DE2153250B2 - Josephson-Kontakt - Google Patents
Josephson-KontaktInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Josephson-Kontakt aus zwei Elektroden aus supraleitfähigem Material
und einer Tunnelbarriere zwischen diesen Elektroden, die eine höchstens 5 nm dicke Schicht aus dem Oxyd
einer dieser Elektroden ist.
Aus der USA-Patentschrift 3 370210 ist ein solcher
Kontakt bekannt, aber es ist nicht angegeben, aus welchem Material die Elektroden bestehen. Für die Tunnelbarriere
ist als Beispiel SiO erwähnt.
Blei hat gute Supraleitfähigkeiten und ist deshalb als Elektrodenmaterial gut geeignet. Es ist aber sehr
schwierig, auf Blei eine hinreichend dünne Oxydschicht herzustellen, weil Blei sehr schnell oxidiert,
so daß die Schicht der Tunnelbarriere leicht zu stark wird.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Josephson-Kontakt der eingangs genannten Art so auszugestalten,
daß die günstigen Supraleitfähigkeitseigenschaften des Blei ausgenutzt werden können und ohne
Schwierigkeiten eine hinreichend dünne Tunnelbarriere erzielbar ist.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Elektroden aus Blei dotiert mit
Indium besteht und daß die Schicht mindestens 0,2 nm stark ist und aus dem Oxyd der mit Indium dotierten
Bleielektrode besteht.
Auf dem indiumdotierten Blei kann man eine Oxydschicht aufbauen, deren Aufbau sich hervorragend
steuern läßt, so daß es verhältnismäßig einfach ist, auch in der Massenproduktion auf diese Weise eine
für den angestrebten Josephson-Strom optimal dünne Tunneibarriere fest haftend reproduzierbar zu erzielen.
Die Erfindung bietet noch eine Reihe weiterer Vorzüge, die neben Weiterbildungen der Erfindung,
die Gegenstand der Unteransprüche sind, anhand der Zeichnung erläutert werden. Es zeigt
Fig. 1 perspektivisch in einer Explosionsdarstellung einen Josephson-Kontakt nach der Erfindung,
Fig. 2 den Schnitt durch einen Josephson-Kontakt und
Fig. 3 ein Kennliniendiagramm des in den Fig. 1 und 2 dargestellten Josephson-Kontakts.
Mit 10 ist in Fig. 1 ein Josephson-Kontakt bezeichnet, der eine dünnschichtige Josephsonsche Verbindung
aufweist. Der Josephson-Kontakt 10 weist zwei supraleitfähige Elektroden 12 und 14 auf, die durch
eine dazwischen gelegene Tunnelbarriere 16 getrennt sind, die aus einem Oxyd des Materials der Basiselektrode
12 besteht. Der Josephson-Kontakt 10 ist auf einem Substrat 18 angeordnet, das aus Glas, Quarz
oder dergleichen indifferentem Material bestehen kann. Eine Isolierschicht 20 isoliert elektrisch eine supraleitfähige
Steuerleitung 22 gegenüber dem Josephson-Kontakt 10.
Der Josephson-Kontakt wird mit so niedriger KeI-vintemperatur betrieben, daß sich Supraleitung einstellt.
Der von einer nicht dargestellten Stromquelle ausgehende Strom / passiert die Tunnelverbindung der
Elektroden 12 und 14 und die dazwischen gelegene Tunnelbarriere 16. Das Maximum des Josephsonschen
Stroms, der bei der Spannung null über der Tunnelverbindung bestehen kann, ist bestimmt durch
eine Vielzahl unterschiedlicher Faktoren. Durch die Steuerleitung 22 fließt ein Steuerstrom Ic, der ein sich
durch die Tunnelverbindung erstreckendes magnetisches Feld erzeugt und dadurch die Größe des Maximums
des Josephsonschen Stroms IMAX beeinflußt.
Man hat verschiedene Materialien für die Elektroden eines solchen Josephsonschen Kontaktes vorgcschlagen,
darunter auch die beiden Typen I und II von supraleitfähigen Materialien. Es ist jedoch nicht
einfach, einen Josephsonschen Kontakt zu bauen, da dafür eine Reihe verschiedener Kriterien in Betracht
zu ziehen sind, die im folgenden aufgeführt sind.
1. Stabilität während wiederholter thermischer Zyklen.
2. Ein hohes Maximum des Josephsonschen Stroms.
3. Ein niedriger Tunnelwiderstand.
4. Beeinflußbare und gleichmäßige Oxydationscharakteristika beziehungsweise Eigenschaften
der Tunnelbarriere und
5. kein Materialübergang während der Lagerung oder der thermischen Zyklen.
Nach der Erfindung besteht mindestens eine der Elektroden 12 und 14 aus Blei, das mit Indium dotiert
ist. Die Tunnelbarriere besteht aus dem Oxyd der mit Indium dotierten Bleielektrode.
In Fig. 2 ist die Isolierschicht 20 und die Steuerleitung 22 der Übersicht halber nicht dargestellt. Diese
Teile, also die Steuerleitung und die Isolierschicht, können je nach Anwendung vorhanden sein oder nicht
vorhanden sein. Das Substrat 18 dient nur als Träger für den Josephson-Kontakt 10.
In Fig. 3 ist ein Stromspannungsdiagramm des Josephsonschen Kontakts 10 dargestellt. Bei diesem
Kontakt gibt es bei null Volt zwei Tunnelzustände, bei der hohen Spannung dagegen nur einen einzigen
Tunnelzustand. Bei null Volt fließt Josephsonscher Strom, wenn die Tunnelbarriere 16 etwa 0,2 bis 5 nm
stark ist. Dabei handelt es sich um die Stärke der tatsächlichen Potentialbarriere, die die Elektronenpaare
beim Tunneleffekt überwinden müssen, um den Josephsonschen Strom hervorzurufen.
Der Josephsonsche Strom kann bis zu dem kritischen Strom IMAX anwachsen entsprechend dem ausgezogenen
Kennlinienast A. Wenn die kritische Stromstärke IMAX erreicht ist, schaltet der Josephsonsche
Kontakt schnell entlang des Kennlinienastes B auf einen hohen Spannungszustand mit der
Spannung V'MAX. Der Übergang von der hohen Spannung
VMAX zur Spannung null bei abfallendem Strom
verläuft entlang der Kennlinienäste C und D bis zum Strom lMIN, der kleiner ist als der Strom IMAX, so daß,
wie auch die Zeichnung Fig. 3 zeigt, ein Hystereseeffekt vorliegt. Die Herstellung eines Josephson-Kontaktes
10 nach Fig. 1 und 2 erfolgt wie folgt. Die Basiselektrode 12 besteht aus einer Bleilegierung, die
neben dem Blei Indium oder Indium und Zinn enthält. Es ist wünschenswert und vorteilhaft, daß das Indium
oder das Indium und das Zinn als Verunreinigungselemente in das Blei diffundiert werden, um die Elektrodenlegierung
zu erzeugen. Zu diesem Zweck kann eine Schicht aus Indium oder Indium-Zinn auf das
Substrat 18 gelegt werden, auf die dann eine Schicht aus Blei gelegt wird. Bei Zimmertemperatur diffundiert
dann aus der unteren Indium- oder Indium-Zinn-Schicht Material in die darüberliegende Bleischicht,
und es entsteht in der oberen Schicht die gewünschte Bleilegierung, die die Elektrode 12 bildet.
Die Indium- oder Indium-Zinn-Schicht ist zu diesem Zweck ungefähr 50 nm stark. Die Stärke der unterlegten
Zinn- oder Indium-Zinn-Schicht hängt von der gewünschten Stärke der Dotierung der darüberzulegenden
Bleischicht ab. Eine Dotierung von ungefähr K) Prozent reicht zur Erzeugung einer geeigneten
Bleilegierungselektrode Haus. Da Indium eine niedrigere
kritische Temperatur als Blei hat. ist es zweckmäßig, deshalb den Anteil des Indiums in der Bleilegierung
zu begrenzen, weil die Supraleitfähigkeitseigenschaften der Elektrode sonst beeinträchtigt
werden. Nachdem die Indium- oder Indium-Zinn-Schicht auf das Substrat gebracht wurde, wird die
Schicht aus Blei darauf gedampft. Diese Bleischicht ist ungefähr 100 bis 1000 mn stark. Vorzugsweise ist
ι diese Schicht 400 bis 500 nm stark, währsnd die darunterliegende
Indium- oder Indium-Zinn-Schicht zwischen 10 und 50 nm stark sein kann. Der angestrebte
Diffusionsvorgang findet bei Zimmertemperatur statt, man kann die Diffusion aber auch bein
schleunigen durch Anwendung höherer Temperaturen von ungefähr 100 Grad Celsius bis 125 Grad
Celsius.
Handelt es sich bei der unteren Schicht um eine Indium-Zinn-Legierung, dann enthält diese zweckr,
mäßig Indium und Zinn in gleichen Anteilen, also etwa 50 Prozent Indium und 50 Prozent Zinn. Es sind
aber auch alle anderen möglichen Mischungs- bzw. Legierungsverhältnisse des Zinn- und des Indiumanteils
anwendbar.
2(i Die Tunnelbarriere 16 kann durch thermische
Oxydation oder Plasmaoxydation oder auf andere Weise auf der bereits vorliegenden Bleilegierung der
Elektrode 12 wachsen. Die Bleilegierungselektrode gestattet es, darauf hervorragend geeignete Tunnelr
> barrieren wachsen zu lassen. Diese Barrieren können mit außerordentlich gleichbleibender Stärke und
Dichte hergestellt werden und haften sehr fest an der Basiselektrode 12 aus der Bleilegierung.
Wenn man für die Herstellung der Tunnelbarriere κι thermische Oxydation anwendet, dann führt man zu
diesem Zweck Sauerstoff in eine Vakuumkammer ein, in der die Basiselektrode 12 abgelegt ist, und läßt diesen
Sauerstoff ungefähr 16 bis 24 Stunden einwirken, bis sich eine ungefähr 1 bis 1,5 nm starke Oxydschicht
j-, auf der Basiselektrode gebildet hat. Diese thermische Oxydation findet statt im Temperaturbereich zwischen
Zimmertemperatur und 40 Grad Celsius. Die Oxydationsgeschwindigkeit nimmt mit zunehmender
Temperatur zu, aber es ist nicht wünschenswert, die Oxydationsgeschwindigkeit zu hoch zu treiben, weil
sich sonst Unregelmäßigkeilen beim Wachstum ergeben.
Die Oxydationsgeschwindigkeit auf der Bleilegierungist
langsamer als die unter sonst gleichen Bedingungen auf einer Schicht aus reinem Blei. Auf der
Bleilegierung bildet sich ein höheres Oxyd, das eine andere Form hat als dasjenige, das sich auf reinen
Bleielektroden unter sonst gleichen Bedingungen bilden würde. Die Oxydschicht hat sehr gleichmäßige
Stärke, und man kann die Stärke dieser Oxydschicht auch sehr genau beeinflussen. Das gilt insbesondere
auch, wenn man eine Vielzahl solcher Kontakte gleichzeitig nebeneinander angeordnet aufbauen will
- eine wesentliche Voraussetzung für eine entsprechende Massenproduktion. Die Bleilegierung der
Elektrode bedingt eine verbesserte Härte und auch stärkere Korngrenzen - beides Eigenschaften, die den
sich aus den bei Betrieb ergebenden thermischen Schwingungen resultierenden Problemen entgegenwirken.
Die Gegenelektrode 14 besteht aus Blei. Zum Aufbringen dieser Bleielektrode kann die gleiche Vakuumkammer
verwendet werden wie zum Aufbringen der Tunnelbarriere, wozu es nur nötig ist, vorher die
Sauerstoffatmosphäre abzusaugen. Man kann die Bleiquelle zum Aufdampfen des Bleis für die Gegenelektrode
14 auf eine höhere Temperatur erhitzen als die für den Niederschlag wünschenswerte, um das
Ausgasen des Bleis aus der Bleischmelze zu beschleunigen.
Eine solch höhere Temperatur empfiehlt sich auch, um zu vermeiden, daß die Bleischmelze spritzt.
Während des Ausgasens der Bleischmel/e wird die
bereits gebildete Struktur, bestehend aus der Basiselektrode 12 und der Tunnelbarriere 16, ebenso wie
das Substrat abgedeckt. Anschließend wird die Temperatur der Bleischmelze abgesenkt, wodurch sich
auch die Niederschlagsrate, mit der sich das ausgegaste Blei wieder niederschlägt, absenkt. Hat diese Niederschlagsrate
einen zuträglichen Wert erreicht, dann wird der Schutz von der Tunnelbarriere 16 entfernt,
so daß sich nun auch dort das Blei niederschlagen kann, bis ein Niederschlag von etwa 400 nm Stärke
erreicht ist. Ist dies geschehen, dann wird der Schutz wieder vor die Tutinelbarriere 16 geschoben, so daß
sich kein weiteres Blei auf der Tunnelbarriere beziehungsweise auf der bereits gebildeten Gegenelektrode
14 niederschlagen kann.
Man kann als Isolierschicht 20 eine Siliciumdioxydschicht auf die Gegenelektrode 14 aufdampfen, und
auf diese Isolierschicht kann dann, durch eine Maske in ihrer Form begrenzt, die Steuerelektrode aufgetragen
werden, zum Beispiel ebenfalls aufgedampft werden. Für die Steuerleitung 22 ist jeder Supraleiter geeignet.
Man kann statt eine besondere Isolierschicht 20 aufzutragen, auf der Gegenelektrode auch eine
Oxydschicht zur Isolation erzeugen, die allerdings stärker als 5 nm sein müßte und dann auf diese die
Steuerleitung 22 auftragen.
Wenn man keine Steuerleitung benötigt, empfiehlt es sich dennoch, eine Schutzschicht aus lichtundurchlässigem
Material oder aus einem Isoliermaterial aufzubringen, weil eine solche Isolierschicht die Stabilität
des Kontaktes bei thermischen Schwingungen begünstigt.
Es sind auch Überlegungen angestellt worden, die Gegenelektrode 14 aus indium- oder indium-zinn-dotiertem
Blei herzustellen. Dazu sind auch Versuche angestellt worden, die Gegenelektrode aus der gleichen
Bleilegierung herzustellen wie die Basiselektrode. Die Versuche, die noch nicht abgeschlossen
sind, lassen vermuten, daß solche hinsichtlich der Materialzusammensetzung beider Elektroden symmetrische
Kontakte vorteilhaft sind.
Wenn für die Basiselektrode Blei, dotiert mit Indium und Zinn verwendet werden soll, empfiehlt es
sich, bei der Herstellung wie folgt vorzugehen. Es wird zunächst eine Indiumschicht auf das Substrat 18 aufgetragen
und auf dieser dann eine Zinnschicht niedergeschlagen. Die beiden Schichten können dabei aufgedampft
werden, und die Gesamtstärke beider Schichten zusammen ist zweckmäßig etwa so groß wie
bei der zuvor beschriebenen Verfahrensweise die reine Indiumschicht. Man kann, statt zuerst das Indium
auch zuerst das Zinn auftragen und dann darauf das Indium. Schließlich ist es auch möglich, Zinn und
Indium gemeinsam aufzudampfen mit einer Schichtstarke von ungefähr 10 bis 50 nm bei einer Stärke
der angestrebten Basiselektrode 12 von 100 bis 1000 nm.
Die Bleischicht wird dann auf die Indium-Zinn-Schiehten
aufgetragen, und zwar mit einer Stärke von ungefähr 400 nm. Bei Zimmertemperatur läßt man
dann das Indium und das Zinn in das Blei diffundieren,
so daß eine Bleilegierung entsteht. Der dabei sich im
Blei ansammelnde Indiiim-Zinn-Aiiteil liegt wesentlich
unter IO Prozent, hs ist aber möglich, Ixgierun-
gen mit 1 bis 25 Gewichtsprozent Anteil an Indiun oder Indium und Zinn als Basiselektroden zu verwenden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist dei Gewichtsanteil an Indium oder an Indium und Zinr
in der Bleilegierung für die Basiselektrode 6 Prozent Wie bereits festgestellt, ist für den Prozentanteil dei
Beimischungen an Indium oder Indium und Zinn ir das Blei wichtig, wie sich dies auf die Supraleitfähigkeitcigenschaften
der so entstehenden Legierung auswirkt. Wird zuviel an Indium oder zuviel an Indium
und Zinn verwendet, dann ist die Übergangstemperatur zu niedrig für eine Josephsonsche Verbindung.
Die weiteren Fabrikationsschritte, das heißt, das Auftragen der Tunnclbarriere 16 und der Gegenelektrode
14 können in der gleichen Weise durchgeführt werden wie zuvor bei der Herstellung eines Kontakte;
10 mit einer Basiselektrode 12 aus Blei-Indium-Legierung beschrieben.
Josephson-Kontakte, die mit einer so bleilegierter Basiselektrode ausgestattet sind, sind vorteilhaft gegenüber
bekannten Josephson-Kontakten. Ein besonderer Vorteil liegt darin, daß man bei der Herstellung
die Stärke der Tunnelbarriere sehr gut auf einer gewünschten Wert bringen kann. Das ist sehr wichtig
bei der Massenherstellung von Josephson-Kontakten die zu sehr vielen matrizenartig nebeneinander angeordnet
sind und die dann alle die gleichen physikalischen Eigenschaften haben sollen und zu dieserr
Zweck gleichstarke Tunnelbarrieren aufweisen müssen, damit der kritische Josephsonsche Stromwer
IMAX bei allen diesen Kontakten der gleiche ist. Wer
den solche Schaltelemente mit unterschiedlich starke] Tunnelbarriere zu Schaltgruppen zusammengefaßt
dann schalten sie infolge unterschiedlicher Werte dei kritischen Josephsonschen Ströme IMAX bei unter
schiedlichen Spannungen, und das macht die schal tungstechnische Verwendung für viele Anwendungs
anfalle unmöglich, mindestens erschwert es dieselbe
Josephson-Kontakte nach der Erfindung könner mit einer Tunnelbarriere ausgestattet werden, derer
Stärke innerhalb ganz geringer Toleranzgrenzen einer vorbestimmten Wert hat.
Ein anderer wesentlicher Vorteil liegt in der Tatsa ehe begründet, daß man solche Kontakte mit eine:
sehr dünnen Tunnelbarriere ausgestalten kann, wai zur Folge hat, daß man die Kontakte wesentlich klei
ner bauen kann und einen sehr hohen kritischen ode maximalen Josephsonschen Stromwert IMAX erzielt. Ji
kleiner diese Kontakte sind, um so geringer ist ihn Eigenkapazität und um so schneller schalten sie.
Ein weiterer Vorteil ist durch die langsame Oxyda tionsgeschwindigkeit begründet, die sich besonder:
ergibt, wenn man die Tunnelbarriere durch Plasma oxydation herstellt. So hergestellte oxydierte Tunnel
barrieren sind außerordentlich gleichförmig und aucl von gleichmäßiger Stärke. Auch wenn diese Tunnel
barrieren sehr dünnschichtig sind, lassen sie sich kurz schlußfrei und auch ohne sonstige Strukturfehler her
stellen.
Josephson-Kontakte nach der Erfindung zcigei auch eine verbesserte Stabilität bei wiederholten ther
mischen Zyklen. Das liegt daran, daß die bcteiligtei Schichten, insbesondere die Tunnelbarriere, wider
standsfähig genug ist, um solche thermische Zyklci zu überstehen. Die bleilegierten Elektroden vcrbcs
scm auch die Widerstandsfähigkeit gegen Material verschiebungen innerhalb der Elektroden. Durch di<
Legierungszusätze, die sich in der Bleilegierung außc
dem Blei befinden, wird auch die Haftung zwischen den Korngrenzen verstärkt, und dadurch werden Materialverschiebungen
entlang der Korngrenzen beziehungsweise Diffusionen vermieden. Da die aus Oxyd bestehende Tunnelbarriere außerordentlich fest an
den Elektroden haftet, ist der Kontakt nach dung auch mechanisch sehr stabil. Schliel
durch die aus Oxyd bestehende Tunnelba außerordentlich niedrigerer Tunnelwiderstü
bar.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Josephson-Kontakt aus zwei Elektroden aus supraleitfähigem Material und einer Tunnelbar- r>
riere zwischen diesen Elektroden, die eine höchstens 5 nm dicke Schicht aus dem Oxyd einer dieser
Elektroden ist, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Elektroden (12) aus Blei
dotiert mit Indium besteht und daß die Schicht mindestens 0,2 nm stark ist und aus dem Oxyd
der mit Indium dotierten Bleielektrode besteht.
2. Josephson-Kontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aus indiumdotiertem
Blei bestehende Elektrode (12) außerdem mit Zinn dotiert ist.
3. Josephson-Kontakt nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zinn- und Indiumgehalt
in der mit Zinn und Indium dotierten Bleielektrode 1 bis 25 Gewichtsprozent beträgt.
4. Josephson-Kontakt nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Indium
und an Zinn in der mit Indium und Zinn dotierten Bleielektrode (12) ungefähr gleich groß ist.
5. Josephson-Kontakt nach Anspruch 1, da- 2>
durch gekennzeichnet, daß der Indiumgehalt der mit Indium dotierten Bleielektrode (12) 1 bis 25
Gewichtsprozent beträgt.
6. Josephson-Kontakt nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine supraleitfähige Steuer- ju
leitung (22), die unter Zwischenlage einer elektrischen Isolierschicht (20) auf die eine Elektrode
(14) gelegt ist und ein die Schicht der Tunnelbarriere (16) etwa senkrecht durchsetzendes Magnetfeld
erzeugend, geschleift ist. r>
7. Josephson-Kontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode
(12), die auf einem elektrisch neutralen Substrat (18) angeordnet ist, aus der Legierung aus Blei
und Indium besteht, die über die gesamte Basiselektrode das gleiche Mischungsverhältnis hat,
daß auf die dem Substrat (18) abgekehrte Oberfläche der Basiselektrode (12) die Tunnelbarriere
(16) geschichtet ist, die überall gleiche Schichtstärke aufweist und deren Schichtstärke einen
Wert im Bereich zwischen 0,2 und 5 nm hat und daß auf die der Basiselektrode (12) abgekehrte
Seite der Tunnelbarriere (16) die Gegenelektrode (14) aus Blei geschichtet ist.
8. Josephson-Kontakt nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektroden überall eine gleiche Schichtstärke aufweisen, deren Wert im Bereich zwischen
100 und 1000 nm liegt.
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
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