DE2136061C3 - Stromverstärkerschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Stromverstärkerschaltung, wie sie im Oberbegriff des Anspruchs I vorausgesetzt ist.

Als Stromverstärker ist hier eine Schaltungsanordnung bezeichnet, die bei Zuleitung eines Eingangsstromes einen diesem direkt proportionalen Ausgangsstrom liefer'. Die vorliegende Stromverstärkerschaltung läßt sich sowohl mit diskreten Bauelementen als auch in integrierter Form aufbauen und ist besonders gut: für letzteres geeignet.

Die meisten der bekannten in integrierter Bauweise hergestellten Stromverstärker arbeiten mit mindestens zwei Transistoren, die im einfachsten Fall im wesentlichen identisch sind. Die beiden Transistoren sind dicht beieinander auf einem einzigen integrierten Schaltungsplättchen angeordnet, so daß sie den gleichen Wärmeverhältnissen ausgesetzt sind. Die stromverütärkende Wirkung wird dadurch erhalten, daß die Basis-Emitterkreise der beiden Transistoren parallel geschaltet sind und der Kollektor des einen Transistors direkt an den Verbindungspunkt der zusammengeschalteten Bauen angeschlossen ist Der eine Transistor arbeitet diodenartig und dient als Eingangselement, während der andere Transistor an seinem Kollektor den gewünschten Ausgangsstrom liefert Die Schaltungsanordnung kann so abgewandelt werden, daß sie mit im wesentlichen fester Stromverstärkung (oder Stromabschwächuing) arbeitet, indem man die Basis-Einitter-Obergangsflächen der beiden Transistoren unterschied- lieh groß macht Die Verstärkung wird dann im wesentlichen durch das Verhältnis der Basis-Emitterfläche des Aiisgangstransistors zur Basis-Emitterfläche des Eingangselements bestimmt Bei einem solchen Stromverstärket· ist für niedrige Werte von β (Basis-Kollek- tor-Stromverstärkung der einzelnen Transistoren) die Stromverstärkung von diesem ß-Wert abhängig. Da der /£-Wert eines Transistors temperaturabhängig ist, ist folglich die Verstärkung eines solchen Verstärkers ebenfalls temperaturabhängig. Ferner haben diese

2Q Verstärker einen verhältnismäßig niedrigen Ausgangswiderstand, so daß ihre Verstärkung bei Betriebsspannungsschwankungen schwankt In vielen Anwendungsfällen von Stromverstärkern ist es, damit die Auswirkungen von Betriebsspannungsänderungen minimali- siert werden, erwünscht, daß der Ausgangswiderstand größer ist als der bei den Schaltungen mit zwei Bauelementen erhältliche Wert

In der deutschen Offenlegungsschrift 19 48 850 ist eine Stromverstärkerschaltung mit einem ersten Transi stör vorgeschlagen, dessen Emitter an einen Pol einer Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist und dessen Kollektor der Eingangsstrom zugeführt wird, ferner mit einer über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors geschalteten Stabilisierungsdiode und einem von seinem Kollektor zu seiner Basis geschalteten Verbindungszweig, der die Basis-Emitter-Strecke eines zweiten Transistors enthält, dessen Kollektor der zum zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle geführte Ausgangsstrom entnommen wird.

Ahnliche Schaltungen sind im »IEEE Journal of Solid-State Circuits« Vol. SC4, Nr. 3, Juni 1969, Seiten 110 bis 121 und in der Veröffentlichung »The Operational Transconductance Amplifier — A New Circuit Dimension« des EEE Siminar on Linear ICs,

Paris, vom 31. März bis 3. April 1970 beschrieben.

Es ist ferner bekannt (Digest of Technical Papers der 1962 International Solid-State Circuits Conference vom Februar 1962, Seiten 98 und 99, insbesondere F i g. 2), bei einer Kaskadenschaltung von Transistoren in einem

so Leistungsverstärker, bei welcher die Basis des nachfolgenden Transistors jeweils vom Emitter des vorangehenden Transistors, ähnlich einer Darlington-Schaltung, angesteuert wird, den Basis-Emitter-Strecken der einzelnen Transistoren entgegengesetzt gepolte Dioden parallel zu schalten, wobei diese Dioden eine Diodenkette zwischen der Basis des ersten Transistors und dem mit Masse verbundenen Emitter des letzten Transistors bilden. Die Basis des ersten Transistors erhält außerdem über einen Widerstand von 3,9kOhm eine negative

6ö Vorspannung von - 12 V. Am Ende eines der Basis des ersten Transistors zugeführten zu verstärkenden Impulses werden die in den Basis-Emitter-Strecken der hintereinandergeschalteten Transistoren gespeicherten Ladungsträger über den erwähnten Widerstand abgelei tet. Die Größe dieses Widerstandes, der zur Verhinde rung eines Signalkurzschlusses an der Basis des ersten Transistors nicht zu klein bemessen werden darf, begrenzt jeduch die Geschwindigkeit, mit welcher die

gespeicherten Ladungen abgeführt werden können, und damit die Abschaltzeit des Verstärkers.

Zur beschleunigten Abführung von Ladungen aus dem Basis-Emitter-Obergang eines Transistors beim Abschalten ist es ferner aus den »Valvo-Berichten« Band IV, Heft 4, Seiten 137 bis 140 bekannt, in die Basiszuleitung ein Parallel/ZC-GIied einzufügen und den Transistor im Schaltaugenblick gegenüber dem Dauerzustand zu übersteuern, so daß die gewünschte Umladung schneller erfolgt ι ο

In der Zeitschrift »Radio-Fernseh-Phono-Praxis« Nr.8 vom 24. Juni 1965, Seiten 181 bis 184 ist in Fig.3 auf Seite 183 eine Schaltung für ein anzugverzögertes Relais mit Iinpulsüberlagerung dargestellt, bei welcher einem das Relais ansteuernden Transistor ein Ver-Stärkertransistor vorgeschaltet ist, zu dessen Basis-Emitter-Strecke eine Diode antiparallel geschaltet ist. Wenn der vorgeschaltete Verstärkertransistor in den Sperrzustand gesteuert wird, wird die Diode leitend und begrenzt auf diese Weise die an den Transistor gelegte Sperrspannung.

Auf den Seiten 102 und 103 der Veröffentlichung »Digest of Technical Papers« der »1963 International Solid-State Circuits Conference« ist ein geschalteter N F-Verstärker erläutert, bei dem zwei in Reihe liegende Leistungsschalter, an deren Verbindungspunkt die Last angeschlossen ist, durch einen Treiberverstärker gegenphasig angesteuert werden. Damit die in Darlington-Schaltung ausgebildeten Leistungsschalter schneller zugesteuert werden können, ist die Basis-Emitter-Strekke des zugehörigen Treibertransistors, welcher mit seinem Emitter die Basis des ersten Darlington-Transistors ansteuert, mittels einer entgegengesetzt gepolten Diode überbrückt

Eine etwas aufwendigere Schaltung zur Entfernung der in der Basiszone eines Leistungstransistors gespeicherten Ladungsträger beim Abschalten des Leistungstransistors ist in der DE-AS 11 58 566 beschrieben. Hier wird der Le'r.tungstransistor basisseitig ebenfalls von einem Emitterfolgertransistor angesteuert, der beim Sperren die Basisladungen aus dem Leistungstransistor nicht mehr abfließen läßt, so daß sie über den Emitterwiderstand des Emitterfolger nur langsam abfließen können. Aus diesem Grunde ist über diesen Emitterwidcrstand die Emitter-Kollektor-Strecke eines zum Emitterfolgertransistor komplementären Transistors geschaltet dessen Basis mit der Basis des Emitterfolgertransistors verbunden ist und bei dessen Sperren in den LeitungsziiJtand gesteuert wird, so daß seine Kollektor-Emitter-Strecke den Emitterfolgerwiderstand Oberbrückt und eine schnelle Abführung der Basisladungen aus dem Leistungstransistor gewährleistet.

Gegenüber den bekannten Stromverstärkerschaltungen besteht die Aufgabe der Erfindung in einer Erhöhung der Ausgangsimpedanz, Verbesserung des Hochfrequenzverhaltens und Vergrößerung der Temperaturstabilität

Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichenteil des Anspruchs I angegebenen Merkmale gelöst.

Die erfindungsgemäße Stromverstärkerschaltung eignet sich generell als aktive Last von Verstärkerelemcnten, ist jedoch auch als Spannungspegelverschiebungseinheit anwendbar.

Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Darstellungen von AusiüV'ungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt

Fig. I das Schaltbild einer integrierten Schaltung,

welche einen nach der Erfindung ausgebildeten Stromverstärker enthält und

Fig.2 eine abgewandelte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Stromverstärkers,

In Fig. 1 sind sämtliche im gestrichelten Rechteck dargestellten Schaltungselemente auf einem einzigen integrierten Schaltungsplättchen 10 angebracht

Das Schaltungsplättchen 10 hat einen ersten Eingangsanschluß 12, einen Eingangsanschluß 14, einen Anschluß 16 für die Betriebsgleichspannungsquelle (+ V), einen Ausgangsanschluß 18, einen Bezugsspannungsanschluß (Masseanschluß) 20 und einen Vorstromanschluß 22. Die Eingangsanschlüsse 12 und 14 sind an einen Differenzverstärker 24 mit zwei emittergekoppelten npn-Transistoren 26 und 28 angeschlossen. Eine npn-Transistorstromquelle 30 beliefert die Transistoren 26 und 28 mit Betriebsstrom entsprechend dem am Vorstromanschluß 22 eingespeisten Strom. Die Stromquelle 30 besteht aus einem herkömr?!fchen Stromverstärker mit einem als Diode geschalteten Eingangstransistor 32 und einem Ausgangstransistor 34. Die Basis-Emitterkreise der Transistoren 32 und 34 sind parallel zwischen den Vorstromanschluß 22 und den Masseanschluß 20 geschaltet Die Transistoren 32 und 34 sind im wesentlichen identisch und verstärken den am Vorstromanschluß 22 eingespeisten Vorstrom um den Faktor 1.

Zwischen die Kollektoren der Transistoren 26 und 28 einerseits und den Betriebsspannungsanschluß 16 andererseits ist je ein erfindungsgemäßer Stromverstärker 36 bzw. 38 als aktive Lastschaltung geschaltet Die Stromverstärker 36 und 38 werden im einzelnen nachstehend beschrieben. Die Ausgangsströme der Stromverstärker 36 und 38 werden in einer üblichen Pegelschieber- und Signalvereinigungs-Stromverstärkerstufe 40, die an den Masseanschluß 20 angeschlossen ist vereinigt Die aus einer Dioden-Transistorkombination bestehende Stufe 40 bildet aus den Ausgangsströmen der Stromverstärker 36 und 38 ein einaktiges Ausgangssignal, das am Ausgangsanschluß 18 abgenommen wird. Die Stufe 40 besteht aus einem als Diode geschalteten npn-Transistor 40a, einem im wesentlichen identischen Transistor 406, dessen Basis-. Emitterübergang mit dem des Transistors 40a parallel geschaltet ist, und einem npn-Rückkopplungstransistor 40a der mit seinem Eingangskreis (Basis-Emitterkreis) zwischen den Kollektor des Transistors 406 und die Basen der Transistoren 40a und 40b geschaltet ist. Der Ausgangskreis (Emitter-Kollektorkreis) des Transistors 40c ist an den Ausgangsanschluß IS angeschlossen.

Der Stromverstärker 36 enthält zwei npn-Transistoren 42 und 44, deren Basis-Emitterübergänge parallel geschaltet und deren Emitter an den Betriebsspannungsanschluß ( + V) 16 angeschlossen sind. Die zusammengeschalteten Basen der Transistoren 42 und 44 sind ferner direkt mit dem Kollektor des Transistors 44 am Schaltungspunkt 46 verbunden. Die Transistoren 42 und 44 haben proportionale Leitungseigenschaften, und es sei hier vorausgesetzt, daß sie in der Geometrie ihrer Basis-Emitterübergänge im wesentlichen identisch sind. In diesem Fall arbeitet der Stromverstärker 36 mit einem Stromverstärkungsfaktor von ihm wesentlichen 1. Statt dessen kann auch der Basis-Emitterübergang des Transistors 44 größer oder kleiner als der des Transistors 42 sein, so daß sich entsprechend eine Stromverstärkung ergibt, die größer oder kleiner als 1 ist. Oder es können zusätzliche als Diode geschaltete Transistoren mit dem Transistor 44 parallel geschaltet

sein, so daß sich eine Stromverstärkung ergibt, die größer als 1 ist; oder es können gleiche Transistoren mit dem Transistor 42 parallel geschaltet sein, in welchem Falle die Stromverstärkung kleiner als 1 ist. Vorzugsweise sorgt man auch dafür, daß die Transistoren 42 und 44 den gleichen Wärmeeinflüssen ausgesetzt sind, indem man sie z. B. dicht beieinander auf dem integrierten Schaltungsplättchen 10 anbringt.

Zwischen die zusammengeschalteten Kollektoren der Transistoren 26 und 42 und den Schaltungspunkt 46 ist ein Verbindungszweig in Form einer Stromverstärkungsanordnung mit einer Kaskade von pnp-Emitterfolgertransistoren 48 und 50 eingefügt. Die Transistoren 48 und 50 sind als Darlington-Verstärker ausgelegt, wobei die Basis (Eingang) des Transistors 48 mit den zusammengeschalteten Kollektoren der Transistoren 26 und 42 verbunden und der Emitter des Transistors 50 mit dem Schaltungspunkt 46 verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 48 und 50, an denen der Ausgangsstrom erzeugt wird, sind an den Eingangspunkt 52 der Stufe 40 angeschlossen.

Zwischen die Basen der Transistoren 48 und 50 ist ein im wesentlichen einwegleitendes (nur in einer Richtung stromleitendes) Element in Form des Basis-Emitterübergangs eines npn-Transistors 54 gekoppelt. Der Kollektor des Transistors 54 ist mit seiner Basis verbunden. Der Basis-Emitterübergang des Transistors 54 ist so gepolt, daß er den Strom von den zusammengeschalteten Kollektoren der Transistoren 26 und 42 in der umgekehrten Richtung wie die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 48 leitet.

Der Stromverstärker 38 ist im wesentlichen identisch ausgebildet wie der Stromverstärker 36 und enthält einen als Diode geschalteten pnp-Transistor 56. einen pnp-Transistor 58, zwei in Darlington-Schaltung ausgelegte pnp-Transistoren 60 und 62 und einen als Diode geschalteten npn-Transistor 64. Die zusammengeschalteten Kollektoren der Transistoren 60 und 62, an denen der Ausgangsstrom erzeugt wird, sind mit dem Ausgangsanschluß 18 verbunden.

im Betrieb tier Anordnung nach r ι g. i wird tier Stromquelle 30 über den Vorstromanschluß 22 ein Betriebsgleichstrom zugeleitet. Bei fehlenden Eingangssignalen verteilt sich dieser Betriebsstrom zu im wesentlichen gleichen Teilen auf die Transistoren 26 und 28. Im wesentlichen der gesamte am Kollektor des Transistors 26 auftretende Ruhebetriebsgleichstrom fließt über die Kollektor-Emitterstrecke des Transistors 42 des Stromverstärkers 36 zur Betriebsspannungsquelle ( + V). Ein verhältnismäßig kleiner Stromanteil gelangt auch zur Basis des Transistors 48. der seinerseits an den Transistor 50 einen verstär' .· Strom liefert Vom Transistor 50 gelangt der vers rkte Gleichstrom zu den zusammengeschalteten Ba' ii des als Diode geschalteten Transistors 44 und des nsistors 42. Der den Basen der Transistoren 42 und 44 zugeleitete Strom ist so groß, daß der Kollektorruhestrom des Transistors 42 annähernd gleich dem Kollektorruhestrom des Transistors 26 ist (d. h. die Summe der Ströme am Schaltungspunkt 66 Null ist). Wenn die Transistoren 42 und 44 im wesentlichen identisch sind, ist der Ausgangsstrom an den zusammengeschalteten Kollektoren der Transistoren 48 und 50 annähernd gleich dem Koüektorstrom des Transistors 26, toenso ist der Kollektorruhestrom des Transistors 28 im wesentlichen gleich dem Ruheausgangsstrom derTransistorkombination 60 und 62. Wenn die Transistoren 40a und 406 der Stufe 40 im wesentlichen identisch sind (Verstärkungsfaktor 1), ist der Kollekturruhestrom des Transistors 40c im wesentlichen gleich der Summe der Kollektorruheströme der Transistoren 60 und 62, so daß der Ruheausgangsstrom am Ausgangsanschluß 18 Null ist.

Wenn einem oder beiden der Eingangsanschlüsse 12 und 14 Signale zugeführt sind, werden diese Signale von den Transistoren 26 und 28 verstärkt. Die differential verknüpften verstärkten Signale werden über die Darlington-Verstärker 48, 50 bzw. 60, 62 auf die

ίο zusammengeschalteten Basen der Transistoren 42, 44 bzw. der Transistoren 56, 58 gekoppelt. Die Kollektorströme der Transistoren 42 und 58 ändern sich daher ebenso wie die Kollektorströme (Ausgangsströme) der Darlington-Verstärker 48, 50 und 60, 62. Die Ausgangssignale der Transistoren 48, 50 gel.-.ngen zur Stufe 40 und werden dort mit den A'.sgangssignalen der Transistoren 60. 62 vereinigt, so daß am Ausgangsanschluß 18 ein eintaktiges Ausgangssipnal erzeugt wird. Schwankungen der dem Anschluß 16 zugeleiteten Speisespannung (+ V) haben nur einen vernachlässigbar kleinen Einfluß auf die Arbeitsweise der Schaltung, insbesondere auf die Arbeitsweise der Stromverstärker 36 und 38. So liegt im Stromverstärker 36 die Speisespannung ( + V) an der Reihenschaltung der Emitter-Basisstrecke des Transistors 44, der Emitler-Kollektorstrecke des Transistors 50, der Basis-Emitterstrecke des Transistors 40c und der parallelgeschalteten Basis-Emitterstrecken der Transistoren 40a und 406. Da die Basis-Emitterspannungen der Transistoren 44, 40a.

406 und 40c im wesentlichen konstant sind, erscheinen Schwankungen der Speisespannung an der Kollektor-Emitterstrecke des Transistors 50. Da der Transistor 48 in Darlington-Schaltung mit dem Transistor 50 gekoppelt ist, ist die effektive Kollektor-Emitterimpedanz der Transistoren 48, 50 größer als die des Transistors 50 allein sowie hinlänglich groß, daß Änderungen der Kollektor-Emitterspannung einen vernachlässigbar geringen Einfluß auf den «-Wert (gemeinsame Basisstromverstärkung) der Schaltung haben. Ferner sind etwaige

■to geringfügige Änderungen des «-Wertes der Transistoicii 45 Uhu 30 ii:i Hinblick auf die Gesaiiitversiärkung der Stromverstärker 36 und 38 von nur sehr geringer Bedeutung. Diese Anordnungen ergeben daher den gewünschten hohen Ausgangswiderstand.

Es soll jetzt die Arbeitsweise der Transistoren 54 und 64 erläutert werden. Wenn das Eingangssignal z. B. am Eingangsanschluß 12 vom Ruhepegel ausreichend weit absinkt, nimmt der Kollektorstrom des Transistors 26 ab, so daß der Eingangstransistor 48 der Darlin-ton-Stufe 48,50 gesperrt wird. Wäre der Transistor 54 nicht vorhanden, so würde, wenn der Eingangstransistor 48 gesperrt wird, der Transistor 50 wegen der in seinem Basis-Emitterübergang gespeicherten Ladung sowie auf Grund der Anwesenheit eines schwachen Leckstromes weiter leiten. Der gespeicherte Ladestrom und der Leckstrom äußern sich am Ausgangsanschluß 18 als scheinbares Signal. Der Transistor 48 bietet keinen Leitungsweg für die Ableitung dieser gespeicherten Ladung.

Mit ansteigender Temperatur nimmt der Leckstrom des Transistors 50 zu, so daß der im Ausgangssignal am Ausgangsanschluß 18 auftretende Fehler temperaturabhängig sein würde.

Die«: wird jedoch durch den Transistor 54 verhindert, der so gepolt ist, daß er für Signale, die auf Grund ihrer Polarität den Transistor 48 in den gesperrten Zustand steuern, leitend ist Im leitenden Zustand leitet der Transistor 54 die im Basis-Kollektorübergang des

Transistors 50 gespeicherte Ladung ab und bildet einen Ableitweg für den Leckstrom, so daß der Transistor 50 sowie die gesamte Darlington-Stufc 48 verhältnismäßig schnell abgeschaltet wird.

Durch das Vorhandensein des Transistors 54 bzw. des Transistors 64 wird daher der Frequenzgang der Stromverstärker 36 und 38 sowie die Temperaturabhängigkeit dieses Frequenzganges verbessert.

Wie bereits erwähnt, ist das Verhältnis r-.wischen dem Kollektorstrom des Transistors 26 (Ringang des Verstärkers 36) und den vereinigten Kollektorströmen der Transistoren 48 und 50 (Ausgang des Verstärkers 36) im wesentlichen I. wenn die Transistoren 42 und 44 im wesentlichen identisch und den gleichen Umgebungseinflüssen ausgesetzt sind. Wie man aus der Schaltungsanordnung ersieht, ist dieses Verhältnis bis zu einem gewissen Grade vom J-Wert der vorhandenen pnp-Transistoren (»der ihrer Äquivalente) abhängig. Tatsächlich steigt die effektive Stromverstärkung des Verstärkers 36 (oder 38) über den Wert I an. wenn der /J-Wert der pnp-Transistoren 42,44,48. 50 abnimmt. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird auf Grund dieser Tatsache die Gesamtverstärkung des Verstärkers 24 bei schwankenden Betriebsströmen verhältnismäßig konstant gehalten, da die Stromverstärkung der Transistoren des Verstärkers 24 bei abnehmendem Betriebsstrom abnimmt. Die abnehmende Stromverstärkung des npn-Transistors und die zunehmende Stromverstärkung der Stromverstärker heben sich gegenseitig auf, so daß die Gesamtverstärkung des Verstärkers über einen weiten Bereich von unterschiedlichen Betriebsströmen verhältnismäßig konstant bleibt.

Bei der in F i g. 2 gezeigten Ausführungsform dient als Einwegleiterelement für die rasche Abschaltung des Transistors 50' ein npn-Transistor 54', der dem Transistor 54 in Fig. I entspricht, jedoch mit seinem Kollektor an den BetriebsspannungsanschluQ 16 angeschlossen ist. Mit dem Transistor 54' wird daher eine größere Verstärkung und ein etwas schnelleres Schalten erzielt als mit dem Transistor 54.

Die erfindungsgemäße Schaltung läßt sich in verschiedener Hinsicht abwandeln und anders ausgestalten.

Beispielsweise kann man an Stelle der Transistoren 44 und 54 auch anderweitige lünwegleiterelemente verwenden. Ferner kann man für dip Transistoren 4K und/oder 54 zusätzliche Vorspann oder Vorstromelemente. beispielsweise eine oder mehrere Dioden.

vorsehen, um den Sehaltvorgang des Transistors 50 noch mehr zu verbessern. In Reihe mit dem Basis-Emitterübergang des Transistors 42 und/oder des Transistors 44 kann man einen ohmsehen Widersland vorsehen, um die Eigenschaften dieser Transistoren noch mehr zu stabilisieren. Schließlich kann man auch anderweitige Bauelemente an Stelle der angegebenen Transistortypen verwenden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Stromverstärkerschaltung mit einem Eingangstransistor, dessen Emitter an den ersten Pol einer Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist, dessen Kollektor der Eingangsstrom zugeführt wird, über dessen Basis-Emitter-Strecke ein Stabilisienungs-Halbleiterübergang geschaltet ist und von dessen Kollektor zu seiner Basis ein VerbindungS2:weig geschaltet ist, welcher über die Basis-Emitter-Strekke eines Ausgangstransistors verläuft, der basisseitig an den Kollektor und emitterseitig an die Basis des Eingangstransistors gekoppelt ist und dessen Kollektor der zum zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle fließende Ausgangsstrom entnommen wird, dadurch gekennzeichnet, daß im Verbindungszweig zwischen den Kollektor des Eingangstransistors (£2) und die Basis des Ausgangstransistors (50) die Basis-Emiiter-Strecke eines mit dem Ausgangstransistor (50) zu einer an sich bekannten Stromverstärkerkaskade (Darlington-Schaltung 48, 50) zusammengeschalteten Stromverstärkertransistors (48) eingefügt ist und daß zwischen die Basen dieses Transistors (48) und des Ausgangstransistors (50) in an sich bekannter Weise ein pn-übergang (z. B. Basis-Emitter-Strecke des Transistors 54) mit solcher Polung eingeschaltet ist, daß er bei Anliegen von den Stromverstärkertransistor (48) sperrenden Signalen zur !-adungsträgerabführung aus der Basis des Ausgangstransistors (50) leitet

2. Stromvarstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang durch die Basis-Emitter-Streckc eines Transistors (54) gebildet wird, dessen Kollektor mit seiner Basis verbunden ist

3. Stromverstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang durch die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors (54') gebildet wird, dessen Kollektor an den ersten Pol (16) der Betriebsspannungsquelle geführt ist.

4. Stromverstärkerschaltung nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang durch eine Halbleiterdiode gebildet wird.