DE19918647A1 - Zinc selenide bulk crystal, useful as a substrate for an LED or laser diode, is produced by gaseous phase growth with addition of a group V element as p-type dopant and heat treatment at a high selenium partial pressure - Google Patents

Zinc selenide bulk crystal, useful as a substrate for an LED or laser diode, is produced by gaseous phase growth with addition of a group V element as p-type dopant and heat treatment at a high selenium partial pressure

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Abstract

ZnSe bulk crystal production, by gaseous phase growth with addition of a group V element as p-type dopant and post-heat treatment at a high Se partial pressure, is new. A ZnSe bulk crystal is produced by gaseous phase growth of a p-doped ZnSe bulk crystal with addition of a group V element, thermal post-treatment at above 800 deg C in a closed atmosphere having a Se partial pressure of greater than 1\*10<5> Pa for a few hours and then cooling to room temperature. An Independent claim is also included for a ZnSe based light-emitting semiconductor device comprising a substrate of a p-doped ZnSe bulk crystal produced by the above process. Preferred Features: The group V element is antimony.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines ZnSe- Volumeneinkristalls, der als Substrat für ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement verwendet wird.The invention relates to a method for producing a ZnSe Bulk single crystal that serves as a substrate for a light emitting Semiconductor component is used.

Lichtemittierende Halbleiterbauelemente finden als Leucht- oder Laserdioden breite Anwendung. Auf ZnSe basierende Laserdioden sind bisher die einzigen, die in einem Wellenlängenbereich von ca. 520 nm grünes Licht emittieren. Der besondere Vorteil des grünen Spektralbereiches besteht in der maximalen Sensitivität des menschlichen Auges (um 550 nm) in diesem Bereich, d. h. es wird eine gute Sichtbarkeit bei geringer Ausgangsleistung erreicht, wodurch u. a. Augenschäden z. B. bei der Benutzung grüner Laser-Pointer aus­ geschlossen werden können.Light-emitting semiconductor components are found as light-emitting or laser diodes wide application. So far, laser diodes based on ZnSe are the only ones which emit green light in a wavelength range of approx. 520 nm. The A particular advantage of the green spectral range is the maximum Sensitivity of the human eye (around 550 nm) in this area, i.e. H. it good visibility is achieved with low output power, whereby u. a. Eye damage e.g. B. when using green laser pointers can be closed.

Bei der ZnSe-Epitaxie stand zunächst die Heteroepitaxie auf GaAs im Vordergrund, da GaAs-Substrate großflächig und in hervorragender Qualität kostengünstig und kommerziell hergestellt werden. Derartige Anordnungen mit II-VI-Halbleiter-Material auf GaAs-Substratbasis sind beispielsweise in der WO 98/37 585 A1 und der WO 97/08 740 beschrieben. Ein wesentlicher Nachteil dieser Verfahren besteht darin, daß zusätzliche Schichten (z. B. III-V- Pufferschichten) aufgebracht werden müssen und somit einen zusätzlichen technologischen und apparativen Aufwand erfordern. Weiterhin werden bei der Heteroepitaxie wegen des Gittermisfits und des deutlichen Unterschieds in der thermischen Ausdehnung im Bereich der Grenzfläche zum Substrat höhere Baufehlerdichten und biaxialen Spannungen erzeugt.In the case of the ZnSe epitaxy, the heteroepitaxy on GaAs was initially Foreground because GaAs substrates are large and of excellent quality can be produced inexpensively and commercially. Such arrangements with II-VI semiconductor material based on GaAs are, for example, in the WO 98/37 585 A1 and WO 97/08 740. A major disadvantage This method consists in the fact that additional layers (e.g. III-V- Buffer layers) must be applied and thus an additional require technological and equipment expenditure. Furthermore, at Heteroepitaxy because of the lattice misfit and the clear difference in the  thermal expansion in the area of the interface to the substrate higher Construction defect densities and biaxial stresses are generated.

Diese Probleme können naturgemäß bei einer Homoepitaxie auf ZnSe- Substraten umgangen werden. Die Herstellung von leitfähigen ZnSe- Volumeneinkristallen wird beschrieben in der EP 0 826 800 A1 sowie in "Variable High Conductivity in Homogeneously Iodine Doped ZnSe Bulk Substrates with Simultaneous High Crystallographic Perfection" (Prokesch et. al. In 2nd Intern. Symp. On Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, Sept. 29-Oct. 2.1998 Seite 624-627). Bei den genannten Verfahren wird durch Züchtung über chemischen Transport mit Jod ein Volumeneinkristall mit homogener n-Dotierung hergestellt, der zunächst extrem hochohmig ist. Durch eine thermische Nachbehandlung kann die Raumtemperatur- Ladungsträgerkonzentration im Bereich von wenigen 1016 cm-3 bis auf die für Homoepitaxiesubstrate praktisch relevante Konzentration auf Werte um 1018 cm-3 reproduzierbar eingestellt werden.These problems can naturally be avoided in the case of homoepitaxy on ZnSe substrates. The production of conductive ZnSe bulk single crystals is described in EP 0 826 800 A1 and in "Variable High Conductivity in Homogeneously Iodine Doped ZnSe Bulk Substrates with Simultaneous High Crystallographic Perfection" (Prokesch et. Al. In 2 nd Intern. Symp. On Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, Sept. 29-Oct. 2.1998 page 624-627). In the methods mentioned, a bulk single crystal with homogeneous n-doping is produced by cultivation via chemical transport with iodine, which is initially extremely high-resistance. Thermal post-treatment allows the room temperature charge carrier concentration to be reproducibly adjusted in the range from a few 10 16 cm -3 to the concentration which is practically relevant for homoepitaxial substrates to values around 10 18 cm -3 .

Der Nachteil beim Aufbau eines lichtemittierenden Halbleiterbauelementes auf einem n-dotierten ZnSe-Volumeneinkristall besteht darin, daß in diesem Fall eine p-leitende ZnSe-Epitaxieschicht elektrisch kontaktiert werden muß, die unmittelbar über der aktiven Schicht/Schichtenfolge liegt. Dies ist nur mit zusätzlichem technologischen Aufwand möglich, z. B. durch Aufwachsen von speziellen Kontaktschichten, da kein Metall ohmsche Kontakte zu p-ZnSe liefert. Die zusätzlichen Schichten können durch deutliche Abweichungen in der Gitterkonstanten zusätzlich Baufehler induzieren, und die entstehenden Kontakte weisen immer noch relativ hohe Übergangswiderstände auf, was zu einer Erwärmung führen kann, die sich aufgrund der Nähe des Kontaktbereiches zur aktiven Schicht negativ auf die Lebensdauer des Bauelementes auswirkt.The disadvantage of building a light-emitting semiconductor component An n-doped ZnSe bulk single crystal is that in this case a p-type ZnSe epitaxial layer must be electrically contacted, which is immediately above the active layer / layer sequence. This is only with additional technological effort possible, e.g. B. by growing up special contact layers, since no metal ohmic contacts to p-ZnSe delivers. The additional layers can be caused by significant deviations in the Lattice constants also induce construction errors, and the resulting ones Contacts still have relatively high contact resistances, which leads to can cause warming, which is due to the proximity of the Contact area to the active layer negatively on the life of the Component affects.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines ZnSe-Volumeneinkristalls, das als Substrat für ein ZnSe-basiertes lichtemittierendes Halbleiterbauelement verwendet wird, zu beschreiben und ein solches Halbleiterbauelement anzugeben, bei dem bei einer einfacheren Schichtenfolge eine gute Kontaktierung sowohl der n-Seite als auch der p-Seite möglich ist.The object of the invention is to provide a method for producing a ZnSe bulk single crystal that serves as a substrate for a ZnSe-based light-emitting semiconductor device is used to describe and  to specify such a semiconductor device in the case of a simpler Layer sequence a good contacting of both the n side and the p side is possible.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 5 gelöst.This object is achieved by the features of claims 1 and 5 solved.

Bei dem Verfahren gemäß Anspruch 1 wird mittels einer Gasphasenzüchtung unter Zusatz eines Elements der Gruppe V des Periodensystems der Elemente ein p-dotierter ZnSe-Volumeneinkristall gezüchtet. Dieser wird anschließend einer thermischen Nachbehandlung bei einer Temperatur < 800°C unter Einwirkung eines Se-Partialdrucks von < 1.105 Pa über einen Zeitraum von einigen Stunden unterzogen. Abschließend wird der p-dotierte ZnSe- Volumeneinkristall auf Raumtemperatur abgekühlt.In the method according to claim 1, a p-doped ZnSe bulk single crystal is grown by means of gas phase growth with the addition of an element from group V of the periodic table of the elements. This is then subjected to a thermal aftertreatment at a temperature of <800 ° C. under the influence of a Se partial pressure of <1.10 5 Pa over a period of a few hours. Finally, the p-doped ZnSe bulk single crystal is cooled to room temperature.

Vorteilhafte Ausgestaltungen können den Ansprüchen 2 bis 4 entnommen werden. So hat sich als Akzeptor zur p-Dotierung des ZnSe-Volumeneinkristalls Antimon als besonders geeignet herausgestellt.Advantageous embodiments can be found in claims 2 to 4 become. So it has become an acceptor for p-doping the ZnSe bulk single crystal Antimony was found to be particularly suitable.

Weiterhin wird eine besonders hohe Raumtemperatur-Ladungsträger­ konzentration erreicht, wenn die Abkühlung des p-dotierten ZnSe-Volumen­ einkristalls im Anschluß an die thermische Nachbehandlung möglichst innerhalb weniger Minuten erfolgt.Furthermore, a particularly high room temperature charge carrier concentration reached when the cooling of the p-doped ZnSe volume single crystal after the thermal aftertreatment if possible within less minutes.

Eine verbesserte Kontaktierung zur ersten großflächigen Elektrode läßt sich erreichen, wenn an der zu kontaktierenden Fläche des p-dotierten ZnSe- Volumeneinkristalls durch einen, zusätzlich zu den im Hauptanspruch genannten Verfahrensschritten, durchgeführten Diffusionsprozeß eine höher p-dotierte Übergangsschicht erzeugt wird.An improved contact to the first large-area electrode can be if the surface of the p-doped ZnSe- Volume single crystal by one, in addition to that in the main claim mentioned process steps, carried out a higher diffusion process p-doped transition layer is generated.

Bei dem ZnSe-basierten lichtemittierenden Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 5 wird als Substrat ein p-dotierter ZnSe-Volumeneinkristall verwendet, der großflächig mit der ersten Elektrode kontaktiert wird. Auf diesem Substrat, der p-Seite des Bauelements, ist die aktive Schicht bzw. Schichtenfolge angeordnet. Auf dieser Schicht bzw. Schichtenfolge ist eine n- dotierte ZnSe-basierte Halbleiterschicht angeordnet, die ihrerseits mit der zweiten Elektrode kontaktiert ist. Zwischen dem p-dotierten ZnSe- Volumeneinkristall und der n-dotierten ZnSe-basierten Halbleiterschicht können neben der aktiven Schicht bzw. Schichtenfolge weitere Schichten angeordnet sein.According to the ZnSe-based light-emitting semiconductor component Claim 5 is a p-doped ZnSe bulk single crystal  used, which is contacted over a large area with the first electrode. On this The substrate, the p-side of the component, is the active layer or Layer sequence arranged. An n- doped ZnSe-based semiconductor layer arranged, which in turn with the second electrode is contacted. Between the p-doped ZnSe- Volume single crystal and the n-doped ZnSe-based semiconductor layer can In addition to the active layer or layer sequence, further layers are arranged his.

Dieses Halbleiterbauelement verbindet den Vorteil, daß es homoepitaktisch aufgebaut ist mit dem weiteren Vorteil, daß eine problemlose Kontaktierung mit den Elektroden auf der p-Seite wie auf der n-Seite des Halbleiterbauelements möglich ist. Der p-dotierte ZnSe-Volumeneinkristall weist zwar einen hohen Kontaktwiderstand gegenüber der ersten Elektrode auf, da aber die gesamte Substratfläche als Kontaktfläche genutzt wird, kann die Stromdichte relativ gering gehalten werden. Weiterhin wirkt sich eine Temperaturerhöhung im Bereich der Kontaktfläche, wegen der relativ großen Entfernung zur aktiven Schicht, nicht negativ auf die aktive Schicht aus. Vorteilhafterweise kann die große Kontaktfläche der ersten Elektrode zusätzlich auf einer Wärmesenke angeordnet werden.This semiconductor device combines the advantage that it is homoepitaxial is built up with the further advantage that problem-free contacting with the electrodes on the p-side as on the n-side of the semiconductor component is possible. The p-doped ZnSe bulk single crystal has a high one Contact resistance to the first electrode, but since the entire If the substrate surface is used as the contact surface, the current density can be relative be kept low. Furthermore, an increase in temperature in the Area of the contact area, because of the relatively large distance to the active one Layer, not negative on the active layer. Advantageously, the large contact area of the first electrode additionally on a heat sink to be ordered.

Die n-dotierte ZnSe-Schicht kann dagegen problemlos mit der zweiten Elektrode kontaktiert werden. Dadurch ist es möglich, daß eine kleinflächige Kontaktierung möglich ist bzw. als zweite Elektrode auch schmale Kontaktstreifen verwendet werden können. Als besonders geeigneter Werkstoff für diese Elektrode hat sich z. B. Indium bewährt.The n-doped ZnSe layer, however, can easily with the second Electrode can be contacted. This makes it possible for a small area Contacting is possible or narrow as a second electrode Contact strips can be used. As a particularly suitable material for this electrode z. B. Indium proven.

Nachfolgend soll die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. Die zugehörige Figur zeigt den prinzipiellen Aufbau eines lichtemittierenden Halbleiterbauelementes auf der Basis eines p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristalls. The invention is to be explained in more detail below using an exemplary embodiment are explained. The associated figure shows the basic structure of a light-emitting semiconductor component based on a p-doped ZnSe bulk single crystal.  

Zuerst soll ein Verfahren zur Herstellung des p-dotierten ZnSe- Volumeneinkristalls mit ausreichend hoher Ladungsträgerkonzentration bei Raumtemperatur beschrieben werden, da dieser als geeignetes Substrat für das lichtemittierende Halbleiterbauelement dient.First, a method for producing the p-doped ZnSe- Volume single crystal with a sufficiently high charge carrier concentration Room temperature can be described because it is a suitable substrate for the light-emitting semiconductor component is used.

Das Verfahren zur Herstellung eines ZnSe-Volumeneinkristalls als Substrat für den Aufbau eines ZnSe-basierten lichtemittierenden Halbleiterbauelementes, weist drei Phasen auf. In der ersten Phase wird mittels einer Sublimationstechnik unter Zusatz von Antimon ein p-dotierter ZnSe- Volumeneinkristall gezüchtet. In einer sich anschließenden Phase erfolgt eine thermische Nachbehandlung des p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristalls bei einer Kristalltemperatur von ca. 890°C und einer Selen-Temperatur von ca. 880°C unter Einwirkung eines Se-Partialdrucks von ca. 7,7.105 Pa. Diese thermische Nachbehandlung wird über einen Zeitraum von ca. 12 Stunden durchgeführt. In einer dritten Phase wird abschließend der p-dotierte ZnSe-Volumeneinkristall auf Raumtemperatur abgekühlt, wodurch die während der thermischen Nachbehandlung erzeugten und für die elektrischen Eigenschaften wesentlichen Punkt-Defektgleichgewichte im Kristall fixiert werden. Die Abkühlung des p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristalls im Anschluß an die thermische Nachbehandlung auf Raumtemperatur erfolgt vorteilhafterweise innerhalb weniger Minuten. Um eine bessere Kontaktierung des p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristalls zu ermöglichen, wird an der zu kontaktierenden Fläche des p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristalls durch einen Diffusionsprozeß eine höher p-dotierte Übergangsschicht erzeugt.The method for producing a ZnSe bulk single crystal as a substrate for the construction of a ZnSe-based light-emitting semiconductor component has three phases. In the first phase, a p-doped ZnSe bulk single crystal is grown using a sublimation technique with the addition of antimony. In a subsequent phase, thermal treatment of the p-doped ZnSe bulk single crystal takes place at a crystal temperature of approx. 890 ° C and a selenium temperature of approx. 880 ° C under the influence of a Se partial pressure of approx.7.7.10 5 Pa . This thermal aftertreatment is carried out over a period of about 12 hours. In a third phase, the p-doped ZnSe bulk single crystal is finally cooled to room temperature, as a result of which the point defect equilibria generated during the thermal aftertreatment and essential for the electrical properties are fixed in the crystal. The cooling of the p-doped ZnSe bulk single crystal after the thermal aftertreatment to room temperature advantageously takes place within a few minutes. In order to enable better contacting of the p-doped ZnSe bulk single crystal, a higher p-doped transition layer is produced on the surface of the p-doped ZnSe bulk single crystal to be contacted by a diffusion process.

Anhand der Figur wird der prinzipielle Aufbau eines lichtemittierenden Halbleiterbauelementes auf der Basis eines p-dotierten ZnSe- Volumeneinkristalls 1 beschrieben. Das Substrat besteht aus einem p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristall 1, auf dem eine ZnSe-basierte p-leitende Halbleiterschicht 2 aufgebracht ist. Zwischen dieser und einer n-dotierten ZnSe- basierten Halbleiterschicht 4 befindet sich die aktive Schicht bzw. Schichtstruktur 3. Neben dieser aktiven Schicht bzw. Schichtenfolge 3 können weitere Schichten, in Abhängigkeit vom jeweiligen Anwendungsfall, beispielsweise Wellenleiter- und Claddingschichten angeordnet sein. Die n-dotierte ZnSe-basierte Halbleiterschicht 4 wird mit der zweiten Elektrode 5 (n-Kontakt) kontaktiert. Da sich die n-dotierte ZnSe-basierte Halbleiterschicht 4 gut mit Kontaktwerkstoffen kontaktieren läßt, können die Elektroden auch kleinflächig, beispielsweise als schmale Kontaktstreifen ausgebildet sein. Als Elektrodenmaterial wird vorteilhafterweise Indium eingesetzt. Der ZnSe- Volumeneinkristall 1 weist an der zu kontaktierenden Fläche eine höherdotierte Übergangsschicht 6 auf, die mit der ersten Elektrode 7 (p-Kontakt) großflächig kontaktiert wird. Um zu gewährleisten, daß die infolge des großen Übergangswiderstandes zwischen der Übergangsschicht 6 und der ersten Elektrode 7 auftretende Temperaturerhöhung keinen negativen Einfluß auf die aktive Schichtenfolge 3 hat, wird die erste Elektrode 7 auf einer Wärmesenke 8 angeordnet. Als Kontaktwerkstoff für die erste Elektrode wird vorzugsweise Gold bzw. eine Goldlegierung verwendet. Die Wärmesenke wird üblicherweise aus Kupfer gefertigt.The basic structure of a light-emitting semiconductor component based on a p-doped ZnSe bulk single crystal 1 is described on the basis of the figure. The substrate consists of a p-doped ZnSe bulk single crystal 1 , on which a ZnSe-based p-type semiconductor layer 2 is applied. The active layer or layer structure 3 is located between this and an n-doped ZnSe-based semiconductor layer 4 . In addition to this active layer or layer sequence 3 , further layers, for example waveguide and cladding layers, can be arranged depending on the respective application. The n-doped ZnSe-based semiconductor layer 4 is contacted with the second electrode 5 (n-contact). Since the n-doped ZnSe-based semiconductor layer 4 can be easily contacted with contact materials, the electrodes can also be formed over a small area, for example as narrow contact strips. Indium is advantageously used as the electrode material. The ZnSe bulk single crystal 1 has a heavily doped transition layer 6 on the surface to be contacted, which is contacted over a large area with the first electrode 7 (p-contact). In order to ensure that the temperature increase occurring as a result of the large contact resistance between the transition layer 6 and the first electrode 7 has no negative influence on the active layer sequence 3 , the first electrode 7 is arranged on a heat sink 8 . Gold or a gold alloy is preferably used as the contact material for the first electrode. The heat sink is usually made of copper.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines ZnSe-Volumenkristalls als Substrat für den Aufbau eines ZnSe-basierten lichtemittierenden Halbleiterbauelementes, dadurch gekennzeichnet, daß mittels einer Gasphasenzüchtung unter Zusatz eines Elements der Gruppe V des Periodensystems der Elemente ein p-dotierter ZnSe- Volumeneinkristall gezüchtet wird, anschließend eine thermische Nachbehandlung bei einer Temperatur < 800°C in einer abgeschlossenen Atmosphäre unter Einwirkung eines Se-Partialdrucks von < 1.105 Pa über einen Zeitraum von einigen Stunden durchgeführt wird und abschließend der p-dotierte ZnSe-Volumeneinkristall auf Raumtemperatur abgekühlt wird.1. A method for producing a ZnSe bulk crystal as a substrate for the construction of a ZnSe-based light-emitting semiconductor component, characterized in that a p-doped ZnSe bulk single crystal is grown by means of gas phase growth with the addition of an element from group V of the periodic table of the elements, then a thermal aftertreatment is carried out at a temperature <800 ° C. in a closed atmosphere under the influence of a Se partial pressure of <1.10 5 Pa for a period of a few hours and finally the p-doped ZnSe bulk single crystal is cooled to room temperature. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Element der Gruppe V des Periodensystems der Elemente Antimon verwendet wird.2. The method according to claim 1, characterized in that as an element of group V of the periodic table of the elements antimony is used. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abkühlung des p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristalls auf Raumtemperatur innerhalb weniger Minuten erfolgt.3. The method according to claim 1, characterized in that the cooling of the p-doped ZnSe bulk single crystal Room temperature takes place within a few minutes. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an der zu kontaktierenden Fläche des p-dotierten ZnSe- Volumeneinkristalls durch einen Diffusionsprozeß eine höher p-dotierte Übergangsschicht erzeugt wird. 4. The method according to claim 1, characterized in that on the surface of the p-doped ZnSe- to be contacted Volume single crystal through a diffusion process a more p-doped Transition layer is generated.   5. ZnSe-basiertes lichtemittierendes Halbleiterbauelement, aufweisend mindestens eine aktive Schicht/Schichtenfolge zwischen einem dotierten Substrat und einer ZnSe-basierten Halbleiterschicht mit zum Substrat entgegengesetzter Dotierung und zwei Elektroden,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat aus einem p-dotierten ZnSe-Volumeneinkristall (1) gebildet ist und die ZnSe-basierte Halbleiterschicht (4) n-dotiert ist,
der p-dotierte ZnSe-Volumeneinkristall (1) großflächig mit einer ersten Elektrode (7) und die n-dotierte ZnSe-basierte Halbleiterschicht (4) mit einer zweiten Elektrode (5) kontaktiert ist.5. ZnSe-based light-emitting semiconductor component, having at least one active layer / layer sequence between a doped substrate and a ZnSe-based semiconductor layer with doping opposite to the substrate and two electrodes,
characterized in that
the substrate is formed from a p-doped ZnSe bulk single crystal ( 1 ) and the ZnSe-based semiconductor layer ( 4 ) is n-doped,
the p-doped ZnSe bulk single crystal ( 1 ) has extensive contact with a first electrode ( 7 ) and the n-doped ZnSe-based semiconductor layer ( 4 ) is contacted with a second electrode ( 5 ). 6. ZnSe-basiertes lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der p-dotierte ZnSe-Volumeneinkristall (1) eine höher p-dotierte Übergangsschicht (6) als Kontaktfläche auf der p-Seite aufweist.6. ZnSe-based light-emitting semiconductor component according to claim 5, characterized in that the p-doped ZnSe bulk single crystal ( 1 ) has a higher p-doped transition layer ( 6 ) as a contact surface on the p-side. 7. ZnSe-basiertes lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die höher p-dotierte Übergangsschicht (6) des p-dotierten ZnSe- Volumeneinkristalls (1) großflächig mit der ersten Elektrode (7) kontaktiert ist.7. ZnSe-based light-emitting semiconductor component according to claim 5, characterized in that the higher p-doped transition layer ( 6 ) of the p-doped ZnSe bulk single crystal ( 1 ) is contacted over a large area with the first electrode ( 7 ).
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