DE2002571C - Verfahren zur Herstellung von Anschlußleitungen auf einem isolie renden Trager zur Kontaktierung einer mikroelektronischen Schaltung - Google Patents

Description

Seite des doppelseitig metallkaschiertei; Kunst- auf dem Substrat verbinden.

Stoffkörpers (4 eine Aussparung (5) geätzt wird, ao Aus der Zeitschrift »Elektro-Technik» Nr. 10 vom daß hierauf eine entsprechende Aussparung in 22. 3. 1967 Seite 169 und 170 ist eine mit Leiterbahden darunter befindlichen isolierenden Träger ge- nen versehene Schaltungsplatte bekannt, wobei je ein ätzt wird und daß dann von der Metallkaschie- Ende der Leiterbahnen als steckbare Kontaktfinger rung der zweiten Seite die nicht für die Leiterbah- ausgebildet sind, während die anderen Enden mit innen benötigten Teile weggeätzt werden. as tegrierten Schaltkreisen verbunden sind.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zukennzeichnet, daß vor dem Ätzen der Metallka- gründe, ein Verfahren zur Herstellung von Anschlußschierung u'wT zweiten Seite auf die Außenseite leitungen auf einem isolierenden Träger zur Kontakder Metallkaschierung ein Ätzmaske mit dem tierung einer mikroelektronischen Schaltung anzuge-Positiv des Leitungsmisters aufgebracht wird und 30 ben, das es gestattet, auf möglichst rationelle Weis? die Aussparung (5) oder no die überstehenden und mit für die Zwecke der Massenfertigung geeigne-Leiterenden (7) auf der ersten Seite abgedeckt ten Mittel eine Aussparung zur Aufnahme der miwerden und die Ätzung der Leiterbahnen (6) er- kroelektronischen Schaltung in dem Träger, Leiterfolgt und daß nach Entfernen der Ätzmaske die bahnen zur Verbindung der mikroelektronischen Leiterbahnen (6) mit einer Endoberfläche verse- 35 Schaltung und Verbindungen zwischen der mikrohen werden. elektronischen Schaltung und dwn Leiterbahnen her-

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- zustellen, wobei außerdem die anderen Enden der kennzeichnet, daß nach der ätztecl.nischen Her- Leiterbahnen eine möglichst einfache Verbindung stellung der Aussparung (S) auf die zweite Seite nach außen gestatten.

der Metallkaschierung eine Galvanikabdeckung 40 Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß das anmit dem Negativ des Leitungsmusters aufgebracht dcre Ende der Leiterbahnen in an sich bekannter wird und daß gleichzeitig die Aussparing (5) auf Weise als steckbarer Kontaktfinger ausgebildet wird der ersten Seite bis auf die überstehenden Leiter- und daß in die Metallkaschierung auf einer ersten enden (7) abgedeckt wird, worauf nach Aufbrin- Seite des doppelseitig metallkaschierten Kunststoffgen einer galvanischen Endoberfläche und Ent- 45 trägers eine Aussparung geätzt wird, hierauf eine entfernung der Galvanikabdeckung mit der galvani- sprechende Aussparung in den darunter befindlichen sehen Endoberfläche als Ätzschutz geätzt wi~H Träger geätzt wird und dann von der Metallkaschfe-

rung der zweiten Seite die nicht für die Leiterbahnen benötigten Teile weggeätzt werden.

50 Dieses Verfahren gestattet die ätztechnische Herstellung der Ausnehmungen zur Aufnahme der mikroelektronischen Schaltung sowie der Leitungsbah-

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren nen auf der Trägerplatte einschließlich ihrer über die

zur Herstellung von Anschlußleitungen auf einem Ausnehmung überstehenden Enden, die dann mit der

isolierenden Träger zur Kontaktierung einer mikro- 35 mikroelektronischen Schaltung verbunden werden,

elektronischen Schaltung, wobei auf einer Oberfläche Ein solches Verfahren ist für die Massenproduktion

eines metallkaschierten Trägers die Anschlußleitun- besonders gut geeignet.

gen in Form gedruckter Schaltungen derart herge- Gemäß einer ersten Ausiuhrungsform der Erfinstetlt werden, daß je ein Ende der Leiterbahnen über dung wird vor dem Ätzen der Metallkaschierung der eine der Aufnahme der mikroelektronischen Schal- 60 zweiten Seite auf die Außenseite der Metallkaschietung dienende Aussparung in dem Träger hinausragt rung eine Ätzmaske mit dem Positiv des Leitungsmu- und mit den Anschlußpunkten der mikroelektroni- sters aufgebracht und die Aussparung oder nur die sehen Schaltung verbunden wird. überstehenden Leiterenden auf der ersten Seite ab-. Aus der USA.-Patentschrift 3 390 308 ist bereits gedeckt und die Ätzung der Leiterbahnen durchgeeinc Anordnung aus mehreren integrierten Schal- 65 führt, worauf nach Entfernen der Ätzmaske die Leitungschips bekannt, wobei für jeden Chip in der terbahnen mit einer Endoberfläche versehen werden. Trägerplatte eine Ausnehmung vorgesehen ist und Gemäß einer zweiten vorteilhaften Ausführungswobei zur Verbindung zwischen den Anschlußpunk- form der Erfindung wird nach der ätztechnischen

Herstellung der Aussparung auf die zweite Seite der punkten 3 der mikroelek Verbindungen ist

Metallkaschierung eine Galvanikabdeckung mit dem Zur Herstellung der ^er}°«£ _{der beiden} Körper

Negativ des Leitungsmusters aufgebracht und gleich- also nur eine einzige j u * _tdj _der Verbin-

zeitig die Aussparung auf der ersten Seite bis auf die zueinander ertorüeriicn. » ^ ^ _bekannter

überstehenden Leiterenden abgedeckt, worauf nach 5 dung an ^de" "j"*%ⁿ *";«* Kleben od. dgl.

Aufbringung einer galvanischen Endoberfläche und Weise durch Loten bcnwei^u · _{mmen mU der An}_

Entfernung der Galvanikabdeckung mit der galvani- Fig. 4 zeigt die rerug . _{roelektronisc}he Schal-

schen Endoberfläche als Ätzschutz geätzt wird. schlußspinne vergossene, γπικγο

An Hand der Figuren wird nun ein Ausführungs- tung. Ancrhlußsoinne erfolgt zweck-

beispiel einer nach dem erfindungsgemäßen Verfah- io Die .Herstellung ■der A nsc"' £ _beschriebenen

ren kontaktierten mikroelektronischen Schaltung so- mäßigerweise nach dem im ioig

wie Ausführungsbeispiele des erfmdungsgemäßen ^Ve _K ^rf^ahreiV _vo_ _dnem doppelseitig metallfolien-

Verfahren erläutert. Man g eht aus ν one ^ηε™°°ΡΡ _d ^B _{ünnen Kunst}.

F i g. 1 zeigt eine zu kontaktierende mikroelektro- kaschierten, ^z·^B; ^^"^««Λίβη Kunststoffnische Schaltung; »5 .stofftier, z.^B. ^^ηεΓ£^^ΐ_ηε Seite dieser Folie

Fig. 2 zeigt einen mit Leiterbahnen versehenen folie. Hierauf bringtrnar^aure^ _{Fotoätzmaske-}

isolierenden Träger, der zur Kontaktierung der mi- eine A^tz™?^sk«^auf:*°"E vorgesehenen Raum

kroelektronischen Schaltung nach Fig.l Verwen- die üen ^fu.^r/'^e _d^_nS sV der Folie vollstän-

^ig^igt die Verbindungsstellen zwischen der . S iÄS* ^^^ΆΧ^^ mikroelektronischen Schaltung und den zur Kontak- herzustellenden Au J-J "» g

tierung dienenden Leiterbahnen; ^fT⁶ μ ΪΪ, SzmX der frei liegende

Fig. 4 zeigt eine fertig vergossene und mit An- g.ebcnen Me all «J» Ätamastoe B^

Schlußleitungen versehene mikroelektronische Schal- Kunststoff^Tn**^ _{angepaß(e Ätzlösung}

^tUnD⁸ie in Fig.l dargestellte mikroclektronische Verwendung findet gjm Ätzen «J'^*^ Schaltung besteht aus einem Substrat, z. B. aus Glas, stärkten Epoxydharefolie kann man ° P Keramik oder einem Halbleiter, das im Bereich der eine Mischung aus Schwefelsaure und muds

^AS^uTlSeS^e^e^ 30 ^ufwird auf f.^^^^L ^gDiese Leiterbahnen münden in die Anschlußflek- ■ ^J^^Z^SI^^JLu ^

Die in F i g. 2 dargestellte Anschlußspinne in Form später von den ^^^^£^^a^^uf^ einer gedruckten Schaltung dient zur Kontaktierung gen «"f*™^ ™ίΐ_η Τ£ Weise wird im der in Fig.l dargestellten mikroelektronischen 35 Te₁Ie frei gelassen werden. In gleicnere

Schaltunj. Sie umfaßt einen isolierenden Träger 4, Bereich der Ausnehmung auf d£ «g^*™ ^ z.B. eine dünne Folie aus glasfaserverstärktem Anschlußspinne emL"^U _k ^r _et_uf^ebracht Hierauf wird Kunststoff, die im Bereich der anzuschließenden mi- ^«^^g^^g^Sffkönnen

S^!S5SSSFS - Iää|äöä:

der Leiterbahnen 6 ragen freitragend in die Ausspa- dem Herstellen der ^A"snenmung Metallkaschierung rung 5 hinein. Das andere Ende 8 der Leiterbahnen 45 trager die mit deJ _e^r Sv?Skfe^ /Sdeckunl

Enden der Leiterbahnen 6 genau über den Anschluß- 55 Teile der Kaschierung herausgeatzt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

ten der Chips und Anschlußpunkten auf der Träger-Patentansprüche: platte Verbindungsleitungen vorgesehen sind, die über die Ausnehmung in der Trägerplatte überstehen.

1. Verfahren zur Herstellung von Anschlußlei- Aus der USA.-Patentschrift 3 436 604 ist es auch tungen auf einem isolierenden Träger zur Kontak- 5 bekannt, ein Halbleiterchip mit Leiterbahnen zu yertierung einer mikroelektronischen Schaltung, wo- sehen, die auf dem Chip aufgebracht sind und über bei auf einer Oberfläche eine^ metallkaschierten die seitlichen Begrenzungen des Chips übersehen. Träger«, die Anschlußleitungen in Form gedruck- Ein solcher Chip kann in eine Vertiefung in einer ter Schaltungen derart hergestellt werden, daß je Trägerplatte gebracht und die überstehenden Leiterein Ende der Leiterbahnen über eine der Auf- io bahne ι zur Verbindung mit Leitungen auf der nähme der mikroelektronischen Schaltung die- Trägerplatte verwendet werden.

nende Aussparung in dem Träger hinausragt und Aus der deutschen Oftenlegungsschrift 1 812 157

mit den Anschlußpunkten der mikroelektroni- ist ein integriertes Halbleiterbauelement bekannt mit

sehen Schaltung verbunden wird, dadurch ge- Halbleiterscheiben, die auf einem dielektrischen Sub-

kennzeichnet, daß das untere Ende der 15 strat befestigt sind, wobei das Substrat mit einer Bin-

Leiterbahnen (6) in an sich bekannter Weise als demittelschicht überzogen ist und auf der Bindemit-

steckbarer "Contaktfinger (8) ausgebildet wird und telschicht Kontaktstreifen angeordnet sind, die d<e

daß in die Metallkaschierung auf einer ersten Kontakte der Halbleiterscheiben mit Leiterbahnen