DE19861248B4 - Electrodeposition unit for semiconductor wafer coating - has anode with central opening to promote uniform deposited layer thickness - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 73
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 27
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 16
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 70
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J sodium;gold(3+);disulfite Chemical compound [Na+].[Au+3].[O-]S([O-])=O.[O-]S([O-])=O ZWZLRIBPAZENFK-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Abscheideverfahren zur Bildung einer gleichförmig abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleitersubstrat gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The The present invention relates to a deposition method for forming a uniform deposited layer on a semiconductor substrate according to the preamble of claim 1.
Nachstehend
werden Verfahren beschrieben, die aus der
Bei
der oben beschriebenen Abscheidevorrichtung fließt die Abscheidelösung
Bei
einer Untersuchung der Ursache einer derartigen Verteilung der Abscheideschichtdicke wurde
herausgefunden, daß die
Verteilung der Schichtdicke durch die Verteilung der Größe transportierter
Ionen des Abscheidemetalls stark beeinflußt wird, welche durch die Verteilung
der Fließgeschwindigkeit
der Abscheidelösung
und die Verteilung des elektrischen Felds in der Waferoberfläche bestimmt
wird. Da insbesondere bei der oben beschriebenen Abscheidevorrichtung
in der Mitte des Wafers, welche direkt unter dem Abscheidelösungseinspeisungsrohr
Demgegenüber kann
ein derartiges Verfahren verwendet werden, wenn die Fließgeschwindigkeit
der durch das Abscheidelösungseinspeiserohr
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Abscheideverfahren zu schaffen, bei welchem die Gleichförmigkeit der Abscheideschichtdicke ohne Änderung der Fließgeschwindigkeit der Zufuhr der Abscheidelösung verbessert wird.task the present invention is to provide a deposition method, in which the uniformity the deposition layer thickness without change the flow rate the supply of the separation solution is improved.
Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These The object is achieved by the measures specified in claim 1 solved. Further advantageous embodiments are the subject of the dependent claims.
Entsprechend intensiver Untersuchungen der Erfinder wurde herausgefunden, daß die Ungleichmäßigkeit der Abscheideschichtdicke infolge der Fließgeschwindigkeitsverteilung der Abscheidelösung abgeschwächt werden kann und eine gleichförmige Verteilung der Abscheideschichtdicke über der Waferoberfläche durch Vorsehen einer Öffnung in der Mitte einer Maschenanode einer Abscheidevorrichtung erreicht werden kann, um dadurch eine derartige Verteilung der elektrischen Felddichte zwischen der Maschenanode und dem Wafer zu erzielen, welche an dem mittleren Teil der Wafer kleiner als in dem Teil entlang dem Rand ist, wodurch die vorliegende Erfindung fertiggestellt wird.Corresponding Intensive research by the inventors has found that the unevenness the deposition layer thickness due to the flow velocity distribution the separation solution attenuated can be and a uniform Distribution of the deposition layer thickness over the wafer surface Provide an opening reached in the middle of a mesh anode of a separator can be, thereby to such a distribution of electrical To achieve field density between the mesh anode and the wafer, which is smaller at the middle part of the wafer than in the part along is the edge, whereby the present invention is completed.
Dementsprechend wird bei der vorliegenden Erfindung eine Anode gegenüber einem Wafer installiert, auf welchem eine Abscheideschicht aufzutragen ist, zum Erzeugen einer bestimmten elektrischen Feldverteilung über der Waferoberfläche, wobei die Anode als Maschenelektrode ausgebildet wird, die zum Einspeisen einer Abscheidelösung geeignet ist und in der Mitte eine Öffnung aufweist.Accordingly becomes in the present invention an anode over a Wafer installed, on which a deposition layer is to be applied, for generating a specific electric field distribution over the Wafer surface, wherein the anode is formed as a mesh electrode for feeding a separation solution is suitable and has an opening in the middle.
Da die Maschenanode eine Öffnung in der Mitte aufweist, kann eine derartige Verteilung einer elektrischen Felddichte, welche in dem mittleren Teil des Wafers kleiner als in dem Teil entlang dem Rand ist, unter Verwendung der Maschenelektrode als Anode erzielt werden, um zwischen der Elektrode und dem Wafer ein elektrisches Feld zu erzeugen.There the mesh anode an opening in the middle, such a distribution of an electric Field density, which in the middle part of the wafer smaller than in the part along the edge, using the mesh electrode can be achieved as an anode to between the electrode and the wafer to generate an electric field.
Somit kann die Fließgeschwindigkeit der Abscheidelösung in dem mittleren Teil des Wafers kleiner als in dem Teil entlang dem Rand gemacht werden, wodurch es ermöglicht wird, die Ungleichmäßigkeit der Abscheideschichtdicke infolge der Verteilung der Fließgeschwindigkeit der Abscheidelösung abzuschwächen, was bei dem Stand der Technik eine Schwierigkeit darstellt, wodurch die Gleichförmigkeit der Abscheideschichtdicke über der Waferoberfläche verbessert wird.Consequently can the flow rate the separation solution smaller in the middle part of the wafer than in the part along to be made to the edge, thereby allowing the unevenness the deposition layer thickness due to the distribution of flow velocity the separation solution mitigate, which represents a difficulty in the prior art, whereby the uniformity of Abscheideschichtdicke over the wafer surface improved becomes.
Die
Maschenanode kann entweder als Elektrode, die durch Weben eines
fadenähnlichen
Materials wie in
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.The The present invention will become apparent in the following description Explained referring to the drawing.
Bei
dem Abscheideverfahren der vorliegenden Erfindung werden zuerst
ein oberes Teil
Danach
wird eine Abscheidelösung
Als
Abscheidelösung
Wenn
eine derartige Abscheidelösung
Andererseits
ist bei der vorliegenden Erfindung wie in
Die
Verteilung des elektrischen Felds über dem Wafer kann durch ein
Verfahren gesteuert werden, welches beispielsweise in dem japanischen
Gebrauchsmuster Kokai Nr. 6-37354 offenbart ist, wobei eine Ablenkplatte
zwischen der Maschenanode
Somit
besitzt das elektrische Feld zwischen der Maschenanode
Als Ergebnis schwächt eine derartige Verteilung der elektrischen Felddichte die Ungleichmäßigkeit der Abscheideschichtdicke infolge der Verteilung der Fließgeschwindigkeit der Abscheidelösung ab, insbesondere kann das Ansteigen der Abscheideschichtdicke in dem mittleren Teil des Wafers infolge der Verteilung der Fließgeschwindigkeit der Abscheidelösung durch Verringern der elektrischen Felddichte in einem derartigen Teil unterdrückt werden, wodurch es ermöglicht wird, die Gleichförmigkeit der Abscheideschichtdicke auf der Waferoberfläche zu verbessern.When Result weakens such distribution of the electric field density, the unevenness the deposition layer thickness due to the distribution of flow velocity the separation solution in particular, the increase in the deposition layer thickness can be the middle part of the wafer due to the distribution of the flow velocity the separation solution by reducing the electric field density in such Part suppressed which makes it possible will, the uniformity the deposition layer thickness on the wafer surface to improve.
Aus
Die
in
Entsprechend
einem Vergleich der Verteilung der unter Verwendung der Maschenanode
Dies
liegt vermutlich daran, daß die
elektrische Felddichte in der Nähe
der Mitte des Wafers in dem Fall verringert ist (die elektrischen
Kraftlinien dünn
verteilt sind), wobei die Maschenanode der vorliegenden Erfindung
verwendet wird und eine Abscheidereaktion in dem mittleren Teil
des Wafers im Vergleich mit dem Stand der Technik unterdrückt wird.
Da ebenfalls die Abscheidereaktion in dem mittleren Teil unterdrückt wird,
werden Ionen des Abscheidemetalls, welche bei der Abscheidereaktion
in dem mittleren Teil bei dem Stand der Technik verbraucht werden
würden,
durch den Fluß der
Abscheidelösung
transportiert und entlang dem Rand der Wafer eingespeist, und daher
wird das Verringern der Schichtdicke in einem Teil etwa 15mm von
dem Rand der Wafer nach innen gerichtet, was entsprechend
Zuerst
wird eine Abscheidezuführungsschicht
(eine lami nierte Schicht aus beispielsweise Ti/Au, TiW/Au, Cr/Au,
usw.)
Danach
wird eine Fotoresiststruktur
Dann
wird der Wafer
Nun
wird die Abscheidelösung
Danach
wird ein elektrisches Feld mit einer Stromdichte von mehreren Milliampere/cm2 bis zu mehreren zehn Milliampere/cm2 an die Maschenanode
Da
bei der oben beschriebenen Abscheidevorrichtung (
Als
letztes wird der Wafer
Das obige Herstellungsverfahren kann auf die Bildung von Au-Anschlüssen auf einem Si-Wafer, einem GaAs-Wafer oder dergleichen, einer Au-Abscheidung, einer Verdrahtung oder einer Abscheidung einer Elektrode angewandt werden.The The above manufacturing process can affect the formation of Au terminals a Si wafer, a GaAs wafer or the like, an Au deposit, applied to a wiring or a deposition of an electrode become.
Im allgemeinen wird aus einer Wafer eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen hergestellt. Unter Verwendung des Verfahrens der vorliegenden Erfindung kann bei dem Wafer eine gute Gleichförmigkeit der Abscheideschicht (der Verteilung der Abscheideschichtdicke) von etwa 10% und insbesondere von 5% erzielt werden, so daß eine gute Gleichförmigkeit der Abscheideschicht zwischen den auf der Wafer gebildeten Halbleiterbauelementen erzielt werden kann.in the In general, a wafer becomes a plurality of semiconductor devices produced. Using the method of the present invention For example, the wafer may have good uniformity of the deposition layer (the distribution of Abscheideschichtdicke) of about 10% and in particular be achieved by 5%, so that a good uniformity the deposition layer between the semiconductor devices formed on the wafer can be achieved.
Vorstehend wurde eine Maschenelektrode sowie eine Abscheidevorrichtung und ein Abscheideverfahren unter Verwendung der Maschenelektrode offenbart. wobei die Gleichförmigkeit der Abscheideschichtdicke ohne Ändern der Fließgeschwindigkeit bei der Zufuhr der Abscheidelösung verbessert ist. Durch Vorsehen einer Öffnung in der Mitte einer Maschenanode einer Abscheidevorrichtung wird eine Verteilung einer elektrischen Felddichte zwischen der Maschenanode und einem Wafer derart erlangt, daß die elektrische Felddichte in dem mittleren Teil des Wafers kleiner als in dem Teil entlang dem Rand ist.above was a mesh electrode and a separator and discloses a deposition method using the mesh electrode. being the uniformity the deposition layer thickness without changing the flow rate at the supply of the separation solution is improved. By providing an opening in the center of a mesh anode a separator is a distribution of an electric Field density between the mesh anode and a wafer thus obtained, that the electric field density in the middle part of the wafer smaller as is in the part along the edge.
Claims (3)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-110950 | 1997-04-28 | ||
JP11095097A JP3462970B2 (en) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | Plating apparatus and plating method |
DE19803490A DE19803490C2 (en) | 1997-04-28 | 1998-01-29 | separating |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19861248B4 true DE19861248B4 (en) | 2005-03-17 |
Family
ID=34219336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19861248A Expired - Fee Related DE19861248B4 (en) | 1997-04-28 | 1998-01-29 | Electrodeposition unit for semiconductor wafer coating - has anode with central opening to promote uniform deposited layer thickness |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19861248B4 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108500822A (en) * | 2018-05-21 | 2018-09-07 | 浙江工业大学 | A kind of online homogenizer of liquid metal polishing fluid |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06158392A (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Tdk Corp | Plating device |
JPH06188247A (en) * | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Sharp Corp | Manufacture of semiconductor substrate |
US5368634A (en) * | 1993-07-26 | 1994-11-29 | Hughes Aircraft Company | Removing bubbles from small cavities |
JPH07197299A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-01 | Casio Comput Co Ltd | Plating method and plating device |
US5441629A (en) * | 1993-03-30 | 1995-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method of electroplating |
-
1998
- 1998-01-29 DE DE19861248A patent/DE19861248B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06158392A (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Tdk Corp | Plating device |
JPH06188247A (en) * | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Sharp Corp | Manufacture of semiconductor substrate |
US5441629A (en) * | 1993-03-30 | 1995-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method of electroplating |
US5368634A (en) * | 1993-07-26 | 1994-11-29 | Hughes Aircraft Company | Removing bubbles from small cavities |
JPH07197299A (en) * | 1993-12-29 | 1995-08-01 | Casio Comput Co Ltd | Plating method and plating device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108500822A (en) * | 2018-05-21 | 2018-09-07 | 浙江工业大学 | A kind of online homogenizer of liquid metal polishing fluid |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
Q172 | Divided out of (supplement): |
Ref document number: 19803490 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8142 | Declaration for partition to be considered as not given as to paragraph 39 or 60 | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8170 | Reinstatement of the former position | ||
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|
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8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |