DE19920332B4

DE19920332B4 - Process reactor for the treatment of semiconductor substrates and method for carrying out a process

Info

Publication number: DE19920332B4
Application number: DE19920332A
Authority: DE
Inventors: Andreas Brandt; Thomas Doerrmann; Markus Micossi; Walter Sturm
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 1998-05-04
Filing date: 1999-05-03
Publication date: 2010-10-21
Anticipated expiration: 2019-05-04
Also published as: DE19920332A1

Abstract

Prozeßreaktor zur Durchführung eines Prozesses mit Hilfe eines in eine beheizte Prozeßkammer (2) einzuleitenden, zumindest in heißem Zustand gasförmigen Mediums,
mit einer Prozeßkammer (2), die zwei aus einem hitzebeständigen Material bestehende Wandungsteile mit Anschlagflächen aufweist, die während des Prozesses gegeneinander gedrückt sind,
wobei das erste Wandungsteil ein Rohr (3) ist und das zweite Wandungsteil einen Deckel (4) aufweist, der ein Ende des Rohres (3) abschließt
mit einem Formteil (7), das die Anschlagflächen umgibt, aus einem hitzebeständigen Material besteht und das Medium nach dem Austreten aus der Prozeßkammer (2) zunächst auffängt,
und mit einer Absaugvorrichtung (8) zum Absaugen des Mediums, in gasförmigem Zustand aus dem Formteil (7),
dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlagsflächen derart gegeneinander gedrückt sind, das das Medium zwischen den Anschlagsflächen aus der Prozeßkammer austritt,
und daß an dem durch den Deckel (4) abgeschlossenen Rohrende eine Scavenger-Box angeordnet ist,
und dass der Deckel...Process reactor for carrying out a process by means of a medium to be introduced into a heated process chamber (2), at least in the hot state,
with a process chamber (2) which has two wall parts made of a heat-resistant material with abutment surfaces which are pressed against one another during the process,
wherein the first wall part is a pipe (3) and the second wall part has a lid (4) which terminates one end of the pipe (3)
with a molded part (7) which surrounds the stop surfaces, consists of a heat-resistant material and initially traps the medium after it leaves the process chamber (2),
and with a suction device (8) for sucking off the medium, in the gaseous state from the molded part (7),
characterized in that the abutment surfaces are pressed against one another in such a way that the medium exits the process chamber between the abutment surfaces,
and that a scavenger box is arranged at the end of the tube closed by the cover (4),
and that the lid ...

Description

Prozeßreaktor zur Behandlung von Halbleitersubstraten und Verfahren zur Durchführung eines Prozesses.process reactor for the treatment of semiconductor substrates and method for carrying out a process.

Die Erfindung betrifft einen Prozeßreaktor zur Durchführung eines Prozesses mit Hilfe eines in eine beheizte Prozeßkammer einzuleitenden, zumindest in heißem Zustand gasförmigen Mediums, wobei die Prozeßkammer zwei aus einem hitzebeständigen Material bestehende Wandungsteile mit Anschlagflächen aufweist, die während des Prozesses gegeneinander gedrückt sind und zwischen denen das Medium aus der Prozeßkammer austreten kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 9.The The invention relates to a process reactor for execution a process with the help of a heated process chamber to be introduced, at least in the hot state gaseous medium, the process chamber two of a heat resistant Material existing wall parts having stop surfaces, which during the Process pressed against each other are and between which the medium can escape from the process chamber. The The invention further relates to a method according to the preamble of Claim 9.

Aus der deutschen Übersetzung DE 690 10 835 T2 ist ein chemischer Dampfablagerungsapparat bekannt, der u. a. ein Reaktionsrohr als Prozesskammer enthält. Aus der Zusammenfassung zur japanischen Offenlegungsschrift JP 01047872 A ist ein Apparat zur Schichterzeugung bekannt, der einen Reaktionsofen enthält.From the German translation DE 690 10 835 T2 For example, a chemical vapor deposition apparatus is known which contains, inter alia, a reaction tube as a process chamber. From the abstract to the Japanese patent application JP 01047872 A For example, there is known a film forming apparatus which includes a reaction furnace.

Aus der US 4,920,920 ist ein Reaktor mit einem Reaktorrohr, einem Deckel und mit einer Abgasleitung bekannt, die den Deckel umschließt. Im Deckel befindet sich eine nicht dargestellte Auslassöffnung, durch die das Prozessgas austritt. Aus der US 5,064,367 ist ein Reaktor bekannt, der ein Reaktorrohr, einen Deckel und eine Scavenger-Box enthält. Im Deckel sind mehrere radial ausgerichtete Öffnungen angeordnet, durch die das Prozessgas austreten kann. Aus der US 4,803,948 ist ein Reaktor bekannt, der ein Reaktorrohr und ein kurzes Aufsteckrohr enthält. Das Aufsteckrohr wird mit einem Deckel luftdicht verschlossen. In dem Aufsteckrohr befindet sich eine Auslassöffnung für das Prozessgas.From the US 4,920,920 For example, a reactor comprising a reactor tube, a lid and an exhaust pipe enclosing the lid is known. The lid has an outlet opening, not shown, through which the process gas exits. From the US 5,064,367 For example, a reactor containing a reactor tube, a lid and a scavenger box is known. In the lid a plurality of radially aligned openings are arranged through which the process gas can escape. From the US 4,803,948 For example, a reactor is known which contains a reactor tube and a short push-on tube. The plug-on tube is hermetically sealed with a lid. In the plug-on tube is an outlet opening for the process gas.

Prozeßreaktoren der oben beschriebenen Art werden beispielsweise als Diffusionsöfen zur Behandlung von Halbleitersubstraten eingesetzt. Ein Beispiel für ein solches Verfahren ist der POCl₃-Prozeß, bei dem auf einer Halbleiteroberfläche aus z. B. polykristallinem Silizium oder Siliziumdioxid Phosphor abgeschieden und PSG-Schichten (Phosphor Silicate Glass) erzeugt werden. Ein Gemisch aus Gasen wie Sauerstoff, Phosphoroxidchlorid und Stickstoff aus Trägergas wird in eine auf typischerweise 600–1000°C aufgeheizte Prozeßkammer eingeleitet, diffundiert dort über die Substratoberfläche und tritt dann aus der Prozeßkammer aus. Die Prozeßkammer ist in der Regel in Form eines Rohres ausgebildet, das an einem Ende, von dem aus es mit Wafern beladen werden kann, einen Deckel mit einer Ausströmöffnung für das Prozeßgasgemisch aufweist. Das austrittsseitige Ende des Prozeßreaktorrohres befindet sich in einer Scavenger-Box, in der das austretende Gasgemisch fast auf Raumtemperatur abkühlt und dabei kondensiert. Dabei wird im Inneren der Scavenger-Box ein phosphorsäurehaltiges Kondensat abgeschieden, das wegen des während des Prozesses erforderlichen kontinuierlichen Gasflusses bereits nach Stunden einen Belag einer Dicke von typischerweise 5 bis 10 mm bildet, der entfernt werden muß und zu erheblichen Stillstandszeiten des Diffusionsofens führt. Auch die Ausströmöffnung des Reaktordeckels wird nach kurzer Zeit durch das entstehende Kondensat verstopft, so daß das Prozeßgasgemisch dann zwischen den Anschlagflächen des Reaktorsdeckels und des Reaktorrohres austritt. Der Reaktordeckel wird mit einem bestimmten Druck gegen das Reaktorrohr gepreßt, so daß das Gasgemisch zwischen den Anschlagflächen des Reaktordeckels und des Reaktorrohres kontrolliert austreten kann. Auch in diesem Fall kühlt das Gasgemisch ab und kondensiert auf der Oberfläche der Scavenger-Box. Die Scavenger-Box weist ein oder mehrere Absaugleitungen auf, die jedoch lediglich ein weiteres Austreten des Kondensats aus der Scanvenger-Box in die Umgebung verhindern. Herkömmliche Diffusionsöfen können daher nur mit häufigen Unterbrechungen und hohem Arbeits- und Zeitaufwand für deren Reinigung, d. h. äußerst kosteninsentiv betrieben werden.Process reactors of the type described above are used, for example, as diffusion furnaces for the treatment of semiconductor substrates. An example of such a method is the POCl ₃ process, wherein on a semiconductor surface of e.g. As polycrystalline silicon or silicon dioxide phosphorus deposited and PSG layers (Phosphorus Silicate Glass) are generated. A mixture of gases such as oxygen, phosphorus oxychloride and nitrogen from carrier gas is introduced into a process chamber heated to typically 600-1000 ° C, diffuses there over the substrate surface and then exits the process chamber. The process chamber is usually formed in the form of a tube having at one end, from which it can be loaded with wafers, a lid having an outflow opening for the process gas mixture. The exit end of the process reactor tube is located in a scavenger box, in which the exiting gas mixture cools down to almost room temperature and condenses. In this case, a phosphoric acid-containing condensate is deposited inside the scavenger box, which forms a coating of thickness of typically 5 to 10 mm after hours due to the continuous gas flow required during the process, which must be removed and leads to significant downtime of the diffusion furnace. The outflow opening of the reactor lid is clogged after a short time by the resulting condensate, so that the process gas mixture then exits between the abutment surfaces of the reactor cover and the reactor tube. The reactor lid is pressed with a certain pressure against the reactor tube, so that the gas mixture between the stop surfaces of the reactor cover and the reactor tube can escape controlled. Also in this case, the gas mixture cools and condenses on the surface of the scavenger box. The scavenger box has one or more suction lines, which, however, only prevent further leakage of condensate from the Scanvenger box into the environment. Conventional diffusion ovens can therefore be operated only with frequent interruptions and high labor and time required for their cleaning, ie extremely cost-insensitive.

Angesichts dieser Nachteile ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Prozeßreaktor und ein Verfahren zu dessen Betrieb bereitzustellen, bei dem die Kontamination mit Prozeßgaskondensat vermieden wird, d. h. die bislang erforderlichen Reinigungsmaßnahmen entfallen und ein Betrieb des Prozeßreaktors ohne Stillstandszeiten möglich wird.in view of these disadvantages, it is the object of the present invention a process reactor and to provide a method of operation in which the contamination avoided with process gas condensate is, d. H. the previously required cleaning measures omitted and operation of the process reactor without downtime possible becomes.

Diese Aufgabe wird bezüglich des Prozeßreaktors gemäß Anspruch 1 dadurch gelöst, daß ein die Anschlagflächen umgebendes, aus einem hitzebeständigen Material bestehendes Formteil, das das Medium nach dem Austreten aus der Prozeßkammer zunächst auffängt, sowie eine Absaugvorrichtung zum Absaugen des Mediums in gasförmigem Zustand aus dem Formteil vorgesehen sind.These Task is relative of the process reactor according to claim 1 solved by the existence the stop surfaces surrounding, made of a heat-resistant Material existing molding that the medium after emergence from the process chamber initially collects, as well a suction device for sucking the medium in the gaseous state are provided from the molding.

In dem Bereich oder in den Bereichen, in denen das Prozeßgasgemisch aus der Prozeßkammer austritt, ist das erfindungsgemäße Formteil angeordnet. Es befindet sich in unmittelbarer Nähe zu den Anschlagflächen von Reaktorrohr und Reaktordeckel; eine Ausströmöffnung im Reaktordeckel ist aus Gründen der Prozeßstabilität nicht mehr vorgesehen. Am austrittsseitigen Ende des Reaktorrohres umschließt das Formteil (oder eine Anordnung mehrerer Formteile) ein im Vergleich zur Sca venger-Box kleines Volumen, in dem das Prozeßgasgemisch nicht unter den Taupunkt abkühlen kann. Die an dem Formteil angebrachte Absaugvorrichtung mit einer, zwei oder mehr Absaugleitungen saugt das Gasgemisch zusammen mit der Atmosphärenluft an und verhindert eine Kontamination der Scavenger-Box. Auf diese Weise kann ein Prozeßreaktor, in dem heißes Prozeßgas kontinuierlich aus einer Prozeßkammer in eigentlich kältere Umgebung entweicht, über Jahre hinweg ohne nennenswerte Verschmutzung der Scavenger-Box und sonstiger Lade- und Zuführbereiche betrieben werden; die bisher im Abstand von Stunden anfallenden Wartungsarbeiten entfallen vollständig.In the area or in the areas in which the process gas mixture exits the process chamber, the molding according to the invention is arranged. It is located in the immediate vicinity of the stop surfaces of reactor tube and reactor lid; an outflow opening in the reactor lid is no longer provided for reasons of process stability. At the outlet end of the reactor tube, the molded part (or an arrangement of several moldings) encloses a small volume in comparison to the Sca venger box, in which the process gas mixture can not cool below the dew point. The attached to the molding suction with one, two or more suction sucks the gas mixture together with the atmospheric air and prevents contamination of the scavenger box. In this way, a process reactor, in which hot process gas continuously escapes from a process chamber in actually colder environment, be operated for years without significant contamination of the scavenger box and other loading and Zuführbereiche; The maintenance work, which has been performed every few hours, is completely eliminated.

Da erfindungsgemäß die zusätzliche Absaugung in unmittelbarer Nähe des Formteils bzw. des Reaktors angeordnet ist, würde eine Ausströmöffnung im Deckel den Prozeßverlauf beeinflussen. Das Gasgemisch muß daher durch die aufeinandergepreßten Anschlagflächen entweichen. Zudem müssen die aus dem deckel- und dem rohrförmigen Wandungsteil bestehende Prozeßkammer sowie das erfindungsgemäße Formteil aus einem hitzebeständigen Material bestehen, das die hohen Prozeßtemperaturen oberhalb des Siedepunkts des gasförmigen Prozeßmediums aushält. Diese Merkmale sind insofern keine Einschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens, sondern eine durch die Art der hier vorrangig betrachteten Prozesse bedingte Notwendigkeit.There According to the invention the additional Extraction in the immediate vicinity of the molding or the reactor is arranged, would a Outflow opening in Cover the process history influence. The gas mixture must therefore through the clenched ones stop surfaces escape. In addition, must the from the lid and the tubular Wandungsteil existing process chamber as well as the molding according to the invention made of a heat resistant Material that the high process temperatures above the Boiling point of the gaseous process medium endures. These features are not limiting of the general concept of the invention insofar but one by the nature of the processes considered here primarily conditional necessity.

Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß das Formteil eine Öffnung zum Entfernen des zweiten Wandungsteils von dem ersten aufweist. Die Anschlagfläche des zweiten Wandungsteils kann durch diese Öffnung hindurch von dem ersten Wandungsteil entfernt werden, um die Prozeßkammer zu be- oder entladen.A preferred embodiment Provides that Molding an opening for removing the second wall part from the first. The stop surface of the second wall part can pass through this opening from the first Wall part are removed to load or unload the process chamber.

Eine weitere Ausführungsform sieht vor, daß das Formteil einen Fortsatz zum Halten und/oder Umschließen des ersten Wandungsteils aufweist. Ein solcher Fortsatz unterbindet eine Saugwirkung in Richtung des einlaßseitigen Endes der Prozeßkammer und verstärkt so die Saugleistung am austrittsseitigen Ende.A another embodiment Provides that Form part of an extension for holding and / or enclosing the first wall part has. Such an extension prevents a suction in the direction of the inlet end of the process chamber and reinforced so the suction power at the outlet end.

Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß die Oberfläche des Formteils zumindest teilweise matt ist und Infrarotstrahlung reflektiert. Dies verringert zum einen den Wärmeverlust der Prozeßkammer, führt insbesondere bei länglichen Prozeßkammerformen zu einer gleichmäßigeren Temperaturverteilung und ermöglicht so eine bessere Ausnutzung des Kammervolumens. Zum anderen wird die Gefahr einer Kondensation des austretenden Prozeßgases zusätzlich verringert.A Development of the invention provides that the surface of Molding is at least partially matte and reflects infrared radiation. This reduces the heat loss on the one hand the process chamber, leads in particular at elongated Process chamber forms to a more even Temperature distribution and allows so a better utilization of the chamber volume. The other is the risk of condensation of the exiting process gas is additionally reduced.

Es ist vorgesehen, daß das erste Wandungsteil ein Rohr ist, daß das zweite Wandungsteil einen Deckel aufweist, der ein Ende des Rohres abschließt und daß an dem durch den Deckel abgeschlossenen Rohrende eine Scavenger-Box angeordnet ist. Das Formteil umschließt den Deckel bevorzugt reifenförmig. Entlang der Anschlagflächen radial ausströmendes Prozeßgas wird in dem reifenförmigen Formteil gesammelt und mit Hilfe vorzugsweise zweier Saugleitungen abgesaugt; ein Austreten in die Umgebung ist nicht möglich.It is provided that the first wall part is a tube, that the second wall part a lid has, which terminates one end of the tube and that at the closed by the lid pipe end a scavenger box is arranged. The molded part encloses the lid preferably in a tire shape. Along the stop surfaces radially outflowing process gas is in the tire-shaped Molded and collected using preferably two suction lines sucked; an escape into the environment is not possible.

Bevorzugte Ausführungsformen sehen vor, daß der Prozeßreaktor ein Diffusionsofen zur Behandlung von Halbleitersubstraten ist, daß der Diffusionsofen zur Durchführung eines POCl₃-Prozesses ausgestaltet ist.Preferred embodiments provide that the process reactor is a diffusion furnace for the treatment of semiconductor substrates, that the diffusion furnace is designed to carry out a POCl ₃ process.

Angesichts der hohen Temperaturen des POCl₃-Prozesses sieht eine weitere Ausführungsform vor, daß die Wandungsteile und das Formteil aus Quarz bestehen. Weiterhin kann eine Verfahreinrichtung zum Be- und Entladen des Prozeßreaktors vorgesehen sein, die von einer zur Aufnahme der Halbleitersubstrate bestimmten Aufnahmeeinrichtung lösbar ist, wobei der Deckel der Prozeßkammer drehbar ist, um aus der Längsachse des Prozeßrohres geschwenkt die Rohröffnung zum Be- und Entladen freizugeben.In view of the high temperatures of the POCl ₃ process, a further embodiment provides that the wall parts and the molding are made of quartz. Furthermore, a moving device for loading and unloading of the process reactor can be provided, which is detachable from a receiving device for receiving the semiconductor substrate, wherein the lid of the process chamber is rotatable to release from the longitudinal axis of the process pipe, the pipe opening for loading and unloading.

Hinsichtlich des Verfahrens wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe durch das Kennzeichen des Anspruchs gelöst.Regarding of the method is the object underlying the invention solved by the characterizing part of the claim.

Weitere Ausführungsarten ergeben sich aus den nachstehend beschriebenen Figuren.Further embodiments result from the figures described below.

Im einzelnen zeigen:in the single show:

1 eine vorbekannte Ausführung eines Diffusionsofens, 1 a prior art version of a diffusion furnace,

2 eine erfindungsgemäße Ausführung mit Formteil und Absaugvorrichtung und 2 an embodiment of the invention with molding and suction and

3 eine schematische Detailansicht aus 2. 3 a schematic detail view 2 ,

1 zeigt einen herkömmlichen Diffusionsofen 1 mit angesetztem Scavenger-Bereich 9, in dem das Prozeßrohr 3 endet. Die Deckelplatte 4 ist über zwei Cantilever-Stangen 12, die Bestandteil der Verfahreinrichtung 10 sind, mit einer Aufnahmeeinrichtung 11 für die Halbleitersubstrate 18 verbunden. Hinter der aus Quarz bestehenden Deckelplatte 4 ist eine metallische Schildplatte 13 angeordnet, die für eine konstante Absaugleistung der Scavenger-Box 9 durch nicht dargestellte, üblicherweise in deren Seitenwänden mündende Saugleitungen benötigt wird. Eine erfindungsgemäße Saugvorrichtung in unmittelbarer Nähe des austrittsseitigen Endes des Prozeßrohres und das erfindungsgemäße Formteil sind nicht vorhanden. 1 shows a conventional diffusion furnace 1 with attached scavenger area 9 in which the process pipe 3 ends. The cover plate 4 is over two cantilever rods 12 which is part of the traversing device 10 are, with a recording device 11 for the semiconductor substrates 18 connected. Behind the quartz cover plate 4 is a metallic shield plate 13 Arranged for a constant suction of the scavenger box 9 is required by not shown, usually in the side walls opening suction lines. A suction device according to the invention in the immediate vicinity of the outlet-side end of the process tube and the molding according to the invention are not present.

Die Deckelplatte 4 weist eine Ausströmöffnung 14 auf. Die Deckelplatte wird während des Prozesses durch eine in der Verfahreinrichtung befindliche Feder gegen das Prozeßrohr gedrückt und läßt das Prozeßgas bei Verstopfung der Ausströmöffnung 14 seitlich entweichen. Das durch die Ausströmöffnung 14 oder die Kontaktflächen zwischen Rohr 3 und Deckelplatte 4 kontinuierlich ausströmende Prozeßgas führt binnen weniger Stunden zum Verschleimen des Bereichs 9 durch ein phosphorsäurehaltiges und daher ätzendes Kondensat von Prozeßgasen.The cover plate 4 has an outflow opening 14 on. The cover plate is during the Pro Pressed by a spring located in the traversing device against the process pipe and leaves the process gas at clogging of the discharge opening 14 escape laterally. That through the discharge opening 14 or the contact surfaces between pipe 3 and cover plate 4 continuously flowing process gas leads to smearing of the area within a few hours 9 by a phosphoric acid-containing and therefore corrosive condensate of process gases.

2 zeigt einen erfindungsgemäßen Prozeßreaktor, bei dem das austrittsseitige Ende des Prozeßrohres 3 und die Deckelplatte 4 von einem reifenförmigen Formteil 7 umgeben sind, in das radial austretendes Prozeßgas strömt und sofort durch die Absaugleitung 8 abgesaugt wird. Eine Kondensation an dem heißen Formteil 7 oder in dem darin befindlichen, im Vergleich zur Größe der Scavenger-Box kleinen Volumen kann nicht stattfinden. Formteil 7 und Saugleitung 8 sind in ihrer Position gegenüber dem Prozeßrohr 3 nicht veränderbar. Deckelplatte 4 und Schildplatte 13 bilden eine um die Drehachse 15 drehbare Einheit 16, die beim Laden der Wafer 18 aus der Einführrichtung geschwenkt wird. 2 shows a process reactor according to the invention, in which the outlet-side end of the process tube 3 and the cover plate 4 from a tire-shaped molding 7 are surrounded, flows into the radially exiting process gas and immediately through the suction line 8th is sucked off. A condensation on the hot molding 7 or in the contained therein, compared to the size of the scavenger box small volume can not take place. molding 7 and suction line 8th are in their position opposite the process pipe 3 not changeable. cover plate 4 and shield plate 13 form one around the axis of rotation 15 rotatable unit 16 when loading the wafers 18 is pivoted from the insertion direction.

3 zeigt ausschnittweise den in 2 dargestellten Prozeßreaktor. Das Formteil 7 weist eine Öffnung auf, durch die die Deckelplatte 4 von dem austrittsseitigen Ende des Prozeßrohres 3 entfernt werden kann. Es ist ferner mit einer, vorzugsweise zwei Absaugleitungen 8 verbunden, die ausströmendes Prozeßgas und Umgebungsluft absaugen. Der Fortsatz 26 kann das Prozeßrohr 3 bis zur vollen Länge umschließen und somit tragen. 3 shows in sections the in 2 illustrated process reactor. The molding 7 has an opening through which the cover plate 4 from the exit end of the process tube 3 can be removed. It is also with one, preferably two suction lines 8th connected, extract the effluent process gas and ambient air. The extension 26 can the process pipe 3 enclose to the full length and thus wear.

Die in den Figuren dargestellten Geometrien sind nur beispielhaft; weitere Ausführungsformen ergeben sich bei Anwendung der Kenntnisse und Fähigkeiten des Fachmanns.The geometries shown in the figures are only exemplary; Further embodiments arise when applying the knowledge and skills of the skilled person.

Claims

Prozeßreaktor zur Durchführung eines Prozesses mit Hilfe eines in eine beheizte Prozeßkammer (2) einzuleitenden, zumindest in heißem Zustand gasförmigen Mediums, mit einer Prozeßkammer (2), die zwei aus einem hitzebeständigen Material bestehende Wandungsteile mit Anschlagflächen aufweist, die während des Prozesses gegeneinander gedrückt sind, wobei das erste Wandungsteil ein Rohr (3) ist und das zweite Wandungsteil einen Deckel (4) aufweist, der ein Ende des Rohres (3) abschließt mit einem Formteil (7), das die Anschlagflächen umgibt, aus einem hitzebeständigen Material besteht und das Medium nach dem Austreten aus der Prozeßkammer (2) zunächst auffängt, und mit einer Absaugvorrichtung (8) zum Absaugen des Mediums, in gasförmigem Zustand aus dem Formteil (7), dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlagsflächen derart gegeneinander gedrückt sind, das das Medium zwischen den Anschlagsflächen aus der Prozeßkammer austritt, und daß an dem durch den Deckel (4) abgeschlossenen Rohrende eine Scavenger-Box angeordnet ist, und dass der Deckel (4) keine Ausströmöffnung enthält.Process reactor for carrying out a process with the aid of a heated process chamber ( 2 ) to be introduced, at least in the hot state gaseous medium, with a process chamber ( 2 ) comprising two wall parts made of a heat-resistant material with abutment surfaces which are pressed against each other during the process, wherein the first wall part is a pipe ( 3 ) and the second wall part has a lid ( 4 ) having one end of the tube ( 3 ) terminates with a molded part ( 7 ), which surrounds the stop surfaces, consists of a heat-resistant material and the medium after exiting the process chamber ( 2 ) initially and with a suction device ( 8th ) for sucking off the medium, in gaseous state from the molded part ( 7 ), characterized in that the stop surfaces are pressed against each other in such a way that the medium exits the stop surfaces from the process chamber, and in that by the cover ( 4 ) closed pipe end a scavenger box is arranged, and that the lid ( 4 ) contains no discharge opening.

Prozeßreaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Formteil (7) eine Öffnung zum Entfernen des Deckels (4) von dem Rohr (3) aufweist.Process reactor according to claim 1, characterized in that the molded part ( 7 ) an opening for removing the cover ( 4 ) from the pipe ( 3 ) having.

Prozeßreaktor der Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Formteil (7) einen Fortsatz (26) zum Halten und/oder Umschließen des Rohrs (3) aufweist.Process reactor of claim 1 or 2, characterized in that the molded part ( 7 ) an extension ( 26 ) for holding and / or enclosing the tube ( 3 ) having.

Prozeßreaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Formteils (7) zumindest teilweise matt ist und Infrarotstrahlung reflektiert.Process reactor according to one of claims 1 to 3, characterized in that the surface of the molded part ( 7 ) is at least partially dull and reflects infrared radiation.

Prozeßreaktor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet daß das Formteil (7) den Deckel (4) reifenförmig umschließt.Process reactor according to claim 4, characterized in that the molded part ( 7 ) the lid ( 4 ) encloses in a tire shape.

Prozeßreaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Prozeßreaktor ein Diffusionsofen zur Behandlung von Halbleitersubstraten (18) ist.Process reactor according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the process reactor is a diffusion furnace for the treatment of semiconductor substrates ( 18 ).

Prozeßreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr (3), der Deckel (4) und das Formteil (7) aus Quarz bestehen.Process reactor according to one of the preceding claims, characterized in that the tube ( 3 ), the lid ( 4 ) and the molded part ( 7 ) consist of quartz.

Prozeßreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch, eine Verfahreinrichtung (10) zum Be- und Entladen des Prozeßreaktors die von einer zur Aufnahme der Halbleitersubstrate (18) bestimmten Aufnahmeeinrichtung (11) lösbar ist, wobei der Deckel (4) und eine Schildplatte (13) eine um eine Drehachse (15) drehbare Einheit (16) bilden, die beim Be- und Entladen der Halbleitersubstrate (18) aus der Einführrichtung geschwenkt wird.Process reactor according to one of the preceding claims, characterized by a traversing device ( 10 ) for loading and unloading the process reactor that of a for receiving the semiconductor substrates ( 18 ) specific recording device ( 11 ) is detachable, wherein the lid ( 4 ) and a shield plate ( 13 ) one about a rotation axis ( 15 ) rotatable unit ( 16 ) during loading and unloading of the semiconductor substrates ( 18 ) is pivoted out of the insertion direction.

Verfahren zur Durchführung eines Prozesses mit Hilfe eines in eine beheizte Prozeßkammer (2) einzuleitenden, zumindest in heißem Zustand gasförmigen Mediums, in einem Prozessreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Formteil (7) das Medium nach dem Austreten aus der Prozeßkammer (2) zunächst auffängt, und daß das Medium in gasförmigem Zustand aus dem Formteil (7) abgesaugt wird.Process for carrying out a process by means of a process chamber ( 2 ) to be introduced, at least in the hot state gaseous medium, in a process reactor according to one of the preceding claims, characterized in that the molded part ( 7 ) the medium after exiting the process chamber ( 2 ) initially captures, and that the medium in gaseous state from the molded part ( 7 ) is sucked off.

Verfahren nach Anspruch 9 in einem Prozessreaktor gemäß Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Prozessreaktor als Diffusionsofen zur Durchführung eines POCl₃-Prozesses ausgestaltet wird.The method of claim 9 in a pro Measuring reactor according to claim 8 or 9, characterized in that the process reactor is designed as a diffusion furnace for carrying out a POCl ₃ process.