DE2036306A1 - Mehrfachverstärker, insbesondere in integrierter Schaltung, mit Stufenentkopplung - Google Patents

Description

DIPL-ING. FRANZ WiRDIRMANN PATENTANWALT 2 HAMBURG 13

INNOCENTIASTRASSß 30

.... . - TElEFON 45213t

N. 70 069

National Semiconductor Corporation,

29oo Semiconductor Drive, Santa Clara, Kalif. (V,St.A,)

Mehrfachverstärker, insbesondere in integrierter Schaltung.,

mit Stufenentkopplung»

Für diese Anmeldung wird die Priorität aus der entsprechenden U.S.-Anmeldung Serial No. 861 867 vom 29. September 1969 in Anspruch genommen. . ;

Die Erfindung bezieht sieh allgemein auf integrierte Schaltungen und insbesondere auf eine neuartige Schaltung₃ welche das Zusammenschalten der Kollektoren einer großen Anzahl integrierter Vorverstärkerstufen ohne Verminderung ihrer Leistungsfähigkeit und ihres Betriebsverhaltens ermöglicht.

Bei integrierten Schaltungen ist es in vielen Fällen erwünscht, eine Anzahl von Eingangsverstärkern in einer solchen Weise zu verbinden, daß sie eine gemeinsame Ausgangsstufe miteinander teilen. Die Anwendungsmöglichkeiten und die Brauchbarkeit einer derartigen Schaltung sind jedoch abhängig von der Fähigkeit der Schaltung, alle Eingangssignale bis auf

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die auegewählten unbeachtet zu lassen., so daß die",nicht ausgewählten Eingänge nicht störend in Erscheinung treten« Bei bekannten Schaltungen ist es üblich, entweder von der Annahme auszugehens daß während der Zeitspanne_s in der eine Stufe ausgewählt ist, keine störenden Signale in die nicht angewählten Stufen eingegeben werden₃ oder anzunehmen _s daß alle vor= handenen Signale eine sehr geringe Kopplung in den angewählten Verstärker übertragen» Bei diesen Annahmen sind jedoch die ■ Schaltungen in zweierlei Hinsicht Beschränkungen unterworfen»

Die erste Beschränkung besteht darin_s daß auch dann_s wenn jeweils ein einsiger Verstärker angewählt ist_s der Spannungspegel der in die verschiedenen Stufen eingegebenen Signale unterhalb eines kritischen Wertes gehalten werden rnuß_s der dem Wert entspricht, bei dem die Wirkungsweise des ausgewählten Verstärkers nicht nachteilig beeinflußt wird. Diese Beschränkung engt natürlich die Brauchbarkeit der einfachen Schaltung für solche Anwendungen stark ein,'bei denen die zur Verfügung stehenden Eingänge voraussichtlich größere Werte als der kritische Eingangsxirert annehmen können«

Die andere Beschränkung besteht in dem Einfluß auf den Frequensgang eines vorgegebenen Verstärkers, der auf die inhärenten Kapazitäten zurückzuführen ist, die von den nicht angewählten Verstärkerstufen in den Eingang des vorgegebenen Verstärkers eingeführt werden» Da in integrierten Schältungen üblicherweise mehrere gleichartige Verstärkerstufen zusammengekoppelt und alle Kollektoren mit einem Funkt verbunden sind»

so daß sie sich in einen gemeinsamen Ausgangswiderstand teilen, ergibt sich, daß sämtliche, an dem betreffenden Knotenpunkt vorhandene Streukapazitäten oder Nebenkapazitäten addiert und in die Verstärkerschaltung eingeführt werden. Dadurch wird natürlich wiederum der Frequenzgang des angewählten Verstärkers ganz entscheidend beeinflußt.

Die Aufgabe der Erfindung besteht daher ganz allgemein darin, eine neuartige Schaltung zu entwickeln., bei der eine Trennung, d.h. Entkopplung zwischen den jeweils mit einer gemeinsamen Ausgangsstufe gekoppelten Eingangsverstärkern vorhanden ist, so daß die Schaltung mit höheren Eingangssignalen als bekannte Schaltungen betrieben werden kann, ferner mehrere Eingangsverstärker mit der gemeinsamen Ausgangsstufe koppelbar sind und dabei durch jeden Eingangsverstärker nur sehr wenig zusätzliche Schaltungskapazität zu der Ausgangsstufe addiert wird. Die Schaltung soll in integrierter Bauweise ausführbar sein und das Zusammenschalten der Kollektoren einer praktisch unbegrenzten Anzahl von Vorverstärkerstufen ohne Beeinträchtigung des Betriebsverhaltens und der Leistungsfähigkeit ermöglichen. Insbesondere soll die Schaltung in der. ■■ Form eines integrierten Mehrfach- oder Multiplexverstärkers mit einer Vielzahl von Vorverstärkerstufen und Einrichtungen zur Entkopplung der verschiedenen Stufen gegenüber unerwünschten Einwirkungen ausführbar sein.

Die zu diesem Zweck vorgeschlagene Mehrfachverstärker-Schaltung, die insbesondere von integrierter Ausführung sein

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kann, ist erfindungsgemäß gekennzeichnet durch eine erste und eine zweite Anschlußklemme, zwischen denen eine Potentialquelle anlegbar ist, einen auf der einen Seite mit der ersten Anschlußklemme- und auf der anderen Seite mit einer Ausgangsklemme verbundenen.Lastwiderstand, und durch mehrere, zwischen der Ausgangsklemme und der zweiten Anschlußklemme parallelgeschaltete Verstärkerstufen, die jeweils einen Ver-Stärkertransistor und einen mit diesem in Reihe geschalteten ' Schalttransistor aufweisen, wobei der Verstärkertransistor auf der einen Seite über eine Diode mit der Ausgangsklemme, und auf der anderen Seite über den Schalttransistor mit der zweiten Anschlußklemme verbunden ist. _ < .

Nach einer weiteren Ausführung der Erfindung kann-die Mehrfachverstärkerschaltung aus mehreren parallelgeschalteten und an gemeinsamen Ausgangsklemmen angeschlossenen Verstärkerstufen bestehen, wobei erfindungsgemäß eine jeweils einen " Teil jedes Verstärkerkreises bildende und zur Entkopplung der. "entsprechenden Verstärkereingänge der nicht angewählten Stufen von den gemeinsamen Ausgangsklemmen dienende-Entkupplungsvorrichtung vorgesehen ist, die jeweils aus einer in Reihe mit den aktiven Verstärkerelementen jeder Stufe liegenden Diode besteht. Diese Verstärkerschaltung kann weiterhin aus einer auf einem einzigen Halbleiterplättchen ausgebildeten, monolithischen, integrierten Schaltung bestehen.

Vermittels der durch die Erfindung'vorgeschlagenen neuartigen Schaltungstechnik läßt sich eine Vielzahl von Mehrfach*

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verstärkern oder dgl. mit einem gemeinsamen Ausgang verbinden, indem zwischen.den Kollektoren jedes Verstärkers und dem gemeinsamen Ausgang Dioden eingefügt werden. Die Anwahl eines bestimmten Verstärkers erfolgt durch Schalten einer Stromquelle in den angewählten Verstärker, so daß nur die diesem Verstärker zugeordneten Dioden leitend sind und einen Signalweg niedriger Impedanz zur Äusgangsbelastung bilden. Da die Stromquelle in diesem Zeitpunkt nicht mit einem anderen Verstärker verbunden ist, sind die Verstärkertransistoren inaktiv, d.h. sie geben keinen Emitterstrom ab. Die mit den Kollektoren dieser Verstärkertransistoren verbundenen Dioden sind nicht leitend und stellen eine Signalsperre hoher Impedanz für etwa auftretende schwache Eingangssignale dar. Wenn jedoch das Signal am Eingang eines nicht ^angewählten Verstärkers größer ist als der allen Verstärkern gemeinsame Wert, wird die Diode in Sperrichtung beaufschlagt und sperrt sich auch gegenüber diesen starken Signalen. Daher ist der angewählte Verstärker von allen Störungen isoliert, die an den Eingangsklemmen der anderen Vorverstärker auftreten können, und hohe positive Spannungen bis zur Durchbruchspannung der eingesetzten Dioden können im Sperrzustand an die Eingangsklemme der verschiedenen Verstärker angelegt werden, ohne daß eine Beeinträchtigung der Arbeitsweise des angewählten Verstärkers auftritt. Auch "für starke negative'. Signale wirkt eine Diode in Reihe mit der Stromquelle als Sperre".

Lin bedeutendet· Vorteil der Krfindung gegenüber den be-

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■ ■ - ■ 2Ü363U6

kannten Schaltungen besteht darin, daß sehr viele Verstärker an ihren Kollektoren zusammengeschaltet werden können, ohne daß der Frequenzgang des Systems dadurch wesentlich beschnitten werden würde. Das ist natürlich auf die hohe Impedanz zurückzuführen, die jede Diode an den Kollektoren der abgeschalteten Stufen aufweist.

Weitere Vorteile der.Erfindung werden anhand der nachstehenden Beschreibung des in der Zeichnung dargestellten bevorzug-™ ten Ausführungsbeispiels näher erläutert.

Figo 1 ist ein vereinfachter schematischer Schaltplan

eines Differentialverstärkers nach der Erfindung. Fig. 2 ist eine Ersatzschaltung des Verstärkers der Fig. 1

im eingeschalteten Zustand. Fig. 3 ist eine Ersatzschaltung des Verstärkers der Fig¹. I

im ausgeschalteten Zustand. ,

Fig. 4 ist ein schematischer Schaltplan eines Mehrfachverstärkers mit mehreren Verstärkerstufen und Ent- h kopplungseinrichtungen nach der Erfindung.

Fig. 5 ist eine Ersatzschaltung des schematischen Schaltplans der Fig. 4.

In Fig. 1 der Zeichnung ist eine einfache transistorierte Differentialverstärkerstufe dargestellt, wie sie typischerweise in integrierten Mehrfachverstärkerschaltungen verwendet wird, mit der Ausnahme, daß die Schaltung erfindungsgemäß abgeändert worden ist. Zwischen der Anschlußklemme Io, an die eine Kollek-

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JiV

-w *7 mm ■ ■ " ■

torspeisespannürig V_cc angelegt werden kann, und Masse befindet sich eine Reihenschaltung, die aus einem Lastwiderstand PL, einem Verstärkerkreis 12 aus einer Diode 14 und einem npn-Transistor T, sowie einem Schalttransistor S besteht. Mit der Basis des Schalttransistors S ist eine Eingangsklemme 16 verbunden, an die Verstärker-Steuersignale angelegt werden können. Mit der Basis des Transistors T ist eine Verstärkereingangsklemme 18 "' verbunden. Das Ausgangssignal der Schaltung wird an der Aus- ■ gangsklemme 2o abgegriffen.

Wenn an die Anschlußklemme Io die Spannung Vqq, und an die Klemme 16 des Schalttransistors S ein Steuersignal angelegt ist, kann an der Ausgangsklemme 2ο ein Ausgangssignal erhalten werden, das sich entsprechend einem an die Eingangsklemme 18 angelegten Eingangssignal verändert. Wenn jedoch der Schalttransistor S abgeschaltet, d.h. gesperrt ist, wird auch dann kein Ausgangssignal an der Äusgangsklemme 2o erhalten, wenn ein Eingangssignal an die Klemme 18 angelegt wird, da zwischen diesen Klemmen eine Diode 1Ί angeordnet ist, die bei Rückwärtsbeaufschlagung eine starke Entkopplung oder Trennung zwischen der Eingancsklemme 18 und der Ausgangsklemme 2ο bewirkt.

Zur Darstellung der durch die Diode l4 bewirkten Trennung zwischen Eingangs- und Ausgangsklemme wird auf Fig. 2 verwiesen, die eine Ersatzschaltung des Ausführungsbeispiels der Fig. 1 im leitenden Zustand des Transistors S darstellt. Wenn der Transistor S angeschaltet und ein Eingangssignal an den

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Transistor T angelegt ist, läßt sich die Schaltung der Pig. 1 darstellen in .der Form einer Stromquelle 22, die in Reihe liegt mit der Parallelschaltung von Dioden-Durchlaßwiderstand PL· und Diodenkapazität C_n, und dem Lastwiderstand FL . Der Transistor T weist dabei eine inhärente Kollektor-Unterlage-Kapazität Cm von angenähert 2pP auf, die zwischen dem Punkt 24 und Masse dargestellt ist. Da die Diode l4 durch den kleinen Widerstand R_D von etwa 26 Ohm und die kleine Kapazität C_D von etwa 0,1 pF P dargestellt werden kann, läßt sich daher ersehen, daß durch Einfügen der Diode 14 eine sehr kleine Impedanz in die Schaltung eingeführt wird. . :

Fig. 3 ist eine Ersatzschaltung der Schaltung nach Fig, I, gesehen von der Ausgangsklemme 2o" aus, wenn der Schalt/fcransistor S gesperrt ist. Auch hier läßt sich wiederum die Diode durch eine Kapazität und einen mit dieser parallelgeschalteten Widerstand darstellen, wobei jedoch hier die Diode 14 nicht leitend oder durch ein großes positives Potential, das an der W Eingangsklemme 18 angelegt ist, in Sperrichtung beaufschlagt/ ist. Die Diode hat jetzt anstelle des kleinen Widerstandes bei vorwärtsbeaufschlagtem Scha It transistor' S nunmehr einen großen Widerstand von angenähert Io Megohm gegenüber dem über die Klemme 18 zugeführten Strom. Da außerdem jetzt die kleine. Kapazität C_D in Reihe mit der Kollektor-Unterlage-Kapazität Cm liegt, beträgt die Kapazität in bezug auf die Ausgangsklemme 2o" jetzt gleich

^CD^CT

V⁰T

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und da CU₁ angenähert 2o mal größer ist als C_D beträgt die Gesamtkapazität zwischen der Klemme 2o" und Masse angenähert l/2o der Kapazität CL· alleine. Durch Einfügen der Diode 14 in die Schaltung der Fig. 1 wird daher das an der Ausgangsklemme 2 ο zur Verfugung stehende Ausgangssignal bei ange- \ schalteten! oder leitendem Schalter S nur geringfügig verändert, jedoch bei abgeschaltetem Schalter S eine beträchtliche Änderung der Eigenschaften der Schaltung erzielt.

Obwohl der durch die zwischengeschaltete Diode erzielte Vorteil-bei Betrachtung einer einzelnen Stufe nicht ohne weiteres ersichtlich ist, läßt sich die Verbesserung sofort erkennen, wenn eine Anzahl derartiger Stufen parallelgeschaltet sind und wahlweise einen gemeinsamen Lastwiderstand R^ teilen Es sind zwar bisher ähnliche Schaltungen, jedoch ohne Diode verwendet worden, doch blieben diese Schaltungen auf 'eine sehr kleine Anzahl von Stufen begrenzt, da sie keine Einrichtung zur gegenseitigen Trennung oder Entkopplung der Stufen aufwiesen und daher die Anzahl der praktisch miteinander koppelbaren Stufen dadurch begrenzt war, daß die an der Ausgangsklemme erscheinende Gesamtkapazität proportional ist der Anzahl der miteinander gekoppelten Stufen. Da weiterhin auch der Frequenzgang und folglich die Arbeitsgeschwindigkeit des Verstärkers unmittelbar von der Eingangskapazität betroffen werden, konnte bei bekannten Schaltungen nur eine sehr kleine Anzahl von Stufen in einer einzigen Schaltung angeordnet werden. Dagegen ist es vermittels der neuartigen Schnltuncstechnik nach der

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- Io -

Erfindung möglich_s eine nahezu unbegrenzte Anzahl von Stufen miteinander zu koppeln»

Die Mehrfach- oder Multiplexschaltung des in Fig. 4 dargestellten Vorverstärkers besteht aus einer Vielzahl von Differentialvorverstärkerstufen 3Oj/32 und 34, die parallel zueinander zwischen den Ausgangsklemmen 36 und 38 geschaltet sind. Jede einseine Vorverstärkerstufe besteht aus einer Parallelanordnung von zwei Verstärkern der in Fig. 1 dargestellten Ausführung j wobei die Transistoren T auf der linken Seite über die ihnen zugeordneten Enfckopplungsdioden D mit der Ausgangsklemme 36, und die Transistoren auf der rechten Seite durch die ihnen zugeordneten Entkopplungsdioden mit der Ausgangsklemme 38 verbunden sind. Außerdem weist jede Stufe einen Schalttransistor S auf_s dessen Basis mit einer der Schaltklemmen 31 s 33 bzw» 35 verbunden ist. .In entsprechender Weise sind die Basen der Transistoren T jeweils mit den Ausgangsklemmen 4o, 4lj 42j 43_S 44 bzw. 45 verbunden,, durch welche f die zu verstärkenden Eingangssignale zugdührt werden. Die Emitter der Schalttransistoren S sind gemeinsam über eine Leitung 46 mit Masse₃ und die Kollektoren der Transistoren sind mit den Emittern der entsprechenden Verstärker über die Dioden D₁., Dj- bzw. Dg verbunden,, die eine zusätzliche Entkopplung bilden und zum Schutz gegen negative Spannungen dienen. Die Ausgänge an den Klemmen 36 und 38 liegen jeweils parallel zu dem Lastwiderstand 5o bzw. 52.

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Im Betrieb ν; erde η die Vorverstärker-Eingangssignale an die Klemmen ko-Ud angelegt, und die Anwahl einer Vorverstärkerstufe erfolgt durch Anlegen einer Spannung an eine der Klemmen 31, 33 bzw. 35, wodurch der entsprechende Schalter S angeschaltet wird. Sobald der Schalter £ leitfähig ist, besteht ein Stromweg von V._cc durch die angewählte Verstärkerstufe zur Masse, so daß an den Lastwiderständen 5o und 52 jeweils ein Spannungsabfall entsteht, der proportional ist den iangangssignalen an den entsprechenden Transistoren T des aktivierten Vorverstärkers.

wenn beispielsweise der Verstärker 34 durch Anlegen einer Abschaltspannung an die Schalt- oder Anwahlklemme 35 des Verstärkers angewählt und dadurch der Schalttransistor S- eingeschaltet wird, sind die Dioden D-ßj. D₁Jj und D₂J₄ in_: Durchlaßrichtung beaufschlagt und bilden einen Signalweg niedriger Impedanz. Somit erscheint an der Ausgangsklemme 36 ein Ausgangs signal, das abhängig ist von dem an die Eingangsklemme 35 angelegten Eingangssignal, welches wiederum abhängig ist von dem an die Eingangsklemme 'I¹I angelegten Eirigangssignal. La die Schalter S. und S^ während der Anschaltzeit des Schal- ' ter;3 C, abgeschaltet sind und somit den Stromweg; durch die Verstärker 3o und 32 unterbrechen, haben an diese Verstärker angelegte Lingangssignale keine Auswirkung auf die Ausgangsklernmen 3-6 und 38, da die Dioden an den Kollektoren der entsprechenden Transistoren T jeweils eine Sperre hoher Impedanz

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für etwa an die Klemmen ^0-^3 angelegte Eingangssignale darstellen,

Daher ist der Verstärker gegenüber allen Störungen isoliert, die ansonsten durch an die Eingangsklemmen der anderen. Vorverstärker angelegte Signale hervorgerufen werden könnten. Infolge dieser Entkopplung können hohe positive Spannungen bis zum Durchbruchpotential der mit den Kollektoren verbundenen Dioden an die Eingänge der anderen Stufen während ihrer ^ Abschaltzeiten angelegt werden, ohne daß eane Beeinträchtigung der Arbeitsweise des angewählten Verstärkers erfolgt.

Wie bereits ausgeführt, wird die Entkopplung gegenüber negativen Spannungen vermittels der mit den Kollektoren der Schalttransistoren S verbundenen Dioden erreicht, und die Arbeitsweise dieser Dioden läßt sich entsprechend wie unter Bezugnahme auf die Figuren 1, 2 und 3 beschrieben analysieren. Wie im Falle der Verstärkerdioden führen auch diese Schaltungselemente bei Beaufschlagung in Durchlaßrichtung nur eine sehr kleine Impedanz in die Schaltung ein.

Zur weiteren Erläuterung der vermittels der Erfindung erzielten Vorteile bei dem in Fig. Λ dargestellten Ausführungsbeispiel eines Mehrfachverstärkers ist in Fig. 5 der Zeichnung eine Ersatzschaltung in bezug auf die Ausgangsklemme 36 der jeweiligen Kalbstufen dargestellt. Da nur die Stufe 3^' angeschaltet ist und die übrigen Stufen 3o' und 32' passiv sind, werden Signaleingänge zu den Stufen-3o' und. 32' durch die

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hohen Widerstände R'_Dp und R'_Dp₂ gesperrt. Während in bekannten Schaltungen, die keine mit dem Kollektor verbundene Diode aufweisen, die Kapazitäten CL· parallel zueinander unmittelbar an der Ausgangsklemme hängen und sich daher als parallelgeschaltete Kapazitäten unmittelbar addieren,lag daher eine sehr große Kapazität an der Ausgangsklemme, und deren Größe nahm mit jeder zusätzlichen Stufe zu und schränkte die Betriebseigenschaften ein.

Durch Anordnung der zusätzlichen Dioden in die Schaltungen unter Verwendung integrierter Schaltungstechniken entsprechend der Erfindung werden die kleinen Kapazitäten C_D2q und G' jeweils in Reihe mit den Kollektor-Unterlage-Kapazitäten und Crj,₂₂ gelegt. Da außerdem in integrierten Schaltungen des hier beschriebenen Typs die Diodenkapazität angenähert l/2o der Kollektor-Unterlage-Kapazität jedes Transistors ist, beträgt die durch jede inaktive Stufe in den Ausgang effektiv eingebrachte Kapazität angenähert l/2o der ohne die Dioden eingebrachten Kapazität. Daher lassen sich aufgrund der Erfindung nunmehr beliebig viele Stufen zu einer vorgegebenen integrierten Schaltung addieren, ohne die Ansprechcharakteristik des '/erstärkernetzwerkes wesentlich zu beeinflussen. In integrierten Schaltungen des hier beschriebenen Typs kann das Einsetzen der Dioden auf sehr einfache Weise durch Austausch eines Diffusionstyps durch einen anderen an dem Kollektorkontakt des Transistors erfolgen.

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Wenngleich die Erfindung anhand'von npn-Transistoren in einer Differentialvorverstärkerschaltung beschrieben worden ist, soll darauf hingewiesen werden, daß sich die Erfindung im Prinzip in gleicher Weise auch auf andere Typen von integrierten Schaltungen anwenden läßt_s in denen eine Vielzahl von Eingangsstufen wahlweise anwählbar sein sollen. Die Erfindung ist daher nicht auf die hier dargestellten und beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt.

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Claims (10)

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   ■ 1.)Mehrfachverstärkerschaltung, insbesondere in integrier-

   ^v-'"'" '.''■' '^: / ■■■■■■ ■'■.-'-' ter Ausführung, gekennzeichnet durch eine erste und eine zweite Anschlußklemme (lo, 16), zwischen denen eine Potentialquelle (Vpp) anlegbar ist, einen auf der einen Seite mit der ersten Anschlußklemme und auf der -anderen Seite mit einer Ausgangsklemme (2o, 36, 38) verbundenen Lastwiderstand (IV 5o)_s und · durch mehrere, zviischen der Ausgangsklemme und der zweiten Anschlußklemme parallelgeschaltete Verstärkerstufen (3o, 32, .3¹I), die jevieils wenigstens einen Verstärkertransistor (T) und einen mit diesem in Reihe geschalteten Schalttransistor (S) aufweisen, wobei der Verstärkertransistor auf der einen Seite über eine Diode (I¹I, D) mit der Ausgangsklemme, und auf der anderen Seite über den Schalttransistoi mit der zweiten Anschlußklemme verbunden ist.
2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Lastwiderstand (52) auf der einen Seite mit der ersten Anschlußklemme (V_nr>) und auf der anderen Seite mit einer " zweiten Ausgangsklemme (38) verbunden und eine zweite Gruppe von Verstärkerstufen vorgesehen ist, die jeweils eine zweite Diode (Ρ_1ό, ^Di2^{s D}1'P und einen in Reihe mit dieser geschalteten Verstärkertransistor (T₁₀, T₁₂, -T₁J₁) aufweisen, wobei der Verstärkertransintor auf der einen Seite über die Diode mit der zweiten Ausganr.sklemme, und auf der anderen- Seite über den Schalttransistor mit der zweiten Anschlußklemme (31, 33, 35) verbunden ist.

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3. 3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede Verstärkerstufe eine Diode (Dh, D₁-, Dg) aufweist, die jeweils zwischen dem Verstärkertransistor und' dem diesem zugeordneten Schalttransistor geschaltet ist.
4. k. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jede Verstärkerstufe aus einem Differentialverstärker besteht. · ....·■-
5. 5· Schaltung nach Anspruch 1, insbesondere Mehrfach-Vorverstärkernetzwerk mit mehreren, parallel zueinander mit einer gemeinsamen Belastung verbundenen Differentialverstärkerstufen und einer Einrichtung zur selektiven Erregung einer einzelnen Stufe, während alle anderen Stufen abgeschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß jede Stufe (3o, 32,"3¹O eine Diode (D) aufweist, die in Reihe mit den Verstärkerelementen jeder Stufe zwischen der gemeinsamen Last und den Verstärkerelementen der Stufe geschaltet ist.
6. 6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zur selektiven Erregung der Verstärkerstufen dienende Einrichtung aus aktiven, integrierten Schaltungselementen (S., S„, S) besteht, die durch eine weitere Diode (Dh, Dj., D^) mit den Verstärkerstufen gekoppelt sind.
7. 7. Mehrfachverstärkerschaltung, die aus mehreren parallelgeschalteten und an gemeinsame Ausgangsklemmen angeschlossenen Verstärkerstufen besteht, gekennzeichnet durch eine jeweils

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   einen Teil jedes Verstärkerkreises bildende und zur Entkopplung der entsprechenden Verstärkereingänge der nicht angewählten Stufen von den gemeinsamen Ausgangsklemmen (36, 38) dienende Entkopplungsvorrichtungj die jeweils aus einer in Reihe mit den aktiven Verstärkerelementen (T) jeder. Stufe liegenden . Diode (D₁J₃ D^, Dg) besteht.
8. 8. Schaltung nach Anspruch J₃ dadurch gekennzeichnet, daß die Diode in der Schaltung zwischen den aktiven Verstärkerelementen und den gemeinsamen Ausgangsklemmen angeordnet ist.
9. 9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkerstufen aus Differentialverstärkern bestehen.
10. 10. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkerschaltung aus einer auf einem einzigen Halbleiterplättchen ausgebildeten, monolithischen, integrierten Schaltung besteht. :

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