DE2136134B2 - Gasentladungsfeld - Google Patents
GasentladungsfeldInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
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Description
Die Erfindung betrifft ein Gasentladungsfeld mit einer ionisierbaren Gasfüllung in einem Entladungsraum, der von einem Paar sich gegenüberstehender
Ladungsspeicherflächen aus dielektrischem Material gebildet wird, mit einer Vielzahl paralleler Elektroden
auf den dem Gasentladungsraum abgekehrten Seiten der Ladungsspeicherflächen, wobei die Elektroden auf
der einen Ladungsspeicherfläche transversal in bezug zu den Elektroden auf der anderen Fläche angeordnet sind,
und mit einer Schicht aus mindestens einem Oxyd von Al, Ti, Zr, Hf oder Si auf jeder Ladungsspeicherfläche.
Solche Gasentladungsfelder dienen zur Darstellung von Daten, Zahk*n, Buchstaben, Fernsehbildern, Radarbildern,
Binärwörtern usw.
Ein Gasentladungsfeld mit einer ionisierbaren Gasfüllung in einem Entladungsraum, der von einem Paar sich
gegenüberstehender Ladungsspeicherflächen aus dielektrischem Material gebildet wird, mit einer Vielzahl
paralleler Elektroden auf dem den Gasentladungsraum abgekehrten Seiten der Ladungsspeicherflächen, wobei
die Elektroden auf der einen Ladungsspeicherfläche transversal in bezug zu den Elektroden auf der anderen
Fläche angeordnet sind, ist aus der DT-OS 19 48 476 bekannt.
Bei anderen bekannten Gasentladungsfeldern (D. L Bitzer und H. G. Slot tow »The Plasma Display
Panel — A Digitally Adressable Display With Inherent Memory«, According of the Fall Joint Computer
Conference, IEEE, San Francisco, California, Nov. 1966, S. 541—547) sind die Entladungseinheiten zusätzlich
durch körperliche Strukturen, wie durch Zellen oder öffnungen in perforierten Glasplatten und dergleichen
begrenzt In jedem Fall, mit oder ohne begrenzende (,5
Strukturen, werden Ladungen (Elektronen, Ionen) nach Ionisierung des Gases in einer ausgewählten Entladungseinheit,
wenn geeignete periodische Betriebspotentiale an die Elektroden angelegt werden, erzeugt, auf
den Ladungsspeicherflächen an bestimmten festgelegten Orten gesammelt, bauen ein elektrisches Feld auf,
das dem elektrischen Feld entgegengesetzt ist, welches sie hervorgerufen hat, so daß die Entladung für die
restliche Halbperiode beendet ist und tragen zum Zünden einer Entladung bei der folgenden entgegengesetzten
Halbperiode der angelegten Spannung bei; solche Ladungen bilden, wenn sie gespeichert werden,
ein elektrisches Gedächtnis.
So verhüten die Ladungsspeicherflächen den Durchgang leitender Ströme von den Elektroden zum
gasförmigen Medium und dienen als Sammeloberflächen für ionisierte Ladungen des gasförmigen
Mediums (Elektronen, Ionen) während der aufeinanderfolgenden Halbperioden der Betriebsspannungen. Solche
Ladungen sammeln sich erst auf einem elementaren oder diskreten dielektrischen Oberflächengebiet und
dann auf einem gegenüberliegenden elementaren oder diskreten dielektrischen Oberflächengebiet bei aufeinanderfolgenden
Halbperioden und bilden das elektrische Gedächtnis.
Die Elektroden können orthogonal zueinander angeordnet sein (aber auch jede andere Konfiguration
der Elektroden kann verwendet werden), um eine Vielzahl von sich gegenüberliegenden Paaren von
Ladungsspeichergebieten auf den Ladungsspeicherflächen festzulegen. So ist bei einer Elektrodenmatrix
mit //-Zeilen und C-Spalten die Zahl der elementaren
Entladungsvolumina das Produkt HxCvnd die Zahl der
elementaren und diskreten Gebiete beträgt das Doppelte der Zahl der elem^ntraren Ladungsvolumina.
Das Gas muß sichtbares Licht erzeugen, wenn Sichtanzeige erwünscht ist und muß während der
Entladung reichlich Ladung (Ionen und Elektronen) liefern. In einem Gasentladungsfeld, wie es in der U S-PS
34 99167 beschrieben ist, reichen Gasdruck und elektrisches Feld aus, die bei der Entladung entstandenen
Ladungen in den elementaren Gasvolumina zwischen gegenüberstehenden Paaren elementarer
dielektrischer Gebiete innerhalb des Umfangs solcher Gebiete zu begrenzen, ohne daß körperliche Strukturen
erforderlich sind. Dabei können Photonen, die bei der Entladung in einem elementaren Gasvolumen gebildet
werden, den Entladungsraum frei passieren und auf Oberflächengebiete der Ladungsspeicherflächen, die
von den ausgewählten diskreten Volumina entfernt sind, auftreffen. Diese Oberflächengebiete, auf die die
Photonen aufschlagen, senden dadurch Elektronen aus und schaffen in anderen und noch entfernter liegenden
elementaren Volumina die Voraussetzungen für Gasentladungen bei einem gleichbleibenden angelegten
Potential.
Mit Bezug auf die Gedächtnisfunktion eines gegebenen Gasentladungsfeldes hängt der zulässige Abstand
zwischen den Ladungsspeicherflächen u.a. von der Frequenz der Wechselspannung ab, wobei der Abstand
bei höheren Frequenzen größer sein kann.
Während bekannte Gaseniladungsvorrichtungen extern
angeordnete Elektroden zur Auslösung einer Gasentladung aufweisen, wobei dies als »elektrodenlose
Entladung« bezeichnet wird, sind jedoch die Frequenzen und Abstände des Entladungsvolumens sowie die
Betriebsdrücke so bemessen, daß zwar Entladungen in dem Gasmedium ausgelöst werden, die Entladungen
jedoch unwirksam sind oder zur Ladungsbildung und Speicherung, wie es bei der vorliegenden Erfindung
erforderlich ist, nicht ausreichen.
Der Ausdruck »Speichergewinn« ist hierin definiert
S. G.=
worin Vf die Größe der angelegten Spannung, bei
welcher eine Entladung in einem diskreten, in den entsprechenden entladungsbereiten Zustand gebrachten
Gasvolumen, das durch gemeinsame Gebiete sich Oberkreuzender Elektroden begrenzt ist, ausgelöst wird,
und Vs die Größe der niedrigsten angelegten periodifchen
Brennspannung, die zum Aufrechterhalten einer einmal gezündeten Entladung ausreicht, bedeuten. Die
gespeicherten Ladungen resultieren in einem elektrischen Feld, das dem Feld, das durch die angelegte
Spannung erzeugt ist und welches sie hervorgerufen hat, entgegengesetzt ist und bewirkt daher die Beendigung
der Ionisation in dem elementaren Gasvolumen zwischen den sich gegenüberstehenden Gebieten der
dielektrischen Oberfläche. Der Ausdruck »Aufrechterhalten« bedeutet die Erzeugung einer Folge von
kurzzeitigen Entladungen, eine Entladung für jede Halbperiode der angelegten Brennspannung, nachdem
das elementare Gasvolumen gezündet worden ist, um die aufeinanderfolgende Speicherung von Ladungen an
Paaren gegenüberstehender diskreter Gebiete auf den Ladungsspeicherflächen aufrechtzuerhalten. Der Ausdruck
Spannung, wie er im folgenden gebraucht wird, umfaßt jede Spannung, die zum Betreiben des Feldes
erforderlich ist, einschließlich Zünd- und Brennspannungen sowie irgendwelche andere Spannungen zur
Handhabung der Entladung.
Um die Stabilität oder Gleichmäßigkeit der Spannung als Funktion der Betriebszeit des Gasentladungsfeldes
zu erhöhen und zu verbessern, ist bereits vorgeschlagen worden (DT-OS 21 35 889), auf die Ladungsspeicherflächen
des dielektrischen Materials eine Schicht mindestens eines Oxyds von der Gruppe Aluminium,
Titan, Zirkon, Hafnium und Silizium aufzubringen. Nach dem älteren Vorschlag wird dabei wie folgt verfahren:
Es wurde eine Schicht Aluminiumoxyd (Al2O3) in
verhältnismäßig gleichmäßiger Dicke von etwa 1000 Ä auf die Ladungsspeicherflächen von zwei gehärteten
Schichten aus dielektrischem Material aufgebracht; jede dielektrische Schicht war vorher auf mit den Elektroden
versehenen Glassubstraten aufgebracht und gehärtet worden.
Das Aluminiumoxyd war mittels der Elektronenstrahlverdampfungstechnik
aufgebracht worden. Die dielektrischen Schichten waren ein Bleiborsilikat, bestehend aus 73,3 Gew.-% PbO, 13,4 Gew.-% B2O3 und
13,3 Gew.-% SiO2. Die Glassubstrate waren aus Soda-Kalkglas folgender Zusammensetzung: 73
Gew.-% SiO2, 13 Gew.-% Na2O, 10 Gew.-% CaO, 3
Gew.-% MgO, 1 Gew.-v/o Al2O3 und kleine Mengen
(weniger als 1%) Fe2O3, K2O, As2O1 und Cr2O3. Die
Elektroden waren aus Hanovia-Gold.
Die beiden Glassubstrate waren miteinander heiß verschmolzen worden (unter Verwendung eines Standard-Verschmelzglases),
so daß sie ein Gasentladungsfeld mit offenen Zellen bildeten. Nach Evakuierung wurde das Feld mit einem inerten ionisierbaren Gas,
bestehend zu 99,9 Atom-% aus Neon und zu 0,1 Atom-% aus Argon, gefüllt. Nach Alterung des Feldes
über 50 Stunden, während der die dynamische Brennspannung auf etwa +18 Volt anstieg, verflachte
sich die Spannung mit einer Änderung von nur —2 Volt über die nächsten 500 Stunden Feldbetriebszeit Die
Höhe der dynamischen Brennspannung nach Alterung war etwa 225 Volt).
Die Vorteile bestehen vor allem darin, daß sich die Betriebsspannungen des Gasentladungsfeldes über eine
gegebene Feldbetriebszeit nicht merklich ändern oder schwanken, wodurch die Wirksamkeit und die Lebensdauer
des Gasentladungsfeides verbessert wird.
Wird im Gegensatz hierzu keine Oxydschicht auf die Ladungsspeicherflächen aufgebracht, so erforderte die
Alterung etwa 100 Stunden, bevor sich die dynamische Brennspannung bei einer Höhe von etwa 140 Volt
verflachte.
Dies zeigt, daß die Alterungszeit des so hergestellten
Gasentladungsfeldes wesentlich vermindert wird, wenn eine Oxydschicht auf die elektrischen Schichten
aufgebracht wird
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, die Feldbetriebsspannungen für eine
gegebene Feldbetriebszeit wesentlich zu vermindern und außerdem zu stabilisieren.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Schicht von mindestens einem Oxyd von Al, Ti,
Zr, Hf oder Si mit einer zweiten Schicht aus Bleioxyd versehen ist, wobei beide Schichten in einer Gesamtmenge
aufgebracht sind, die ausreicht, die Feldbetriebsspannungen
für eine gegebene Feldbetriebszeit wesentlich zu vermindern und zu stabilisieren.
Werden so mindestens zwei Oxydschichten auf die dielektrischen Ladungsspeicherflächen aufgebracht, so
wird die Alterungszeit wesentlich verkürzt, und zusätzlich wird die Höhe der dynamischen Brennspannung
erheblich vermindert.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird jede der beiden Oxydschichten auf der dielektrischen
Ladungsspeicherfläche in einer Dicke von mindestens 100 A ,το Schicht mit einem Bereich von
100 Ä bis ein Mikron (10 000 A pro Schicht) aufgebracht.
Dabii wird mindestens eine der Oxydschichten direkt auf die Ladungsspeicherfläche des dielektrischen
Materials aufgebracht. Mindestens eine der Oxydschichten kann in situ auf der Ladungsspeicherfläche gebildet
werden, z. B. durch Aufbringen des elementaren Metalls oder Metalloids (oder einer Quelle davon) auf das
dielektrische Material und anschließendes Oxidieren. Ein solches in-situ-Verfahren umfaßt das Aufbringen
des geschmolzenen Metalls oder Metalloids auf die Ladungsspeicherfläche und Oxidieren der Schmelze
während sie sich abkühlt. Ein anderes in-situ-Verfahren besteht im Aufbringen einer Quelle für das Metall oder
das Metalloid auf die Oberfläche. Beispiele für solche oxidierbaren Quellen sind Minerale und/oder Verbindüngen,
die das Element enthalten, insbesondeie Organometall- oder Organometalloid-Verbindungen,
welche durch Wärme schnell zersetzt oder pyrolisiert werden.
!ede Oxydschicht (oder eine Quelle davon) wird auf irgendeine bekannte Weise aufgebracht, z. B. durch
Dampfabscheidung, Vakuumabscheidung, Aufsprühen
einer Mischung oder Lösung des suspendierten Oxyds auf die Oberfläche oder Aufsprühen einer Lösung des
Oxyds und Verdampfen der Flüssigkeit, Trockenaufsprühen des Oxyds auf die Oberfläche, Elektronenstrahlverdampfung,
mittels Plasmabrenner und/oder Lichtbogenversprühen und/oder Abscheiden und Kathodenstrahlzerstäubungstechnik.
Jedes ausgewählte Oxyd wird auf die dielektrische Oberfläche als sehr dünner Film oder sehr dünne
Schicht aufgebracht oder auf ihr gebildet Die Dicke und Menge beider Oxydfilme oder Schichten ist ausreichend,
um die Betriebsspannungen als eine Funktion der Feldbetriebszeit wesentlich zu vermindern und merklich
zu stabilisieren. Die beiden Oxydschichten können in einer Gesamtdicke und in einer Menge aufgebracht
werden, die ausreicht, die Feldbetriebsspannungen synergetisch zu vermindern, & h. eine Feldbetriebsspan- ι ο
nung zu schaffen, die kleiner ist als die Betriebsspannung jeder einzelnen Schicht
Bei der Herstellung eines Gasentladungsfeldes wird das dielektrische Material meist auf die Oberfläche eines
tragenden Glassubstrates oder eine Grundlage, auf welche die Elektroden- oder Leiter-Elemente vorher
aufgebracht sind, aufgetragen und gehärtet Das Glassubstrat kann irgendein geeignetes Glas sein, z. B.
ein Soda-Kalk-Glas. Zwei Glassubstraie mit Elektroden
und gehärteten Dielektrikum werden dann in geeigneter Weise unter Bildung eines Feldes heiß miteinander
verschmolzen.
Jede Oxydschicht kann auf die Ladungsspeicherfläche des gehärteten Dielektrikums aufgebracht werden,
bevor das Feld heiß verschmolzen wird.
Es hat sich gezeigt daß abhängig von den bestimmten Oxydschichten und Kombinationen davon die Anwendung
der Erfindung besonders günstig über gegebene Feldbetriebszeitperioden ist Beste Ergebnisse werden
nach geeigneter Alterung des Feldes erreicht, wobei die erforderliche Dauer der Alterung eine Funktion der
verwendeten Oxyde ist Feldalterung ist definiert als die angefallene Gesamtbetriebszeit des Feldes.
Das folgende Beispiel veranschaulicht eine besonders gute Ausführungsform der Erfindung.
Die Herstellung des Feldes wurde wie im Beispiel des älteren Vorschlages (DT-OS 21 35 889) beschrieben
vorgenommen, und zwar unter Verwendung einer ersten Schicht aus Aluminiumoxyd mit einer Dicke von
1000 A und einer zweiten Schicht über der ersten
Schicht aus Bleioxyd mit einer Dicke von 1000 Ä. Nach
30stündiger Alterung des Feldes, während welcher sich die dynamische Brennspannung um etwa —4 Volt
verminderte, verflachte sich die Spannung ohne wesentliche Änderung über die nächsten 530 Stunden
Feldbetriebszeit. Die Höhe der dynamischen Bremispannung
nach Alterung betrug etwa 115 Volt und hat
sich synergetisch vermindert, wie ein Vergleich mit dem Beispiel des älteren Vorschlags und mit dem folgenden
Beispiel zeigt, indem nur eine Bleioxydschicht allein aufgebracht ist:
Die Herstellung des Feldes wurde wie beschrieben durchgeführt unter Verwendung einer Bleioxydschicht
mit einer Dicke von lOOOÄ anstelle einer Aluminiumoxydschicht.
Nach drei Stunden Alterung des Feldes, während der die dynamische Brennspannung auf etwa
+ 10 Volt stieg, verflachte sich die Spannung mit einer Änderung von nur +4 Volt während der nächsten 570
Stunden Feldbetriebszeit. Die Höhe der dynamischen Brennspannung nach Alterung betrug etwa 145 Volt.
Claims (3)
1. Gasentladungsfeld mit einer ionisierbaren Gasfüllung in einem Entladungsraum, der von einem
Paar sich gegenüberstehender I^adungsspeicherflächen
aus dielektrischem Material gebildet wird, mit einer Vielzahl paralleler Elektroden auf den dem
Gasentladungsraum abgekehrten Seiten der Ladungsspeicherflächen, wobei die Elektroden auf der
einen Ladungsspeicherfläche transversal in bezug zu den Elektroden auf der anderen Fläche angeordnet
sind, und mit einer Schicht von mindestens einem Oxyd von Al, Tl, Zr, Hf oder Si auf jeder
Ladungsspeicherfläche, dadurch gekennzeichnet, daß diese Schicht mit einer zweiten
Schicht aus Bleioxyd versehen ist, wobei beide Schichten in einer Gesamtmenge aufgebracht sind,
die ausreicht, die Feldbetriebsspannungen für eine gegebene Feldbetriebszeit wesentlich zu vermindern
und zu stabilisieren.
2. Gasentladungsfeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke jeder Schicht auf
jeder Ladungsspeicherfläche mindestens lOOÄ
beträgt
3. Gasentladungsfeld nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke jeder Oxydschicht
zwischen 100 und 10 000 Ä liegt.
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Legal Events
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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