DE2154869A1 - Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Schwingungen - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Erzeugung von SchwingungenInfo
- Publication number
- DE2154869A1 DE2154869A1 DE19712154869 DE2154869A DE2154869A1 DE 2154869 A1 DE2154869 A1 DE 2154869A1 DE 19712154869 DE19712154869 DE 19712154869 DE 2154869 A DE2154869 A DE 2154869A DE 2154869 A1 DE2154869 A1 DE 2154869A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- base
- collector
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L5/00—Automatic control of voltage, current, or power
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
PATENTANWÄLTE
DR.-ING. HANS LEYH
P 21 54- 869.6 Manchen 71, 2. Feb. 1972
Melchiorstr. 42
Seife 4 eingegangen
Unser Zeichen: M244-P-670
Motorola, Inc. 9401 West Grand Avenue
Franklin Park, Illinois V.St.A.
Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Schwingungen
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Schwingungen.
Schaltungsanordnungen der genannten Art, d.h. Oszillatoren, werden
zur Erzeugung von Schwingungen benutzt, die als Taktimpulse oder dergl. inj*»Bß.trieb«»3SDn logischen Schaltungen Verwendung finden.
Die erzeugten Schwingungen müssen bezüglich der logischen Schaltung, mit der der Oszillator gekoppelt ist, vorgegebene
Wellenformen, gewöhnlich Rechteckwellen, bestimmte Amplituden und eine bestimmte mittlere Spannung gegenüber Erde aufweisen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Oszillator mit einem Vorspannschaltkreis und einem Kopplungskreis zu schaffen, der
einfach aufgebaut sowie schnell und billig reproduzierbar ist. Die Schaltung des Oszillators sollte auf einem einzigen Plättchen
angeordnet sein. Der Oszillator, der Vorspannschaltkreis und der Kopplungskreis sollen in
Fs/wi Form
209835/1046
Form eines integrierten Schaltkreises ausgebildet sein. Ferner soll der Ausgang des Oscillators hinsichtlich Wellenform, Amplitude
und mittlerer Spannung gegenüber Erde einer vorgegebenen
logischen Schaltung entsprechen.
Erfindungsgemäß wird dies bei dem eingangs genannten Oszillator dadurch erreicht, daß ein Oszillatorkreis und ein mit einem
Schwingkreis .. versehener Vorspannkreis vorgesehen ist, der mit dem Oszillatorkreis verbunden ist und durch den eine Vorspannung
an den Oszillatorkreis anlegbar ist.
Die einzelnen Elemente der Oszillatorschaltung, d.h. die Transistoren,
Widerstände und Dioden sind zweckmäßigerweise wenigstens zum Teil in integrierter Bauweise auf einem Plättchen angeordnet.
Vorteilhafterweise ist ferner auf dem Plättchen ein Schaltkreis zur Lieferung einer Vorspannung an den Oszillator sowie ein weiterer
Schaltkreis zur Erzeugung einer konstanten Amplitude bei den Ausgangsschwingungen angeordnet.
Zweckmäßigerweise ist auf dem Plättchen außerdem ein Schaltkreis angeordnet, dem die vom Oszillator erzeugten Wellen zugeführt
werden und der diese Wellen formt und ihre Auslenkung sowie ihre Spitzenspannung bezüglich einer Bezugsspannung bestimmt und der
einen entsprechenden Ausgang erzeugt und außerdem eine Rückkopplung durch Belastung am Oszillator verhindert, um dadurch eine
Veränderung der Frequenz oder der Amplitude der erzeugten Wellen durch die mit dem Oszillatorkreis verbundene Belastung zu verhindern.
Eine beispielsweise Ausführungsform der Erfindung wird nachfolgend
anhand der einzigen Figur der Zeichnung beschrieben, die eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung darstellt.
In der Figur ist z.B. der positive Pol einer Spannungsquelle (nicht gezeigt) an die Eingangsklemme 10 eines Plättchens 12 angeschlossen,
dessen Umfang strichpunktiert angedeutet ist. Der andere Pol
- 2 - der
209835/1046
M244P-670
der Spannungsquelle kann mit der Klemme 14 verbunden sein, die außerdem die Erd-Verbindung für das Plättchen 12 bilden kann.
Obwohl nur ein Erdanschluß gezeigt ist, können erforderlichenfalls mehrere vorgesehen werden.
Drei Widerstände 16, 18 und 20 liegen in dieser Folge in Reihe
zwischen der Klemme 10 und dem Kollektor eines NPN Transistors 22. Da sämtliche dargestellten Transistoren NPN Transistoren sind,
werden sie im folgenden nicht mehr näher bezeichnet. Der Emitter des Transistors 22 ist über einen Widerstand 24 mit dem Anschluß
14 verbunden. Die Basis des Transistors 22 ist mit der Basis eines Transistors 26 verbunden, dessen Kollektor mit der Basis eines
Transistors 28 und über einen Widerstand 30 mit der Klemme 10 verbunden ist. Der Emitter des Transistors 26 ist mit der Anode einer
Diode 32 verbunden, deren Kathode mit der Klemme 14 verbunden ist.
Die Basis des Transistors 26 ist mit dem Emitter des Transistors 28 und über einen Widerstand 34 mit der Klemme 14 verbunden. Der
Kollektor des Transistors 28 ist über einen Widerstand 36 mit der Klemme IO verbunden. Der Verbindungspunkt des Emitters des Transistors
28 und des Widerstandes 34 ist ein Vorspannungs-Punkt, wie noch erläutert wird, und er ist an eine Vorspannungsklemme 38 angeschlossen.
Der Kollektor eines Transistors 4O ist direkt mit der Klemme 10
verbunden. Die Basis des Transistors 40 ist an den Verbindungspunkt der Widerstände 18 und 20 angeschlossen. Der Emitter des
Transistors 40 ist über einen Widerstand 42 an die Klemme 14 und außerdem an die Basis eines Transistors 44 angeschlossen.
Der Kollektor eines Transistors 46 ist direkt mit der Klemme 10 verbunden, während seine Basis an die Verbindung der Widerstände
16 und 18 angeschlossen ist und sein Emitter mit der Basis eines Transistors 48 und über einen Widerstand 50 mit der Klemme 14 verbunden
ist.
Der Kollektor eines Transistors 52 ist mit der Basis eines Transistors
54 verbunden, ferner mit einer Klemme 56 des Plättchens Die Basis des Transistors 52 ist mit der Basis des Transistors
- 3 - verbunden.
209835/1046
M244P-670
verbunden. Die Emitter der Transistoren 52 und 54 sind zusammengefaßt
und über einen Widerstand 58 an den Kollektor eines Transistors 60 angeschlossen, dessen Emitter mit der Klemme 14 verbunden
ist. Der Kollektor des Transistors 54 ist an die Klemme angeschlossen. Die Basis des Transistors 54 ist ferner mit der
Basis eines Transistors 62 verbunden.
Der Kollektor des Transistors 44 ist über einen Widerstand 64 mit der Klemme 10 verbunden. Der Emitter des Transistors 44 ist
mit dem Kollektor des Transistors 62 verbunden. Der Emitter des Transistors 62 ist über einen Widerstand 66 an die Klemme 14 angeschlossen.
Er ist ferner mit der Basis eines Transistors 68 verbunden. Der Kollektor des Transistors 68 ist über einen Widerstand
70 an die Klemme 10 angeschlossen, außerdem an die Klemme 72 einer automatischen Verstärkungs-Steuerung sowie an die Anode
einer Diode 74. Der Emitter des Transistors 68 ist über einen Widerstand 76 mit der Klemme 14 verbunden. Die Kathode der Diode
74 ist über einen Widerstand 78 mit der Klemme 14 verbunden und außerdem an die Basis des Transistors 60 angeschlossen.
Der Kollektor des Transistors 48 ist über einen Widerstand 80 an die Klemme 10 angeschlossen, während sein Emitter üha: eine
Einrichtung 82 zur Lieferung eines konstanten Stromes, die die Form eines Widerstandes haben kann, mit der Klemme 14 verbunden
ist. Der Emitter des Transistors 48 ist ferner direkt mit dem Emitter eines Transistors 84 verbunden, dessen Kollektor direkt
an die Klemme 10 angeschlossen ist, während seine Basis mit dem Kollektor des Transistors 44 verbunden ist.
Der Kollektor eines Transistors 86 ist direkt an eine Klemme 88 für die Energiezufuhr angeschlossen. Obwohl zwei solcher Klemmen,
d.h. die Klemmen 10 und 88 gezeigt sind, kann auch nur eine verwendet werden, d.h. der Kollektor des Transistors 86 kann auch an
die Klemme 10 angeschlossen werden. Die Basis des Transistors 86 ist mit dem Kollektor des Transistors 48 und sein Emitter ist
über einen Belastungswiderstand 90 mit der Klemme 14 verbunden. Die Ausgangsschwingung des Plättchens 12 kann an einer Ausgangs-
- 4 - klemme
209835/104 6
M244P-.67O
klemme 93 abgenommen werden, die mit dem Emitter des Transistors 86 verbunden ist.
Nachfolgend werden weitere Elemente der Schaltung beschrieben, die nicht auf dem Plättchen angeordnet sind. Es ist ein Oszillator-Schwingkreis
92 vorgesehen, der in Form einer parallel ge-
und
schalteten Induktanz einer Kapazität ausgebildet sein kann und der zwischen der Klemme 56 und der Vorspann-Klemme 38 liegt. Es können ferner Beipaß-oder Filter-Kondensatoren 94 und 96 vorgesehen sein, die entsprechend zwischen der Klemme 72 bzw. der Klemme 38 und der Klemme 14 liegen.
schalteten Induktanz einer Kapazität ausgebildet sein kann und der zwischen der Klemme 56 und der Vorspann-Klemme 38 liegt. Es können ferner Beipaß-oder Filter-Kondensatoren 94 und 96 vorgesehen sein, die entsprechend zwischen der Klemme 72 bzw. der Klemme 38 und der Klemme 14 liegen.
Nachfolgend wird der Betrieb der erfindungsgemäßen Schaltung beschrieben
.
Es wird bemerkt, daß der Transistor 46 und sein Emitter-Widerstand
50 sowie die in der Figur hiervon rechts auf dem Plättchen 12 liegenden Elemente den Gleichstromteil des Plättchens 12 darstellen,
während die Elemente links hiervon den Oszillator und seinen Ausgangsteil bilden. Da der beschriebeneOszillator Rechteckwellen
für ein über einen Emitter gekoppeltes logisches System abgeben soll, muß sein Ausgang eine entsprechende Wellenform und
eine entsprechende Spannungsamplitude haben, ferner muß er eine geeignete Impedanz für die Ankopplung des logischen Kreises aufweisen.
Die an die Klemme 10 gegenüber der Klemme 14 angelegte Energie
ist normalerweise spannungsgeregelt. Die Kopplung der Basen der Transistoren 22 und 26 und der niedrige und konstante §annungsabfall
in ihrer Vorwärtsrichtung der Diode 32 und des Basis-Emitter-tiberganges des Transistors 26 führt zu einer Spannung an
der Klemme 38, die um das zweifache des Spannungsabfalles eines Diode über derjenigen der Klemme 14 liegt, während sich am Verbindungspunkt
der Widerstände 16 und 18 und an demjenigen der Widerstände 18 und 20 eine konstante durch diese Widerstände bestimmte
Spannung ergibt. Die Verbindung des Emitters des Transistors 28 mit der Basis des Transistors 52 ergibt an der Klemme
38 eine niedrige Impedanz, aber eine konstante Spannung, die um
- 5 - zwei
209835/1046
M2 44P-670
zwei Dioden-Spannungsabfälle über dem Potential an der Klemme
14 liegt, wie bereits ausgeführt wurde. Mittels des Oszillator-Schwingkreises 92 wird das Potential an der Klemme 38 an den
Kollektor des Transistors 52 und an die Basis der Transistoren 54 und 62 gelegt, so daß die Vorspannung an der Basis dieser
Transistoren 54 und 62 um zwei Dioden-Spannungsabfälle über
dem Potential der Klemme 14 liegt. Durch geeignete Auswahl der Widerstände 16 und 50 liegt die Spannung an der Basis des Transistors
48 um eineinhalb Dioden-Spannungsabfälle unter dem Potential der Klemme 10. In gleicher Weise wird die Vorspannung
an der Basis des Transistors 44 durch entsprechende Auswahl der Widerstände 16, 18 und 42 auf einen Wert gebracht, der um zwei
Dioden-Spannungsabfälle unter dem Potential der Klemme 10 liegt. Infolge der Verbindung der Basen der Transistoren 44 und 48 mit
den Emittern der entsprechenden Transistoren 4O und 46 haben diese
Vorspannungsquellen eine niedrige Impedanz. Der Kondensator 96 wirkt als Filterkondensator und hält WechselSpannungskomponenten
aus der Vorspannungsquelle heraus.
Infolge der Anordnung des Oszillator-Schwingkreises 92 zwischen dem Kollektor Und der Basis des Transistors 52 und infolge der
Verbindung der Emitter der Transistoren 52 und 54 und der Verbindung des Kollektors des Transistors 52 mit der Basis des Tran-
\ sistors 54 erfolgt zwischen diesen Transistoren eine Speisung vorwärts und rückwärts wodurch, wenn der Oszillator-Schwingkreis
96 wie beschrieben angeschlossen ist, ein Oszillator gebildet wird. Die Frequenz dieses Oszillators kann von nahezu Gleichstrom
bis auf eine sehr hohe Frequenz auf z.B. mehr als 25OMHz variieren, abhängig von der Abstimmung des Schwingkreises 92. Wenn gewünscht,
kann ein Element eines Varaktors, ein spannungsvariabler Kondensator 98, an die Klemme 56 angeschlossen werden, wodurch die erzeugte
Welle variiert oder frequenzmoduliert werden kann entsprechaad der an die andere Klemme des Kondensators 98 angelegten
Spannung.
- 6 - Mittels
209835/1046
M244P-67O
Mittels des beschriebenen Oszillators erhält man eine automatische
Verstärkungs-Steuerung. Der Ausgang des Oszillators, der den Transistor 54 umfaßt, wird an dessen Basis abgenommen und an die Basis
des Transistors 62 gelegt, der als Emitter-Folge-Transistor wirkt. Die so hervorgerufene Schwingung an der Basis des Transistors 62
führt zu einer Schwingung von dessen Emitter und damit auch des Stromes im V7iderstand 66, wodurch wiederum eine Schwingung an
der Basis des Transistors 68 hervorgerufen wird. Die Basis des Transistors 68 wird auf eine Spannung vorgespannt,
die um einen Dioden-Spannungsabfall über dem Potential der Klemme 14 liegt und zwar infolge der Verbindung der Klemme 38, die um
zwei Dioden-Spannungsabfälle höher liegt, mit der Basis des
Transistors 68 über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 62. Der Transistor 68 ist daher normalerweise nicht leitend. Der an
die Basis des Transistors 68 angelegte Wechselstrom wird durch die Gleichrichterwirkung des Transistors 68 und die Filterwirkung
des Kondensators 94 in Gleichstrom umgewandelt, wodurch eine stetige Gleichspannung am Kollektor des Transistors 68 liegt,
deren Amplitude von der Amplitude der Schwingungen abhängt, die an der Basis des Transistors 54 entstehen. Wenn der Transistor
68 abgeschaltet ist, wird an die Basis des Transistors 60 ein Vormagnetisierungsstrom
von der Klemme 10 über den Widerstand 70 und die Diode 74 angelegt. Hierdurch wird der Transistor 60 leitend,
so daß ein Strom durch den Transistor 52 oder 54 fließt, wodurch diese Schwingungen erzeugen, d.h., der Strom fließt abwechselnd
entweder zum Transistor 52 oder zum Transistor 54 wenn der Transistor 60 leitend ist. Wenn die Amplitude der Schwingungen an der
Basis des Transistors 54 genügend groß wird, um den Transistor 68 leitend zu machen, so fließt ein geringerer Basisstrom in den
Transistor 6O, wodurch die Leitfähigkeit des Transistors 60 reduziert
wird, um den durch die Transistoren 52 und 54 fließenden Strom zu reduzieren. Dieser durch die Transistoren 52 und 54 fliessende
Strom kann effektiv auf null reduziert werden, wenn die Spannung an der Basis des Transistors 54 zu hoch wird. Auf diese
- 7 - Weise
209835/10A6
21548B9
M244P-670
Weise wird die Amplitude der durch den Oszillator erzeugten Schwingungen konstant gehalten. Diese Amplitude ist unabhängig
von der Größe des Kondensators 94 sondern hängt von dem Verhältnis der Widerstände 70 und 76 ab.
Der Ausgang des Oszillators sollte nicht mit der an ihn angelegten
Last belastet werden, um eine Rückwirkung oder Rückkopplung der Last auf die Amplitude oder die Frequenz des Oszillators zu verhindern.
Dies wird bewirkt, indem der Ausgang des Oszillators von der Basis des Transistors 54 weggenommen und an die Basis
des Transistors 62 gelegt wird. Ferner sollte die Spannung, die am Kollektor des Transistors 62 liegt, nicht variiert werden, da
solche Änderungen die Basis-Emitter-Kapazität des Transistors 62 verändern würde, wodurch die Verstärkung des Transistors 62 verringert
und die Belastung am Schwingkreis 92 erhöht wird. Dieses Fehlen einer Spannungsänderung wird erreicht durch die Verwendung
des Transistors 44, der in Kaskoäen-Schaltung mit dem Transistor 62 verbunden ist. Da die Basis des Transistors 44 infolge ihrer
Verbindung mit dem Emitter des Transistors 40 auf einem konstanten Potential gehalten wird, und da die Basis-Emitter-Spannung des
Transistors 44 konstant ist, kann die Spannung am Kollektor des Transistors 62 sich nicht verändern, so daß keine zusätzliche
Kapazität (des Transistors 62) an die Basis des Transistors 54 gelegt wird und keine zusätzliche Belastung auf den Schwingkreis 92
zurückwirkt, die eine Frequenzverschlechterung hervorrufen könnte.
Der Ausgang des Oszillators sollte ferner rechteckig sein, seine Auslenkung und seine Maximalspannung sollten denjenigen entsprechen,
die durch die Belastung gefordert werden, die an der Ausgangsklemme 93 liegt. Wie oben ausgeführt, wirkt der Widerstand 82 als eine
Quelle konstanten Stromes, so daß die Transistoren 48 und 84 den ihnen zugeführten konstanten Strom teilen. Wenn kein Signaleingang
an der Bais des Transistors 84 liegt, so liegt die Spannung an der Basis der Transistoren 84 und 48 um eineinhalb Dioden-Spannungsabfä'lle
unter der Spannung, die an die Klemme 10 angelegt ist. Die Spannung an der Basis·des Transistors 48 bleibt konstant,
- 8 - während
209835/1046
M2 44P-670
während die an der Basis des Transistors 84 sich mit der Oszillatorspannung
ändert. Da der durch den Widerstand 64 fliessende Strom auf und ab geht und zwar über und unter einen eineinhalbfachen
Dioden-Spannungsabfall unter der Speisespannung an der Klemme 10, infolge der Oszillatorausgangsspannunfnder Basis des
Transistors 62, schaltet der Transistor 84 entsprechend aus und ein. Wenn der Transistor 84 eingeschaltet ist, so ist der Transistor
48 augeschaltet und umgekehrt. Die Ausschläge der Schwingungs-Ausgangsspannungen
der Basis des Transistors 84 in negativer Richtung über die Sperrung des Transistors 84 hinaus können den
Strom im Transistor 48 nicht weiter steigern und die Ausschläge der Oszillator-Ausgangsspannung an der Basis des Transistors 84
in positiver Richtung können den Stromfluß im Transistor 48 nicht vermindern nachdem dessen Strom den Wert Null erreicht hat. Solange
die Oszillator-Ausgangsspannung daher genügend hoch ist, um
den Transistor 84 vom nicht leitenden Zustand in den leitfähigen Zustand umzuschalten, in welchem im Transistor 48 kein Strom
fließt, solange ist der Ausgang an der Basis des Transistors 86 rechteckig und seine Amplitude wird durch die Transistoren 48
und 84 sowie durch deren Anschlüsse bestimmt und nicht durch den Oszillatorausgang an der Basis des Transistors 62. Die Maximalspannung
am Kollektor des Transistors 48 und damit an der Basis des Transistors 86 nähert sich der Spannung der Speiseklemrae 88.
Das Verhältnis der Widerstände 80 und 82 bestimmt die Amplitude der Rechteckwelle an der Basis des Transistors 86.
Weiterhin muß der Ausgang an die an der Klemme 93 liegende Belastung angepaßt werden. Dies wird erreicht durch den Transistor
,86 und den Widerstand 90. Der Transistor 86 senkt die Spannung an der Basis um einen Dioden-Spannungsabfall und wirkt außerdem
als ein Emitter-Folge-Stromverstärker. Der Ausgang 93 hat die geforderte niedrige Impedanz und die Spannungsschwankung des Ausganges
ist diejenige, die erforderlich ist, und die Spannung schwingt um einen Vorspannungs-Pegel von etwa eineinhalb Dioden-Spannungsabfällen
unter der Spannung an der Klemme 14 infolge des
- 9 - Stromflusses
209835/1046
M244P-670
Stromflusses im Widerstand 8O, wodurch er an einen Emitter gekoppelten
logischen Schaltkreis anpaßbar ist.
Die einzelnen Elemente und ihre Anschlüsse sind außer den Elementen
92, 94, 96 und 98 auf einem Plättchen angebracht, es
können aber auch Einzelelemente verwendet werden. Anstelle der HPN Transistoren können auch PNP Transistoren bei geeigneter
Polarität der Spannungsguelle verwendet werden.
können aber auch Einzelelemente verwendet werden. Anstelle der HPN Transistoren können auch PNP Transistoren bei geeigneter
Polarität der Spannungsguelle verwendet werden.
- 10 -
209835/1046
Claims (1)
- M244P-67OPATENTANSPRÜCHESchaltungsanordnung zur Erzeugung von Schwingungen, mit einer Spannungsquelle und eiia: Bezugsspannung, gekennzeichnet durch einen Oszillatorkreis und einen mit einem Schwingkreis 92 versehenen Vorspannkreis, der mit dem Oszillatorkreis verbunden ist und durch den eine Vorspannung an den Oszillatorkreis anlegbar ist.Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein Verstärkungs-Steuerkreis mit dem Oszillatorkreis verbunden ist, durch den der durch den Oszillatorkreis fließende Strom abhängig von der Amplitude eines vom Oszillatorkreis abgegebenen Ausgangssignals steuerbar ist.Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß dem Oszillatorkreis ein mit ihm verbundener Schaltkreis zur Erzeugung von Rechteckwellen nachgeschaltet ist, durch den am Ausgang(93) der Schaltungsanordnung ein Rechteckwellen-Signal abgebbar ist.Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Oszillatorkreis zwei Transistoren (52, 54) aufweist, deren Emitter direkt miteinander verbunden sind.Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß der Kollektor des Transistors (52) mit der Basis des Transistors 54 verbunden ist, daß ferner der209835/1046M2 44P-670Schwingkreis (92) an den Kollektor und an die Basis des Transistors (52) angeschlossen ist, während der Kollektor des Transistors (54) mit der Spannungsquelle (10) und die Emitter der Transistoren (52) und (54) mit der Bezugsspannung (14) verbunden sind, daß ferner der Kollektor des Transistors (52) und die Basis des Transistors (54) mit demVorspannkreis gekoppelt sind, während die Basis des Tran- * sistors (52) <üT5eir den Schwingkreis (92) mit dem Vorspannt kreis verbunden ist.6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 und 5, dadurch gekennzeichnet , daß das Ausgangssignal des Oszillatorkreises an der Verbindung zwischen der Basis des Transistors (54) und dem Kollektor des Transistors (52) abgenommen wird.7. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 2,4,5 und 6, dadurch gekennzeichnet , daß der Verstärkungssteuerkreis zv/ei Transistoren (60, 62) aufweist, wobei die Basis des Transistors (62) mit der Basis des Transistors (54) verbunden ist, daß ferner der Kollektor des Transistors (60) mit den zusammengefaßten Emittern der Transistoren (52, 54) verbunden ist, während der Emitter des Transistors (60) an die Bezugsspannung (14) angeschlossen ist, und daß der Emitter des Transistors (62) mit der Basis des Transistors (60) verbunden ist, um den durch die beiden Transistoren (52, 54) fließenden Strom umgekehrt proportional zur Amplitude des Signales an der Basis des Transistors (54) zu steuern.8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß der Kollektor des Transistors (62) auf einer konstanten Spannung gehalten ist.- 12 -209835/10462154889M244P-67O9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß der Emitter des Transistors (62) mit der Basis eines Transistors (63) verbunden ist, dessen Kollektor über eine Diode (74) mit der Basis des Transistors (60) verbunden ist.10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß der Schaltkreis zur Erzeugung der Rechteckwellen zwei Transistoren (48, 84) sowie einen als konstante Stromquelle wirkenden Widerstand (82) aufweist, daß ferner die Emitter der Transistoren (48, 84) über den Widerstand (82) mit der Bezugsspannung (14) verbunden sind, daß die Basis des Transistors (48) mit dem Vorspannkreis gekoppelt ist, und daß ein Transistor (44) vorgesehen ist, um das Ausgangssignal des Oszillatorkreises von der Basis des Transistors (54) auf die Basis des Transistors (84) über den Transistor (62) zu geben, und daß endlich eine Schaltung (86) vorgesehen ist, um eine begrenzte Ausgangsspannung am Kollektor des Transistors (48) abzunehmen, um dadurch den Ausgang des Transistors (48) in eine Rechteckwelle zu formen.11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Emitter des Transistors (44) mit dem Kollektor des Transistors (62) und der Kollektor des Transistors (44) mit der Basis des Transistors (84) verbunden ist, und daß die Basis des Transistors (44) mit dem Vorspannkreis verbunden ist, um an sie eine konstante Spannung anzulegen.12. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß der Vorspannkreis zwei Transistoren (22, 26) sowie eine Diode (32) aufweist, daß der Emitter des Transistors (22) über einen Widerstand (24) an die Bezugsspannung (14) angeschlossen ist, während der Emitter des Transistors (26) über die Diode (32) an die Bezugsspannung(14) angeschlossen ist, und daß die Basen der- 13 209835/ 1 046M244P-67OTransistoren (22, 26) miteinander und mit der Basis des Transistors (52) verbunden sind.13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß drei in Reihe liegende Widerstände (16, 18, 20) mit dem Kollektor des Transistors (22) verbunden sind und daß die Verbindungspunkte der Widerstände (16, 18) einerseits und der Widerstände (18, 2O) andererseits die Vorspannungspotentiale bilden.14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß der Vorspannungskreis Transistoren (40, 46) aufweist, daß die Basis des Transistors (46) mit dem Verbindungspunkt der Widerstände (16, 18) und daß die Basis des Transistors (4O) mit dem Verbindungspunkt der Widerstände (18, 20) verbunden ist, daß ferner die Vorspannungspotentiale von den Emittern der Transistoren (40, 46) abgenommen v/erden, V7obei die Vorspannung an diesen Emittern auf einer niedrigen Impedanz liegt, so daß die auf die Transistoren (48 und 44) gegebenen Vorspannungen konstant sind und'eine niedrige Impedanz haben.15. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß der Oszillatorkreis, der Verstärkungskreis, der Kreis zur Erzeugung der Rechteckwellen und wenigstens zum Teil der Vorspannkreis in Form einer integrierten Schaltung auf einem einzigen Plättchen angeordnet sind.- 14 -209835/1048
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8668570A | 1970-11-04 | 1970-11-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2154869A1 true DE2154869A1 (de) | 1972-08-24 |
DE2154869C2 DE2154869C2 (de) | 1983-12-08 |
Family
ID=22200203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2154869A Expired DE2154869C2 (de) | 1970-11-04 | 1971-11-04 | Schaltung zur Erzeugung von Schwingungssignalen mit konstanter Amplitude |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3665342A (de) |
JP (1) | JPS5646291B1 (de) |
DE (1) | DE2154869C2 (de) |
GB (1) | GB1366538A (de) |
NL (1) | NL7114730A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2929355A1 (de) * | 1979-07-20 | 1981-02-05 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Integrierte amplitudengeregelte oszillatorschaltung |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3824491A (en) * | 1973-03-19 | 1974-07-16 | Motorola Inc | Transistor crystal oscillator with automatic gain control |
CA1010121A (en) * | 1975-03-20 | 1977-05-10 | Allistair Towle | Stabilized crystal controlled oscillator |
JPS51130101A (en) * | 1975-05-06 | 1976-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tuner |
US4337444A (en) * | 1978-10-10 | 1982-06-29 | Atari, Inc. | Radio frequency oscillator-modulator circuit |
FR2542526A1 (fr) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | American Telephone & Telegraph | Oscillateur a quartz |
NL8304085A (nl) * | 1983-11-29 | 1985-06-17 | Philips Nv | Oscillatorschakeling. |
US4588968A (en) * | 1984-02-16 | 1986-05-13 | National Semiconductor Corporation | Low noise constant amplitude oscillator circuit |
US5140286A (en) * | 1991-08-02 | 1992-08-18 | Motorola, Inc. | Oscillator with bias and buffer circuits formed in a die mounted with distributed elements on ceramic substrate |
DE19620760B4 (de) * | 1996-05-23 | 2006-06-29 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Oszillatorschaltung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1921035A1 (de) * | 1969-04-25 | 1970-10-29 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Monolithisch integrierbarer RC-Impulsoszillator |
-
1970
- 1970-11-04 US US86685A patent/US3665342A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-10-21 GB GB4891571A patent/GB1366538A/en not_active Expired
- 1971-10-26 NL NL7114730A patent/NL7114730A/xx unknown
- 1971-11-04 JP JP8792771A patent/JPS5646291B1/ja active Pending
- 1971-11-04 DE DE2154869A patent/DE2154869C2/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1921035A1 (de) * | 1969-04-25 | 1970-10-29 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Monolithisch integrierbarer RC-Impulsoszillator |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
"Electronic Design 8", 11.April 1968, S.100 * |
"Funkschau", 1970, H.14, 42.Jhrg., S.462 * |
"Wireless World", Feb.1970, Vol.76, S.92 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2929355A1 (de) * | 1979-07-20 | 1981-02-05 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Integrierte amplitudengeregelte oszillatorschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1366538A (en) | 1974-09-11 |
DE2154869C2 (de) | 1983-12-08 |
JPS5646291B1 (de) | 1981-11-02 |
US3665342A (en) | 1972-05-23 |
NL7114730A (de) | 1972-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2426394B2 (de) | Saegezahngenerator | |
DE2718792A1 (de) | Leistungsverstaerker | |
DE1948851A1 (de) | Signaluebertragungsschaltung,insbesondere Phasenteilerschaltung | |
DE2249645A1 (de) | Stromverstaerker | |
DE2341540A1 (de) | Ablenkschaltung | |
DE2537329B2 (de) | Oszillatorschaltung | |
DE2154869A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Schwingungen | |
DE2028374A1 (de) | Automatische Tnggerpegel Regelschal tung | |
EP0094712B1 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Steuerspannung für ein piezoelektrisches Element einer Positionierungseinrichtung | |
DE3149290A1 (de) | Verstaerkerschaltung und fokussierspannungszufuehrungsschaltung mit einer derartigen verstaerkerschaltung | |
DE2719001A1 (de) | Ablenkschaltung | |
DE2647916A1 (de) | Nf-leistungsverstaerker | |
DE3041392C2 (de) | Oszillatorschaltung mit einer Mischstufe | |
DE1271214C2 (de) | Frequenzmodulationsschaltung | |
DE1128053B (de) | Ablenkschaltung fuer Kathodenstrahlroehren | |
DE2364777C3 (de) | ||
DE2623398C2 (de) | Sinusoszillator mit veränderbarer Frequenz aus einer Transistor-Verstärkerschaltung | |
DE3687446T2 (de) | Symmetrischer oszillator. | |
DE2638809A1 (de) | Saegezahnschwingungs-oszillatorschaltung | |
DE2704707A1 (de) | Schaltungsanordnung zur steuerung der stromueberlappung geschalteter ausgangsstufen | |
DE1588624A1 (de) | Schaltung mit veraenderlicher UEbergangsfunktion | |
DE3420589C2 (de) | ||
DE1441057A1 (de) | Schaltung mit einer Tunneldiode | |
DE1487367C (de) | Komplementärsymmetrische Gegentaktverstärkerschaltung mit Schutz der Ausgangstransistoren | |
DE3612182A1 (de) | Rc-oszillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H03B 5/12 |
|
8126 | Change of the secondary classification |
Ipc: H03L 5/00 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |