DE2102215C2 - System zum Speichern und Abrufen von Informationen - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein optisches Informationsspeiehersystem der im Oberbegriff des
Patentanspruches I genannten Gattung.
Ein solches System ist bereits bekannt (DE-OS
14 22 586). Bei dem bekannten System wird als
Speicherschicht eine metachromatische Speicherplatte
mit hohem Auflösungsvermögen verwendet, welche die lichtempfindlichen Farbstoffe enthält und eine Anzahl
selbständiger, verkleinerter Bilder aufzunehmen vermag. Gespeichert wird dadurch, daß auf der Speicherplatte
UV-Licht und zum Löschen Licht anderer Wellenlänge sowie zum Lesen Licht beispielsweise aus
dem Spektrallinienbereich roten bis grünen Lichtes mit geringerer Intensität verwendet werden. Nachteilig
dabei ist, daß die unterschiedlichen Speicherzustände keine stabilen sind, weshalb sich der eingeprägte
Speicherzustand, der den gespeicherten Informationen, beispielsweise Bildern, entspricht, sich im Laufe der Zeit,
insbesondere hei Erwärmung mehr oder weniger stark verändert Die Informationen gehen daher allmählich
verloren oder werden so verändert, daß sich ein anderer Informationsgehalt ergibt.
Darüber hinaus ist auch ein optisches Informationsspeichersystem bekannt {US-PS 33 65 706), bei dem auf
einer photoleitfähigen Speicherschicht chemische Veränderungen durch Strahlen, beispielsweise Licht oder
Elektronenstrahlen, bewirkt werden. Solche chemischen Veränderungen sind jedoch nicht ohne weiteres
rückgängig zu machen, d. h. daß Informationen, sind sie erst einmal gespeichert, nicht mehr lösbar sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Informationsspeichersystem der eingangs genannten
Gattung, insbesondere hinsichtlich der Operationen »Speichern«, »Lesen« und »Löschen« einfacher und
zuverlässiger zu machen.
Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet und im Patentanspruch 2 ist eine alternative
Ausbildungsform beansprucht
Darüber hinaus sind in Unteransprüchen weitere Ausbildungen und Verbesserungen der Erfindung
beansprucht
Gemäß der Erfindung wird ein Halbleiterfilm verwendet dessen Material zwischen zwei stabilen
Speicherzuständen umschaltbar ist von denen der eine Speicherzustand im wesentlichen amorph oder ungeordnet
und der andere Speicherzustand im wesentlichen kristallin bzw. geordnet ist Solche Speichermaterialien
sind bereits bekannt (US-PS 35 30 441); es handelt sich vor allem um chalcogenide Halbleiter, bei
denen eine physikalische Änderung hinsichtlich der Struktur, insbesondere Atomstruktur, beim Wechsel
vom einen stabilen Speicherzustand in den anderen und zurück stattfindet Diese Eigenschaften werden bei der
Erfindung zur Lösung der oben genannten Aufgabe ausgenutzt indem zum Schreiben und Löschen Schreibimpulse
u/id Löschimpulse mit ei.nem Energieinhalt
verwendet werden, der vom Material des Halbleiterfilms
noch im wesentlichen absorbiert wird, wodurch die Strukturänderung möglich ist Zum Lesen wird dagegen
ein Leseimpuls verwendet dessen Wellenlänge nicht mehr zu einem solchen Strukturwandel ausreicht
Für die Strahlung bzw. den Strahl werden elektromagnetische Wellen, insbesondere LASER-Wellen,
bevorzugt doch ist auch die Verwendung von Elektronenstrahlen möglich.
Auf diese Weise genügt eine einzige Energiequelle mit mindestens zwei Frequenzkomponenten und ein
einziges Strahlenabtastsystem zur Durchführung der Funktionen des Schreibens, Löschens und Lesens.
Außerdem kann gemäß der Erfindung das Lesen erfolgen, während gleichzeitig Daten aufgezeichnet
oder gelöscht werden, wodurch die Möglichkeit einer Prüfung auf Fehler geschaffen wird, so daß gewährleistet
werden kann, daß die Daten auf dem Halbleiterfilm fehlerfrei aufgezeichnet werden.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung kann das Umschalten zwischen Schreib-, Lösch- und Lesebetrieb
mittels eines einfachen Intensitätsmodulators erfolgen, der die Gesamtintensität des Laserstrahls
wahlweise z. B. auf drei unterschiedliche Intensitätspegeldämptt.
Gemäß der Erfindung wird also bei einem Optikmassenspeicher ein dünner, amorpher Halbleiterfilm verwendet
der sich zwischen einem allgemein amorphen oder ungeordneten Zustand und einem kristallinen oder
geordneteren Zustand durch die Einwirkung eines Laserstrahls umschalten läßt Dieser Laserstrahl wird
moduliert und veranlaßt, den amorphen Film zu bestreichen, so daß durch Umschaltung des Zustandes
gewisser Bereiche des Filmes Informationen aufgezeichnet bzw. gelöscht werden. Das gleiche Laserstrahlmodulier-
und Abtastsystem kann auch zum Lesen der an dem Film gespeicherten Informationen verwendet
werden, indem festgestellt wird, ob an einer beliebigen gegebenen Stelle der Film sich i-n amorphen oder
kristallinen Zustand befindet Der Laserstrahl ist aus mindestens zwei Frequenzen zusammengesetzt, von
denen die eine von dem amorphen F;lm absorbiert wird und zum Schreiben sowie auch run Löschen von
Informationen an dem Film verwendet wird. Der amorphe Film ist für die andere Frequenz durchlässig,
und der Durchtritt von Strahlung dieser Frequenz wird verwendet um festzustellen, ob sich der Film an einer
beliebigen gegebenen Stelle im kristallinen oder amorphen Zustand befindet, wodurch die in dem Film
gespeicherten Information gelesen wird.
In der Zeichnung sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beispielsweise dargestellt.
F i g. 1 ist ein Schema zur Veranschaulichung eines Systems gemäß der Erfindung, bei dem eine umlaufende
Platte ein speichei-fähiges, amorphes Halbleitermaterial
trägt;
F i g. 2 ist ein Wellenfornienschema zur Veranschaulichung
der Intensität der zum Schreiben, Löschen und Lesen von informationen an dem speicherfähigen,
amorphen Halbleitermaterial gemäß F i g. 1 und 4 verwendeten Laserimpulse;
F i g. 3 ist ein Diagramm zur Veranschaulichung der Du chlässigkeit des speicherfähigen, amorphen Halbleitermaterials
gegenüber Wellenlängen einer Energie im Bereich von 4000 bis über 7000 A;
Fig.4 ist ein Schema zur Veranschauliciiung einer
weiteren Ausführungsform der Erfindung unt-dr Verwendung
eines ortsfest angeordneten, speicherfähigen, amorphen Halbleitermaterials und eines zweidirnensionalen
Ablenksystems zum Lenken eines Laserstrahles über das Speichermaterial; und
F i g. 5 ist eine schematische Darstellung eines Teiles eines Systems, in dem zum Umschalten zwischen
Schreib-, Lösch- und Lesebetrieb gemäß der Erfindung die Frequenz einer Laserquelle verschoben wird.
Das Optikmassenspeichersystem gemäß F i g. 1 weist eine umlaufende Speicherplatte 10 auf, die mittels eines
Motors 12 mit konstanter Drehzahl angetrieben ist Von einer Laserquelle 16 wird ein Laserstrahl 14 auf die
Speicherplatte 10 zur Einwirkung gebracht. Der Laserstrahl 14 ,ird mittels eines Modulators 18
moduliert, der durch von einem Datenverarbeitungssy stern 22 gelieferte und auf eine Leitung 20 aufgegebene
Signale betrieben wird. Das Datenverärbeitüngssystem
22 enthält die an der Speicherplatte 10 zu speichernden Daten. Diese Daten haben üblicherweise die Form von
Binärsteilen, die von (nicht dargestellten) an der Speicherplatte 10 aufgezeichneten Speicherstellen ge-
bildet sind.
Das Abrufen der Informationen von der Speicherplatte
10 erfolgt unter Verwendung eines Laserstrahles 14. Ein Spiegel 24, der mittels einer entsprechend von
dem Datenverarbeitungssystem 22 gelieferten und auf eine Leitung 28 aufgegebenen Signalen betriebenen
Betätigungseinrichtung 26 mit einem Arm 27 parallel zur Ebene der Speicherplatte 10 bewegbar ist, richtet
den Strahl 14 auf die Speicherscheibe 10. Durch Synchronisieren der Bewegung der Betätigungseinrichtung
26 und der Drehzahl der Speicherplatte 10 können bestimmte Bereiche def Speicherplatte 10 von dem
Laserstrahl 14 bestrichen werden, der durch die Speicherplatte 10 hindurchgeht. Eine Linse 25 konzentriert
den Laserstrahl auf die Speicherplatte 10. und eine Linse 29 konzentriert den aus der Speicherplatte 10
austretenden Laserstrahl 14 auf einen Detektor 30. Der Detektor 30 ermittelt die Änderungen, die der
Laserstrahl 14 bei seinem Durchtritt durch die Speicherplatz in erfahren hat und gibt ein Signal auf
eine Leitung 32 auf. die mit einem Differenzialverstärker 34 verbunden ist. Der Detektor 30 ist mit dem
Betätigungsarm 27 verbunden, so daß er auf der Achse des durch die Speicherplatte hindurchtretenden Laserstrahles
14 liegt. Die Wirkungsweise des Differenzialverstärkers 34 wird unten eingehender beschrieben. Das
Austrittssignal des Differentialverstärkers 34 wird über eine Leitung 36 dem Datenverarbeitungssystem 22
zugeführt. Das Datenverarbeitungssystem 22 kann die von der Speicherplatte 10 abgerufenen Signale zur
Fernübertragung verwenden, die Informationen für geschäftliche oder wissenschaftliche Zwecke verarbeiten
oder für beliebige andere Zwecke einschließlich der Wiederaufzeichnung der gleichen oder einer abgewandelten
Information auf der Speicherplatte 10 nutzen.
Die obere Fläche der Speicherplatte 10 besteht aus einem amorphen Halbleiterfilm 38. Dieser Film 38 ist
zwischen zwei stabilen Zuständen in beiden Richtungen
umschaltbar. Der eine Zustand des Materials ist ein kristalliner oder geordneterer Zustand, während der
andere Zustand des Materials ein allgemein amorpher oder ungeordneter Zustand ist. Jeder dieser beiden
Zustände weist ihm eigene Werte des Brechungsindex, der Oberflächenreflemon. der elektromagnetischen
Absorption und Durchlaßfähigkeit sowie der Streufähigkeit gegenüber Partikeln und Licht auf. Die optischen
Eigenschaften sowie die elektrischen Eigenschaften amorpher Halbleiter sind in dem obengenannten Patent
sowie in der USA-Patentschrift 32 71 591 (»Symmetrical Current Controlling Device-« Inhaber S. R Ovshin
sky. erteilt am 6 September 1966) beschrieben. Für die
Verwendung gemäß der vorliegenden Erfindung geeignete amorphe Halbleitermaterialien sind in dcr
genannten US-Patentschnft 32 71 591 als Hi-Lo, Circuit
Breaker and Mechanism Device with Memory« bezeichnet Ein Beispiel eines amorphen Filmes 38, der
sich für den Betrieb gemäß der vorliegenden Erfindung eignet, besteht aus 92% Se und 8% Te. Se und Te
können auch in anderen Anteilen, beispielsweise 50 bis 100% Se, 0 bis 50% Te, zuzüglich kleiner Mengen
metallischer Elemente, verwendet werden.
Der Film 38 läßt sich leicht auf einen Träger 40 aus Glas oder einen anderen durchsichtigen Träger
auftragen. Es hat sich gezeigt, daß ein Film 38 von ca.
4 μπι Dicke für den Betrieb gemäß der Erfindung gut
geeignet ist. Der Träger 40 aus Glas ist aus einem
Konstniktionstragglied 42 montiert, das ebenfalls aus
Glas oder einem beliebigen anderen, für den Laserstrahl 14 durchlässigen Material hergestellt sein kann und die
erforderliche Abstützung der Speicherplatte 10 bei ihrer Drehung bildet. Der Laserbestrahlung kann die obere
Fläche des Filmes 38 oder vorzugsweise, wie dargestellt, dessen dem Träger zugewendete Fläche ausgesetzt sein.
Der Laserstrahl 14, der mindestens zwei Frequerizkomponenten
für das Lesen, Schreiben und Löschen enthält, erreicht die Platte 10 in der Form von Impulsen von drei
unterschiedlichen liitensitätspegeln. F ig. 2 zeigt diese
drei unterschiedlichen Intensitätspegel. Der Impuls mit dem höchsten Pegel ist in Fig.2 durch die Einschrift
»Schreibimpuls« und mit dem Bezugszeichen 46 bezeichnet. Ein Impuls 44 von mittlerer Intensität wird
bei dem Massenspeichersystem gemäß Fig. 1 zum Löschen verwendet. Ein Leseimpuls 48 hat, wie in F i g. 2
gezeigt, die niedrigste Intensität.
Der Schreibimpuls 46 und der Löschimpuls 44 werden zum Umschalten des Filmes 38 zwischen den beiden
stabilen Zuständen verwendet. Der Schreibimpuls 46 erzeugt in dem Film 38 an demjenigen Punkt, an dem
der Laserstrahl 14 an dem Film 38 konzentriert ist, einen kristallinen oder geordneteren Zustand. Die Breite des
Impulses 46 kann von ca. 0.01 bis 100 μ-s betragen und
kann einen Energiegehalt haben, der nicht mehr als 1 μΐ
zu betragen braucht. Der Löschimpuls 44 wird dazu verwendet, den Film 38 in den amorphen oder allgemein
ungeordneten Zustand überzuführen und kann eine Impuisbreite gleich der des Schreibimpulses 46 und
einen c.nergiegehalt von ca. 25% desjenigen des Schreibimpulses 4fi haben. Der Leseimpuls 38 ist, wie
dargestellt, von ähnlicher Breite wie die Impulse 44 und 46. Intensität und Energieinhalt des Leseimpulses 48
sollten genügend gering sein, um zu gewährleisten, daß der Punkt an dem Film 38, auf den der Leseimpuls 48
konzentriert wird, im jeweiligen Zustand, also kristallin bzw. amorph, bleibt, nachdem der Leseimpuls 48 zur
Einwirkung gebracht wurde. Em typischer Energieinhalt für den Leseimpuls 48. der sich für die Zwecke der
Erfindung als geeignet erwiesen hat. kann weniger als 25% desjenigen des Schreibimpuses 46 bei einer
Betriebsweise betragen, bei der die Schreib-. Lese- und Löschfrequenz nicht voneinander getrennt sind.
Die Laserquelle 16 erzeugt Impulse unter der Steuerung durch Signale, die von dem Datenverarbei-
tungssystem 22 über eine Leitung 52 zugeliefert werden. Die Laserquelle 16 kann ein Gaslaser, beispielsweise
Argon, oder ein Mischgaslaser, beispielsweise Argon und Krypton, sein. Ein tpyischer Bereich für die
Spitzenleistung eines solchen Gaslasers ist 0.1 bis 2 W.
je nach Wirkungsgrad des optischen Systems und Impulsdauer. Es kann auch ein Feststofflaser mit
Mehrfrequenzstrahl oder anstatt dessen ein Las^r. der
getrennt mii mindestens zwei Frequenzen arbeiten kann, verwendet werden. Es können ferner auch zwei
Lasefquellen verwendet werden, die einen einzigen
Strahl mit mindestens zwei Frequenzen liefern. Die Impulse von der Laserquelle 16 bilden eine Reihe von
Impulsen mit konstanter Amplitude, die durch den Modulator 18 hindurchgehen. Der Modulator 18 dämpft
die Intensität der Impulse auf einen der drei Intensitätspegel gemäß Fig.2. Der Strahl 14 verläßt
den Modulator 18 und wird einem Strahlungsteiler 54 zugeführt, der einen Teil des Strahles zu einem Filter 56
und einem Detektor 58 umlenkt der dem Differentialverstärker 34 ein Signal über eine Leitung 60 zuliefert.
Die Wirkungsweise des Filters 56 und des Detektors 58 werden noch eingehend beschrieben. Derjenige Teil des
Laserstrahles 14, der durch den Strahiungsteiler 54
hindurchgeht, wird mittels eines Spiegels 24 auf den Film 38 gelenkt. Wie oben beschrieben, bestimmt die
Stellung des Spiegels 24 und die jeweilige Stellung der Platte 10 während ihrer Drehung den bestimmten Punkt
des Filmes 38, g«Jgen den der Laserstrahl in einem gegebenen Augenblick gerichtet wird.
Der die Laserquelle 16 verlassende Laserstrahl 14 enthält mehrere Frequenzkomponenlen. Der zur
Bildur,?f dieser Frequenzkomponenten verwendete
besonde/e Laser wird auf der Grundlage der Absorptions- und Durchlaßfähigkeit des Filmes 38 gewählt.
F i g. 3 zeigt ein typisches Diagramm für die Durchlaßfähigkeit eines amorphen Halbleiters. Die Wellenlänge
der elektromagnetischen Energie, die an dem amorphen Halbleiter zur Wirkung gebracht wird, ist entlang der
Abszisse, der durch den amorphen Halbleiter hindurchtretende Anteil an Energie in Prozent entlang der
Ordinate aufgetragen. Die Durchlaßfähigkeit eines typischen Halbleitermaterials, das sich zur Verwendung
opmäß rlpr FrfinHnna ρίσπρί ic! alt Kurve 62 rinrcrestellt
Ein steller Anstieg der Durchlaßfähigkeit des amorphen Halbleiters tritt, wie aus F i g. 3 ersichtlich, bei ca.
6500 A + auf und wird im folgenden als Apsorptionsgrenze bezeichnet. Elektromagnetische Energie von
Wellenlängen unterhalb der Absorptionsgrenze wird von dem amorphen Halbleitermaterial absobiert.
Elektromagnetische Energie höherer Wellenlänge als der der Absorptionsgrenze wird durch das amorphe
Halbleitermaterial durchgelassen. Dementsprechend wird Laserenergie, deren Frequenz einer kürzeren
Wellenlänge als 6500 A + entspricht, in dem amorphen
Film "8 absorbiert, erzeugt dort Wärme und regt die elektrischen Ladungsträger zur Stromleitung an. Laserenergie,
deren Frequenz einer Wellenlänge oberhalb 6500 A + entspricht, geht durch den amorphen Halbleiterfilm
38 hindurch, erzeugt jedoch darin nur verhältnismäßig wenig Wärme bzw. regt die Ladungsträger
kaum an. Für verschiedene amorphe Halbleiterzusammensetzungen weicht die Kurve 62 von der
gemäß F i g. 3 ab. Die Absorptionsgrenze kann dabei bei anderen Wellenlängen als der in F i g. 3 angedeuteten
von 6500A+ auftreten. Auch kann der Anstieg der Durchlaßfähigkeit weniger steil, als in F i g. 3 dargestellt,
sein. Ohne Rücksicht auf die besondere Form der Absorptionsgrenze kann zur Verwendung gemäß der
Erfindung ein Material geeignet sein, wenn die Möglichkeit besteht, mindestens eine Frequenzkomponente
mit einer Wellenlänge oberhalb der Absorptionsgrenze und eine andere Frequenzkomponente mit einer
Wellenlänge unterhalb der Absorptionsgrenze zu erzeugen. Als typische Beispiele von Frequenzkomponenten
sind in F i g. 3 eine Lesefrequenzkomponente 64 mit einer Wellenlänge von 7000 Ä und eine Schreib- und
Löschfrequenzkomponente 66 mit einer Wellenlänge von 5000 A dargestellt.
Im Betrieb wird ein Laserstrahl 14, der aus den zwei
Frequenzkomponenten 64 und 66 besteht, an dem Film
38 zur Wirkung gebracht Die Lesekomponente 64 geht durch den Film 38 hindurch, im wesentlichen ohne auf
diesen einzuwirken. Die Schreib- und Löschkomponente 66 wird hingegen von dem Film 38 absorbiert und
bewirkt eine Änderung des Zustandes des Filmes 38 in Abhängigkeit von der Intensität der in den Laserstrahl
14 enthaltenen Energie. Wie aus Fi g. 2 ersichtlich, wird
der Film 38, wenn die Intensität des Laserstrahles 14 gleich der Intensität des Impulses 46 ist, in den
kristaiiinen oder geordneteren Zustand übergeführt, so
daß an dem betreffenden Punkt des Filmes 38 ein binäres Inlofmalionsbh geschrieben wird. Wenn dieses
Informationsbit gelöscht werden soll, wird der Modula-•
ir 18 durch vom Datenverarbeitungssystem 22 auf eine
Leitung 20 aufgegebene Signale derart eingestellt, daß ν an dem betreffenden Punkt ein Laserstrahl 14 von
geringerer Intensität zur Einwirkung auf den Film 38 gebracht wird. Die Intensität kann gleich der des
Impulses 44 sein; Dies hat zur Folge, daß der Film 38 in den allgemein amorphen oder ungeordneten Zustand
m übergeführt wird, so daß das binäre Ühformationsbit
gelöscht wird. Das Lesen erfolgt dadurch, daß der Modulator 18 derart eingestellt wird, daß der dem
Impuls 48 entsprechende niedrigste Intensitätspegel zur Wirkung gebracht wird. Die Schreib- und Löschfre-
> quenzkomponente 66, die in dem Leseimpuls 48
enthalten ist, reicht nicht dazu aus, den Zustand des Filmes 38 zu verändern. Die Lesefrequenzkomponente
64 des Impulses 48 geht durch den Film 38 hindurch und wird vom Detektor 30 aufgenommen. Die Energiemenjo
ac· die der Detektor ?0 aufnimmt, wenn der Laserstrahl
14 durch einen Teil des Filmes 38 hindurchgeht, der sich in seinem kristallinen oder geordneteren Zustand
befindet, ist geringer als die Energiemenge, die der
Detektor 30 aufnimmt, wenn der gleiche Laserstrahl 14 >■>
durch einen Bereich des Filmes 38 hindurchtritt, der sich im amorphen oder ungeordneten Zustand befindet. Dies
kann auf mindestens eine beliebige oder auf alle der Änderungen der elektromagnetischen Eigenschaften,
wie Brechungsindex. Oberflächenreflexion, elektromagnetische Abso-ption und Durchlaßfähigkeit. Streufähigkeit
gegenüber Partikeln oder Licht, zurückzuführen sein, die de. Film 38 erfährt, wenn er aus einem in den
anderen der beiden stabilen Zustände übergeführt wird. Der Detektor 30 erzeugt ein Signal, das der nach
Durchtritt des Laserstrahles 14 durch die Speicherplatte 10 aufgenommenen Energiemenge proportional ist.
Dieses Signal wird dem einen Eingang des Differentialverstärkers 34 zugeführt. Das andere, dem Differentialverstärker
34 zugelieferte Eingangssignal wird von einem Detektor 58 erzeugt, der die gleiche Funktion wie
üer Detektor 30 ausübt. Die von dem Detektor 58 empfangene Energie geht durch einen Filter 56
hindurch, der beispielsweise aus den Elementen der Platte 10 besteht, wobei der Film 38 sich im amorphen
oder ungeordneten Zustand befindet. Das Signal in der Leitung 60 ist also gleichwertig dem über die Leitung 32
ankommenden Signal, wenn der Laserstrahl 14 durch einen Teil der Speicherplatte 10 hindurchtritt, in der sich
der Film 38 im amorphen oder ungeordneten Zustand so befindeL fegliche Abweichungen zwischen den über die
Leitungen 60 und 32 eintreffenden Signalen sind daher auf einen kristallinen oder geordneteren Zustand des
Fiiines 38 zurückzuführen. Wenn den Eingängen des Differentialverstärkers 34 unterschiedliche Signale
55zugef0hrt werden, wird ein Signal auf die Ausgangsleitung
36 aufgegeben, das angibt, daß an einer bestimmten, von der Stellung der Betätigungseinrichtung
26 und der Stellung der Platte 10 bei ihrer Drehung bestimmten Stelle ein binäres Informationsbtt auf der
Speicherplatte 10 aufgezeichnet ist. Entsprechend bekannten, bei Speichern aus optischen Massen
verwendeten Verfahrensweisen können zum Stellen der Betätigungseinrichtung 26 Servomeehanismen verwendet
werden und zum Auffinden von an dem Film 38 aufgezeichneten Informationsspuren oder -zeilen an der
Platte 10 vorher aufgezeichnete Zeitabsümmungs- oder Synchf onisier-Bits verwendet werde«.
Der Optikmassenspeicher gemäß Fig.4 ist, abgese-
hen von dem Slrahlenlenksystem, ähnlich dem in F i g. 1
dargestellten. Übereinstimmende Teile in Fig. I und 4
sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Der amorphe Halbleiterfilm 38 und ein Träger 40 aus Glas
sind an einem Stützteil 74 montiert. Eine Ablenksteuerung 76, die entsprechend von dem Datenverarbeitungssystem 22 über eine Leitung 78 gelieferten Signalen
arbeilet, betätigt ein zweidimensionales Abtastsystem 90, das den Laserstrahl 14 an bestimmten Bereichen des
Filmes 38 zur Wirkung bringt. Dieses System arbeitet ähnlich dem gemäß Fig. 1, jedoch ohne daß dem Film
38 oder dem Detektor 30 eine mechanische Bewegung mitgeteilt wird. Der Film kann die Form einer
rechteckigen Fläche haben, an der die Datenbits in Zeilen und Spalten gespeichert werden und jedes
Datenbit mittels des Auslenk- oder Abtastsystems 80 adressierbar ist. In dem System gemäß Fig.4 hat der
Filter 56 eine ähnliche Durchlaßfähigkeit wie die aus dem Abtastsystem 80, dem Träger 40 und dem Film 38 in
dessen amorphem Zustand bestehende Kombination.
Erfindung, bei dem die drei Betriebsweisen, nämlich Schreiben. Löschen und Lesen, durch Verschiebung der
Frequenz des Laserstrahls 14 herbeigeführt werden. Gleiche Teile sind in Fig. 5 mit den gleichen
Bezugszeichen wie in F i g. I und 4 bezeichnet. Ein elektrooptischer Polarisator 86 ist in die Bahn des
Laserstrahls 14 zwischen der Laserquelle 16 und dem Modulator t8 eingeschaltet. Der elektrooptische Polarisator
86 ändert die Polarisation des Strahles entsprechend von dem Datenverarbeitungssystem 22 über eine
Leitung 88 zugelieferten Signalen, und dies geschieht immer dann, wenn die Frequenz des Laserstrahles 14
verdoppelt werden soll.
In diesem Zustand hat der Laserstrahl 14 eine geeignete Polarisation für die Frequenzverdoppelung,
wenn er einem nichtlinearen optischen Frequenzverdoppler 90 zugeführt wird, der z. B. aus Lithiumniobat
bestehen kann.
Wenn ein amorphes Halbleitermaterial mit einer Durchlässigkeitscharakteristik gemäß Fig. 3 als
Speicherfilm 38 verwendet wird, erzeugt das System gemäß F i g. 5 einen Laserstrahl, der zwischen zwei
Frequenzen verschiebbar ist, deren eine oberhalb und deren andere unterhalb der Absorptionsgrenze liegt
Das System gemäß F i g. 5 kann in den Systemen gemäß F i g. 1 und 4 verwendet werden. In diesem Falle kann
die der längeren Wellenlänge entsprechende Frequenz zum Ablesen der Informationen von dem Speicherfilm
38 verwendet werden. Wenn Informationen zu schreiben oder zu löschen sind, verändert der elektrooptische
Polarisator 86 die Polarisation des Strahles in der für die Tätigkeit des Frequenzverdopplers 90 geeigneten
Weise. Die Frequenz des am Modulator 18 ankommenden Laserstrahles 14 wird verdoppelt und fällt dann in
den Absorptionsbereich des amorphen Speicherfilmes 38. Durch Steuern der Tätigkeit des Modulators 18 kann
der Intensitätspegel des Laserstrahles zwischen dem Schreibimpulspegel 46 und dem Löschimpulspegel 44
(Fig.2) variiert werden. Das System gemäß Fig.5
vereinigt die Technik der Frequenzverschiebung und der Intensitätsmodulation des Laserstrahles für das
Lesen, Schreiben und Löschen eines Massenspeichersystems. Das Optikmassen-Speichersystem gemäß F i g. 1
und 4 kann auch zur Ausführung einer Fehlerprüffunktion beim Schreiben und Löschen verwendet werden.
Da die Lesefrequenzkomponente 64 vorhanaen ist
wenn der Schreibimpuls 46 und der Löschr^puls 44 an
ίο
dem Film 38 zur Wirkung gebracht werden, kann ein Lesevorgang stattfinden, während gleichzeitig der Film
aus dem einen in den anderen Zustand übergeführt wird. Dementsprechend wird in der oben beschriebenen
Weise in der Leitung 36 ein Signal entwickelt, das angibt, ob der betreffende Punkt am Film 38, der den
Laserstrahl empfängt, sich im kristallinen oder amorphen Zustand befindet. Obwohl die Lesefrequenzkomponente
64 während des Schreib- bzw. Löschimpulses 46 und 44 eine höhere Intensität hat, richtet der
Strahlenteiler 54 einen proportionalen Anteil dieser Energie gegen den Detektor 58, so daß der Differentialverstärker
34 unabhängig von der Amplitude des Laserstrahls arbeitet, wenn dieser den Modulator 18
verläßt, und nur auf die Differenz zwischen den Signalen
an den F.ingangsleitungen 60 und 32 anspricht.
In dem Fall, daß der Film 38 unter Verwendung einer Frequenzkomponente 64 von hoher Intensität gelesen
werden soll, kann das Frequenzverdoppelur.gssys'em gemäß F ι g. 5 verwendet werden, oder es kann ein Filter
in eine Bann des Lii&eisiiaiiics 14 gebrächt Werden, der
die Schreib- und Löschfrequenzkomponente 66 während des Lesevorganges ausfiltert. Eine andere Abwandlung
kann vorgenommen werden, indem ein kontinuierlicher Laser, der eine kontinuierliche Lesefrequenzkomponente
64 erzeugt, und ein optischer Verschluß verwendet werden, welch letzterer wahlweise
Schreib· und Löschimpulse der Frequenzkomponente 66 erzeugt.
Bei einigen Anwendungsfällen der Erfindung kann es erwünscht sein, die Lesefrequenzkomponente 64 dazu
zu verwenden, das Löschen durch Erhöhung der Intensität dieser Komponente herbeizuführen. Da der
Film 38. wenn er sich in seinem kristallinen oder geordneteren Zustand befindet, die Lesekomponente 64
absorbiert, kann er in den amorphen oder ungeordneten Zustand übergeführt werden.
Obwohl der kristalline Zustand des amorphen Halbleiters 38 als »beschriebener« Zustand, also als der
die Binärinformalionen enthaltende Zustand, bezeichnet ist. kann ein Film 38 verwendet werden, der sich
ursprünglich im kristallinen oder geordneteren Zustand befindet Bei dieser abgewandelten Au'-Ohrungsform
der Erfindung würden dann die Datenbits durch Überführen des Filmes an den gewählten Punkten in
den amorphen oder ungeordneten Zustand aufgezeichnet werden. Das Lesen erfolgt dann durch Einsetzen
eines Inverters in die Leitung 36 oder durch Verändern des Filters 56 in solcher Weise, daß der kristalline
Zustand des Filmes 38 simuliert wird.
Obwohl bei dem System gemäß F i g. 1 eine mechanische Betätigungseinrichtung zur Erzielung der
geradlinigen Bewegung des Laserstrahls 14 verwendet wird, kann eine Laserstrahl-Ablenkvorrichtung ähnlich
der zweidimensionalen Ablenkvorrichtung 80 gemäß Fi g. 4 mit nur einer Ablenkrichtung im Verein mit einer
Speicherplatte 10 verwendet werden. In diesem Fall kann eine Reihe von Detektoren 30, einer für jede Spur
der Speicherplatte 10, verwendet werden, und deren Ausgangssignale können der Reihe nach zur Bildung
eines Signals in der Leitung 32 summiert werden. Auf diese Weise würde die einzige mechanische Bewegung
die konstante Drehung der Speicherplatte 10 sein. Der amorphe Halbleiterfilm 38 kann anstatt auf einer
Speicherplatte 10 auf einer Trommel oder auf einem flexiblen Träger, beispielsweise einem Band, das von
einer Spule auf eine andere übertragen wird, aufgetragen
sein. Eine weitere Abwandlung kann vorgenommen
werden, ind :.τι das Schreiben, Löschen und Lesen
ansUlt durch Hindurchschicken eines Laserstrahles durch die Platte 10 durch Relffer.ion des Laserstrahles
von dieser vorgenommen wird. Dies kann dadurch erreicht werden, daß der Detektor 30 mit entsprechenden
Filtern an der Unterseite der Scheibe 10 in der Bahn des von dem Film 38 reflektierten Lichtes angeordnet
wird. Bei dieser Abwandlung kann die Schreib- und Lösehfrequenz auch zur Durchführung der Lesefunktion
verwendet werden. Bei einer weiteren Abwandlung der Erfindung könnte der Laserstrahl 14 durch eine
andere Quelle elektromagnetischer Energie ersetzt werden. In der elektromagnetischen Quelle können
mehr als zwei Frequenzkomponenten vorhanden sein, und sie kann ein kontinuierliches Frequenzspektrum
oberhalb und unterhalb der Absorptionsgrenze des Filmes 38 aufweisen. Andere Typen von Quellen
elektromagnetischer Energie, die sich zur Verwendung gemäß der Erfindung eignen, sind Linienspektren, die
aus Gasentladungen, beispielsweise einer Quecksilberdampflampe, r,t ammen.
Der Beirieb der Optikmassenspeicher laut obiger Beschreibung kann durch geeignetes Programmieren
des Datenverarbeitungssystems 22 derart abgewandelt werden, daß an der Stelle eines einzigen Bits an dem
Speicherfilm 38 mehr als nur eine Tätigkeit ausgeführt wird, bevor der Laserstrahl zur Stelle des nächsten Bits
weiterbewegt wird. Beispielsweise kann es in manchen Anwendungsfällen erwünscht sein, an einer gegebenen
Speicherstelle zuerst den dort gespeicherten Dat oder das Bit zu lesen und zu bestimmen, in welchem Zust ind
sich der Speicherfilm 38 befindet. Wenn dann gewünscht wird, daß der Zustand geändert werden soll, wird ein
Schreibvorgang durchgeführt. Anschließend kann es erwünscht sein, eine Prüfung auf Fehler durchzuführen,
um festzustellen, ob der Schreibvorg^ng wirksam durchgeführt wurde. Es kann also durch den Laserstrahl
14 ein Lesevorgang durchgeführt werden, und wefin die
an dem Speicherfilm 38 gespeicherte Information korrekt ist, kann der Strahl 14 in die nächste Stellung
vorrücken.
Obwohl die Erfindung oben nur an Hand des Speichers von Binärinformationen beschrieben wurde,
besteht auch die Möglichkeit, gemäß der Erfindung Analoginformationen oder für das menschliche Auge
lesbare Informationen aufzuzeichnen. Für diesen Anwendungsfall kann das von dem Detektor 30 erzeugte
und auf die Leitung 32 aufgegebene Signal einer Kathodenstrahlröhre zugeführt werden und das Bild an
der Vorderfiäche derselben zur Darbietung gebracht werden. AnstaU dessen besteht die Möglichkeit, die
Information direkt durch hindurchgeschickles oder reflektiertes Licht sichtbar zu machen.
Zahlreiche weitere Abwandlungen der mannigfr.Itigen
Ausführungsformen der beschriebenen Erfindung sind ebenfalls ohne Abweichen vom Erfindungsgedanken
möglich.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (17)
1. Optisches Informationsspeichersystem mit einer Strahlenquelle (16) für elektromagnetische
Strahlen, mit einer Speicherschicht (10) zum Speichern unterschiedlicher optisch feststeilbarer
Speicherzustände in derselben, mit einer Steuereinrichtung (18) zum Ändern der elektromagnetischen
Strahlen derart, daß eine Strahlung (14) einer ersten und eine Strahlung einer zweiten Frequenz zum
Umschalten des reversibel zwischen zwei unterschiedlichen Speicherzuständen umschaltbaren Materials
der Speicherschicht (10) und zum Feststellen der betreffenden Speicherzustände in einer Leseeinrichtung
(30) dienen, und mit einer Strahlenablenkeinrichtung
(24,26,27 oder 76,80) zum Ablenken der
elektromagnetischen Strahlung auf mindestens bestimmte Bereiche der Speicherschicht (10), dadurch
gekennzeichnet, daß für die Speicherschicht (10) ein solcher Halbleiterfilm (38)
verwende' ist, der in einem stabilen der Speicherzustände
in: wesentlichen amorph bzw. ungeordnet und im anderen, ebenfalls stabilen Speicherzustand
im wesentlichen kristallin bzw. geordnet ist,
und daß die Steuereinrichtung (18) die Energiepegel (F i g. 2) und Frequenzen (F i g. 3) der Strahlung (14) bei Speicherschichten, welche sich in einem amorphen Ausgangszustand befinden, derart steuert, daß zum Zwecke des Informationseinschreibens ein Schreibimpuls (46) relativ hoher Intensität und im Bereich von 0,1 —100 μβ verwendet wird, welcher den lokalen Übergang in den vorwiegend kristallinen Zustanu oewirkt, daß zum Zwecke des Löschens der Information ein L'jschim. als (44) mit gegenüber dem Schreibimpuls (16) wesentlich geringerer Intensität aber ähnlicher Ze" dauer den lokalen Übergang von einem vorwiegend kristallinen in den amorphen Zustand bewirkt, wobei sowohl bei der Schreib- als auch Lösch-Operation Strahlungsfrequenzen mit Wellenlängen unterhalb der Absorbtionsgrenze des amorphen Halbleiterfilms (38) verwendet werden, und daß zum Zwecke des Lesens der Information ein Leseimpuls (48) mit einer Wellenlänge oberhalb der Absorbtionsgrenze ucs Halbleiterfilms (38) verwendet wird, dessen Intensität im allgemeinen geringer als die Intensität eines Löschimpulses (44) ist.
und daß die Steuereinrichtung (18) die Energiepegel (F i g. 2) und Frequenzen (F i g. 3) der Strahlung (14) bei Speicherschichten, welche sich in einem amorphen Ausgangszustand befinden, derart steuert, daß zum Zwecke des Informationseinschreibens ein Schreibimpuls (46) relativ hoher Intensität und im Bereich von 0,1 —100 μβ verwendet wird, welcher den lokalen Übergang in den vorwiegend kristallinen Zustanu oewirkt, daß zum Zwecke des Löschens der Information ein L'jschim. als (44) mit gegenüber dem Schreibimpuls (16) wesentlich geringerer Intensität aber ähnlicher Ze" dauer den lokalen Übergang von einem vorwiegend kristallinen in den amorphen Zustand bewirkt, wobei sowohl bei der Schreib- als auch Lösch-Operation Strahlungsfrequenzen mit Wellenlängen unterhalb der Absorbtionsgrenze des amorphen Halbleiterfilms (38) verwendet werden, und daß zum Zwecke des Lesens der Information ein Leseimpuls (48) mit einer Wellenlänge oberhalb der Absorbtionsgrenze ucs Halbleiterfilms (38) verwendet wird, dessen Intensität im allgemeinen geringer als die Intensität eines Löschimpulses (44) ist.
2. Optisches Informationsspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich der
Halbleiterfilm (38) in einem kristallinen Ausgangszustand befindet und die Operationen des Einschreibens
und Löschens von Informationen vertauscht werden.
3. Optisches Informationsspeichersystem nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß der
Halbleiterfilm (38) 50 bis 100% Selen und bis zu 50%
Tellur aufweist.
4. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Halbleiterfilm (38) ein Material mit einer Absorbtionsgrenze im Wellenlängenbereich
zwischen 5000 und 7000 A aufweist
5. Optisches informationsspeichersystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Material des Halbleiterfilms (38) eine Absorbtionsgrenze bei etwa 6500 A aufweist.
6. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schreibimpulse (46) einen Energieinhalt von bis zu t μ] und die Löschimpulse
(44) einen Energieinhalt von etwa 25% des Energieinhaltes der Schreibimpulse (46) aufweisen.
7. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Energieinhalte der Leseimpulse (48) weniger als etwa 25% der Energieinhalte
der Schreibimpulse (46) betragen.
ίο 8. Optisches Informationsspeichersystem nach
einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leseimpulse (48) eine
ähnliche Zeitdauer wie die Zeitdauer der Schreibimpulse (46) aufweisen.
9. Optisches Informationsspeichersystem nach
einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterfilm (38) eine
Schichtdicke in der Größenordnung von 4μΐη
aufweist.
10. Optisches lnformationsspeichersystem nach
einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlenquelle (!6) eine
LASER-Strahienqueile ist
11. Optisches Informationsspeichersystem nach
Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwei
LASER-Strahlenquellen als Strahlenquelle (16) für
einen Strahl (14) mit mindestens zwei Frequenzen verwendet sind.
12. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Ändern der Frequenz des Strahles (14) ein Polarisator (86) in den Strahlengang
eingeschaltet ist.
13. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Ändern der Intensität bzw. des Energieinhaltes des Strahles (14) ein Modulator
(18) in den Strahlengang eingeschaltet ist
14. Optisches Informationsspeichersystem nach Anspruch Ί2 und 13, dadurch gekennzeichnet daß
zwischen dem Polarisator (86) rad dem Modulator (18) ein Frequenzverdoppler (90) in den Strahlengang
eingeschaltet ist.
15. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Halbleiterfilm (38) auf einer Trommel aufgebracht ist
16. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Halbleiterfilm (38) auf einem flexiblen bzw. biegbaren Träger aufgetragen
ist
17. Optisches Informationsspeichersystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Strahlenquelle (16) eine Elektronenstrahlenquelle ist
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1262270A | 1970-02-19 | 1970-02-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2102215A1 DE2102215A1 (de) | 1971-08-26 |
DE2102215C2 true DE2102215C2 (de) | 1982-09-16 |
Family
ID=21755858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2102215A Expired DE2102215C2 (de) | 1970-02-19 | 1971-01-18 | System zum Speichern und Abrufen von Informationen |
Country Status (7)
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---|---|
US (1) | US3696344A (de) |
JP (1) | JPS549008B1 (de) |
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DE (1) | DE2102215C2 (de) |
FR (1) | FR2080607B1 (de) |
GB (1) | GB1342421A (de) |
NL (1) | NL7101355A (de) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3986022A (en) * | 1973-06-04 | 1976-10-12 | Gilbert Peter Hyatt | Illumination control system |
US5432526A (en) * | 1970-12-28 | 1995-07-11 | Hyatt; Gilbert P. | Liquid crystal display having conductive cooling |
US4739396C1 (en) * | 1970-12-28 | 2002-07-09 | Gilbert P Hyatt | Projection display system |
US5398041A (en) * | 1970-12-28 | 1995-03-14 | Hyatt; Gilbert P. | Colored liquid crystal display having cooling |
US4672457A (en) * | 1970-12-28 | 1987-06-09 | Hyatt Gilbert P | Scanner system |
US4471385A (en) * | 1970-12-28 | 1984-09-11 | Hyatt Gilbert P | Electro-optical illumination control system |
DE2304182A1 (de) * | 1972-02-01 | 1973-08-09 | Erik Gerhard Natana Westerberg | Vorrichtung zum lichtelektrischen abtasten von datenaufzeichnungstraegern |
NL161284C (nl) * | 1972-09-02 | 1980-01-15 | Philips Nv | Weergavestelsel voor een optisch uitleesbare informatie- structuur, alsmede registratiedrager voor gebruik daarin. |
US4611318A (en) * | 1973-02-20 | 1986-09-09 | Discovision Associates | Method and apparatus for monitoring the storage of information on a storage medium |
US4583210A (en) * | 1973-02-20 | 1986-04-15 | Discovision Associates | Method and apparatus for storing and retrieving information |
US4225873A (en) * | 1978-03-27 | 1980-09-30 | Mca Disco-Vision, Inc. | Recording and playback system |
CA1013854A (en) * | 1973-02-20 | 1977-07-12 | John S. Winslow | Videodisc mastering system |
DE2462514C3 (de) | 1973-02-20 | 1979-10-31 | Mca Disco-Vision, Inc., Universal City, Calif. (V.St.A.) | Vorrichtung zum Lesen von Information auf einer Videoplatte |
US4342906A (en) * | 1973-06-04 | 1982-08-03 | Hyatt Gilbert P | Pulse width modulated feedback arrangement for illumination control |
SE7405076L (sv) * | 1974-04-16 | 1975-10-17 | Erik Gerhard Natanel Westberg | Optiskt massdataminne. |
NL7506495A (nl) * | 1975-06-02 | 1976-12-06 | Philips Nv | Inrichting voor het uitlezen van een registratie- drager. |
US4125860A (en) * | 1975-06-16 | 1978-11-14 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Reproducer for an eraseable videodisc |
US4410968A (en) * | 1977-03-24 | 1983-10-18 | Thomas Lee Siwecki | Method and apparatus for recording on a disk supported deformable metallic film |
NL187413C (nl) * | 1978-03-16 | 1991-09-16 | Philips Nv | Registratiedragerlichaam, ingeschreven registratiedrager, werkwijze voor het inschrijven van het registratiedragerlichaam en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze en voor het uitlezen van een ingeschreven registratiedrager. |
US4456914A (en) * | 1978-03-27 | 1984-06-26 | Discovision Associates | Method and apparatus for storing information on a storage medium |
GB2040539B (en) * | 1978-12-27 | 1983-01-26 | Hitachi Ltd | Optical information recording apparatus |
US4264986A (en) * | 1979-03-12 | 1981-04-28 | Willis Craig I | Information-recording process & apparatus |
US4496957A (en) * | 1979-07-02 | 1985-01-29 | Xerox Corporation | Optical disk |
DE3118058A1 (de) * | 1980-05-14 | 1982-03-11 | RCA Corp., 10020 New York, N.Y. | Aufzeichnungstraeger und verfahren zum schreiben einer informationsspur sowie zum loeschen einer in dem traeger gespeicherten information |
JPS5819744A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-04 | Sony Corp | 光学式記録再生装置 |
US4545111A (en) * | 1983-01-18 | 1985-10-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for making, parallel preprogramming or field programming of electronic matrix arrays |
JPS6089840A (ja) * | 1983-10-22 | 1985-05-20 | Olympus Optical Co Ltd | 自動焦点引込み装置 |
US4638335A (en) * | 1983-12-29 | 1987-01-20 | Xerox Corporation | Optical recording member |
FR2584223B1 (fr) * | 1985-06-28 | 1994-06-17 | Thomson Alcatel Gigadisc | Memoire optique a suivi de piste echantillonne pour support d'information pregrave. |
DE3524184A1 (de) * | 1985-07-05 | 1987-01-15 | Max Planck Gesellschaft | Optisch lesbarer aufzeichnungstraeger |
DE3650649T2 (de) * | 1985-07-08 | 1998-02-12 | Energy Conversion Devices Inc | Datenaufzeichnungsgerät und Verfahren zur Datenverarbeitung |
US4744055A (en) * | 1985-07-08 | 1988-05-10 | Energy Conversion Devices, Inc. | Erasure means and data storage system incorporating improved erasure means |
SU1602406A3 (ru) * | 1985-08-06 | 1990-10-23 | Плесси Оверсиз Лимитед (Фирма) | Оптическое резонансное устройство |
US4803660A (en) * | 1986-02-28 | 1989-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium |
US4806952A (en) * | 1986-07-04 | 1989-02-21 | Hitachi, Ltd. | Information recording apparatus for recording/reproducing information by irradiating an information recording medium with an energy beam |
US4760567A (en) * | 1986-08-11 | 1988-07-26 | Electron Beam Memories | Electron beam memory system with ultra-compact, high current density electron gun |
US4754446A (en) * | 1987-01-23 | 1988-06-28 | General Electric Company | Optical recording system using refracted write beam for erasing |
US4908815A (en) * | 1988-02-22 | 1990-03-13 | Gregg David P | Optical recording system utilizing proportional real-time feedback control of recording beam intensity |
JPH0249225A (ja) * | 1988-05-27 | 1990-02-19 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置 |
JP3076412B2 (ja) * | 1991-07-24 | 2000-08-14 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
US5606541A (en) * | 1992-11-13 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Switchable filter for modulating laser intensity and reducing laser feedback in an optical disk device |
US6441940B1 (en) * | 1998-10-09 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Wavelength stabilization of light emitting components |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3174140A (en) * | 1959-07-01 | 1965-03-16 | Ibm | Magneto-optical recording and readout device |
US3185026A (en) * | 1961-05-22 | 1965-05-25 | Ncr Co | Method and apparatus employing metachromatic material for forming a plurality of individual micro-images |
US3253497A (en) * | 1961-10-30 | 1966-05-31 | Polacoat Inc | Information storage device |
US3365706A (en) * | 1964-04-15 | 1968-01-23 | Gilbert W. King | Photo-optical data storage and retrieval system employing error detection and error location identification components |
US3452332A (en) * | 1965-01-05 | 1969-06-24 | Ibm | Memory device and method of information handling utilizing charge transfer between rare earth ions |
US3466616A (en) * | 1965-10-22 | 1969-09-09 | Ibm | Memory device and method using dichroic defects |
US3475736A (en) * | 1965-12-23 | 1969-10-28 | Bell Telephone Labor Inc | Lamellate optically responsive memory arrangement |
US3440621A (en) * | 1966-02-11 | 1969-04-22 | Carson Lab Inc | Color center information storage and retrieval system |
US3506929A (en) * | 1967-02-13 | 1970-04-14 | Bell Telephone Labor Inc | Litao3 electro-optic modulator |
US3530441A (en) * | 1969-01-15 | 1970-09-22 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for storing and retrieving information |
-
1970
- 1970-02-19 US US12622A patent/US3696344A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
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