DE19918966A1 - Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode und Vorrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode (IGBT) (4) angegeben, welches die Gate-Kathodenspannung des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode (4) mittels einer Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung (2) auf einen einstellbaren Schwellwert hin überwacht und bei Überschreiten des Schwellwertes unmittelbar auf einen einstellbaren Wert hin reduziert. Des Weiteren wird der einstellbare Wert so eingestellt, dass die reduzierte Gate-Kathodenspannung den Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode (4) unmittelbar abschaltet. In einem zweiten Schritt wird die reduzierte Gate-Kathodenspannung mittels eines Rückmeldesignals von einer Entsättigungsüberwachungseinrichtung (6) an eine Gateelektrodentreiberstufe (1) durch diese so weit reduziert, dass der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode (4) abgeschaltet wird. DOLLAR A Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens weist die Entsättigungsüberwachungseinrichtung (6) und die Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung (2) auf, wobei die Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung (2) eine Vergleicherschaltung mit Hysteresecharakteristik umfasst, die der Überwachung auf den einstellbaren Schwellwert und der Reduzierung der Gate-Kathodenspannung auf den einstellbaren Wert hin dient.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektronik. Sie geht aus von einem
Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Ga
teelektrode (IGBT) und einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäss dem
Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche.
Feldgesteuerte Halbleiterschalter, insbesondere Bipolartransistoren mit isoliert angeordneter
Gateelektrode (IGBT), werden derzeit vermehrt in leistungselektronischen Anwendungen wie
in der Stromrichtertechnik und insbesondere in Stromrichtern für elektrische Antriebe einge
setzt. Diese Bipolartransistoren mit isoliert angeordneter Gateelektrode werden über ihre Ga
teelektrode mit Hilfe einer Gateelektrodentreiberstufe durch Anlegen einer entsprechenden .
Gate-Kathodenspannung angesteuert.
Bei Fehlerfällen in Stromrichteranwendungen kann im Stromrichter in den eingesetzten Bi
polartransistoren mit isoliert angeordneter Gateelektrode ein Kurzschluss im Hauptstrompfad
des Stromrichters auftreten. Dieser Strom fliesst zwischen Anode und Kathode des Bipolar
transistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode. Im Kurzschlussfall steigt dabei der Strom
im Hauptstrompfad sehr schnell auf eine hohe Stromamplitude an, so dass das Stromintegral
über der Zeit unzulässig hohe Werte annimmt. Während dieses auftretenden Überstromes
wird der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode in die Entsättigung getrie
ben, wobei die Anoden-Kathodenspannung am Bipolartransistor mit isoliert angeordneter
Gateelektrode schnell ansteigt, insbesondere auf den Wert der zu schaltenden Spannung. Da
durch wird ein äusserst kritischer Zustand des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter
Gateelektrode erreicht: Der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode führt im
Hauptstrompfad über die Anode und Kathode einen hohen Strom (Überstrom) bei gleichzei
tig anliegender hoher Anoden-Kathodenspannung. Daraus resultiert eine extrem hohe mo
mentane Verlustleistung, die den Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode
zerstören kann.
Hinzu kommt, dass über einen kapazitiven Spannungsteiler, der von der Anoden-
Gatekapazität (Miller-Kapazität) und der Gate-Kathodenkapazität gebildet ist, im Kurz
schlussfall des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode die Gate-
Kathodenspannung durch den Anstieg der Anoden-Kathodenspannung während des Entsätti
gungsvorganges angehoben wird und der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ga
teelektrode zusätzlich noch in eine höhere Entsättigungskennlinie gesteuert wird. Daraus re
sultiert eine weitere Erhöhung des Stromes über die Anode und Kathode (Überstrom), die ei
ne zulässige Überstromdauer des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode
erheblich verkürzt.
Eine Überstromschutzschaltungsanordnung für Halbleiterschalter, insbesondere für Bipolar
transistoren mit isoliert angeordneter Gateelektrode, wie sie in "Fast Clamped Short Circuit
Protection of IGBTs, John, Suh, Lipo, IEEE Applied Power Electronics Conference, Session
16.3, February 1998" beschrieben ist, überwacht zum einen die Anoden-Kathodenspannung
auf Entsättigung des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode und misst zum
anderen über eine parasitäre Kathodeninduktivität den Anodenstrom, der über die Stromände
rung di/dt des Anodenstromes erfasst und aufintegriert wird.
Eine solche Lösung eignet sich jedoch nicht für gängige niederinduktive Bipolartransistoren
mit isoliert angeordneter Gateelektrode, die durch viele parallele Strompfade im Bipolartran
sistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode gekennzeichnet sind und für hohe Schaltspan
nungen ausgelegt sind. Mit einer di/dt Erfassung, wie sie in der oben genannten Schrift be
schrieben ist, könnte immer nur ein Teil der Kathodeninduktivität und somit nur ein Teil
strom im Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode überwacht werden, was zu
einem sehr kleinem Nutzsignal führen würde, das zudem stark von hohen Schaltspannungen
beeinflusst werden würde.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipo
lartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode (IGBT) anzugeben, durch welches beim
Auftreten eines Überstromes zwischen Anode und Kathode des Bipolartransistors mit isoliert
angeordneter Gateelektrode die Amplitude des Stromes und der Momentanwert der Verlust
leistung reduziert wird und der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode ab
geschaltet wird, sowie eine Vorrichtung anzugeben, mit der das Verfahren in besonders ein
facher Weise durchgeführt wird. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen
Ansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Untersan
sprüchen angegeben.
Beim erfindungsgemässen Verfahren wird die Gate-Kathodenspannung mittels einer Gate-
Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung auf einen einstellbaren Schwellwert hin über
wacht und bei Ansprechen der Überwachung auf Überschreiten des Schwellwertes unmittel
bar auf einen einstellbaren Wert reduziert. Dadurch wird der Bipolartransistor mit isoliert an
geordneter Gateelektrode vorteilhaft auf eine niedrige Entsättigungskennlinie ausgesteuert
und somit der unerwünschte Überstrom zwischen Anode und Kathode des Bipolartransistors
mit isoliert angeordneter Gateelektrode reduziert und die Verlustleistung gesenkt. Darüber
hinaus wird das Gate-Oxid des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode
durch die Reduzierung der Gate-Kathodenspannung vor Zerstörung durch Überspannung ge
schützt.
Die Reduzierung der Gate-Kathodenspannung erfolgt zum einen so, dass der einstellbare
Wert der Gate-Kathodenspannung so eingestellt wird, dass die reduzierte Gate-
Kathodenspannung den Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode und somit
den unerwünschten Überstrom direkt ohne Zwischenschritt abschaltet. Zum anderen wird ein
Rückmeldesignal bei Entsättigung des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelek
trode mittels einer die Anoden-Kathodenspannung auf Entsättigung überwachende Entsätti
gungsüberwachungseinrichtung an eine Gateelektrodentreiberstufe gesendet. Aufgrund dieses
Rückmeldesignals wird die reduzierte Gate-Kathodenspannung von der Gateelektrodentrei
berstufe in einem zweiten Schritt so weit reduziert, dass der Bipolartransistor mit isoliert an
geordneter Gateelektrode abgeschaltet wird.
Durch dieses zweistufige Vorgehen in der Reduzierung der Gate-Kathodenspannung wird ei
ne sehr hohe Störsicherheit erreicht und der Schwellwert der Überwachung der Gate-
Kathodenspannung kann sehr nahe an den Betriebswert der Gate-Kathodenspannung gelegt
werden, wodurch eine optimale Entlastung des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter
Gateelektrode bei einem auftretenden Überstrom gewährleistet ist.
Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens weist eine erfindungsgemässe Gate-
Kathodenspannungsüberwachungeinrichtung auf, die vorteilhafterweise parallel zur Ga
teelektrodentreiberstufe zwischen der Gateelektrode und der Kathode in Verbindung ange
ordnet ist. Die Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung umfasst eine Vergleicher
schaltung mit einer Hysteresecharakteristik. Die Vergleicherschaltung weist einen Verglei
cher auf, der in Verbindung mit einem eingangsseitigen Spannungsteiler und damit verbun
dener Referenzspannungsquelle und mit einem eingangsseitigen Gate-
Kathodenspannungsteiler mit zwischen geschaltetem Eingangswiderstand angeordnet ist.
Durch diese Beschaltung des Vergleichers wird vorteilhaft der Schwellwert der Gate-
Kathodenspannung festgelegt. Erfindungsgemäss ist der Vergleicher ausgangsseitig in Ver
bindung mit einem Pull-up-Widerstand und einer damit verbundenen Versorgungsspan
nungsquelle und mit einem Transistor und damit verbundener Zenerdiode angeordnet. So
kann vorteilhaft der einstellbare Wert, auf den die Gate-Kathodenspannung reduziert werden
soll, sehr einfach eingestellt werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit
der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 eine Ausführungsform einer Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur
Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelek
trode (IGBT) und
Fig. 2 eine Ausführungsform einer Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung.
Die in der Zeichnung verwendeten Bezugszeichen und deren Bedeutung sind in der Bezugs
zeichenliste zusammengefasst aufgelistet. Grundsätzlich sind in den Figuren gleiche Teile mit
gleichen Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemässe Ausführungsform der Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Ga
teelektrode (IGBT). Die Vorrichtung umfasst eine Gateelektrodentreiberstufe 1, die in Ver
bindung zwischen Gateelektrode 3 und Kathode 7 des Bipolartransistors mit isoliert angeord
neter Gateelektrode 4 angeordnet ist und den Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ga
teelektrode 4 in gängiger Weise über die Gateelektrode 3 durch Anlegen einer Gate-
Kathodenspannung ansteuert.
Erfindungsgemäss weist die Vorrichtung gemäss Fig. 1 eine Gate-Kathodenspannungs
überwachungseinrichtung 2 auf, die parallel zur Gateelektrodentreiberstufe 1 zwischen der
Gateelektrode 3 und der Kathode 7 in Verbindung angeordnet ist.
Beim erfindungsgemässen Verfahren zur Überstromabschaltung des Bipolartransistors mit
isoliert angeordneter Gateelektrode (IGBT) wird die Gate-Kathodenspannung von der Gate-
Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung auf einen einstellbaren Schwellwert hin über
wacht. Fliesst im Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 ein Überstrom
zwischen der Anode 5 und der Kathode 7, wie er durch einen Kurzschluss in einem
Hauptstrompfad eines Stromrichters auftreten kann und der Bipolartransistor mit isoliert an
geordneter Gateelektrode 4 in diesem Hauptstrompfad über die Anode 5 und Kathode 7 ange
ordnet ist, so steigt mit dem Strom zwischen Anode 5 und Kathode 7 die Gate-
Kathodenspannung an. Überschreitet die Gate-Kathodenspannung, hervorgerufen durch einen
eingangs erwähnten Überstrom, den einstellbaren Schwellwert, so spricht die Überwachung
auf Überschreiten des Schwellwertes an und die Gate-Kathodenspannung wird unmittelbar
auf einen einstellbaren Wert reduziert. Dadurch kann vorteilhaft erreicht werden, dass der Bi
polartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 in eine niedrigere Entsättigungs
kennlinie gesteuert wird und somit der auftretende Überstrom zwischen Anode 5 und Katode
7 reduziert wird. Darüberhinaus wird das Gate-Oxid des Bipolartransistors mit isoliert ange
ordneter Gateelektrode 4 durch die Reduzierung der Gate-Kathodenspannung vor Zerstörung
durch Überspannung geschützt. Weiterhin wird durch die sofortige Reduzierung der Gate-
Kathodenspannung und die damit einhergehende schnelle Reduzierung der Stromamplitude
die momentane Verlustleistung gesenkt.
Vorteilhaft wird der einstellbare Wert der Gate-Kathodenspannung, auf welchen die Gate-
Kathodenspannung reduziert werden soll, so eingestellt, dass die reduzierte Gate-
Kathodenspannung den Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 unmittel
bar abschaltet. Durch dieses einstufige Vorgehen wird der zwischen Anode 5 und Kathode 7
auftretende Überstrom schnellstmöglich abgeschaltet.
Eine weitere Möglichkeit des erfindungsgemässen Verfahrens ist die zweistufige Reduzie
rung der Gate-Kathodenspannung. Das zweistufige Vorgehen besteht darin, dass eine die An
oden-Kathodenspannung des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 auf
Entsättigung überwachende Entsättigungsüberwachungseinrichtung 6 bei Entsättigung des
Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 ein Rückmeldesignal 8 erzeugt,
das an die Gateelektrodentreiberstufe 1 gesendet wird. Auf dieses Rückmeldesignal 8 hin
wird dann die bereits reduzierte Gate-Kathodenspannung in einem zweiten Schritt so weit re
duziert, dass der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 und somit der
Überstrom zwischen Anode 5 und Kathode 7 abgeschaltet wird.
Durch dieses zweistufige Vorgehen wird eine extrem hohe Störsicherheit erreicht, wodurch
der Schwellwert der Gate-Kathodenspannung zur Überwachung derselben sehr nahe an den
normalen Betriebswert der Gate-Kathodenspannung für den Schaltzustand "Einschalten" des
Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 gelegt werden kann. Daraus re
sultiert eine optimale Entlastung des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektro
de 4 bei einem auftretenden Überstrom zwischen Anode 5 und Kathode 7.
Die erfindungsgemässe Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens umfasst die eingangs
erwähnte Entsättigungsüberwachungseinrichtung 6. Diese ist zwischen Anode 5 und Kathode
7 des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 in Verbindung angeordnet
und dient der Überwachung auf Entsättigung des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter
Gateelektrode 4 durch Messung der Anoden-Kathodenspannung. Weiterhin ist die Entsätti
gungsüberwachungseinrichtung 6 mit der Gateelektrodentreiberstufe 1 verbunden.
Die eingangs erwähnte Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung 2 umfasst gemäss
Fig. 2 eine Vergleicherschaltung mit Hysteresecharakteristik. Dabei weist die Vergleicher
schaltung einen Vergleicher 10 auf, der in Verbindung mit einem eingangsseitigen Span
nungsteiler 17 angeordnet ist. Am Spannungsteiler 17 ist eine Referenzspannungsquelle 18
angeordnet. Zudem ist der Vergleicher 10 eingangsseitig mit einem Gate-
Kathodenspannungsteiler 19 und zwischengeschaltetem Eingangswiderstand 9 in Verbindung
angeordnet. Durch diese Beschaltung des Vergleichers 10 lässt sich der Schwellwert, auf den
die Gate-Kathodenspannung überwacht wird, mit Hilfe der Widerstandsverhältnisse des
Spannungsteilers 17 und der Referenzspannungsquelle 18 sowie mit Hilfe der Widerstands
verhältnisse des Gate-Kathodenspannungsteilers 19 mit dem Eingangswiderstand 9 in beson
ders einfacher Weise auf einen gewünschten Wert einstellen.
Ausgangsseitig ist der Vergleicher 10 gemäss Fig. 2 in Verbindung mit einem Pull-up-
Widerstand 11 und einer damit verbundenen Versorgungsspannungsquelle 12 angeordnet.
Zusätzlich ist ein Transistor 14 und damit verbundener Zenerdiode 13 in Verbindung mit dem
Ausgang des Vergleichers 10 angeordnet. Desweiteren ist der Transistor 14 mit einer Tran
sistordiode 20 verbunden, die in sperrendem Zustand des Transistors 14 die Sperrfähigkeit des
Transistors 14 erhöht. Durch diese ausgangsseitige Beschaltung des Vergleichers 10 mittels
der erwähnten elektronischen Bauteile 11, 12, 13, 14, 20 und der Wahl der Bauteilgrössen
wird der einstellbare Wert der Gate-Kathodenspannung, auf welchen die Gate-
Kathodenspannung bei Überschreiten des Schwellwertes reduziert werden soll, eingestellt.
Zwischen einem Eingang des Vergleichers 10 und seinem Ausgang ist eine Diode 15 und
damit verbundenem Widerstand 16 in Verbindung angeordnet. Diese Beschaltung dient dazu,
durch Ändern des Widerstandsverhältnis des Widerstands 16 und des Spannungsteilers 17
über die Diode 15 eine Abschaltschwelle der Gate-Kathodenspannungsüberwachungs
einrichtung 2 bei Erreichen des einstellbaren Wertes der Gate-Kathodenspannung zu definie
ren.
Mittels der beschriebenen eingangsseitigen und der ausgangsseitigen Beschaltung des Ver
gleichers 10 wird die gewünschte Hysteresecharakteristik der Vergleicherschaltung erreicht.
Durch die Hysteresecharkteristik der Vergleicherschaltung ist es sehr einfach möglich, den
Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 auf den Schwellwert der Gate-
Kathodenspannung hin zu überwachen und bei Überschreiten dieses Schwellwertes auf den
einstellbaren Wert der Gate-Kathodenspannung zu reduzieren. Dadurch wird eine Reduzie
rung der Stromamplitude des auftretenden Überstromes zwischen Anode 5 und Kathode 7 des
Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 und somit die Reduzierung der
momentanen Verlustleistung erreicht. Desweiteren ermöglicht die Vergleicherschaltung, den
Wert, auf den die Gate-Kathodenspannung reduziert werden soll, so einzustellen, dass der Bi
polartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode 4 unmittelbar abgeschaltet werden
kann.
Die Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung 2 und die Entsättigungsüberwa
chungseinrichtung 6 ermöglichen weiterhin, dass die bereits reduzierte Gate-
Kathodenspannung so weit reduziert wird, dass der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter
Gateelektrode 4 und damit ein auftretender Überstrom abgeschaltet werden kann.
1
Gateelektrodentreiberstufe
2
Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung
3
Gateelektrode
4
IGBT
5
Anode
6
Entsättigungsüberwachungseinrichtung
7
Kathode
8
Rückmeldesignal
9
Eingangswiderstand
10
Vergleicher
11
Pull-up-Widerstand
12
Versorgungsspannungsquelle
13
Zenerdiode
14
Transistor
15
Diode
16
Widerstand
17
Spannungsteiler
18
Referenzspannungsquelle
19
Gate-Kathodenspannungsteiler
20
Transistordiode
Claims (9)
1. Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter
Gateelektrode (IGBT) (4), welcher mittels einer die Gate-Kathodenspannung zwischen
Gateelektrode (3) und Kathode (7) anlegenden Gateelektrodentreiberstufe (1) angesteuert
wird, dadurch gekennzeichnet,
dass die Gate-Kathodenspannung mittels einer Gate-Kathodenspannungsüberwachungs-
einrichtung (2) auf einen einstellbaren Schwellwert hin überwacht wird und bei Anspre
chen der Überwachung auf Überschreiten des Schwellwertes unmittelbar auf einen ein
stellbaren Wert reduziert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der einstellbare Wert der Gate
Kathodenspannung so eingestellt wird, dass die reduzierte Gate-Kathodenspannung den
Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode (4) unmittelbar abschaltet.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine die Anoden-
Kathodenspannung des Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Gateelektrode (4) auf
Entsättigung überwachende Entsättigungsüberwachungseinrichtung (6) ein Rückmeldesi
gnal (8) erzeugt und das Rückmeldesignal (8) an die Gateelektrodentreiberstufe (1) gesen
det wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass durch das Rückmeldesignal (8)
die Gateelektrodentreiberstufe (1) die reduzierte Gate-Kathodenspannung in einem zwei
ten Schritt so weit reduziert, dass der Bipolartransistor mit isoliert angeordneter Ga
teelektrode (4) abgeschaltet wird.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Überstromabschaltung eines Bipolar
transistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode (IGBT) (4), welche eine Gateelektro
dentreiberstufe (1) umfasst und in Verbindung zwischen Gateelektrode (3) und Kathode
(7) des Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode (4) angeordnet ist, da
durch gekennzeichnet,
dass eine Gate-Kathodenspannungsüberwachungseinrichtung (2), die eine Vergleicher
schaltung mit einer Hysteresecharakteristik aufweist, parallel zur Gateelektrodentreiber
stufe (1) zwischen der Gateelektrode (3) und der Kathode (7) in Verbindung angeordnet
ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergleicherschaltung ei
nen Vergleicher (10) aufweist, der in Verbindung mit einem eingangsseitigen Span
nungsteiler (17) und damit verbundener Referenzspannungsquelle (18) und mit einem
eingangsseitigen Gate-Kathodenspannungsteiler (19) mit zwischengeschaltetem Ein
gangswiderstand (9) angeordnet ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Vergleicher (10) aus
gangsseitig in Verbindung mit einem Pull-up-Widerstand (11) und einer damit verbunde
nen Versorgungsspannungsquelle (12) und mit einem Transistor (14) und damit verbun
dener Zenerdiode (13) angeordnet ist, wobei der Transistor (14) zusätzlich mit einer Tran
sistordiode (20) verbunden ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen einem Eingang des
Vergleichers (10) und seinem Ausgang eine Diode (15) mit damit verbundenem Wider
stand (16) in Verbindung angeordnet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, dass eine Entsättigungsüberwa
chungseinrichtung (6) zwischen Anode (5) und Kathode (7) des Bipolartransistors mit
isoliert angeordneter Gateelektrode (4) in Verbindung angeordnet und mit der Gateelek
trodentreiberstufe (1) verbunden ist.
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