DE2064299A1

DE2064299A1 - Schaltungsanordnung für eine Gasentladungsvorrichtung

Info

Publication number: DE2064299A1
Application number: DE19702064299
Authority: DE
Inventors: William Ernest Toledo Ohio Johnson (V.St.A.)
Original assignee: Owens Illinois Inc
Current assignee: OI Glass Inc
Priority date: 1969-12-29
Filing date: 1970-12-29
Publication date: 1971-07-15
Also published as: GB1327598A; JPS514819B1; DE2064299C3; FR2075116A5; US3611296A; DE2064299B2; CA930447A

Description

Schaltungsanordnung für eine Gasentladungsvorrichtung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung f ο eine Gasentladungsvorrichtung, bei der zueinander quer angeordnete Leiter ein Muster bilden. Die Gasentladungsvorrichtung ist als Anzeige- und/oder Speichervorrichtung geeignet. Mit der Erfindung soll eine Schaltungsanordnung geschaffen werden, die als integrierte Schaltung hergestellt werden kann und zum Zünden bzw. Löschen der einzelnen Gasentladungseinheiten der Gasentladungsvorrichtung dient.

In der US-Patentschrift 3.499.167 ist eine Gasentladungsvorrichtung der in Rede stehenden Art erläutert. Es wird von einer pulsierenden Entladung in einem Gasvolumen Gebrauch gemacht. Das Gas kann aus einer Mischung zweier Gase bei einem verhältnismäßig hohen Gandruck bestehen. Das Gasvolumen ist auf entgegengesetzten Seiten von dielektrischen Bauteilen begrenzt, auf deren dem GasvoLuifi'in abgekehrten iJoite die Leiter angeordnet sind, so daß von :j i eh 'JeWfM-JkJ kreuzenden Leitern einzelne; C!asent ladungseinheitfijri gebildet werden. Diese Gasent ladungne inhe ι ton können auch

BAO ORIGINAL

— 2 —

109829/1837

beispielsweise durch perforierte Gasplatten oder Kapillarröhrchen und ähnliche physikalische Strukturen begrenzt sein. In der erwähnten Patentschrift wird auf solche Mittel zum Begrenzen der Gasentladungen verzichtet.

Bei einer solchen Gasentladungsvorrichtung werden Ladungsträger (Elektronen und Ionen)durch die Ionisation des Gases in einer ausgewählten Entladungseinheit erzeugt und beim Zuführen von entsprechenden Betriebsspannungen an die ausgewählten Leiter auf den Oberflächen des Dielektrikums an bestimmten Stellen gespeichert, wodurch ein elektrisches Feld gebildet wird, das dem sie erzeugenden elektrischen Feld entgegengerichtet ist. Nach dem Zuführen einer Zündspannung zum Einleiten einer Entladung löst das durch die auf den elektrischen Bauteilen gespeicherte Ladungsträger erzeugte elektrische Feld nachfolgende pulsierende Entladungen jeweils innerhalb der Halbwellen einer zugeführten Brennspannung aus, so daß das zugeführte Potential und somit die gespeicherten Ladungsträger die vorhergehende Entladung in einer Gasentladungsexnheit bestimmen und damit ein elektrisches Gedächtnis bilden. Da jedoch die zum Erzeugen solcher Entladungen verwendeten Leiter gegenüber dem Gasvolumen durch das Dielektrikum isoliert sind und infolge der verhältnismäßig hohen Gasdrücke sind die zum Betreiben solcher Gasentladungsvorrichtungen erforderlichen Spannungen verhältnismäßig hoch. Eine erhebliche Verbesserung bezüglich der Anforderungen an die Betriebsspannung stellt die Verwendung eines Arftori-Neon-Gasgemisches gemäß der belgischen Patentschrift 739.3o3 dar. Dabeί besteht das Gasgemisch aus etwa 99,9 Atome Neon und etwa c,1 Atome Argon bei einem Absolutdruck von o,625mQS, Die Brennnpän-

-J-

■ "^ 109829/1037

SAO ORiGiNAL

nung ist hierbei eine periodische Spannung mit einer Frequenz von etwa 5o kHz. Mit der Brennspannung werden die Entladungen in bestimmten Gasentladungseinheiten aufrechterhalten, nachdem sie durch Zuführen einer höheren Spannung gezündet worden sind. Die Höhe der Brennspannung beträgt etwa 335 bis 35o V Scheitelwert. Zum Zünden und Löschen werden zusätzlich zu der Brennspannung Impulse von etwa 2 Mikrosekunden Dauer zugeführt und algebraisch zu der Sinuswelle der Brennspännung addiert. Diese Impulsspannungen werden durch Impulstransformatoren in der in der franz. Patentschrift 1.5 9 3.93H erläuterten Weise erzeugt. f

Integrierte Impuls -Schaltungsanordnungen gemäß der deutschen Patentanmeldung P 2o 21 3o2.9 machen von PNP und NPN Halbleitern Gebrauch, wobei durch Zuführen von logischen Signalen niedriger Spannung am Ausgang Hochspannungsimpulse erzeugt werden. Für eine Gasentladungsvorrichtung gemäß der in der US-Patentschrift beschriebenen Art sind beide Schaltungstypen notwendig, um die Vorrichtung zu betreiben. Die Schaltungstype mit den PNP Halbleitern vermittelt die positiven Ausgangsimpulse und diejenigen mit den NPH Halbleitern erzeugt negative Ausgangsimpulse. Bei

cm einer Größe der Vorrichtung von etwa Io χ lo/ist der Mittenabstand der einzelnen Leiter 762 ,u, so daß etwa 33 Leiter auf 2 5 mm untergebracht und somit 132 Leiter auf jeder

insgesamt
Seite und/264 Leiter angesteuert werden müssen. Der Funktion

j nach arbeiten die Impulsschaltungen als Umsetzer von einer niedri-

ι gen Spannung auf hohe Ausgangsspannungen sowie als Durchgang i
für die periodische Brennspannung von verhältnismäßig hoher

Spannung ohne merkliche Abschwächung derselben.

-H-

109829/1837

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine einfache und zweckmäßige Schaltungsanordnung in Halbleiterbauweise zum Zuführen der Ansteuersignale an die Impulsschaltkreise für die Gasentladungsvorrichtung anzugeben, wobei der Aufwand für die notwendigen Bestandteile für die Ansteuerschaltungen verringert werden soll.

Die Erfindung ist nachstehend anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung der Gasentladungsvorrichtung! und der zugehörigen elektrischen Schaltungsanordnung, j

Fig. 2A das Schaltbild, einer NPN Impulseinrichtung und j

Fig. 2B das Schaltbild einer PNP Impulseinrichtung. j

Die Erfindung ist im Zusammenhang mit einer Gasentladungsvor- · richtung der eingangs geschilderten Art erläutert. Die Gasentladungsvorrichtung Io ist in Fig. 1 schematisch dargestellt und : besteht aus waagrechten Leiterzeilen 11 und senkrechten Leiterspalten 12 (die einzelnen Leiter können abwechselnd auf verschiedenen Seiten der flächenhaften Anzeigevorrichtung zur Vornahme der elektrischen Anschlüsse herausgeführt werden. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist dies in der Zeichnung nicht dargestellt]). An die Leiter 11 und 12 werden gegenphasige periodische Span- !

nungen 13 und 14 angelegt, so daß etwa die Hälfte der Spannung, '-,

109829/1837

I I

j die zum Aktivieren einer Entladungseinheit notwendig ist, an I

ι · ι

ι i

jedem Leiter ansteht. Beträgt somit die periodische Spannung ■ an der Entladungsstrecke zum Aktivieren 35o V Scheitelwert, dann !

legt man die Hälfte dieser Spannung an die Leiter der Zeilen 11 i
und die andere gegenphasige Spannungshälfte an die Leiter in den Spalten 12 an. Diese Spannungen werden von periodischen Spannunge-f quellen 15 und 16 erzeugt, die eine gemeinsame Erde 17 besitzen» ! so daß das Potential der Gasentladungsvorrichtung Io gegenüber j

Erde 17 atigehoben ist. Anschließend wird noch erläutert, daß j die sogenannten Brennspannungen 13 und 14· in den Schaltungsan- ' i Ordnungen 2o-1...2o-K und 21-1...21-N nur minimal verändert werden. Die Brennspannungen für alle Leiterzeilen 11-1...H-N werden von der Spannungsquelle 15 und alle senkrechten Leiter-

16 j

spalten 12-1...12-N von der Spannungsquelle/geliefert. Diese

Spannungen liegen während des Betriebes der Gasentladungsvor- ;

richtung dauernd an den Leitern. Die Entladung von bestimmten

Gasentladungseinheiten an den Kreuzungsstellen bestimmter Leiter ι

wurden dadurch hervorgerufen, daß den Brennspannungen auf den j

j betreffenden Leitern Gleichspannungsimpulse von hoher Spannung

j ι d

! hinzuaddiert werden, so daß die Endspannung ausreichend ist, j

ι eine Reihe von Entladungsvorgängen hervorzurufen, von denen jeder während der Halbperiode der Brennspannung stattfindet. Durch eine richtige Zeitgabe der Impulse können auch die Entladungen beendet werden, so daß jede einzelne Entladungseinheit durch Aufschalten der Gleichspannungsimpulse zum richtigen Zeitpunkt gezündet und gelöscht werden kann.

Aus einer flächenhaften Gasentladungsvorrichtung von den Abmessungen Io χ Io cm können bei einem Abstand der Leiter von _e

— D —

109829/1837

762 ,υ. 132 Leiterzeilen und 132 Leiterspalten angeordnet werden, denen die Brennspannung sowie die Z und- und Löschimpulse zu bestimmten Zeitpunkten zur Herstellung einer Anzeige und/oder Speicherung auf der Anzeigetafel zugeführt werden. Daher sind sehr viele einzelne Schaltungsanordnungen erforderlich, deren Größe und Kosten möglichst gering sein sollen, während andererseits die von ihnen gelieferten Spannungen gleichmäßig sein sollen. Solche Schaltungsanordnungen lassen sich als Impulstransformatoren oder in Form ähnlicher Vorrichtungen in durchaus erfolgreicher Weise ausbilden, doch ist es wünschenswert, daß bei einer mehr wirtschaftlichen Anwendung auf die große Anzahl von Impulstransformatoren verzichtet werden kann.

Im Hinblick hierauf sind gemäß der Erfindung die Schaltungsanordnungen 2o und 21 als integierte Schaltkreise auf Mikroplättchen ausgebildet. Man kann die Schaltkreise auf einer einzigen Platte anbringen, die in Fig. 1 in gestrichelten Linien dargestellt ist, doch ist es beim gegenwärtigen Stand der Technik zweckmäßig nur vier solcher Schaltkreise auf einer Platte anzuordnen. Die für die Schaltungsanordnungen der Zeilen dienenden Transistoren sind NPN und liefern negative Ausgangsimpulse, während die Transistoren der SchaltungsanOrdnungen 21-1 usw. für die Spalten PNP Transistoren sind und positive Ausgangsimpulse erzeugen. Wie anschließend näher erläutert aktivieren die NPN Transistoren die Leiterspalten und die PNP Transistoren die Leiterzeilen. Zu den ausgewählten Zeitpunkten werden den Schaltungsanordnungen Ansteuerimpulse niedriger Spannung von den logischen Schaltkreisen für die Zeilen 4o-l...4o-N und den logischen Schaltkreisen 41-1...41-N für die Spalten zugeführt,

109829/1837

die wiederum über die Leitungen 42 bzw. 43 angesteuert werden. Die Leitungen 42 und 43 sind an Speicher 44 und 46 angeschlossen, die ihrerseits mit einer Programmeinrichtung oder einer anderen digitalen Datensteuereinrichtung verbunden sind.

In dem Ausführungsbeispiel sind die Leitungen für den Dateneingang parallel an Gatter der Impulsschaltungen angeschlossen, während eine besondere Eingangsleitung (RA, RB...RN für die Leiterzeilen und CA, CB...CN für die Leiterspalten) an alle jeweils zu einem Teilabschnitt zusammengefaßten Impulsschaltungen ange- λ schaltet ist. Jeder Teilabschnitt kann zum Ansteuern von acht Leitern verwendet werden, wobei jeder Teilabschnitt beispielsweise aus zwei Mikroplättchen mit je vier Impulsschaltungen und Gattern besteht. Es können aber auch auf jedem Mikroplättchen mehr oder weniger Elemente vorgesehen sein. In Fig. 1 ist die Kombination der Teilabschnitte zum Ansteuern der Gasentladungs-Vorrichtung dargestellt. Dabei sollen beispielsweise eintausend Leiter angesteuert werden. Würde man einzelne Eingangsimpulsschaltungen verwenden und diese von einer binären Schaltungsverzweigung ansteuern, so würde man etwa 2ooo UND-Gatter zum Auf- ™ bau der logischen Schaltverzweigung benötigen. Teilt man jedoch gemäß Fig. 1 jeweils acht Leitern einen Teilabschnitt zu, so benötigt man 125 Teilabschnitt und eine zugehörige Schaltverzweigung mit 25o UND-Gattern. Unter Hinzunahme der Datenspeicher 44 und braucht man noch zusätzlich etwa 5o UND-Gatter, so daß insgesamt dreihundert UND-Gatter im Vergleich zu zweitausend UND-Gatter vorzusehen sind. Außerdem ist der Aufwand für die Steuerung des Datenflusses erheblich verringert. Bei der gezeigten Schaltungs-

109829/1837

anordnung kann jeder Teilabschnitt willkürlich in einem Teilabschnitt-speicher angesteuert werden, während die zu diesem Teilabschnitt zugehörigen Daten in einem Datenspeicher untergebracht sind. Auf ein zur Zeitsteuerung gegebenes Abtastsignal hin empfangen alle acht Leiter in einem Teilabschnitt die Dateneingänge. Wiederholt man diesen Vorgang sechs Mal mit jeweils neuen Daten und schaltet man die Lage der senkrechten Adresse jedesmal,
so erhält man eine 6x8 Teilabschnittsadresse wie beim Schreiben eines alphanumerischen Zeichens. Auf diese Weise kann jedesmal
ein Punkt oder ein gesamter Teilabschnitt (beispielsweise werden beim Löschen eines Teilabschnitts der waagrechten und senkrechten Daten die Speicher mit Einem gefüllt und ein Löschimpuls sowohl auf die waagrechten wie auch auf die senkrechten Schaltverzweigungen gegeben) in einem einzigen Vorgang gelöscht.

Die logischen Schaltkreise Ho für die Zeilen liefern positive
logische Impulse an die Schaltungsanordnungen 2o-l, während die Schaltkreise 41 negative Impulse den Schaltungsanordnungen 21
zuführen. Im normalen Betrieb gelangen die positiven und negativen Impulse gleichzeitig an die ausgewählten Leiter, um Entladungen zu zünden und zu löschen.

Fig. 2A zeigt eine Schaltungsanordnung 2o, 4o zum Ansteuern der Leiterzeilen und 2B eine Schaltungsanordnung 21, 41 zum Ansteuern der Leiterspalten. Die Schaltung in Fig. 2A macht von NPN Transistoren und die Anordnung in Fig. 2B von PNP Transistoren Gebrauch. Damit erhält man Impulse von entgegengesetzter Polarität und
Phase zum Ansteuern der Leiterzeilen und Leiterspalten.

1 09829/ 1837

j Die Wirkungsweise der in den Fign. 2A und 2B gezeigten Schaltungs-

I anordnungen ist im wesentlichen die gleiche mit der Ausnahme, daß j die Polarität der zugeführten Gleichspannungen umgekehrt und

! die Transistoren unterschiedlich sind. Eine von einer Gleichspan-

j nungsquelle 5o von niedriger Impedanz und hoher Spannung ge-

i lieferte Betriebsspannung wird der Impulsschaltung 2o zugeführt,

j während eine entsprechende Spannung entgegengesetzter Polarität

I auf die Impulsschaltungen 21 für die Spalten gegeben wird. Die

I Schaltung 2o besteht aus einem ersten NPN Transistor Ql, dessen

j I

j Emitter E an einen Pol 54 der Hochspannungsquelle 5oR angeschlos- "

; sen ist. Der Kollektor C des Transistors Ql ist über einen KoI-i lektorwiderstand R3 an den Pol 5 3 angeschlossen. Der Widerstands-I wert von R3 ist etwa 15 k-iZ und stellt einen Kompromiß zwischen

j der Anstiegszeit und dem Energieverbrauch für den Strom von j der an den Transistor Ql und den Transistor Q2 angeschlossenen ! Gleichstrom dar. Die Basis des Transistors Ql ist mit dem logischen Signaleingang 56 verbunden, an dem von der Schaltung 4o j gelieferte positive Impulse 57 niedriger Spannung anstehen.

Ein Widerstand R2 ist zwischen die Basis B des Transistors Ql | und dem Pol 54 geschaltet und dient zusammen mit dem Widerstand Rl zum Abstimmen der Schaltung 2o auf die Impulsschaltung 4o. Die Widerstände Rl und R2 können fortgelassen werden, wenn die Schaltung 2o unmittelbar auf die Impulsschaltung 4o abgestimmt ι werden kann.

Die Basis B eines zweiten NPN Transistors Q2 ist unmittelbar an den Kollektor C des Transistors Ql angeschlossen, während der Kollektor C mit dem Pol 5 3 verbunden ist. Der Emitter E des Transistors Q2 ist unmittelbar mit dem Ausgang 6o verbunden,

- Io -

109829/1837

; der seinerseits zu einem Leiter in einer Zeile führt. Der Kollek-I tor C des Transistors Ql ist über eine Abtastdiode Dl mit dem j Ausgang 60 verbunden; die Diode Dl stellt die Richtung des Strom-' flusses fest und ist zum Umschalten des Transistors Q2 von wesentlicher Bedeutung.

^; Die Spannungsquelle 15 für die Brennspannung ist an die Pole 5 3 . bzw. 51 der Gleichspannungsquelle 5oR geschaltet. Somit tritt

■ die periodische Brennspannung sowohl am Kollektor C des Transis-

, tors Q2 als auch am Emitter E des Transistors Ql auf, bei letzterem über die Spannungsquelle 5o niedriger Impedanz. Die niedrige

; Impedanz kann durch ein nicht dargestelltes Filter mit Kondensatoren am Ausgang der Spannungsquelle 5oR hergestellt werden,

■ Die Schaltung Uo verwendet zwei übliche Eingangs- Und-Gatter in

'- Gestalt der Dioden D3 und DH, mit einem Widerstand R3 und einer ^; Spannungsquelle VLR, wobei die Diode D2 den Schaltungsausgang

■ mit der Basis B des Transistors Ql verbindet, so daß beim Zusam-

¹ mentreffen eines Signals für den Teilabschnitt einer Reihe an der

^! Kathode der Diode D3 und eines Signals für die Daten einer Zeile an der Kathode der Diode D4 (beispielsweise beide höher als die Spannung anderen Anoden) die Torschaltung geöffnet wird und

; beispielsweise einen hohen Ausgangswert liefert, da alle Dioden ¹ leitfähig sind.

Nachfolgend ist die Funktionsweise der Schaltung beschrieben. Normalerweise leitet der Transistor Q2 und sperrt der Trarsistor Ql so daß die periodische Spannung etwa 175 V Spitzenwert der, Brennspannungsquelle 15 am Kollektor C des Transistors Q2 ansteht.

1 09829/1837

-H- 206A299

Während der einen Halbperioden der Brennspannung fließt ein Strom durch den Kollektor C, die Basis B des Transistors Q2 und die Diode Dl zum Anschluß 60, während in den anderen Halbperioden der Brenn spannung der Strom durch den Kollektor-Emitterpfad des Transistors zum Anschluß 60 fließt, so daß am Anschluß 60 eine periodische Spannung auftritt, die der Wellenform der von der Brennspannungsquelle 15 gelieferten Spannung entspricht. Diese Brennspannung wird auf alle Leiterzeilen geschaltet. In entsprechender Weise liegt die gegenphasige Brennspannung von der Brennspannungsquelle 16 an den Leiterspalten an.

Werden ein oder mehrere Torschaltungen 4o für die Zeilen oder Torschaltungen 41 für die Spalten wahlweise durchgeschaltet, wenn also beispielsweise Impulse für die Zeilenteilabschnitte und Zeilendaten zusammentreffen, so gelangt ein Umschaltimpuls zum Anschluß 56 und die Basis B des Transistors Ql veranlaßt den.Transistor Ql zum schnellen Umschalten in den leitfähigen Zustand, so daß die Spannung am Kollektor C, die vor dem Umschalten des Transistors Ql im wesentlichen auf einem Gleichspannungsnullpotential i gelegen ist, plötzlich auf die Spannung (175 V) der Gleichspannungsquelle 5o während der Zeitspanne abfällt, in der der Transistor Ql leitfähig ist. Diese hohe Gleichspannung gelangt durch die Diode Dl zum Ausgang 60 und bildet die eine Komponente der Ausgangsspannung während der Zeitspanne, in der der Transistor Ql leitfähig ist. Wie bereits erwähnt gelangt die periodische Brennspannung von der Spannungsquelle 15 über die Gleichspannungsquelle 5o von niedriger Impedanz und hoher Spannung zum Emitter E des Transistors Ql, so daß im leitfähigen Zustand des Transistors Ql

. während der entsprechenden Zeitspanne diese Spannung gleichfalls

- 12 -

1 09829/1837

; auf den Kollektor C des Transistors Ql gelangt und somit auch durch die Diode Dl und als zweite Komponente der Ausgangsspannung am Ausgang 60 auftritt. Somit sind das hohe Gleichspannungspotential und die Brennspannung algebraisch addiert und bilden einen Spannungsimpuls zum Zünden bzw. Löschen einer Entladungseinheit. In entsprechender Weise werden negative Signale für den Teilabschnitt und die Daten entsprechender Spalten den mit den Torschaltungen 21 verbundenen Impulsschaltungen 41 zugeführt und in einen Zünd- oder Löschimpuls hoher Spannung umgewandelt. Treten die logischen Impulse 57 zum richtigen Zeitpunkt auf, so wird der beim Umschalten des Transistors Ql erzeugte Gleichspannungsimpuls der Brennspannung während der negativen Halbperiode algebraisch addiert und bildet einen Zündimpuls, der zusammen mit einem ähnlichen Impuls für eine Leiterspalte eine Folge von Entladungen in einer ausgewählten Entladungseinheit auslöst, worauf

_; die Brennspannung zusammen mit der durch die gespeicherten Ladungen erzeugten Spannung den Entladungsvorgang in der beschriebenen Weise aufrechterhält. Soll die Gasentladung beendet werden, so tritt der logische Impuls am Ausgang 56 zu einem solchen Zeitpunkt des Verlaufs der Brennspannung auf, daß eine gesteuerte Entladung der angesteuerten Entladungseinheit ausgelöst wird, die ein Löschen des Entladungsvorganges während der nachfolgenden Periode der Brennspannung zur Folge hat, wie in der genannten Patentschrift näher erläutert ist.

Wenn auch zur Herstellung der Schaltungsanordnungen die meisten Herstellungsarten für integrierte Schaltkreise verwendet werden

j können, so wird doch die dielektrische Isolationstechnik vorge-• zogen, da beim gegenwärtigen Stand der Technik dadurch die not-

- 13 -

10 9 8 2 9/1837

wendige Isolierung der verhältnismäßig hohen Spannungen möglich ist, die zum Betreiben der Gasentladungsvorrichtung erforderlich sind. Manchmal mag es notwendig sein mehrere Verstärkungsstufen zwischen den Schaltungen 4o, 41 und den Schaltungen 2o und 21 vorzusehen. Die hierzu notwendigen Verstärker können ebenfalls

; auf der gleichen MiJcroplatte wie die Schaltkreise angeordnet sein.

Die angegebene Schaltungsanordnung zeichnet sich durch geringe Größe, Kosten und Leistungsverbrauch aus und hat den Vorteil, daß die Ausgangsimpulse der Gleichspannungs-Speisespannung gleich g

. sind, die allen Schaltkreisen gemeinsam ist und damit die Konstanz und Gleichmäßigkeit der Spannungsimpulse gewährleistet. Die beiden Schaltkreise (NPN und PNP) werden von zwei unterschiedlichen Gleichspannungsquellen 5o aus betrieben, die einseitig geerdet sind, und sind mit ihren Anschlüssen 5 3 und 51 mit den entsprechenden Polen der Brennspannungsquellen 15 und 16 (Fig. 2) verbunden. Die Eingangssignale für die Schaltkreise bestehen aus logischen

, SpannungsSignalen in Impulsform niedriger Spannung in bezug auf die Spannungsquellen 5o hoher Spannung, so daß die logischen Schaltungsanordnungen ebenfalls an die Brennspannungsquelle ange- " schaltet sind und die Ausgangsspannungen Impulse sind, deren Amplitude der Addition der Spcinnung von den Quellen 5o und der

BrennspannungsqueLLe entspricht. Bei richtiger zeitlicher Abgabe der [mpuLse können ausgewählte Gasentladungseinheiten gezündet bzv/. i'('.i"i:;c;hl vK'.V'lt'.ll.

!'uras i t'i rf; K ψα/. i t.ü |-i>n /.vihc.htm den Leitern tür die Brennnpannunp, jv/if; inn l.t.'.i\:m-u -uif der Anzeigetafel, vermitteln eine Verrin^e-

'iii·¹ Ir- i ii'.,"· . Müi'ii hnptulrui; ckjr· integrierten Schulturnen und

1 (J ^fi ^f> ,.' ^fi / I H ;j 7 BAD ORIGiNAU

sind somit ein natürliches Ergebnis der gedruckten Schaltkreise. Bei entsprechender Leitungsführung kann die Kapazität zur Verbesserung des gewünschten Effekts maximal gehalten werden.

• Die Anzahl der waagrechten und senkrechten Leiter in den einzelnen Teilabschnitten muß nicht notwendigerweise gleich sein. Bei einem Ausführungsbeispiel ist jedoch die Gasentladungsvorrichtung willkürlich in Teilabschnitte von loxlo Leitern oder 6x8 Leitern unterteilt.

Die vorliegende Erfindung zielt auf eine Verringerung des Aufwandes für die Ansteuerschaltungen ab» Werden Metalloxyd-Silizium MOS-Impulsschaltungen verwendet anstelle der gegenwärtigen bipolaren Schaltungsanordnungen, so ist es wünschenswert, die parasitäre Kapazität infolge der höheren MOS Impedanzen zu optimieren, indem man die gegenseitige Leiterkapazität zwischen den Leitern für die Brennspannung und der Anzeigetafel in einem maximalen sich überlappenden Bereich auf der gedruckten Schaltungskarte aus- ; nützt.

Es ist ersichtlich, daß die Schaltungsanordnungen 4o als getrennte integrierte Schaltungseinheiten ausgebildet und mit den Impulsschaltungen auf gedruckten Schaltungskarten o.a. verbunden werden können.

I 0 9 B 2 J / 18 3 7

Claims

Patentansprüche

lly Schaltungsanordnung für eine Gasentladungsvorrichtung mit sich kreuzenden, gegen ein dünnes Gasvolumen dielektrisch | isolierten und in Zeilen und Spalten angeordneten Leitern, an die eine Brennspannung angelegt ist, wobei durch Zuführen von Spannungsimpulsen an ausgewählte sich kreuzende Leiter eine Gasentladung gezündet bzw. gelöscht wird, bei der zum Ansteuern der Leiter aus Widerständen und Transistoren bestehende Schaltkreise auf einem monolithischen Halbleiterkörper vorgesehen sind, wobei die Schaltkreise aus je zwei Transistoren gleicher Type aufgebaut sind, von denen der eine normalerweise leitend und der andere normalerweise gesperrt ist, die Brennspannung an dem Kollektor des normalerweise gesperrten Transistors und ein Gleichspannungspotential an den Emitter des normalerweise gesperrten Transistors angelegt ist und der Ausgang der Schaltkreise mit den in Zeilen und Spalten angeordneten Leitern verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschluß (56) für die Basis des normalerweise gesperrten Transistors (Q₁) mit einer Torschaltung (4o, 41) verbunden ist, deren UND-Gatter mit wenigstens zwei Eingangsanschlüssen versehen ist bei deren Belegung mit Signalen der normalerweise

- 16 -

109829/1837

gesperrte Transistor (Ql) und der normalerweise leitenden Transistor (Ql) umschaltbar sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ansteuern der in Zeilen und Spalten angeordneten Leiter je ein monolithischer Halbleiterkörper vorgesehen ist, wobei die dem einen Halbleiterkörper zugeordneten Schalt- j

kreise (2o) mit PNP-Transistoren und die dem anderen Halbleiterkörper zugeordneten Schaltkreise (21) mit NPN Transisto-j ren versehen sind und die PNP-Schaltkreise (2o) und die NPN-Schaltkreise (21) an eine Spannungsquelle (15, 16) von jeweils entgegengesetzter Phasenlage für die periodische Brennspannung und an je eine Glexchspannungsquelle (5oR, 5oC) angeschlossen sind«
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das UND-Gatter der Torschaltung (4o, Hl) mit zwei Eingängen versehen ist, von denen der eine Eingang einer vorbestimmten Anzahl von Torschaltungen gemeinsam ist, und daß ein Speicher für die der Gasentladungsvorrichtung zuzuführenden Daten vorgesehen ist, die an den mit der vorbestimmten Anzahl von Torschaltungen verbundenen Leitungen zugeführt werden.

H. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltkomponenten der Schaltkreise (2o, 21) in den monolithischen Halbleiterkörpern als dielektrisch isolierte inseJLförmige Bestückungen ausgebildet sind.

10 9 829/183 7