AT306406B - Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fehlimpulsen in Gasentladungstafeln - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fehlimpulsen in Gasentladungstafeln

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AT306406B AT943469A AT943469A AT306406B AT 306406 B AT306406 B AT 306406B AT 943469 A AT943469 A AT 943469A AT 943469 A AT943469 A AT 943469A AT 306406 B AT306406 B AT 306406B
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Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



   Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fehlimpulsen in Entladungseinheiten einer quer zueinander verlaufende Leiterreihen aufweisenden Gasentladungstafel, bei der eine kontinuierliche Wechselspannung als Stützspannung den Entladungseinheiten zugeführt wird und bei der das Ein- und Ausschalten der auszuwählenden Entladungseinheiten durch Impulse stattfindet, die von einer Adressierschaltung abgegeben, in einem Impulsgenerator verstärkt und zur Stützspannung addiert werden, wobei die für die quer zueinander verlaufenden Leiterreihen vorgesehenen Impulsgeneratoren in Serie mit einer Entladungseinheit und der Stützspannungsquelle geschaltet sind. 



   Ziel der Erfindung ist es, eine besonders wirksame Lösung des Problems des Nebensprechens oder des fehlerhaften Pulsierens von Entladungseinheiten in einer Gasentladungstafel vorzuschlagen. 



   Mehrfachanzeige- und/oder Speicherfelder in Gasentladungstafeln von der Art, bei denen die Erfindung anwendbar ist, enthalten ein gasförmiges Medium, gewöhnlich eine Mischung von zwei Gasen, welches bzw. welche sich unter einem verhältnismässig hohen Druck in einer schmalen Gaskammer bzw. einem schmalen Gasraum zwischen einem Paar von gegenüberliegenden dielektrischen Speicherelementen befindet, hinter denen Leiterreihen angeordnet sind, wobei die jedem dielektrischen Element hinterlegten Leiterreihen quer zueinander verlaufen, um eine Vielzahl von gesonderten Ladungsräumen zu begrenzen und eine Entladungseinheit zu bilden. 



  In manchen Fällen können die Entladungseinheiten zusätzlich durch körperliche Gebilde, wie perforierte Glasplatten u. dgl., begrenzt sein oder die körperlichen Barrieren und Isolationselemente brauchen nicht vorhanden zu sein. In beiden Fällen werden Ladungen (Elektronen und Ionen), die auf Grund einer Isolierung des Gases bei einer ausgewählten Entladungseinheit oder einem ausgewählten Leiterkreuzpunkt erzeugt werden, wenn geeignete, abwechselnd wirkende Potentiale an ausgewählte Leiter derselben bzw. desselben gelegt werden, auf den Oberflächen des Dielektrikums an spezifisch definierten Stellen gesammelt und bilden ein elektrisches Feld, das dem elektrischen Feld entgegengesetzt ist, welches sie erzeugte.

   Auf Grund des geringen Abstandes (von ungefähr 0, 76 mm von Leitermitte zu Leitermitte) zwischen den Leitern von Leiterreihen, welche die Entladungseinheiten definieren, kann die an einen ausgewählten Leiter angelegte Energie aus hohen Impulsspannungen kapazitiv an benachbarte Leiter gekoppelt werden und Nebensprech- und/oder Fehlsignale auf Entladungseinheiten verursachen. 



   Dieser Nachteil wird gemäss der Erfindung dadurch vermieden, dass die Impulsgeneratoren zur Herabsetzung ihrer Impedanz mit Schaltvorrichtungen verbunden sind, die durch Fehlspannungen wahrnehmende Fühler steuerbar sind. 



   Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung ist also so ausgebildet, dass sie auf ungewollte Spannungsimpulse anspricht, um für in Leitern von Leiterreihen einer Gasentladungstafel fliessende Ströme eine niedrige Impedanz in solcher Weise vorzusehen, dass an bestimmte Leiter kapazitiv gekoppelte Impulsenergie absorbiert oder verbraucht und daher Nebensprechen unterdrückt oder ungewolltes Zünden oder Einschalten von ausgewählten Entladungseinheiten vermieden wird. 



   Eine vorzugsweise Ausführungsform der erfindungsgemässen Schaltungsanordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass jeder der Impulsgeneratoren einen Impulstransformator enthält, dessen Sekundärwicklung mit der Stützspannungsquelle verbunden und dessen Primärwicklung zu einer Schaltvorrichtung zur Herabsetzung der Impedanz des Impulsgenerators parallelgeschaltet ist. 



   Die Erfindung soll nun an Hand der Zeichnungen näher erläutert werden. In diesen zeigen die Fig. lA und 1B Darstellungen einer Gasentladungstafel, bei der die Erfindung anwendbar ist, Fig. 2 eine Ausführungsform einer erfindungsgemässen Schaltungsanordnung und Fig. 3 ein Schema zur Erklärung des erfindungsgemässen Prinzips, wie es bei einer Gasentladungstafel angewendet wird. 



   In den Zeichnungen veranschaulichen die   Fig. 1A   und   l B   eine ein Anzeige- und/oder Speicherfeld enthaltende Gasentladungstafel, in welcher   Glastragelemente--10   und   11-an   ihren einander gegenüberliegenden Flächen Leiterreihen--12 bzw. 13--aufweisen. Dielektrische Bauteile oder   Überzüge     --14   und   16--besitzen Flächen-17   bzw. 18--, welche Ladungsflächen zum Speichern von Ladungen (Elektronen und Ionen) bilden, die auf die Entladung (Ionisation) von einzelnen Entladungseinheiten hin erzeugt werden. 



   Die   Flächen--17   und   18--der   dielektrischen   Elemente--14   und 16-sind durch einen 
 EMI1.1 
 bilden. Die gläsernen Tragelemente sind hinreichend stark ausgeführt, um dem Druck des Gases innerhalb des   Raumes--20--und   dem Umgebungsdruck unter einem Minimum an Durchbiegung zu widerstehen.

   Bei dem geoffenbarten Anzeige- und/oder Speicherfeld sind in der Gaskammer keine physikalischen Hemmnisse oder Gebilde vorhanden und auf Grund des Druckes kann eine Vielzahl von gesonderten Entladungen innerhalb der   Kammer--20--ohne   schädliche Beeinflussung der Anzeige- oder Speicherfunktionen der einzelnen Entladungseinheiten stattfinden, obwohl die Leiter--12-1, 12-2,12-n und 13-1, 13-2.... 13-n-- der Leiterreihen in einem Mitte zu Mitte Abstand voneinander angeordnet sind, der nicht grösser als 0, 76 mm ist.

   Es ist verständlich, dass die Erfindung mit gleicher Leichtigkeit und gleichen Ergebnissen auf Anzeige- und/oder 

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 Speicherfelder (Gasentladungstafeln) von der Art anwendbar ist, wo perforierte Platten, Bienenwaben oder andere körperliche Gebilde verwendet werden, um jede einzelne Entladungseinheit räumlich zu begrenzen. 



   Das Gas kann für den   lonisierungsprozess   durch Anlegen eines Anfangszündpotentials an ein ausgewähltes Paar von Leitern für hinreichende Zeit konditioniert   (z. B.   mit einer Zufuhr von freien Elektronen versehen) werden, um eine Anfangsentladung in einem gesonderten Gasraum wie   z. B.   einer Entladungseinheit zu bewirken, die aus dem Kreuzungs- oder Schattenbereich der   Leiter--12-1   und 13-1--, dem Dielektrikum auf jenen Leitern an jenen Kreuzungs- oder Schattenbereichen und der gesonderten, dazwischen befindlichen Gasmenge besteht, wobei die Gasmenge eine photonische Verbindung zwischen allen Entladungseinheiten jenen Photonen erlaubt, welche die dielektrischen Oberflächen beaufschlagen und die Freigabe von Elektronen verursachen. 



  Wahlweise kann das Gas durch Vorsehen einer äusseren ultravioletten Strahlungsquelle zur Erzeugung freier Elektronen durch photoelektrische Emission für den   10nisierungsprozess   oder durch Eingeben von radioaktivem Material in den Glas- oder Gasraum konditioniert werden, welches Material in gleicher Weise das Vorhandensein von genügend freien Elektronen innerhalb des Gasraumes für die Ionisierung bei gleichbleibendem Potential für ein vorgegebenes Gas, einen vorgegebenen Gasdruck, einen vorgegebenen Feldaufbau usw. bewirken kann. Auf jeden Fall wird die Erfindung weiter in Verbindung mit einem Gasvolumen (das durch eine Waben- oder Zellenstruktur begrenzt sein kann oder nicht) beschrieben, das für den   lonisierungsprozess   konditioniert wurde. 



   Einzelne Entladungseinheiten können durch Spannungen vieler verschiedener Wellenformen, von denen die einfachste die sinusförmige Spannung ist, eingeschaltet (wobei eine Reihe von Momentanentladungen auf abwechselnden Halbwellen eines angelegten Wechselspannungspotentials zustande kommt, die einer Anfangsentladung folgen) und ausgeschaltet werden (durch Beendigung der Folge von Momentanentladungen). 



  Die einzige Bedingung ausser der Wellenform der Spannung ist grundsätzlich, dass die Entladungseinheit so konditioniert wird, dass sie auf die angelegte Spannung anspricht. 



   Die Impulsgeneratorschaltung zum Adressieren eines Leiters einer einzelnen Entladungseinheit ist in Fig. 2 
 EMI2.1 
    --32-- über--34--   von ungefähr 4 V und einer Dauer von ungefähr 100 Nanosekunden wird an die Basis-30-angelegt. Dieser Transistor--Ql--arbeitet als Emitterfolger und sein Ausgang ist vom   Emitter --32-- weg   
 EMI2.2 
 schaltet der   Transistor--Q2--aus ;   dadurch wird der Stromfluss in der   Primärwicklung --40-- des     Transformators-Tl-beendet.   Ein zweiter Spannungsimpuls auf der Sekundärseite --42-- des Transformators wird durch eine   Diode--Dl--verhindert.   Die Diode--Dl--entfernt den negativen Anteil der Schwingung und macht aus ihr einen Einweg-Ausgangsimpuls.

   Diese Diode--Dl--dient ausserdem zum 
 EMI2.3 
 ist als die halbe Periode, um der gespeicherten Transistorladung Rechnung zu tragen, welche die Ausschaltzeit des Transistors nach Entfernung des Eingangssignals verzögern kann. Die logische Adressierungschaltung - ist-wenn sie auch kompliziert ist-in herkömmlicher Weise aufgebaut und kann aus einer 
 EMI2.4 
 --34-- zu vorbestimmtenin Serie geschaltet und die Leitung (ein Leiter der Leiterreihe) wird so adressiert, dass die beiden Spannungen addiert werden. Um die gegenseitige Beeinflussung auf ein Minimum herabzusetzen, werden die Resonanzfrequenz des Stützgenerators und die Resonanzfrequenz des Impulsgenerators vorzugsweise verschieden gewählt, um die Energieableitung herabzusetzen und ein möglichst grosses Signal zur Anlegung an das Anzeigeund/oder Speicherfeld vorzusehen.

   DerEin-Aus-Impuls ist auf ungefähr eine Mikrosekunde Dauer eingestellt und die Stützsignalperiode beträgt zirka   10,uses,   wobei die Schaltung jedoch nicht auf diese besonderen Zeitwerte beschränkt ist. 



   Das Anzeigefeld benötigt ein an alle Leitungen angelegtes kontinuierliches Signal welches als Stützsignal 

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 bzw. Stützspannung bezeichnet wurde. Unter kontinuierlichem Signal ist zu verstehen, dass die Spannung periodisch ist, in der Weise, dass sie als einfache Sinusspannung oder als Spannung mit komplizierter Wellenform für kurze Zeitintervalle und periodisch wiederholt angelegt werden kann. Die gleiche   Stützspannung   ist an alle "X"-Leitungen angelegt und eine ähnliche Spannung ist an alle"Y"-Leitungen angelegt, jedoch ist diese Spannung um 1800 phasenverschoben. Diese Spannungen, die an die Leiterreihen auf dem Anzeige- und/oder Speicherfeld angelegt sind, sind in bezug auf Erde bzw. Masse abgeglichen, um die Adressierung einer einzelnen Entladungseinheit innerhalb des Anzeige- und/oder Speicherfeldes zu erlauben. 



   Um die Wirkung der variablen kapazitiven Last auf den   Stützspannungsgenerator-29-zu   verringern, kann eine   Kapazität--45-- (Fig. lA)   zum Anzeige- und/oder Speicherfeld parallelgeschaltet sein, wobei eine grössere Feldkapazitätsänderung, wie sie beim Einschalten mehrerer Entladungseinheiten zustande kommt, durch eine grössere parallelgeschaltete Kapazität ausgeglichen wird. 



   Wie aus Fig. lA ersichtlich, ist jede Leitung auf dem Leiter einer Leiterreihe mit einem Impulsgenerator --60- (z. B.-60-12-1.... 60-12-n und   60-13-1.... 60-13-n--)   versehen, welcher einen Kippeingang (logischen Impuls--34--) aus der   Adressierschaltung--61--empfängt.   Zum Beispiel wird, wenn es erwünscht ist, die Entladungseinheit, die durch die Kreuzung von zwei Leitern--13-1 und   12-1-begrenzt   ist, zu adressieren oder einzuschalten, gleichzeitig ein logischer Impuls an die   Impulsgeneratorschaltung-60-13-1   und   60-12-1--angelegt,   so dass Gleichstromimpulse zu den ausser Phase liegenden Spannungen vom   Stützspannungsgenerator--29--addiert   werden.

   Eine   Synchronisierverbindung--90-ist   zwischen dem   Stützgenerator--29--und   der logischen   Adressierschaltung--61--vorgesehen,   so dass die logischen Impulse   - -34-- in bezug   auf die   Stützspannung   aus dem   Stützspannungsgenerator --29-- zu geeigneten   Zeiten auftreten. 



   Wird eine   Sinusspannling   bei einer Entladungseinheit in ihrer Grösse auf das Durchbruchsniveau   (Zündpotential)   angehoben, so entlädt sich die Entladungseinheit. Wird die Amplitude des angelegten Potentials 
 EMI3.1 
 angelegte Wechselspannung geringer als die Durchbruchs- oder Zündspannung aber grösser als die Grund- bzw. 



  Stützspannung ist, die Entladungseinheit in einem einzigen Zündzustand bzw. Brennzustand verbleibt. Diese Differenz zwischen dem "Ein"- und dem "Aus"-Spannungspegel wird als elektrischer Speicher verwendet und wie oben festgestellt, ist es dem abwechselnden Speichern von Ladungen auf den   Oberflächen --17   und 18-der dielektrischen   Elemente--14   und   16--zuzuschreiben,   dass sich eine Entladungseinheitsvorspannung oder Speicherspannung bildet. Wenn die Entladungseinheiten in horizontalen Reihen und vertikalen Spalten angeordnet sind, die durch horizontale und vertikale Leiterreihen beaufschlagt werden, ist es wichtig, den Zustand einer Entladungseinheit ändern zu können ohne den Zustand der ändern zu beeinträchtigen.

   Darüber hinaus ist es aus Einfachheitsgründen wünschenswert, ein Sinussignal zu verwenden, das am oder geringfügig über dem Stützspannungspegel liegt, um an bestimmten Leitern Zusatzspannungen zu verwenden und den Zustand von ausgewählten Entladungseinheiten zu verändern. 



   Um eine ausgewählte Entladungseinheit auszuschalten   (z. B.   eine den Einschaltzustand darstellende Reihe von Entladungen zu beenden) müssen die gespeicherten Ladungen (welche eine Entladungseinheitsvorspannung bilden) beseitigt oder in der Weise abgeändert werden, dass die Amplitude der angelegten Spannung, welche von den Stützspannungen --72a und   72b-- (s. Fig. 3)   mit konstanter Amplitude gebildet ist, unzureichend ist, um eine Entladung zu bewirken. Der Ausschaltimpuls ist mit dem Einschaltimpuls identisch, und es wurde gefunden, dass die Zeit der Anlegung des Ausschaltimpulses in bezug auf die Stützspannung eine Ausschaltung einer Entladungseinheit bewirken kann, wenn er   (1)   zeitlich in der Weise synchron angelegt wird, dass der Impulsscheitel zum Zeitpunkt einer normalen Entladung auftritt,   z.

   B.   zum   Zeitpunkt --70-- (s. Fig. 3)   oder angelegt wird, um (2) den Verlauf der auf die letzte Ladung folgenden Ladung zu verändern oder (3) angelegt wird, indem man den Verlauf des Impulses und der angelegten sinusförmigen Spannung kombiniert, um zum Zeitpunkt der letzten Entladung einen Verlauf der Spannung nahe der Null-Linie zu bewirken. 



   Somit wird, wann immer eine Zündspannung (oder eine Spannung zur Beendigung der Entladung) zusätzlich zur Stützsignalgeneratorspannung auf der   Sekundärseite --42-- des   Transformators induziert wird, um eine ausgewählte Entladungseinheit zu zünden, eine solche hohe Spannung an das ausgewählte Leiterpaar der   Reihen--12   und   13--bei   einer ausgewählten Entladungseinheit angelegt. An benachbarte Leiter wird die hohe Spannung nicht direkt angelegt, und benachbarte Leiter können über kapazitive Kopplung eine ansteigende Spannung von hinreichender Grösse aufnehmen, um ein ungewolltes Zünden von nicht ausgewählten Entladungseinheiten zu bewirken. 



   Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung, wie sie in Fig. 2 dargestellt ist, weist eine   Diode-D2-- und   
 EMI3.2 
 

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 EMI4.1 
 über die parallelgeschaltete   Diode--Dl-einen Pfad   niedriger Impedanz vor, und diese niedrige Impedanz wird als niedrige Impedanz zur Primärwicklung transformiert. 



   In der Primärwicklung --40-- induzierte Spannungen, welche als positive Potentiale am oberen Ende   --77-- dieser   Wicklung auftreten, spannen die Diode--Dl--in Sperrichtung vor, welche dann für solche 
 EMI4.2 
 vorspannt. Der   Kollektor--87--des Transistors--Q4--könnte   an das untere   Ende--76--der   Primärwicklung --40-- angeschlossen werden, um einen Parallelkreis für die   Primärwicklung --40-- zu   bilden. Doch ist aus Gründen des Wirkungsgrades und derHöhenleistung der   Transistor--Q3--zusammen   mit dem Transistor --Q4-- als eine PNPN-Einrichtung verwendet.

   Somit ist der   Kollektor--81-des   Transistors   - -Q3-- direkt   an die Basis--82--des Transistors--Q4--und der   Kollektor--87--des   Transistors - direkt an die Basis --83-- des Transistors --Q3-- und der   Emitter --80-- des   Transistors 
 EMI4.3 
 auftretende Sperrspannung tritt auch am Emitter 86-Basis-82-Kreis des Transistors--Q4--auf, um die Transistoren--Q3 und   Q4--wegen   der oben beschriebenen PNPN-Verbindungen stark leitend zu machen. Der Leitungszustand des Transistorpaares bewirkt eine sehr niedrige Impedanz auf der Primärwicklung--40--, welche zur Sekundärwicklung --42-- transformiert wird.

   Daraus ergibt sich, dass in bezug auf an die Sekundärseite --42-- angelegte Spannungen oder Ströme, welche Spannungen auf der Primärseite induzieren, eine sehr niedrige Impedanz zustandekommt und daher tritt an der Sekundärseite ein geringer Spannungsabfall auf. 



   Die Nützlichkeit dieser Schaltung in Verbindung mit einem Gasentladungsfeld der oben beschriebenen Arten, ist in Fig. 3 veranschaulicht. In Fig. 3 ist ein Gasentladungsfeld mit einem strichpunktierten Rechteck angedeutet. Dieses weist Leiterreihen--12 und   13--und   Kreuzungsstellen von   Leitern --12-- mit   Leitern   --13-- auf,   die eine bestimmte Entladungseinheit in dem Entladungsfeld festlegen und begrenzen. Die um 
 EMI4.4 
 bzw. GrundspannungsquellenT13-2.... T13-n--, von denen jede der in Fig. 3 dargestellten Sekundärwicklung --42-- entspricht. Die   Schalter--S12-1, S12-2.... S12-n   und S13-1, S13-2....

   S13-n-- entsprechen jeweils dem Schalttransistor   - -Q2-- (Fig. 2)   und werden in Übereinstimmung mit logischen   Impulsen --34-- aus   der Adressierschaltung - wahlweise betätigt, wobei einer der Schalter--S13-1, S13-2.... S13-n-- und einer der Schalter S12-1, S12-2.... S12-n-- gleichzeitig betätigt werden, um eine ausgewählte Entladungseinheit oder einen ausgewählten Kreuzungspunkt zu bestimmen und elektrisch zu bedienen. Die   mit--V--bezeichneten   Batterien entsprechen jeweils der Gleichstromquelle--V2-- (Fig. 2) wobei verständlich ist, dass eine einzige Gleichspannungsquelle verwendet wird und die gesonderten Batterien nur zum Zwecke der Erläuterung dargestellt sind. 



   Ein kurzzeitiges Schliessen irgendeines Schalters verursacht in der Primärwicklung des zugehörigen Transformators einen Stromstoss, der in der Sekundärwicklung des zugehörigen Transformators einen 
 EMI4.5 
 welche durch den Kreuzungspunkt der   Leiter--12-2   und 13-2--definiert ist. Der   Schalter--S12-2--und   der   Schalter--S13-2--werden   gleichzeitig für kurze Zeit geschlossen, wobei das Schliessen der Schalter durch die Adressierschaltung--61--bewirkt wird. Die Stromstösse durch die Primärwicklungen der Transformatoren   - -T12-2   und   T13-2-- induzieren   in ihren Sekundärwicklungen Spannungsimpulse, welche zu den Stützspannungen addiert werden, um die Entladung an der   Stelle-X-zu   zünden oder zu steuern.

   Wegen des geringen Abstandes zwischen den Leitern--12-1 und 12-n--zum Leiter-12-2--und wegen des geringen Abstandes der   Leiter--13-1   und 13-n-- zum Leiter --13-2-- können Fehlspannungsimpulse sowohl in diese benachbarten als auch in andere Leiter durch die verteilten Kapazitäten zwischen den Leitern eingekoppelt 

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 EMI5.1 
 und   Abfühl-und Schaltkreise-113-1, 113-2.... 113-n-- erfassen   die in den Primärwicklungen der   Transformatoren-T12-1, T12-2.... T12-n   und T13-1,   T13-2.... T13-n-- induzierte   Spannungen und bewirken einen Schaltvorgang, der sie gegenüber den induzierten Spannungen als niedrige Impedanzen erscheinen lässt, welche niedrige Impedanzen zur Sekundärseite des Tranformators transformiert werden.

   Auf diese Weise erzeugt jede an einen benachbarten Leiter angekoppelte Spannung in jeder Sekundärwicklung nur einen geringen Spannungsabfall, der selbst dann, wenn er bei einem vorgegebenen Leiter zur Stützspannung addiert wird, nicht gross genug ist, um eine Entladung oder Steuerung an einer nichtausgewählten Entladungseinheit zu bewirken. Die in Fig. 3 dargestellten   Abfühl- und Schaltkreise --112   und   113-enthalten Dioden-Dl   und D2--und Transistoren-Q3 und Q4--. 



   Ausser der Bildung einer niedrigen Impedanz für Fehlimpulsspannungen bewirkt die Schaltung auch eine Herabsetzung der Transformatorimpedanz in bezug auf durch   Stützspannungen--Vg < -hervorgerufene   Ströme. In Fig. 2 sind typische Bauteildaten, Transistor- und Diodentypen für gezeigte Spannungswerte beispielsweise angegeben. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fehlimpulsen in Entladungseinheiten einer quer zueinander verlaufende Leiterreihen aufweisenden Gasentladungstafel, bei der eine kontinuierliche Wechselspannung als Stützspannung den Entladungseinheiten zugeführt wird und bei der das Ein- und Ausschalten der auszuwählenden Entladungseinheiten durch Impulse stattfindet, die von einer Adressierschaltung abgegeben, in einem Impulsgenerator verstärkt und zur Stützspannung addiert werden, wobei die für die quer zueinander verlaufenden Leiterreihen vorgesehenen Impulsgeneratoren in Serie mit einer Entladungseinheit und 
 EMI5.2 


Claims (1)

  1. Impulsgeneratoren (60) einen Impulstransformator (T12, T13) enthält, dessen Sekundärwicklung (42) mit der Stützspannungsquelle (29) verbunden und dessen Primärwicklung (40) zu einer Schaltvorrichtung zur Herabsetzung der Impedanz des Impulsgenerators parallelgeschaltet ist. EMI5.3 Herabsetzung der Impedanz eine gegenüber der Gleichstromquelle (V2) des Impulsgenerators in Sperrichtung gepolte Diode (Di) zur Primärwicklung (40) des Impulstransformators parallelgeschaltet ist, und dass die Schaltvorrichtung zusätzlich zwei Transistoren (Q3, Q4) aufweist, wobei die Emitter-Basis-Strecke des ersten Transistors (Q4) zu einer Diode (D2) parallelgeschaltet ist, die einen zur Gleichstromquelle (V2) in Durchlassrichtung gepolten Fühler bildet, dass die Basis-Kollektorstrecken beider Transistoren (Q3, Q4) so geschaltet sind, dass die Basis (82)
    des ersten Transistors (Q4) mit dem Kollektor (81) des zweiten Transistors (Q3) und umgekehrt verbunden ist, und dass der Emitter (80) des zweiten Transistors (Q3) mit einer Klemme (76) und der Emitter (86) des ersten Transistors (Q4) mit der andern Klemme (77) der Primärwicklung (40) des Impulstransformators verbunden ist. EMI5.4 (Di) zur Primärwicklung (40) des Impulstransformators (T12, T13) parallelgeschaltet sind, wobei die einen Fühler zur Steuerung des Transistors (Q4) darstellende Diode (Dz) gegenüber der Gleichstromquelle des Impulsgenerators in Durchlassrichtung und die andere Diode (Dl) gegenüber der Gleichstromquelle (V2) des Impulsgenerators in Sperrichtung gepolt ist und wobei die Basis-Emitter-Strecke des Transistors (Q4) zu der Steuer-Diode (D) parallelgeschaltet ist.
AT943469A 1969-10-07 1969-10-07 Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fehlimpulsen in Gasentladungstafeln AT306406B (de)

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AT943469A AT306406B (de) 1969-10-07 1969-10-07 Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fehlimpulsen in Gasentladungstafeln

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