DE2149038A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE2149038A1
DE2149038A1 DE19712149038 DE2149038A DE2149038A1 DE 2149038 A1 DE2149038 A1 DE 2149038A1 DE 19712149038 DE19712149038 DE 19712149038 DE 2149038 A DE2149038 A DE 2149038A DE 2149038 A1 DE2149038 A1 DE 2149038A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductor
signal generator
thyristor
area
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19712149038
Other languages
English (en)
Other versions
DE2149038C2 (de
Inventor
Garrett John Mansell
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Mobility Ltd
Original Assignee
Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Brake and Signal Co Ltd filed Critical Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Publication of DE2149038A1 publication Critical patent/DE2149038A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2149038C2 publication Critical patent/DE2149038C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

PATENTANWÄLTE ' . '
DR. E. WIEGAND DIPL-ING. W.-NiEMANN
DR. M. KÖHLER DiPL-ING. C. GERNHARDT 2 1 Λ 9 0 3 8
München Hamburg
telefon: 395314 2000 HAMBURG 50, 29, 9, Π '
TELEGRAMME: KARPATENT ■ KDNIGSTRASSE 28
W. 24 872/71 12/Ja
Westingnouse Brake English Electric Semi-Conäuctors Ltd.
London (England)
Halbleitervorrichtung«
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen.
Gemäß der Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterelement geschaffen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß ein erster Teil dsü Halbleiterelements effektiv einen Transistor und ein zweiter Teil des Halbleiterelementseffektiv einen Thyristor darstellt und daß der Kollektorbereich des Transistors und der Anodenbereich des Thyristors gemeinsam mit einem ersten Leiter außerhalb des Elements verbunden sind, der Emitterbereich des Transistors mit einem zweiten Leiter außerhalb des Elements verbunden ist, der Torhereich des Thyristors mit einem dritten Leiter außerhalb des Elements verbunden istound der Basis'osreich des Transistors und der Kathodenbereich des Thyristors gemeinsam mit einem vierten Leiter außerhalb des Elements verbunden sind«, ·
Der erste Teil des Halbleiterelements kann effektiv einen npn-Transistor darstellen, und der zweite Teil kann
209816/1361
effektiv einen pnpn-Thyristor darstellen. ' "■ * - -'■
Vorteilhaft sind der zweite und der vierte Leiter an' .-einen Signalerzeuger angeschlossen, bei dessen Arbeiten ein Signal an den zweiten und den vierten Leiter angelegtwird, wobei das an den vierten Leiter angelegte Signal mit Bezug auf der» zweiten Leiter pobitiv ist, und der dritte und der vierte Leiter sind an e^nen Signalerzeuger angeschlossen, bei dessen Arbeiten ein Signal an den dritten und den vierten Leiter angelegt wird, wobei das an den vierten Leiter angelegte Signal mit Bezug auf den dritten Leiter positiv ist«, Die Signale können auch von einem gemeinsamen Signalerzeuger geliefert werden, der zwei Ausgänge hat, von denen der eine mit dem vierten Leiter verbunden ist, während an den anderen Ausgang der zweite und der dritte Leiter gemeinsam angeschlossen sind. In demjenigen. !Teil des elektrischen Stromkreises, welcher den anderen der Ausgänge, den zweiten Leiter und dua. Emitterbereich des Transistors enthält, ist eine Diode so angeordnet, daß sie den Stromfluß von dem anderen der Ausgänge des gemeinsamen Signalerzeugers zu dem zweiten Leiter blockiert. Bei einer solchen Ausführung kann die Diode von einem dritten Teil des Halbleiterelements, gebildet seino Der eine Ausgang des gemeinsamen Signalerzeugers kann mit dem zweiten und dem vierten Leiter verbunden sein, und zwischen dem Signalerzeuger und dem zweiten Leiter ist eine Diode so angeordnet, daß sie den Stromfluß von dem einen der Ausgänge zu dem zweiten Leiter blockiert, während zwi-
.sehen dem Signalerzeuger und dem vierten Leiter eine Diode so angeordnet ist, daß sie den Stromfluß von dem vierten Leiter zu dem Signalerzeuger blockierte
Daa Halbleiterelement kann sich gegenüberliegende Flächen haben, von deren einen sich ein p-Bereich und ein
• η-Bereich nach innen erstrecken. Mittels dieser'Fläche ist das Element an einem Grundteil aus elektrisch leiten-· dem Material angebracht, der die gemeinsame Verbindung zu dem ersten Leiter schafft. Der η-Bereich grenzt an einen
209816/1361
'■weiteren p-Bereich an, der sich von.der anderen der.sich gegenüberliegenden Plächen des Elements nach innen erstreckt und in dem zusätzliche η-Bereiche.liegen,.die . sich ebenfalls von der anderen der sich gegenüberliegenden Flächen des Elements nach innen erstrecken. In einen dieser zusätzlichen η-Bereiche ist der zweite T-eiter angeschlossen, und an einen anderen dieser Bereiche ist der vierte leittv angeschlossen, der außerdem mit dem weiteren p-Bereich verbunden ist, wie auch der dritte Leiter. Die zusätzlichen n—Bereiche können in Draufsicht ringförmig und zueinander konzentrisch sein, und der zweite Leiter ist mit dem äußeren der zusätzlichen η-Bereiche verbunden» Wenn eine Diode vorgesehen wird, wie es oben beschrieben ist, die von einem dritten !eil des Halbleiterelements gebildet ist, kann ein innerhalb des weiteren p-Bereiches liegender und sich von der anderen der sich gegenüberliegenden Flächen des Elements nach innen erstreckender weiterer n-Bereich vorgesehen sein, der zusammen mit dem weiteren p-Bereich die Diode bildet.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielsweise erläutert»
Fig· 1 ist eine schematisehe Darstellung einer Ausführungsform der Erfindung. Fig. 2 zeigt die Ausführungsform gemäß Fig. 1 mit
den ihr zugeordneten Signalerzeugern. Fig. 3 zeigt die Ausführungsform gemäß Fige 1 mit
einem gemeinsamen Signalerzeuger. Fig. 4 zeigt eine !TuWandlung der Ausführung gemäß
Fig. 3.
Figo 5 ist eine Querschnittsansicht des in Fig. 1
schematisch dargestellten Elements. Fig» 6 ist eine Querschnittsansicht einer anderen Form des in Fig„ 1 schematisch dargestellten Elements, bei. welcher die Diode der Ausführung gemäß Fig. 3 vorhanden ist.
2 0 9 8 16/1361
4 ' ' 2H9038
.Die in Fig. 1 sehematiscn dargestellte iusführungs- . : form umfaßt einen npn-Transistor 1, der einen Kollektorbereich 2, einen Basisbereich 3 und einen Emitterbereich aufweist. Bei'dieser iusführungsform ist weiterhin ein pnpn-Thyristor 5 vorgesehen, der einen Inodenbereich 6 aufweist, der mittels einer Verbindung 7 an einen ersten Leiter 0 angeschlossen ist, welcher mit dem Kollektorbereich 2 des .Transistros 1 verbunden ist.
Der Emitterbereieh 4 des Transistors 1 ist mit einem zweiten Leiter 9 verbunden, und ein Torbereich 10 des . Thyristors 5 ist mit einem dritten Leiter 11 verbunden. Der Basisbereich 3 des Transistors 1 und ein Kathodenbereich 12 des Thyristors 5 sind mittels einer Verbindung gemeinsam mit einem vierten Leiter 14 verbunden.
Die oben beschriebene Vorrichtung wird dadurch betätigt, daß, wie in I1Ig. 2 dargestellt, an den zweiten Leiter 9 und den vierten Leiter 14 der Vorrichtung, welche den Transistor 1 und den Thyristor 5 umfaßt und in Γΐ£. 2 allgemein mit 15 bezeichnet ist, ein Signalerzeuger 16 angeschlossen wird, der an diese Leiter 9 und 14 ein Abschaltsignal anlegen kann, wobei das an den vierten Leiter 14 angelegte Signal mit Bezug auf das an den zweiten Leiter 9 angelegte Signal positiv ist.
Weiterhin ist ein zweiter Signalerzeuger 17 vorgesehen, welcher ein Einschaltsignal an den. dritten Leiter 11 und den vierten Leiter 14 anlegen kann, wobei das an den dritten Leiter 11 angelegte Signal mit Bezug auf das an den vierten Leiter 14 angelegte Signal positiv ist*
Wenn ein Potential an den ersten Leiter 8 und den zweiten Leiter 9 derart angelegt ist, daß der Leiter 8 mit Bezug auf den Leiter 9 positiv ist, dann befindet sich die Vorrichtung 15 in ihrem blockierenden Zustand.
Wenn nunmehr von dem Signalerzeuger 17 ein Einschaltsignal angelegt wird, wird der dritte Leiter 11 mit Bezug auf den vierten Leiter 14 positiv, was bewirkt, daß der
20981 6/1361
Kathodenbereich 12 des Thyristors 5 Träger injiziert, wodurch ermöglicht wird, daß der Thyristor auf normale Weise in den leitenden Zustand gebracht wird. Ein solches Triggern des Thyristors 5 bewirkt, daß der Kathodenstrom in dem Thyristor zum Basisstrom in dem Basisbereich 3. des Transistors 1 wired* Der Transistor 1 wird dann veranlaßt, KollektuOstrom zu führen, der größer als der Kathodenstrom des Thyristors 5 ist, und zwar um einen Paktor, der gleich der gemeinsamen Emitterstromverstärkung (O isto Daher gilt:
IC =/3JK, : ·■ ' . ■
und für den Gesamtstrom ergibt sich!
1E = 1C + 1K
Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird das an den dritten Leiter 11 angelegte positive Signal User den vierten Leiter 14 zurückgeführt, jedoch könnte ös stattdessen auch über den zweiten Leiter 9 zurückgeführt werden. In diesem Pail geht das Thyristor-Einschaltsignal auch durch den pn-übergang zwischen dem Emitter 4 und der Basis 3 des Transistors 1 hindurch»
Im Gleichgewicht ist die Kollektor-Basis-Spannung des Transistors 1 gleich der .Anodenspannung des Thyristors 5» und der Thyristor 5 und der Transistor 1 sind daher nicht vollständig gesättigt.
Um die Gesamtvorrichtung 15 abzuschalten, ist es lediglich notwendig, das Leiten des Thyristors 5 zu unterdrücken« Da der Thyristor 5 nur einen Bruchteil (γ^ = τρ ) des
Stroms der. Gesamtvorrichtung 15 führt, ist diese im Vergleich zu einer reinen Thyristorvorrichtung verhältnismäßig einfach«
Um die Vorrichtung 15 abzuschalten, wird von dem Signalerzeuger 16 an den zweiten Leiter 9 und den vierten Leiter 14 ein Absehaltsignal derart angelegt, daß der
209816/1361
2H9038
vierte Leiter 14 mit Bezug auf den zweiten Leiter 9 positiv gemacht wird. lim das Abschalten zu erzielen, sollte das angelegte Signal stärker sein als der zuvor fließende Thyristorstronio Durch das Anlegen dieses Abschaltsignals wird der Transistor 1 weiter in Sichtung gegen Sättigung getrieben, wo rails sich ei". Abfall seiner Kollektor-Basis-Spannung auf eiosn vVert ergibt, der unterhalb des Wertes, liegt, der erforderlich ist, um den Thyristor 5 in leitendem Zustand zu halten«, Das Signal braucht nur solange angelegt zu v/erden, wie es notwendig ist, 1^m dem Thyristor 5 zu ermöglichen, wieder seinen blockierenden oder nichtleitenden Zustand anzunehmen« wonach das Signal entfernt werden kann.
Wenn der Thyristor 5 aufhört, zu leiten, muß unvermeidbar der Transistor 1 ebenfalls aufhören, zu leiteno
Das Nichtleitendwerden des Thyristors 5 wird unterstützt, wenn der dritte Leiter 11 mit Jicoüg auf den vierten Leiter 14 negativ gehalten,, wild, wie es bei normalem Tor-Abschalten der Pail ist„
Ein solcher Zustand kann init der Schaltung gemäß Figo 3 erreicht werden» Bei der Schaltung gemäß Figo 3 sind der Signalerzeuger 16 und der Signalerzeuger 17 in einem einzigen Signalerzeuger 20 kombiniert, der sowohl ein Abschaltsignal als auch ein Eins ehalt signal erzeugen kann<> Der Signalerzeuger 20 hat zwei Ausgänge 21 und 22, von denen der Ausgang 21 mit dem vierten Leiter 14 verbunden ist, während der Ausgang 22 sowohl mit dem dritten Leiter 11 als auch mit dem zweiten Leiter 9 über eine Verbindung 23 verbunden ist, die eine Diode 24 enthält, welche so angeordnet ist, daß sie den Stromfluß von dem Ausgang 22 des Signalerzeugers 20 zu dem zweiten Leiter 9 blockiert«, Wenn bei dieser Ausführung der Signalerzeuger 20 ein Abschaltsignal erzeugt, wird nicht nur der vierte Leiter 14 mit Bezug auf den zweiten Leiter 9 positiv gemacht, son- . dern es wird auch der dritte Leiter 11 mit Bezug auf den
209816/1381
2H9Q38
vierten Leiter 14 negativ gemachte
Bei einer abgewandelten Ausführung können die "Verbindung 23 und die darin enthaltene Diode 24 fortgelassen werden, so daß das Schalten der Gesamtvorrichtung 15 dadurch bewirkt wird, daß lediglich ihr Thyristor 5 mittels des Signalserzeugers 20 entweder abgeschaltet oder eingeschaltet wird. Der Tyhristor 5 wirkt dann als "üblicher Torabsehaltschalter.
In Figo 4 ist eine weitere Abwandlung der Schaltung gemäß I1Ig0 3 dargestellt, bei welcher der Ausgang 21 des Signalerzeugers 20 an die Verbindungsstelle zweier Dioden 25 und 26 angeschlossen ist. Die Diode 25 ist zwischen dem Ausgang 21 des Signalserzeugers 20 und dem zweiten leiter 9 so angeordnet, daß sie den Stromfluß von dem Ausgang zu dem Leiter 9 blockiert, und die Diode 26 ist so angeordnet, daß sie don ütromfluß von dem vierten Leiter 14 zu d-em Ausgang 21 aes Signalerzeugers 20 blockierte
Die Schal turnen gemäß Fig. 3 und 4 haben gegenüber der Schaltung gemäß Figo 2 den Vorteil, daß die Einschalt- und Absehaltsignale zwischen den gleichen Stellen der Schaltung eingegeben werden, so daß ein einziger Signalerzeuger 20, der abwechselnd positive und negative Ausgangssignale liefert, zum Antreiben der Vorrichtung 15 verwendet werden kann»
Figo 5 ist eine Querschnittsansicht einer Vorrichtung 15, die bei jeder der Ausführungsformen gemäß den Figuren 1 bis 4 verwendet werden kanno
Die Vorrichtung 15 gemäß Fig. 5 ist von konzentrischer Ausführung, bei welcher der äußere Teil außerhalb der strichpunktierten Linien den Transistor 1 darstellt, während der zentrale Teil innerhalb der strichpunktierten Linien den Thyristor 5 darstellte
Das die Vorrichtung bildende Halbleiterelement 15 hat sich gegenüberliegende Flächen 31 und 32o Von der Fläche 32 erstrecken sich ein p-Bereich 33, der den Anodenb'ereich
209816/1361
2H9038
6 des Thyristors 5 darstellt, und ein η-Bereich 34 nach - innen, von dem der außerhalb der strichpunktierten. Linien, liegende Teil den Kollektorbereich des Transistors 1 dar- ■ stellt und von dem der innerhalb der strichpunktierten Linien und oberhalb des p-Bereichs 33 liegende Teil den nächstfolgenden n-Bereich des Thyristors 5 darstellt« Das Halbleiterelement 15 ist mit seiner Piaehe 32. auf einem elektrisch leitenden Grundteil 35 angebracht, der das Mittel darstellt, durch welches der Kollektorbereich des Transistors 1 und der Anodenbereich des Thyristors 5 gemeinsam mit dem ersten Leiter 8 verbunden sindp
" . An den η-Bereich 34: grenzt ein weiterer p-Bereich 36 an, der sich von der Fläche 31 des Elements 15 nach innen erstreckt. Der. außerhalb der strichpunktierten Linien liegende Teil des p-Bereichs 36 stellt den Basisbereich 3 des Transistors 1 dar, und der innerhalb -.Wr strichpunktierten Linien liegende Teil des p-Bereichs 36 stellt den Torbereich 10 des Thyristors 5 dar.
In dem p-Bereich 36 sind zwei zusätzliche ringförmige konzentrische n-Bereiche 37 und 38 gebildet, die sich von der Fläche 31 des Elements 15 nach innen erstrecken» Der äußere n-Bereich 37 stellt den Emitter des Transistors 1 dar, und an diesen n-Bereich 37 ist der zweite Leiter 9
) angeschlossen. Der/innere n-Bereich 38 stellt den Kathodenbereich 12 des Thyristors 5 dar, und an diesen n-Bereich 38 ist der vierte Leiter 14 angeschlossen, der außerdem mittels eines .Kurzschlußgliedes 39 mit demjenigen Teil des p-Bereichs 36 verbunden ist, der den Basisberetuk 3 des Transistors 1 bildet. Im Zentrum befindet sich der dritte Leiter 11, der den Torloiter darstellt und mit demjenigen Teil des p-Bereichs 36 verbunden ist, der den Torbereich des Thyristors 5 darstellt,,
Es ist ersichtlich, daß der n-Bereich 34 und der p-Bereich 36 dem Transistor 1 und dem Thyristor 5 gemeinsam sind. Die seitliche Leitfähigkeit dieser beiden
20981 6/1361
9 "· ' 2H3038
Bereiche 34 und 36 ist jedoch, so gering, daß sie gegen-r über der Leitfähigkeit der äußeren Leiter vernachlässigt werden kann. ■
Das Kurzschlußglied 39 kann mit genügend Widerstand versehen werden, um den EinsohaltstroinstQß in dem Thyristor 5 su begiönse?!, falls dies erwünscht eein sollte.
Bei der vorstehend ■beschriebenen Ausführung "braucht der n-Bereich 37 nicht von ringföriniger Gestalt zu sein, sondern er kann,, wenn es erwünscht sein sollte* eine Ge-r stalt haben, welche sich radial nach innen erstreckende fingerartige Teile aufweist, die mit komplementär gestalteten fingerartigen Teilen desjenigen Teils des p-Bereichs 36 ineinandergreifend zusaramenpas.sen., welcher den Basisbereich 3 des Transistors. 1 der G-esamtvorrichtung 15 darstelltο Bei einer solchen Abwandlung würde der Ohmsche Kontakt mit dem p-Bereich 36 eine ähnliche äußere Umfangsgestalt wie die fingerartigen ΐ ^iIe dieses Teils des p-Bereichs 36 haben. Auf diese leise würde der seitliehe Widerstand des p-Bereichs 36 gleich, demjenigen Teil von ihm sein, welcher den Basisbereich 3 des Transistors darstellt.
In Fig. 6 ist eine Vorrichtung 15 dargestellt, in welche die Diode 24 gemäß Pig. 3 eingeschlassen ist. In diesem Fall ist die Ausführung nicht von konzentrischer Form, sondern der Thyristor 5 liegt (gemäß der Zeichnung) auf der linken Seite der strichpunktierten Linie 40, und der übrige Teil der Vorrichtung stellt den Transistor 1 dar.
Die Diode 24 ist von einem weiteren n-Bereich 42 gebildet, der innerhalb des p-Bereichs 36 liegt und sich von der Pläche 31 des Elements 15 in dieses nach innen erstreckt. Die Diode 24 ist in dem n-Bereich 42 und demjenigen Teil des p-Bereichs 36 vorgesehen, der gemäß der Zeichnung rechts von der strichpunktierten Linie 41 und oberhalb von ihr liegt.
209816/ 1361
- to - ■
Der Y/iderstand des p-Bereiclas 36 wurde z.u lioeh um zu irgend einem "bemerkenswerten Kurzschluß effekt seken dem Yierten Iiexter 14 und dem zwe/ite-rt Leiter über das ICurzsehiußgiied 59 und ein Kurzaeiilußglied 43s. das der Verbindung 25 gemäß I1Ig. 3 entsprieJat,, zu
209816/1361

Claims (7)

  1. Patentansprüche
    r .-■■■-.
    f1.^Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterelement, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Teil des Plalbleite-fiileiaents effektiv einen Transistor (1) und ein zweiter Teil des Halbleiterelements effektiv einen Thyristor (5) darstellt,und daß der Kollektorbereich (2) des Transistors (1) und der Anodenbereich (6) des Thyristors (5) geraeinsam mit einem ersten äußeren Leiter (8) verbunden siiitf,-der Emitterbereich (4) des Transistors mit einem zweiten ι äußeren Leiter (9) verbunden ist, der Torbereich (10) des Thyristors mit einem dritten äußeren Leiter (11) verbunden ist und der Basisbereich (3) des Transistors und der Kathodenbereich (12) des Thyristors gemeinsam mit einem vierten äußeren Leiter (14) verbunden sind..
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Teil des Halbleiterelements effektiv ein npn-Transistor (1) ist und der zweite T.;il effektiv ein pnpn-Thyristor (5) isto
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Leiter (9) und der vierte Leiter (14) an einen Signalerzeuger (16) angeschlossen sind, bei dessen Arbeiten ein Signal an den zweiten und den vierten ™ Leiter angelegt'wird, wobei das an den vierten Leiter angelegte Signal mit Bezug auf den zweiten Leiter positiv ist, und daß der dritte Leiter (11) und der vierte Leiter (14) an einen Signalerzeuger (17) angeschlossen sindr bei dessen Arbeiten ein Signal an den dritten und den vierten Leiter angelegt wird, wobei das an den vierten Leiter angelegte Signal mit Bezug auf den dritten Leiter positiv ist.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Signale von einem gemeinsamen Signalerzeuger (■20) erzeugt werden, der zwei Ausgänge (21, 22) hat, von
    2 0 9 8 16/1361
    denen der eine mit dem vierten Leiter (14) verbunden ist, ■während an den anderen der zweite leiter (9) und der dritte leiter (11) gemeinsam angeschlossen sind, und daß in demjenigen Teil des elektrischen Stromkreises, welcher den anderen der Ausgänge, den zweiten leiter (9) und den Einitt erbe reich (4) des Transistors (1) e^nält,_ eine Diode so angeordnet ist, daß sie den fitromfluß von dein anderen der "Ausgänge des gemeinsamen Signalerzeugers (20) zu dem zv/eiten Leiter (9) blockiert.
  5. 5'. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode von einem dritten Teil des Halbleiterelement^ gebildet ist.
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der eine der beiden Ausgänge (21, 22) des gemeinsamen Signalerzeugers (20) mit dem zweiten Loiter (9) und dem vierten Leiter (14) verbunden ist, daß zwischen dem Signalerzeuger und dem zweiten Leiter eine .Diode so angeordnet ist, daß sie den Stromfluß von dem einen der Ausgänge zu dem zweiten Leiter blockiert, und daß zwischen dem Signalerzeuger (20) und dem vierten Leiter (14) eine Diode so angeordnet ist, daß sie sie den Stromfluß von dem vierten Leiter zu dem Signalerzeuger blockiert.
  7. 7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement (15 ) sich gegenüberliegende Fläche (31, 32) aufweist, daß ein p-Bereich ' und ein η-Bereich sich von der einen Fläche nach innen erstrecken, mittels welcher das Element an einem aus elektrisch leitendem Material bestehenden Grundteil angebracht ist, welcher die gemeinsame Verbindung zu dem ersten Leiter
    (8) schafft, wobei der η-Bereich an einen dritten p-Bereich angrenzt, welcher sich von der anderen der sich gegenüberliegenden Flächen des Elements nach innen erstreckt und innerhalb von welchem zusätzliche n-Bereiche liegen, die sich ebenfalls von der anderen der sich gegenüberliegenden Flächen des Elements nach innen erstrecken,
    209816/1361
    2149Ö3B
    .daß mit dem einen dieser zusatzlicfeen :n-B er eiche der
    zweite Leiter (9) und mit, dem anderen dieser zusätzlichen n-Bereiehe der vierte Leiter'(14) verounden ist,
    und daß der vierte Leiter -außerdem wie der dritte Leiter mit dem weiteren p~-Bereich verbunden ist:.
    ■ .80 Torrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekenn&oictb-at, daß die zusätzlichen η-Bereiche in Draufeioht ringförmig und zueinander konzentrisch sind und daß der zweite Leiter mit dem äußeren- der zusätzlichen η-Bereiche verbunden ist»
    9o Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Piode von. einem dritten
    Teil des Halbleiterelements gebildet ist und daß ein
    innerhalb des weiteren p-Bereichs liegender und sich von der anderen der sich gegenüberliegenden Flächen des EIeT ments nach innen erstreckender weiterer η-Bereich vorgesehen ist, der zusarranen mit dem weiteren p-Bereich die
    Diode bildet.
    209816/1361
DE2149038A 1970-10-06 1971-10-01 Halbleiterbauelement und Verfahren zum Betrieb des Halbleiterbauelements Expired DE2149038C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB4743270 1970-10-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2149038A1 true DE2149038A1 (de) 1972-04-13
DE2149038C2 DE2149038C2 (de) 1982-06-24

Family

ID=10444948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2149038A Expired DE2149038C2 (de) 1970-10-06 1971-10-01 Halbleiterbauelement und Verfahren zum Betrieb des Halbleiterbauelements

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3725752A (de)
JP (1) JPS5423228B1 (de)
DE (1) DE2149038C2 (de)
FR (1) FR2110240B1 (de)
GB (1) GB1303338A (de)
SE (1) SE375190B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2653432A1 (de) * 1976-02-12 1977-08-25 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterelement

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3896476A (en) * 1973-05-02 1975-07-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor switching device
US4083063A (en) * 1973-10-09 1978-04-04 General Electric Company Gate turnoff thyristor with a pilot scr
GB1586171A (en) * 1977-01-31 1981-03-18 Rca Corp Gate turn-off device
US4673844A (en) * 1985-09-30 1987-06-16 Texas Instruments Incorporated Starter circuit for a fluorescent tube lamp
AU2002241256A1 (en) * 2002-02-28 2003-09-09 Stmicroelectronics S.R.L. Bipolar transistor structure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1614035A1 (de) * 1967-02-10 1970-06-04 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3265909A (en) * 1963-09-03 1966-08-09 Gen Electric Semiconductor switch comprising a controlled rectifier supplying base drive to a transistor
DE1464960A1 (de) * 1963-09-03 1969-08-28 Gen Electric Halbleiter-Schalter
US3590339A (en) * 1970-01-30 1971-06-29 Westinghouse Electric Corp Gate controlled switch transistor drive integrated circuit (thytran)
JPS5118811B2 (de) * 1972-08-01 1976-06-12

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1614035A1 (de) * 1967-02-10 1970-06-04 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2653432A1 (de) * 1976-02-12 1977-08-25 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterelement

Also Published As

Publication number Publication date
FR2110240A1 (de) 1972-06-02
DE2149038C2 (de) 1982-06-24
US3725752A (en) 1973-04-03
FR2110240B1 (de) 1977-04-22
SE375190B (de) 1975-04-07
JPS5423228B1 (de) 1979-08-11
GB1303338A (de) 1973-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1238574B (de) Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement
DE3230741A1 (de) Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren thyristor
DE3521079A1 (de) Rueckwaerts leitende vollsteuergate-thyristoranordnung
DE2716874A1 (de) Eigengeschuetzte halbleiteranordnung
DE2447621A1 (de) Thyristor mit abschaltung ueber steuerelektrode und einem pilot-siliziumgleichrichter
DE3302912C2 (de)
DE1464983C2 (de) in zwei Richtungen schaltbares und steuerbares Halbleiterbauelement
DE3201933C2 (de) Halbleiter-Schutzschaltungsanordnung
DE2457774A1 (de) Seitlich angeordnete transistorstruktur mit durchschaltbarem kollektor
DE2149038A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP0430133B1 (de) Leistungs-Halbleiterbauelement mit Emitterkurzschlüssen
DE2906961A1 (de) Feldgesteuerte thyristor-steueranordnung
DE3540433A1 (de) Integriertes mosfet-bauelement
DE2149039C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2534703C3 (de) Abschaltbarer Thyristor
DE2028010A1 (de) Steuerbare Halbleiter-Gleichrichtervorrichtung
DE3611297C2 (de)
DE2653431C3 (de) Halbleiterschalter mit einem Thyristor
DE2847530A1 (de) Schaltungsanordnung fuer einen wechselrichter
DE1132662B (de) Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone
DE7235267U (de) Halbleiterbauelement
EP0358924A1 (de) Steuergerät mit einer Schaltungsanordnung zum Schutz des Steuergeräts bei Unterbrechung der Steuergerätemasse
DE1439991C3 (de) Battenezundanlage
DE2339440A1 (de) Verbesserte thyristoren und verfahren zu ihrer herstellung
DE2706011A1 (de) Thyristor

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: KOHLER, M., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., 8000 MUENCHEN GLAESER, J., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 2000 HAMBURG

8339 Ceased/non-payment of the annual fee