzlösung entfernt werden.
Bei dem Verfahren werden die Vorteile der Phase genutzt und diese wird, wenn sie ihre Funktion erfüllt
hat, in einer leichtlösliche Form überführt. Dadurch fällt
der Einwand gegen eine Nutzung der Phase bei der Herstellung integrierter Schaltungen weg. Hinzu
kommt, daß die oxidative Umwandlung der Phase das Diffusionsverfahren nicht verlängert und der apparative
Mehraufwand vernachlässigbar ist r>
Das Verfahren IaBt sich in vorteilhafter Weise
anwenden, wenn als Halbleitermaterial Silicium oder
Germanium, d. h. die mit am häufigsten verwendeten
Halbleitermaterialien, verwendet werden.
Da als Dotierungsstoffe Bor oder Arsen verwendet ι ο
werden können, ist das Verfahren in vorteilhafter Weise geeignet, sowohl P- als auch N-dotierte Gebiete zu
erzeugen.
Es ist vorteilhaft, wenn während der ersten Wärmebehandlung die Halbleiterplättchen langer der
inerten als der oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt werden. Dauert nämlich die oxidierende Behandlung zu
lange, so bildet sich die Phase nicht oder nur in geringer
Menge bzw. wird die Diffusion von der Phase zum Halbleitermaterial zur Bildung der dünnen, hochdotier- m
ten Schicht unterbunden.
Es ist vorteilhaft, wenn bei der Dotierung von Silicium
mit Bor die erste Wärmebehandlung in einem Temperaturbereich zwischen 800 und 1300° C durchgeführt
wird. Unterhalb 8000C verlaufen die Reaktionen >■>
zu langsam, oberhalb 1300° C verlaufen die Reaktionen unkontrolliert schnell und außerdem werden das aus
Quarzglas hergestellte Diffustonsrohr und die Heizung des Diffusionsofens zu stark beansprucht
In vorteilhafter Weise läßt sich zum Entfernen der «>
aufgebrachten Schici.t und der oxidativ umgewandelten, Bor enthaltenden Phase eine aus 1320 ecm H20,60 ecm
48prozentige HF und 44 ecm 6iprozentige HNOj
zusammengesetzte Ätzlösung verwenden. Die Mischung enthält zwar HF und HNO-. die kombiniert r>
Silicium an sich angreifen, durch die starke Verdünnung ist aber die oxidierende Wirkung der Mischung so
gering, daß sie Silicium nicht nennenswert wohl aber alle oxidischen Schichten löst. Maskierende S1O2-Schichten,
welche die Gebiete abdecken, welche nicht dotiert werden sollen, werden also abgetragen. Da sie
aber wesentlich dicker sind als die oxidativ umgewandelte Phase, können sie ihre Funktion auch dann noch
wahrnehmen, wenn von ihrer Oberfläche eine der Dicke der oxidativ umgewandelten Phase entsprechende
Schicht abgelöst wurde.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen
beschrieben. ίο
Das beschriebene Verfahren wird bevorzugt in einer bekannten Apparatur für die offene Diffusion durchgeführt,
bei der sich die Halbleiterplättchen in einem in einen Diffusionsofen eingeschobenen Rohr befinden, in
das von der einen Seite Gas einströmt und das auf der « anderen Seite offen ist
Bei dem beschriebenen Verfahren handelt es sich um ein Verfahren zum Eindiffundieren vun Dotierungsstoff
in Halbleiterplättchen. Man muß sich vorstellen, daß das beschriebene Verfahren einen Verfahrensschritt in der m>
Herstellung von integrierten Schaltkreisen darstellt. Die Halbleiterplättchen, die der Diffusion unterworfen
werden sollen, haben normalerweise auf ihrer Oberfläche eine thermisch gewachsene Oxidschicht. Die Dicke
dieser Oxidschicht liegt im Bereich zwischen 300 und μ 1500 nm. An den Stellen, an welchen die Dotierungsstoffe
in das Halbleitermaterial eindiffundiert werden sollen, ist die Oxidschicht selektiv mittels eines bekannten
photolithographischen Ätzverfahrens entfernt worden.
Um die Voraussetzung für die Bildung der den Dotierungsstoff und das Halbleitermaterial enthaltenden
Phase, im folgenden kurz Phase genannt, auf den freigelegten Stellen der Halbleiteroberfläche zu schaffen,
wird eine Quelle des Dotierungsmaterials, bevorzugt in der Form eines Oxids, durch Niederschlagen aus
der Dampfphase auf der Oberfläche des Halbleiterplätichens
aufgebracht Obwohl es normalerweise bevorzugt wird ein mittels Aufdampfen aufgebrachtes oder mittels
eines Trägergases zur Halbleiteroberfläche transportiertes Oxid des Dotierungsstoffs als Diffusionsquelle zu
verwenden, sind auch andere Methoden brauchbar, die geeignet sind, eine Schicht aus dem Oxid des
Dotierungsstoffs auf das Halbleiterplättchen zu bringen. Di.:, Boroxid kann z. B. in der Weise aufgebracht
werden, daß in einen aus Argon bestehenden Trägergasstrom je ein mit Bortrioxid bedecktes Bornitridplättchen
derart zwischen jeweils zwei Halbleiterplättchen gestellt wird, daß diese einen kleinen aber endlichen
Abstand von dem Bornitridplättchen haben und diejenige ihrer Oberflächen, in die diffundiert werden
soll, auf das Bornitridplättchen gerichtet sind Andere bekannte Methoden zum Aufbringen von Dotierungsstoffen, wie z. B. die Oxydation von Hydriden oder
Hylogeniden der Dotierungsstoffe, wie z. B. BBr3, AsCb
und B2H6, können auch angewandt werden.
Bei der Anwendung des beschriebenen Verfahrens ist es notwendig, das den Dotierungsstoff enthaltende Oxid
mit hoher Rate aufzubringen, damit sich die den Dotierungsstoff in hoher Konzentration enthaltende
Phase zwischen der Halbleiteroberfläche und der glasigen Oxidschicht bildet Im Falle der Diffusion von
Bor in Silicium, z. B. wird von einigen Forschern angenommen, daß die Phase die Zusammensetzung SiB6
hat Die Phase bildet eine unerschöpfliche Diffusionsquelle während der Rachdiffusion, d.h. während der
ersten Wärmebehandlung, bei der sich eine einheitlich und hoch dotierte Schicht an der Halbleiteroberfläche
bildet Die Einheitlichkeit wird aufgrund der Tatsache
erhalten, daß die Konzentration des Dotierungsstoffs in der Phase höher ist als die Löslichkeit des Dotierungsstoffs im Halbleiter, weshalb sich in der Halbleiteroberfläche
eine Konzentration des Dotierungsstoffs einstellt, die der Sättigungslöslichkeit des Dotierungsstoffs im
Halbleitermaterial entspricht. Die notwendigen Prozeßbedingungen, wie z. B. Temperatur und Dauer, die bei
der Flachdiffusion und bei der nachfolgenden Tiefdiffusion eingehalten werden müssen, hängen ab von den
gewünschten Eigenschaften des herzustellenden Bauteils. Wird z. B. Bortrioxid als Diffusionsquelle und
Silicium als Halbleitermaterial benutzt, so können in eine" inerten Gasatmosphäre Temperaturen zwischen
800 und 1300° C angewandt werden.
Um die Bildung der Phase sicherzustellen, ist es wichtig, nicht unter Bedingungen zu arbeiten, die eine so
weitgehende Bildung einer Schicht aus einem Oxid des Halbleitermaterials begünstigen, daß die Phase nicht
mehr gebildet wird. Bei Verfahren, bei denen ein Oxid des Dotierungsstoffs als Diffusionsquelle verwendet
wird, wird das Auftreten dieses Problems dadurch verhindert, daß ein inertes Gas während des Beginns der
Flachdiffusion durch das Reaktionsrohr strömt.
Um die Phase in ein lösliches Oxid bzw. in ein Gemisch von Oxiden des Dotierungsstoffs und des
Halbleiters umzuwandeln, muß eine vorwiegend oxydierende Atmosphäre in dem Reaktionsrohr erzeugt
werden. Dies«: Umwandlung findet am Ende der
Flachdiffusion statt Die Oxydation wird bevorzugt in derselben Apparatur und mit der Ausnahme, daß sie in
einer oxydierenden Atmosphäre stattfindet, unter denselben Bedingungen, wie die Flachdiffusion durchgeführt
Während der Oxydation ist es nicht notwendig, die Diffusionsquelle aus dem Diffusionsrohr zu entfernen.
Es ist wichtig, daü die Oxydation der Phase erst am Ende der Flachdiffusion durchgeführt wird. Wird die
oxydierende Atmosphäre zu früh erzeugt, wo wird die Bildung einer genügenden Menge der Phase erschwert
mit dem Ergebnis, daß viel niedrigere Oberflächenkonzentrationen erreicht werden. Wird jedoch auf die
Oxydation der Phsse verzichtet, so muß man sie mit bekannten, wenig wirkungsvollen Ätzschritten vor der
nachfolgenden Tiefdiffusion, & h. vor der zweiten Wärmebehandlung, bei welcher der Dotierungsstoff aus
der bei der Flachdiffusion gebildeten dünnen, hochdotierten Schicht in das Halbleitermaterial hineindiffundiert
wird, entfernen. Wird die Phase vor der Tiefdiffusion nicht entfernt, so ist wegen der unerschöpflichen
Diffusionsquelle, die in der Gestalt der Phase und der auf ihr liegenden Schicht aus Dotierungsstoffoxid
vorhanden ist eine unkontrollierbare Diffusion die Folge, sofern die Tiefdiffusion in einer nicht
oxydierenden Atmosphäre durchgeführt wird. Wird die Tiefdiffusion in einer oxydierenden Atmosphäre durchgeführt
so wird die Anwesenheit der unerschöpflichen Diffusionsquelle nicht notwendigerweise die Konzentration
des Dotierungsstoffs in dem Haloleitermaterial, wohl aber die Eigenschaften des Oxids beeinflussen.
Nach der Flachdiffusion werden die Halbleiterplättchen aus dem Diffusionsofen herausgenommen und
nach dem Abkühlen werden die den Dotierungsstoff enthaltenden Oxide mittels bekannter Ätzverfahren
entfernt Dazu werden die Halbleiterplättchen am günstigsten in eine Ätzlösung eingetaucht, welche die
dotierte Oxidschicht bevorzugt ätzt und zwar so lange, daß das ganze den Dotierungsstoff enthaltende Oxid
von der Oberfläche der Oxidschicht entfernt ist. Da die Dicke des schon vor der Flachdiffusion vorhandenen
thermischen Oxids wesentlich größer ist als die des dotierten Oxids, können auch Ätzmittel, die in der Lage
sind, das thermische Oxid zu ätzen, so lange benutzt werden, als sichergestellt ist daß eine Schicht des
ursprünglich vorhandenen Oxids nach dem Ätzschritt noch vorhanden ist Auf diese Weise wird eine
Selbstdotierung der Halbleiteroberfläche an Stellen, die ihre ursprüngliche Dotierung behalten sollen, während
der Tiefdiffusion verhindert. Nach der Entfernung des dotierten Oxids werden die Halbleiterplättchen, die an
ihrer Oberfläche eine flache, mit dem Dollierungsstoff hochdotierte Schicht haben, der Tiefdiffusion unterworfen,
bei der keine äußere Diffusionsquelle vorhanden ist. Es sei an dieser Stelle angemerkt, daß bei der
Tiefdiffusion nicht notwendigerweise die endgültige Verteilung des Dotierungsstoffs im Halbleitermaterial
sich einstellt weil dies davon abhängt, ob oder ob nicht weitere Verfahrensschritte bei hoher Temperatur vor
der Fertigstellung der integrierten Schaltkreise durchgeführt werden müssen. Die Prozeßbedingungen bei der
Tiefdiffusion werden bestimmt durch die gewünschten Eigenschaften der Schaltkreise, die hergestellt werden
sollen. Normalerweise wird die Tiefdiffusion in einer oxydierenden Atmosphäre durchgeführt, damit sich eine
schützende Oxidschicht über den diffundierten Bereichen bildet.
Die folgenden Beispiele sollen das beschriebene Verfahren näher erläutern.
Siliciumplättchen mit einem Durchmesser von etwa 57 mm und einer η-dotierten Epitaxieschicht an ihrer
5 Oberfläche wurden zunächst in einer oxydierenden Atmosphäre zur Herstellung einer schützenden Oxidschicht
von etwa 400 nm Dicke erhitzt Anschließend wurde das Oxid mittels eines konventionellen photolithographischen
Ätzverfahrens selektiv geätzt um die
in Gebiete, in welche eindiffundiert werden sollte, freizulegen. Der für die p-Dotierung benutzte Dotierungsstoff
war Bor. Als Diffusionsquelle wurden, wie oben beschrieben, mit Bortrioxid bedeckte Bornitridscheiben
verwendet Die Bornitridscheiben hatten etwa
ΐί dieselbe Größe wie die Halbleiterplättchen und
enthielten etwa 41,5 Gewichtsprozent Bor. Die Bornitridscheiben wurden zunächst oxydiert, um eine
Bortrioxidoberflächenschicht zu bilden, die die eigentliche 3ortrioxidquelle bildet Das benutzte Diffusionsrohr
hatte einen Durchmesser von „-.wa 72 mm und war etwa
150 cm lang. An dem einen Rohrende wurde Gas in das
Rohr eingeleitet Während der ganzen Flachdiffusion wurde ein Stickstoffstrom von 800 ccm/min durch das
Rohr geleitet
Die Halbleiterplättchen und die mit Bortrioeid bedeckten Scheiben wurden senkrecht derart in
Quarzboote gestellt daß jede Siliciumoberfläche, in die diffundiert werden sollte, als Gegenüber eine Bornitridscheibe
hatte. Das Quarzboot mit dem Plättchen wurde
j(i dann in das auf 950° C erhitzte Diffusionsrohr
geschoben und dort 37 Minuten lang gelassen, damit sich die gewünschte Bor-Siliciumphase bilden konnte,
welche als die eigentliche Bordiffusionsquelle diente. Nach den 37 Minuten wurden 5 Minuten lang zusätzlich
ii etwa 3000 ecm Sauerstoff/min durch den Ofen geleitet
um die Bor-Siliciumphase in Borsilicatglas, das aus Silicium- und Boroxiden besteht umzuwandeln.
Anschließend wurden die Plättchen aus dem Ofen herausgenommen und nach dem Abkühlen eine Minute
4(i lang in einer Ätzlösung für p-dotiertes Material geätzt,
um die Borsilicatgla<schicht zu entfernen. Die Ätz'ösung
bestand aus 1320 ecm H2O. 60 ecm 48%ige HF und
44ccm69%igeHNOj.
fusion ein einheitlicher Oberflächenwideistand von
80 Ω/Π gemessen.
Nach der Widerstandsmessung wurden die Plättchen bei HOO0C einer normalen Tiefdiffusion bei gleichzeitiger
Oxydation unterworfen. Dabei wurden die Plättchen
w zunächst 55 Minuten lang einer Sauerstoffatmosphäre,
anschließend 22 Minuten lang einer Sauerstoffatmosphäre, die Waoserdampf enthielt und schließlich
15 Minuten lang einer Sauerstoffatmosphäre ausgesetzt. Der nach der Tiefdiffusion gemessene Oberflächen-
v> widerstand betrug 139,9f2/O, wobei eine Schwankung
über alle Plättchen von ±4,5% festgestellt wurde.
Bei Beispiel Il wurde dieselbe Apparatur benutzt wie bei Beispiel I. Das angewandte Verfahren wurde jedoch
abgewandelt, um einen wesentlich niedrigeren Oberflächenwiderstand als im Beispiel I zu erhalten.
Die Siliciumplättchen und die oxydierten Bornitridscheiben, bei denen es sich in diesem Fall um den
h'· 17 Gewichtsprozent Bor enthaltenden Typ handelte,
wurde wie im Beispiel I in den Diffusionsofen, der auf 115O0C erhitzt war, gestellt, und dort 80 Minuten lang
einem Stickstoffstrom von 800 ccm/min ausgeseift.
Anschließend wurden die Plättchen bei derselben Temperatur einem strömenden Gasgemisch aus
800 ecm Stickstoff und 300 ecm Sauerstoff/min ausgesetzt.
Dann wurden die Plättchen aus dem Ofen herausgenommen und nach dem Abkühlen 5 Minuten
> lang in der oben erwähnten Ätzlösung für p-dotiertes Material geätzt. Der nach dem Ätzen gemessene
Oberflächenwiderstand lag bei 1,6 i2/Q.
Nach der Widerstandsmessung wurden die HaIbleiterplättchen
or.· Tiefdiffusion bei gleichzeitiger ι»
Oxydation ausgesetzt, indem sie 120 Minuten lang bei
11500C in einen aus 800 ecm Sauerstoff und 3000 ecm
Stickstoff/min zusammengesetzten Gasstrom gestellt wurden. Der nach der Tiefdiffusion gemessene Oberflächenwiderstand
lag bei 2 Ω/D mit einer Schwankung über alle Halbleiterplättchen von ±4%.
Die Beispiele zeigen, daß das Verfahren geeignet ist, um über einen großen Ohm-Bereich genau kontrollierte
und einheitliche Schichtwiderstände auf Halbleiterplättchen zu erzeugen, ohne daß zusätzliche teure und
zeitraubende Prozeßschritte notwendig sind, die normalerweise eingeschoben werden, um die unlösliche
Phase zu entfernen.
Claims (10)
1. Verfahren zum Dotieren von Halbleiterplättchen, bei dem während einer ersten Wärmebehandlung
in einer inerten Atmosphäre eine den Dotierungsstoff enthaltende Schicht auf dem Halbleiterplättchen
aufgebracht und gleichzeitig zwischen der aufgebrachten Schicht und der Halbleiteroberfläche
eine das Halbleitermaterial und den Dotierungsstoff enthaltende Fhase und in der
Halbleiteroberfläche eine dünne, hochdotierte Schicht erzeugt wird, bei dem anschließend die
aufgebrachte Schicht und die Phase entfernt und bei dem schließlich während einer zweiten Wärmebehandlung
der Dotierungsstoff aus der dünnen, hochdotierten Schicht in das Halbleitermaterial
hineindiffundiert wird, dadurch gekennzeichnet,
daß am Schluß der ersten Wärmebehandlung die Halbleiterplättchen solange einer oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt werden, bis die
Phase oxidiert ist, und daß die oxidativ umgewandelte Phase und die aufgebrachte Schicht mit einer
Ätzlösung entfernt werden.
2. Verfahrän nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Halbleitermaterial Silicium oder Germanium eingesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierungsstoff Bor oder
Arsen eingesetzt wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Halbleiterplättchen länger der inerten als der oxydierenden Atmosphäre ausgesetzt werden.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als
inerte Atmosphäre Stickstoff eingesetzt wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als
oxydierende Atmosphäre ein Gasstrom aus Stickstoff und Sauerstoff eingesetzt wird.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Wärmebehandlung, in einer oxydierenden Atmosphäre durchgeführt wird.
8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Dotierung von Silicium
mit Bor die erste Wärmebehandlung in einem Temperaturbereich zwischen 800 und 13000C
durchgeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mit B2O3 bedeckte Bornitrid-Plättchen
zwischen die Halbleiterplättchen gestellt werden.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Ätzlösung aus
1300 ecm HA 60 ecm 48%ige HF und 44 ecm
69%ige HNO3 eingesetzt wird.
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| US00241821A US3806382A (en) | 1972-04-06 | 1972-04-06 | Vapor-solid impurity diffusion process |
Publications (3)
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| DE2316520B2 true DE2316520B2 (de) | 1980-11-27 |
| DE2316520C3 DE2316520C3 (de) | 1981-12-10 |
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