DE2103044B2 - Informationsspeichersystem mit einer Strahlenquelle zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlen - Google Patents

Description

sichtbarem Licht, aufweist, wodurch beispielsweise das in den beiden stabil haltbaren Strukturzuständen unterschiedliche Lichtbrechungsverniögen ausnutzbar ist

Die Anwendbarkeit ist jedoch nicht auf sichtbares Licht beschränkt, so daß auch Abfragestrahlen außerhalb des Bereiches sichtbaren Lichtes verwendet werden können. Das erfindungsgecäße System ist daher auch zur Herstellung von »Geheimspeichern« anwendbar.

Dicht gepackte Datenbits in der Größenordnung ,on 1 μίτι Breite können auf amorphem Halbleitermaterial mit relativ geringer oder ohne durch Staubteilchen oder andere Fremdobjekte auf der Oberfläche des transparenten Materials erzeugte Interferenz aufgezeichnet werden. Außerdem reicht der kumulative Effekt der Teilchen an jeder Seite des Aufzeichnungsmediums während des Aus- bzw. Ablesens oder Ausspeicherns bzw. während der Abgabe der Information aus dem amorphen Halbleitermaterial nicht aus, um einen Fehler im Betrieb des Informationen speichernden Systems zu erzeugen. Das Aufzeichnungsmedium bzw. der Datenträger kann so gehandhabt werden, daß er in einer relativ unüberwachten Umgebung ohne nachlassende Genauigkeit funktioniert

Andere Vorteile der Erfindung sind dem Fachmann aus der folgenden Beschreibung, Anspruchsfassung und der Zeichnung ersichtlich, in der

F i g. 1 ein schematisches Diagramm, das s'm die Erfindung verkörperndes System darstellt, in dem ein amorphes, halbleitendes Dünnfilm-Speichermaterial zwischen zwei transparente Substrate sandwichar'ig eingefügt ist, und

Fig.2 eine vergrößerte Ansicht des Teils des Speichermediums und des transparenten Materials von j5 F i g. 1 zeigt.

Das in F i g. 1 dargestellte, Informationen speichernde System weist eine Speichereinheit 10 auf, in der Informationen in Form von Datenbits gespeichert werden. Ein LASER-Strahl 12 wird durch eine LASER-Quelle 14 erzeugt. Der Strahl 12 wird alternativ von einem Modulator 16 gesperrt und durchgelassen und ebenfalls in seiner Intensität geregelt bzw. gesteuert. Ein zweidimensionaler Reflektor 18 (Ablenkeinrichtung) ändert die Richtung des Strahls 12. Eine Linse 20 bündelt den Strahl 12 auf der Speichereinheit 10, und der aus der Speichereinheit 10 austretende Strahl 12 wird durch eine Linse 22 auf einem Detektor 24 (Demodulator) gebündelt.

Die Gedächtnis- bzw. Speichereinheit f0 ist aus amorphem Halbleiter-Dünnfilmmaterial aufgebaut, das zwischen zwei Substrate 28 und 30, die aus einem gegenüber einem LASER-Strahl 12 transparenten Material zusammengesetzt sind, sandwichartig eingefügt ist. Der amorphe Film 26 weist zwei stabile Zustände auf und kann zwischen stabilen Zuständen durch Anwendung eines LASER-Strahls 12 umgeschaltet werden. In einem Zustand befindet sich der Film 26 in einem im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand, während der Film 26 im oberen Zustand einen kristallinen oder stärker geordneten Zustand aufweist. Jedem dieser Zustände ist ein unterschiedlicher Index der Lichtbrechung, des Oberflächenreflektionsvermögens, der Lichtabsorbtion des Lichtdurchlassungsvermögens, der Teilchen- oder Lichtstreuung u. dgl. zu M eigen. Demgemäß wird der durch den Detektor 24 gesammelte Energiebetrag durch den Zustand bestimmt, in dem sich der amorphe Film 26 an derjenigen Stelle befindet, an der der Strahl 12 durch die Speichereinheit 10 hindurchtritt Wenn sich der Film 26 in dem im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand befindet, ist das durch den Detektor 24 erzeugte Signal größer als ein Signal, das durch den Strahl 12 erzeugt wird, wenn es durch einen Teil des Films 26 hindurchtritt der sich im kristallinen oder stärker geordneten Zustand befindet Eine nähere Beschreibung und Details sind in der US-PS 36 96 344 bzw. der deutschen Patentanmeldung P 21 02 215.1 und in der US-PS 35 30 441 bzw. der deutschen Patentanmeldung P 19 42 1933 beschrieben.

Ein Datenverarbeitungssystem 32 steuert das Eingeben, Einschreiben bzw. Einspeichern und das Auslesen bzw. Entnehmen von Informationen in bzw. aus dem Speichersystem von F i g. 1. Signale auf einer Leitung 34 steuern den Betrieb der LASER-Quelle 14, die einen LASER-Strahl erzeugt der aus kohärentem und parallelstrahligem LASER-Licht aufgebaut ist Der Modulator 16 wird unter der Steuerung des Datenverarbeitungssystems 32 über Signale auf einer Leitung 36 betrieben. Der Modulator 16 steuert den Energiebetrag im LASER-Strahl 12, der die Speichereinheit 10 erreicht Soll ein Datenbit in die Speichereinheit 10 eingeschrieben werden, erlaubt der Modulator 16 einem größeren Impuls von LASER-Energie hindurchzutreten. Dieser Impuls schaltet den amorphen Film 26 in seinen kristallinen oder stärker geordneten Zustand. Soll ein Datenbit aus der Speichereinheit 10 gelöscht werden, erlaubt der Modulator 16 einem kleineren Impuls hindurchzutreten, um zu gestatten, daß der amorphe Film 26 in den im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand umschaltet. Während des Auslese- bzw. Ausspeichervorgangs gestattet der Modulator 16 nur einem niedrigen Pegel der LASER-Energie, die Speichereinheit 10 zu erreichen, der gerade ausreicht, um festzustellen, ob sich der Film 26 in dem im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand oder in dem kristallinen oder stärker geordneten Zustand befindet.

Der Ablenker 18 richtet den Strahl 12 in zwei Dimensionen in Abhängigkeit von einer Ablenksteuereinrichtung 38, die unter der Steuerung von Signalen auf einer Leitung 40 vom Datenverarbeitungssystem 32 betrieben wird. Der Ausgang des Detektors 24 ist über eine Leitung 44 an einen Verstärker 42 angeschlossen. Der Verstärker 42 liefert ein Signal über eine Leitung 46 an das Datenverarbeitungssystem. Während des Auslesens bzw. Ausspeicherns synchronisiert das Datenverarbeitungssystem 32 die die Ablenkung steuernden Signale auf der Leitung <Ά mit den Ausgangssignalen auf der Leitung 46, um die gespeicherten Daten an irgendeiner geeigneten Stelle in der Speichereinheit 10 festzustellen bzw. zu bestimmen.

F i g. 2 veranschaulicht einen Teil der Speichereinheit 10 in einer erheblich vergrößerten Ansicht. Die gleichen Bezugszeichen sind für gleiche Elemente verwendet. Der LASER-Strahl 12 wird in einer Speicherebene 48 gebündelt, die sich innerhalb des amorphen Films 26 am Rand der Grenzfläche zwischen dem transparenten Substrat 28 und dem amorphen Film 26 befindet. In F i g. 2 sind drei Datenbits 50 veranschaulicht. Diese Datenbits 50 sind durch Anwendung eines fokussieren LASER-Strahls 12 in der Speicherebene 48 gebildet. Während des Auslesens bzw. Ausspeicherns, wenn der Stranl 12 an einem der Flecken bzw. Stellen in der Speicherebene 48 gebündelt wird, an der sich ein Datenbit 50 befindet, erzeugen die elektromagnetischen

Eigenschaften des kristallinen oder stärker geordneten Zustandes des dünnen Films 26 an dieser Stelle einen größeren Effekt auf den LASER-Strahl 12. Dieser Effekt wird, wie unter Bezugnahme auf F i g. 1 beschrieben, durch den Detektor 24 festgestellt bzw. bestimmt. Wenn der LASER-Strahl 12 an einem Fleck bzw. einer Stelle in der Speicherebene 48 gebündelt ist, an dem bzw. an der sich der Film 26 in dem im allgemeinen amorphen oder ungeordneten Zustand befindet, ist der LASER-Strahl 12 relativ störungsfrei bzw. ungestört, und der Detektor 24 sammelt einen relativ großen Energiebetrag und zeigt die Abwesenheit eines Datenbits an dem entsprechenden Fleck bzw. an der entsprechenden Stelle in der Speicherebene 48 an.

Die Datenbits 50 können in der Form von ι-iim-^tellen bzw. -Flecken auf dem Sⁿeicherfi!m 26 gespeichert werden. Während der LASER-Strahl 12 in F i g. 2 so dargestellt ist, daß er in einen winzigen bzw. sehr kleinen Fleck bzw. an einer winzigen Stelle der Speicherebene 48 gebündelt wird, kann die Fläche des gebündelten Strahls in der Größenordnung von 1 μιη oder auch einiger Mikrometer sein. In F i g. 2 sind an der Grenzfläche zwischen dem transparenten Substrat 28 bzw. 30 und der die Speichereinheit 10 umschließenden Umgebung zwei andere Ebenen 52/4 und 52ß dargestellt. Diese Umgebung kann typischerweise die Atmosphäre oder eine stärker gesteuerte Umgebung wie eine solche sein, die sich in einer evakuierten Umhüllung befindet. In jedem Fall kann erwartet werden, daß sich Staubteilchen oder andere Fremdkörper, wie die mit 54/4 und 54ß bezeichneten, an der Außenfläche der Substrate 28 und 30 ansammeln. Diese Teilchen 54/4 und 54ß können in der Größenordnung von 1 u.m oder auch beträchtlich größer sein. Falls sich eines dieser Teilchen auf der Speicherebene 48 an dem Fleck bzw. an der Stelle befindet, an der der LASER-Strahl 12 gebündelt ist, würde ein großer Effekt auf den aus der Speichereinheit austretenden LASER-Strahl erzeugt werden. Entsprechend würde der Detektor 24 einen relativ kleinen Energiebetrag sammeln und ein Signal auf der Leitung 46 erzeugen, das von dem Datenverarbeitungssystem 32 als Vorhandensein eines Datenbits an der entsprechenden Stelle auf dem Speicherfilm 26 interpretiert würde. Wegen ihrer Lage an den Außenflächen der Substrate 28 una 30 führen die gleichen Teilchen 54/4 und 54ß jedoch nur zu einem geringen Effekt auf dem Strahl 12.

Die Querschnittsfläche des LASER-Strahls 12 in jeder Ebene 52A und 52ß ist beträchtlich größer (in der Größenordnung von mehr als 1000:1) als die Querschnittsfläche des gebündelten Flecks auf der Ebene 48. Dies ermöglicht den Teilchen 54/4 und 54ß, einen Teil des LASER-Lichtes zu zerstreuen, zu absorbieren oder anderweitig zu verzerren, der im Strahl 12 enthalten ist, ohne den Energiebetrag, der im Fall der Teilchen 54A in der Speicherebene 48 fokussiert ist, oder, im Falle der Teilchen 54ß, den durch den Detektor 24 gesammelten Energiebetrag erheblich zu beeinflussen.

Die relative Größe der Querschnittsflächen des LASER-Strahls 12 in den Ebenen 48,52/4 und 52ß kann in einer Anzahl verschiedener Weisen geändert werden. Die Brennpunktlänge der Linse 20 und die Dicke der transparenten Substrate 28 und 30 sind zwei Beispiele. Bezugnehmend auf F i g. 1 ist eine vordere Fokus- bzw. Brennpunktebene 56 der Linse 20 als in dem Ablenker 18 befindlich dargestellt während die hintere Fokusbzw. Brennpunktebene der linse 20 mit der Speicher- ebene 48 zusammenfällt. Auf diese Weise konvergieren alle parallelen Lichtstrahlen, die in die Linse 20 eintreten, an einem Brennpunkt bzw. einem Fokus auf der Speicherebene 48. Außerdem regelt die Richtung des durch die Ablenksteuereinrichtung 38 bestimmten LASER-Strahls 12 diese spezielle Stelle bzw. den speziellen Fleck, an der bzw. dem der LASER-Strahl 12 auf der Speicherebene 48 fokussiert bzw. gebündelt wird. Der Abstand zwischen der Linse 20 und der Ebene 48 bestimmt den Betrag der Konvergenz oder Divergenz der Strahlen im Strahl 12. Durch Dickermachen der transparenten Substrate 28 und 30 wird festgestellt, daß die Querschnittsfläche des Strahls 12 in den Ebenen 52/4 und 52ß vergrößerbar ist. Ein typisches Beispiel des Unterschiedes der Querschnittsflächen zwischen 52.4 und S—B und der Ebene 48 die sis geeignet befunden wird, benutzt eine Linse 20, die eine Fokus- bzw. Brennpunktebene 48 aufweist, die sich in einem Abstand von 5 mm von dort befindet. Der amorphe dünne Film 26 hat eine Dicke von 5 μιη, und die transparenten Substrate 28 und 30 haben Dicken von je 1 mm. Wenn angenommen wird, daß sich die Ebene 38 an der Grenzfläche zwischen dem amorphen dünnen Film 26 und dem transparenten Substrat 28 befindet, der Durchmesser des Strahls 12 vor dem Fokussieren 5 mm und die gebündelte Stelle bzw. der fokussierte Fleck 10 μπι im Durchmesser beträgt, dann weist das Verhältnis der Querschnittsfläche des Strahls 12 in der Ebene 52/4 zur Querschnittsfläche des Strahls 12 in der Ebene 52/4 zur Querschnittsfläche am fokussierten Fleck in der Ebene 48 etwa 10 000 auf. Das Verhältnis der Querschnittsfläche des Strahls 12, der an der Ebene 52ß austritt, zur Querschnittsfläche am fokussierten Fleck in der Ebene 48 ist ebenfalls etwa

J5 10 000. Demgemäß beeinflussen die Elemente 54/4 den Strahl 12 nur zu etwa 0,01%, so viel wie dann, wenn sie sich in der Speicherebene 48 befinden würden. In gleicher Weise beeinflussen die Elemente 54ß den Strahl 12 nur zu etwa 0,01%, so viel, wie wenn jene Elemente den Strahl bei einer Anordnung in der Speicherebene 48 beeinflussen würden. Daraus ist ersichtlich, daß die Bits 50 genau aufgezeichnet bzw. gespeichert werden können, obwohl eine gewisse Verzerrung in der Ebene 52/4 stattfindet, und daß die Datenbits 50 während des Auslesens bzw. Abfragens genau festgestellt werden können, obwohl eine gewisse Verzerrung in der Ebene 52ß vorhanden ist.

Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf »unterschobene« Staubteilchen oder andere Fremdelemente beschrieben wurde, die sich an den Außenflächen der Substrate 28 und 30 sammeln, ist die Erfindung verwendbar, wenn sich die Elemente 54/4 und 54ß mit Vorbedacht auf diesen Substraten anordnen. Die Außenflächen können beispielsweise zu Ausrichtungs- oder Synchronisierzwecken in den Speichersystemen während jedes Einschreib-, Auslese- oder andersmodigen Vorgangs mit Recken bzw. Stellen markiert werden. Bei noch anderen Anwendungen können zusätzliche Datenbits entweder in der Ebene 52/4 oder

w) der Ebene 528 gespeichert und die Fokus- bzw. Brennpunktebene der Linse 20 kann aus der Ebene 48 entweder in die Ebene 52Λ oder 52ß verschoben werden, um die Einschreib-, Auslese- oder andere Systemfunktionen zu vervollständigen. Eine Anzahl

*>"> amorpher dünner Filme 25 kann in einer Vielzahl von Stapeln oder sandwichartig zwischen drei oder mehr transparente Substrate wie den Substraten 28 und 30 niedergeschlagen werden, um eine vielschichtige

Speichereinheit 10 zu bilden. Durch Einstellung der Fokus- bzw. Brennpunktebene der Linse 20 kann ein spezieller amorpher dünner ^r Im für den Einschreiboder Auslesevorgang iuSgeWahlt werden. Die in benachbarten oder weiter entfernten Dünnfilm-Speicherebenen gespeicherten Datenbits 50 können Änderungen im LASER-Strahl 12 erzeugen, die nicht ausreichen, um den Betrieb des Speichersystems zu beeinflussen.

Die dargestellte Speichereinheit 10 ist permanent montiert. Sie kann jedoch auch in bezug auf einen ortsfesten Strahl bewegbar sein, so daß der LASER-Strahl 12 auf einem ausgewählten Fleck bzw. einer ausgewählten Stelle auf der Speicherebene 48 fokussiert wird.

Nach der Erfindung können auch Filme verwendet werden, die aus anderen Materialien zusätzlich zu amorphem Halbleitermaterial zusammengesetzt sind. So können beispielsweise Filme aus thermoplastischem Material, die durch die Anwendung von elektromagnetischer Energie umgebildet oder umgeformt und durch Anwendung gleicher oder unterschiedlicher Energie zurückgebildet werden können, als Film 26 verwendet werden. Falls Reversibilität nicht erwünscht ist, kann die Erfindung in Systemen verwendet werden, die photographische Aufzeichnungsmedien benutzen.

Das hier beschriebene, Informationen speichernde System verwendet insbesondere einen zwischen zwei transparente Substrate sandwichartig eingefügten dünnen, amorphen Halbleiterfilm. Auf dem dünnen Film

ίο wird ein LASER-Energiestrahl fokussiert bzw. gebündelt, und zwar mittels einer Linse, die eine genügend kleine Fokus- bzw. Brennpunktlänge im Vergleich zur Dicke der Substrate aufweist, so daß Staubteilchen an den äußeren Oberflächen der Substrate sich in einer

!5 Ebene befinden, die sich wesentlich außerhalb des Fokus bzw. Brennpunktes der Linse befindet. Demgemäß beeinflussen diese Teilchen das Speichern und Wiederauslesen von Datenbits nicht, die als diskrete Flecken bzw. Stellen kristalliner oder stärker geordneter Struktur im amorphen Film gespeichert sind.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Informationsspeichersystem mit einer Strahlenquelle zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlen, einer Fokussiereinrichtung zum stark konvergenten Bündeln der Strahlen und mit einer Speicherschicht, von der bestimmte kleine Bereiche durch die Strahlen in ihrer Eigenschaft von einem ersten stabilen Zustand in einen anderen stabilen Zustand änderbar sind, bei dem die Speicherschicht mindestens auf einer Seite von einer im wesentlichen strahlendurchlässigen Deckschicht derart abgedeckt ist, daß die Speicherfläche der von den gebündelten Strahlen in der Nähe von deren Brennpunkt erreichten Speicherschichtbereiche jeweils wesentlieh kleiner ist als die entsprechende Auftrefffläche der von demselben Strahlenbündel erreichten Fläche an der der Speicherschicht abgewandten Deckschichtseite, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (26) Halbleitermaterial aufweist, dessen Strukturzustand durch die Strahlen (12) von einem ungeordneten, im allgemeinen amorphen Zustand in einen stärker geordneten, im wesentlichen kristallinen Zustand änderbar ist.

2. Informationsspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (26) aus Halbleitermaterial besteht, dessen unterschiedliche Strukturzustände eine unterschiedliche Lichtbrechung hervorrufen.

3. Informationsspeichersystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (26) eine Schichtdicke von μπι und die Deckschicht (28, 30) eine Schichtdicke von mm aufweist.

4. Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Auftrefffläche der Deckschicht (28, 30) zur Speicherfläche (50) der Speicherschicht (26) größer als 1000 ist.

5. Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (26) zusätzlich thermoplastisches Material aufweist, das durch elektromagnetische Energie umformbar ist.

6. Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherschicht (26) zwischen die im wesentlichen strahlendurchlässige Deckschicht (28) und eine weitere im wesentlichen strahlendurchlässige zweite Deckschicht (30) so sandwichartig eingefügt ist, daß die der Speicherschicht (26) abgewandten Außenflächen genügend weit von der Speicherebene (48) entfernt sind, so daß die Querschnittsfläche des Strahls (12) an beiden Außenflächen größer als die betreffende Speicherfläche (50) des an einer Stelle bzw. an einem Fleck auf der Speicherebene (48) gebündelten Strahls (12) ist.

7. Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Ausgangslinse (22) zum Sammeln des Strahls (12) nach dem Durchgang durch die Speicherschicht (26) und durch einen Detektor (24) bzw. Demodulator zum Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit vom Betrag der durch die Ausgangslinse (22) gesammel- fe5 ten Energie.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Informationsspeichersystem mit einer Strahlenquelle zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlen der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Gattung.

Ein derartiges Speichersystem ist bereits vorgeschlagen worden (DE-PS 17 74 265). Bei diesem besteht die Speicherschicht aus fotochemischem Material, wie Spiropyran oder anderem Farbfilmmaterial, dessen das Durchlaßvermögen bzw. Reflexionsvermögen gegenüber sichtbarem Licht bestimmender Zustand durch elektromagnetische Strahlen änderbar ist. Um eine Information, beispielsweise ein Datenbit, in der Speicherschicht zu speichern, wird diese an der betreffenden Speicherfläche, an der die Belichtung in der Nähe des Brennpunktes der gebündelten Energiestrahlen stattfindet, verfärbt Da der Abstand von der Speicherfläche zur Auftrefffläche, d.h. die Dicke der Deckschicht, und das Ausmaß der Konvergenz der Bündelung der Strahlen so gewählt sind, daß sich ein verhältnismäßig großes Verhältnis zwischen der Auftrefffläche und der Speicherfläche ergibt, wird eine Informationsverfälschung bei an der Auftrefffläche befindlichen einzelnen Staubteilchen vermieden oder zumindest in Grenzen gehalten. Das System zeichnet sich anderen Informationsspeichersystemen gegenüber daher durch größere Genauigkeit aus. Nachteilig ist allerdings, daß die einmal »eingespeicherten« Informationen praktisch nicht mehr veränderbar sind und die Speicherschicht praktisch nicht mehr zum Einspeichern anderer Informationen an der gleichen Stelle verwendet werden kann. Darüber hinaus ist dieses Speichersystem nur anwendbar auf solche zum Ablesen der eingespeicherten Informationen dienende Strahlen, die auf das fotochemische Verändern des Zustandes der betreffenden Speicherfläche ansprechen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dieses Speichersystem dahingehend zu verbessern, daß ebenfalls ohne Informationsverfälschung auch bei Anwesenheit von Staubteilchen oder anderen Partikeln an der Außenfläche der Deckschicht die Informationen mehrfach und insbesondere beliebig oft durch nachfolgendes Bestrahlen mit dem Energiestrahl änderbar sind. Erst hierdurch wird das Informationsspeichersystem praktisch universell anwendbar.

Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet und in Unteransprüchen sind weitere Verbesserungen und Ausbildungen derselben beansprucht.

Bei der Erfindung können solche amorphen Halbleiterfilme zur Anwendung gelangen, die bereits bekannt sind (US-PS 35 30 441). Das Halbleitermaterial »schaltet« praktisch von einem Ausgangszustand, insbesondere dem amorphen, in den anderen Zustand, insbesondere einen kristallinen Zustand, sobald die dort vorhandene Energie einen bestimmten Schwellwert überschritten hat. Im Gegensatz zu dem bereits vorgeschlagenen fotochemischen System, bei dem im Speichermaterial keine strukturelle Änderung stattfindet, kann das bei der Erfindung verwendete Halbleitermaterial vom zweiten Strukturzustand, beispielsweise dem kristallinen Zustand, durch geeignete Anwendung von Energiestrahlen wieder zurück in den insbesondere amorphen Ausgangszustand geschaltet werden. Insofern steht ein jederzeit neu mit Informationen beaufschlagbarer Speicher zur Verfugung.

Darüber hinaus hat ein solches amorphes Halbleitermaterial auch den Vorteil, daß es aufgrund seiner Strukturänderungen unterschiedliche Eigenschaften gegenüber elektromagnetischen Strahlen, insbesondere