DE19846751A1 - Anordnung zur gesteuerten Tiefenstrukturierung von fotostrukturierbarem Glas - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur gesteuerten Tiefenstrukturierung von fotostrukturierbarem Glas gemäß der Gattung der Patentansprüche und danach herstellbare Bauteile bzw. Funktionselemente. Die erfindungsgemäße Anordnung findet bspw. Anwendung bei der Herstellung von Bauteilen für die Fluidtechnik (Ventile, insbesondere Ventilsitze), von Bauteilen für die Antriebstechnik (komplizierte Spulenstrukturen, Öffnungen in Glasbauteilen), von Mikrogreifern (Deckplatten für Sauggreifer, elektrodynamische Greifer).

Der Fotostrukturerungsprozeß für spezielle fotostrukturierbare Gläser aus dem Grundglassystem Li₂O-Al₂O₃-SiO₂ ist seit langem bekannt. Im Verlauf dieses Prozesses sind in aus fotostrukturierbarem Glas bestehenden Scheiben durch die Bearbeitungsschritte Bestrahlen,
Tempern und Ätzen durchgehende Strukturen einbringbar. Die Bestrahlung erfolgt dabei maskiert mittels Strahlungsquellen, deren abgegebenes Strahlspektrum den Sensitivitätsbereich des verwendeten Glases (z. B. 300 bis 320 nm) enthält. Während des nachfolgenden Temperprozesses entsteht in den bestrahlten Bereichen eine Kristallphase, die im abschließenden Ätzprozeß selektiv gegenüber den unbestrahlten Glasbereichen geätzt werden kann.

Durch einen vorzeitigen Abbruch des Ätzvorganges oder durch den Einsatz von strukturierten Ätzschutzschichten auf der tiefenzustrukturierenden Probenseite können nach einem jeweils modifizierten Verfahren auch Strukturen mit variierter Strukturtiefe hergestellt werden (siehe z. B. Dietrich T.R. e.a. "Fabrication technologies for microsystems utilizing photoetchable glass", Microelectronic Engineering 30 (1996) pp. 497-504). Der wesentliche Nachteil des Ätzabbruchverfahren ist die Begrenzung auf eine Strukturtiefe bei einem einmaligen Durchlaufen des Strukturierungsprozesses. Beim Einsatz von zusätzlichen Ätzschutzschichten sind unterschiedliche Strukturtiefen realisierbar, jedoch ist das zusätzliche Aufbringen und Strukturieren der Schutzschichten nachteilig. Kontinuierliche Tiefenübergänge können nicht realisiert werden.

Mittels Grauwertmasken können Resists definiert tiefenstrukturiert werden (z. B. Quenzer, H.J. e.a. "Fabrication of Relief - Topographic Surfaces with a One - Step UV-Litographic Process", Microsystem technologies '94, Proceedings pp. 163-172). Dieses Strukturierungsprinzip wird bislang lediglich zur Strukturierung organischer Resistmaterialien angewendet.

Weiterhin sind verschiedene Methoden zur Laserbestrahlung von fotostrukturierbaren Gläsern, die variierte Strukturtiefen zulassen, bekannt (US 5,322,538; US 5,374,291; US 5,314,522). Nachteilig ist bei allen diesen Verfahren, daß ein Laser benötigt wird. Oft ist die Bestrahlung aus unterschiedlichen Richtungen erforderlich, so daß nur Einzelteile gefertigt werden können.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, in einem kompakten Glasteil oder Glaswafer aus fotostrukturierbarem Glas unter Anwendung von fotochemischen Prozessen Strukturen mit variierender Tiefe zu erzeugen, oline dabei zusätzlich auf die zu strukturierende Fläche aufzubringende Ätzschutzschichten einzusetzen. Im Besonderen soll durch die Anwendung dieses Verfahrens eine hinterschneidungsfreie dreidimensionale Strukturgestaltung in fotostrukturierbarem Glas möglich sein.

Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des ersten Patentanspruchs gelöst. Durch den Einsatz einer bezuglich der Transmission modifizierten Maske mit zueinander parallelen, konzentrischen bzw. sich kreuzenden Linien (Gitter) sind beliebig viele Strukturtiefenabstuflingen bzw. kontinuierliche Strukturtiefenübergänge realisierbar. Diese Lösung ist auch vorteilhaft gegenüber einer Lösung, bei der maskierte Glasteile nacheinander und zueinander justiert mit unterschiedlicher Strahlungsenergiedichte bestrahlt werden, weil dadurch nur wenige Strukturtiefenabstufungen realisierbar sind. Die Öffnungsbreiten im Linienraster können variiert sein; dadurch ist es möglich, geneigten Begrenzungsfläche zu erzeugen. Ist das Linienraster mit einer herkömmlichen Maske kombiniert, bei der also die Öffnung im wesentlichen gleich der oder proportional zur im Glas zu erzeugenden Struktur ist, so lassen sich in einem Arbeitsgang die unterschiedlichsten Strukturen erzeugen. Die Transmission in der Anordnung läßt sich auch durch eine zumindest partielle Veränderung der Energiedichte der auf die Maske bzw. das Raster auftreffenden Strahlung variieren. Vorteilhaft ist die nicht tiefenzustrukturierende Seite des Glasteils mit einer Ätzschutzschicht versehen.

Bei den Untersuchungen zur Erfindung wurde deutlich, daß eine Kontrolle der Strukturtiefe im Glasbauteil über die eingebrachte Belichtungs- bzw. Strahlungsenergie möglich ist. Die wirksame Belichtungsenergie kann durch eine Variation der Strahlungsenergiedichte des Strahlers von außen oder der Öffnungsverhältnisse des Maskenrasters in der Anordnung verändert und eingestellt werden. Die Strukturtiefe ist weniger von der Rasterperiode als vom Transmissionsgrad abhängig und nähert sich für längere Ätzzeiten einem Grenzwert, der vom jeweiligen Maskentransmissionsgrad bestimmt ist. Der Grenzwert liegt bei einem Transmissionsgraden von 0,2 bei 120 µm nach 10 min, 220 µm nach 20 mm, 330 µm nach 40 min, 430 µm nach 80 min, wobei eine Rasterperiode von 20 µm zugrunde liegt. Die Ätzgeschwindigkeit ist vom Transmissionsgrad der Maske und der Ätzzeit abhängig. Mit sinkendem Transmissionsgrad und steigender Ätzzeit nimmt die Ätzgeschwindigkeit stark ab. Die Begrenzung der Ätzgeschwindigkeit ist für unterschiedliche Transmissionsgrade verschieden stark. Bei einem Transmissionsgrad von 1 beträgt bspw. die mittlere Ätzgeschwindigkeit der kristallisierten Bereiche 13,1 µm/min und der unbestrahlten glasigen Bereiche 0,94 µm/min. Daraus resultiert ein mittleres Ätzratenverhältnis von 14. Strukturen geringerer Tiefe sind mit wesentlich größerer Präzision und geringerer Abhängigkeit von den konkreten Ätzbedingungen herstellbar als solche mit größerer Strukturtiefe. Im Bereich mittlerer Transmissionsgrade (0,1 bis 0,3) ist eine annähernd lineare Änderung der Strukturtiefe mit dem Transmissionsgrad gegeben. In diesem Bereich bedingt eine größere Rasterbreite auch eine größere Strukturtiefe. Das ist unerwartet, da bei einem konstanten Transmissionsgrad das betrachtete Volumen entsprechend der flächenmäßigen Definition des Transmissionsgrades auch einer konstanten Bestrahlung ausgesetzt ist. Die Abweichung von der linearen Abhängigkeit bei höheren Transmissionsgraden (<0,3) ist mit ungleichmäßigem Ätzverhalten infolge von großen Strukturtiefen zu erklären. Für niedrige Transmisionsgrade (<0,1) zeigt die Strukturtiefe einen von der Rasterperiode abhängigen nichtlinearen Zusammenhang mit dem Transmissionsgrad, der durch Beugungseffekte hervorgerufen wird. Für größer werdende Rasterperioden wird der Beugungseinfluß bei vergleichbarer Öffnungsbreite geringer, die erzeugte Oberflächenstruktur entspricht immer deutlicher der Rasterstruktur auf der Maske. Für kleiner werdende Rasterperioden und Öffnungsbreiten nimmt der Beugungseinfluß zu, die erzeugte Oberflächenstruktur wird zunehmend weniger von der konkreten Maskenstruktur beeinflußt. Die Übergänge vom transmissionsbestimmten zum beugungsbestimmten Bereich der Strukturgeometrien sind fließend und hängen von den konkreten Rastergeometrien der Maske ab. Näherungsweise kann bei Rastererioden von <20 µm und Öffnungsbreiten von <2 µm von einer vorwiegenden Transmissionsabhängigkeit der Strukturgeometrie ausgegangen werden, während bei Rasterperioden <20 µm und Öffnungsbreiten <2 µm von einer vorwiegenden Beugungsabhängigkeit der Strukturgeometrie auszugehen ist.

Wesentliche Merkmale der Erfindung sind, daß

• - in einem Glasbauteil oder einem Glaswafer verschiedene Strukturtiefen ohne eine zusätzliche Ätzschutzschicht auf der tiefenstrukturierten Fläche herstellbar sind;
• - nach einmaligem Durchlaufen des gesamten Fotostrukturierungsprozesses (Bestrahlung, Temperung und Ätzen) ein oder mehrere weiter Bestrahlungsschritte mit anschließendem Temper- und Ätzprozeß anschließbar sind;
• - die Bestrahlung mit einer Maske erfolgt, deren Transmission in den. Strukturbereichen, die definiert tiefenstrukturiert werden sollen, veränderbar ist;
• - durch die Verwendung nur einer Maske die Genauigkeit der entsprechenden Strukturen zueinander erhöht wird;
• - deutlich geringere Restkristallstrukturen vorhanden sind, weil ein Ätzstop nicht vorgenommen wird;
• - sich mit der Zeit der Bestrahlung auch die im Glas erzeugbare Strukturtiefe definiert einstellen läßt;
• - in der dritten Dimension sich der Ätzvorgang hinterschneidungsfrei variabel gestalten läst.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der schematischen Zeichnung von vier Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 die erfindungsgemäße Strukturierung einer in einem Querschnitt dargestellten Glasscheibe, die durch eine Masken- Raster-Kombination mit einer geeigneten Strahlung bestrahlt wird,

Fig. 2 ein entsprechend einem Bestrahlungsraster mit Kristallphasen versehenes Glasteil im Querschnitt,

Fig. 3 das Glasteil gemäß Fig. 2 nach der Ausätzung in perspektivischer Darstellung,

Fig. 4 die Schnittdarstellung eines Glasteils, das nach Bestrahlung durch eine entsprechende Maske eine Kristallphase mit einer geneigten Begrenzungsfläche hat und

Fig. 5 ein rotationssymmetrisches Glasteil mit einer zugehörigen Strahlungsmaske in Schnittdarstellung.

In Fig. 1 wird eine aus einem fotostrukturierbaren Glas bestehende Scheibe 10 durch eine Maske 11 mit einem Linienraster 112 von einer Strahlungsquelle 12 mit einer Strahlung 13 bestrahlt, deren Intensitätsverteilung über den Strahlungsbündelquerschnitt gleich ist und deren Spektrum sich im Sensivitätsbereich des Glases befindet. Die Maske 11 weist als Struktur Öffnungen mit größerer Breite 111 und Öffnungen mit geringerer Breite 112 auf. Die Breite der Öffnungen 111 ist als makroskopisch zu bezeichnen, sie liegt im 50 µm-Bereich und darüber. Die Öffnungen 112 haben eine mikroskopische Breite, die im 10 µm-Bereich und darunter liegt.

Nach der Bestrahlung wird die Glasscheibe 10 bei 590°C getempert, so daß sich in ihren bestrahlten Bereichen 14 Kristallphasen ausbilden, von denen die Kristallphasen 141 unter den makroskopischen Öffnungen 111 durch die Dicke der Scheibe 10 reichen, während die Kristallphasen 142, 143 unter den mikroskopischen Öffnungen 112 nur in die Scheibe 10 eindringen.

Anschließend kann die Scheibe 10 an ihren nicht der Ätzung auszusetzenden Seiten mit einer Ätzschutzschicht 15 versehen werden. Die Kristallisationsbereiche 141, 142, 143 erfahren Ausätzungen, so daß in der Scheibe 10 eine Struktur von durchgehenden Löchern 101 und Ausnehmungen 102 entsteht, deren Konfiguration durch die der Öffnungen 111, 112 in der Maske 11 bedingt ist. Es ist allerdings zu beachten, daß die mikroskopischen Öffnungen 112 im rechten Teil der Maske 11 wie ein Raster wirken, das eine größerflächige Kristallisation und damit eine flächenhafte, in der Tiefe begrenzte Ausätzung ermöglicht. Während des nachfolgenden Ätzprozesses lassen sich Strukturen, die kleiner als ca. 40 µm sind, deutlich schlechter ätzen als vergleichbar behandelte Strukturen mit größeren Strukturabmessungen (Breiten, Durchmessern). Das zeigt sich besonders bei hohen Bestrahlungsenergiedichten und langen Ätzzeiten. Bei Strukturgrößen, die deutlich kleiner sind als 100 µm, sinkt also mit einer Verkleinerung der Strukturabmessungen der Maske 11 unter gleichen Bedingungen die erreichbare Belichtungstiefe sowie die Kristallisations- und Ätztiefe. Deshalb ist mit einer Maske, die ein Raster sehr feiner Kreis- oder Linienstrukturen aufweist, eine definierte Tiefenstrukturierung mit variabler Strukturtiefe möglich. Dabei werden durch Maskenstrukturen mit geringen Öffnungsabmessungen 112 in der Scheibe 10 nur Strukturen mit einer geringen, begrenzten Tiefe 102 strukturiert. Mit zunehmender Öffnungsbreite der Maskenstrukturen 113 lassen sich in der Scheibe 10 tiefer gehende Strukturen 103 erreichen. Ein vollständiges Durchstrukturieren 101 der Scheibe 10 ist gegeben, wenn von vollflächig transparenten Maskenbereichen 111 ausgegangen wird.

In Fig. 2 befindet sich eine Maske 11 mit einer Linienstruktur mit seitlichen makroskopischen Öffnungen 111 und mittleren Gruppen 114 von mikroskopischen Öffnungen 112 über einem Glasbauteil 10 aus fotostrukturierbarem Glas. Entsprechend den Strukturen 111, 114 werden bei Bestrahlung des Glasbauteils 10 durch das Glasbauteil reichende Kristallisationsbereiche 141 und das Glasbauteil nur eindringende Kristallisationsbereiche 142 erzeugt die dann analog zu Fig. 1 ausgeätzt werden, so daß eine Ausnehmung in Form einer Kanalstruktur 104 im Glasbauteil 10 entsteht, wie sie Fig. 3 erkennen läßt. Während für die Kristallationsbereiche 142 erzeugt, die dann analog zu Fig. 1 ausgeätzt werden, so daß eine Ausnehmung in Form einer Kanalstruktur 104 im Glasbauteil 10 entsteht, wie sie Fig. 3 erkennen läßt. Während für die langen, zueinander parallelen Stücke 105 der Kanalstruktur 104 die voneinander getrennten Gruppen 114 ausschließlich maßgeblich sind, kommen für ihre kurzen Verbindungsstücke 106 sowohl die Enden der zwischen Linien 115 befindlichen mikroskopischen Öffnungen 112 als auch entsprechende, nicht sichtbare mikroskopische Öffnungen zwischen den Gruppen 114, die zu beiden Seiten einer zum Glasstück 10 rechtwinkligen Ebene E liegen, zur Wirkung. Die Rasterperiode ist für alle mikroskopischen Öffnungen dieselbe. Durch die makroskopischen Öffnungen 141 wird das Glasbauteil 10 von einem größeren Bauteil 20 abgetrennt.

Die Herstellung des Glasbauteils 10 mit der Kanalstruktur 104 kann durch eine einzige ausreichende Bestrahlung sowie nachfolgende Temperung und Ätzung erfolgen. Nach einem anderen Verfahren kann aber auch in einem ersten Schritt die maskierte Bestrahlung des größeren Bauteils 20 mit hoher Energiedichte erfolgen. Dabei werden die Außenkonturen des Glasbauteils 10 und ggf. nicht dargestellte Justiermarken abgebildet. Nach dem sich anschließenden Tempern und Ätzen liegt die rechteckige Glasstruktur 10 in einem Wafer vor, die durch Vereinzelungsstege gehalten sein kann. In einem zweiten Schritt erfolgt eine maskierte, jedoch justierte Bestrahlung des Glasbauteils, allerdings mit geringerer Energiedichte, mit einer zweiten Maske, die lediglich zweite Justiermarken und die Kanalstruktur 112, 114 enthält. Die Justiermarken des ersten und zweiten Schrittes werden vor der zweiten Bestrahlung miteinander zur Koinzidenz gebracht. Nach einem nochmaligen Tempern und Ätzen entsteht das tiefenstrukturierte Glasbauteil 10.

In Fig. 4 ist eine Maske 11 dargestellt, die makroskopische Öffnungen 111 zur Festlegung der Kontur des Glasbauteils 10 und ein Linienraster 116 mit kontinuierlich variierter Periode und/oder Öffnung, und zwar mit von links nach rechts abnehmender Periode bzw. zunehmender Öffnungserweiterung enthält. Dieses Linienraster 116 hat nach der Bestrahlung, Temperung und Ätzung in einem Arbeitsgang zur Folge, daß im Glasbauteil 10 eine trogförmige Ausnehmung mit trapezförmigem Querschnitt entsteht, die linke Begrenzungsfläche 108 des trapezförmigen Kristallisationsbereiches 107 also eine Schrägfläche ist. Die sich in der Tiefe an die Schrägfläche 108 anschließende Fläche 108' setzt voraus, daß das Linienraster 116 über ihr eine gleichbleibende Öffnungsbreite hat. Es ergibt sich ein Glasbauteil 10 mit einer definierten Außenkontur 109 sowie einer dem Kristallisationsbereich 107 entsprechenden Ausnehmung mit einer Schrägfläche 108, deren Neigungswinkel über die Gestaltung des Linienrasters 116 der Maske 11, insbesondere deren Absorberbreite, Öffnungsbreite, Gesamtlinienzahl, Öffnungserweiterungszuwachs bei kontinuierlicher Tiefenstrukturierung beliebig variiert werden kann. Darüber hinaus kann über die Anzahl der mikroskopischen Öffnungen gleicher Öffnungsbreite eine gestufte Tiefenstrukturierung erreicht werden.

In Fig. 5 ist eine Maske 11 mit transparenten Bereichen 111, gerasterten Bereichen 112 und strahlungsundurchlässigen Bereichen 117 in Strahlungsrichtung vor einer polierten Scheibe (Wafer) 20 aus fotostrukturierbarem Glas angeordnet. Die hinter dem Maskenbereich 111 befindlichen Bereiche 16 der Scheibe 20 werden bei Bestrahlung mit einer geeigneten UV-Strahlung vollständig durchstrukturiert. Die hinter dem Maskenbereich 112 befindlichen Scheibenbereiche 17 werden in der Tiefe definiert strikturiert; durch die spezielle Ausbildung des Rasters (Linienabstand, Linienstärke, Linienmuster) ist die integrale Transmission des Maskenbereiches definiert eingestellt, so daß in diesen Bereichen die Bestrahlungsintensität geschwächt wird und im Ergebnis dessen die Wirkung der Bestrahlung nur bis in die gewünschte Tiefe registriert wird. Die Dichte der Bestrahlungsenergie ist dabei so groß, daß die strahlungsinduzierte fotochemische Umwandlung im Glas hinter den transparenten Maskenbereichen 111 bis zur Bestrahlungsunterseite 19 stattfindet. Hinter den Strahlung absorbierenden Maskenbereichen 117 findet in den Bereichen 18 der Scheibe 20 keine Art von Registrierung statt.

Die so bestrahlte Scheibe 20 wird in einem an das verwendete Glas angepaßten thermischen Prozeß derart behandelt, daß in den bestrahlten Bereichen 16, 17 eine Kristallisation eintritt. Dabei ist die Kristallisation in den Bereichen 16 über die gesamte Scheibendicke gleichmäßig vorhanden. In den Bereichen 17 erfolgt die Kristallisation bis in eine reduzierte Tiefe, jedoch nicht über die gesamte Scheibendicke. In den nicht von Strahlung getroffenen Bereichen 18 findet keine Kristallisation statt.

Nach der thermischen Behandlung wird die bezüglich der jeweils erforderlichen Strukturtiefe definiert kristallisierte Glasscheibe 20 in einem geeigneten Ätzmittel, bspw. verdünnter Flußsäure, anisotrop geätzt, d. h. die kristallisierten Bereiche werden selektiv weggeätzt und die nichtkristallisierten Bereiche 10 der Glasscheibe 20 bleiben stehen. Im Ergebnis des Ätzprozesses entsteht ein aus der Scheibe 20 herausgelöstes Bauteil 10 aus fotostrukturiertem Glas, welches über

• - durchgehende Strukturen 16 nahe einer Achse X-X (z. B. die Bauteilaußengeometrie, Durchlaßöffnungen, Düsen Befestigungsöffnungen),
• - Strukturen einer definierten Tiefe (tiefenabgesetzte Flächen, Grabenstrukturen einer vorgegebenen Tiefe) und
• - unstrukturierte Glasbereiche 18

verfügt.

Bei modifizierten Anwendung der Anordnung gemäß Fig. 5 auf einen Sauggreifer ergeben sich für dessen Gestaltung insbesondere folgende Vorteile:

• - Transparenz im Zentrum der Struktur (zur Beobachtung des Greifobjekts erforderlich),
• - Einbringung feiner Düsen mit variabler Geometrie im Saugbereich gleichzeitig mit der Strukturierung des Gesamtbauteils,
• - Absetzung von großen Teilen der Greiferfläche gleichzeitig mit der Strukturierung des Gesamtbauteils, so daß kleine Objekte sicher gegriffen werden können.

Alle in der Beschreibung, den nachfolgenden Ansprüchen und der Zeichnung dargestellten Merkmale können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination miteinander erfindungswesentlich sein.

Bezugszeichenliste

10

Glasscheibe

11

Maske

12

Strahlungsquelle

13

Strahlung

14

bestrahlte Bereiche

15

Ätzschutzschicht

16

,

17

,

18

Bereiche

19

Bestrahlungsunterseite

20

Glasscheibe

101

durchgehende Löcher

102

Ausnehmungen

103

tiefer gehende Strukturen

104

Kanalstruktur

105

parallele Kanalstücke

106

Verbindungsstücke

107

trapezförmiger Kristallisationsbereich

108

Begrenzungsfläche, Schrägfläche

108

' anschließende Fläche

109

Außenkontur

111

makroskopische Öffnungen (großer Breite)

112

mikroskopische Öffnungen (kleiner Breite)

113

Maskenstrukturen

114

Gruppen von mikroskopischen Öffnungen

115

(Raster-)Linien

116

Linienraster

117

strahlungsundurchlässige Bereiche

141

,

142

,

143

Kristallphasen, Kristallisationsbereiche
E Ebene
X-X Achse

Claims (6)

1. Anordnung zur gesteuerten Tiefenstrukturierung von fotostrukturierbarem Glas, bei der bestimmte Glasbereiche maskiert mit einer Strahlung bestrahlt werden, deren Spektrum den Sensivitätsbereich des verwendeten Glases enthält, das Glas nach der Bestrahlung getempert wird und so die bestrahlten Glasbereiche in eine Kristallphase überführt und danach ausgeätzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung der Glasbereiche zumindest teilweise durch ein Linienraster erfolgt, dessen Linien Öffnungsbreiten bestimmen, die nur einen Bruchteil der Breite der Glasbereiche betragen.

2. Anordnung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Linienraster als Gitter oder Raster paralleler Linien oder als Raster konzentrischer Kreise ausgebildet ist.

3. Anordnung gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungsbreiten eines Linienrasters unterschiedlich sind.

4. Anordnung gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Linienraster mit einer Maske kombiniert ist, deren Öffnungsformen mit den Formen der im Glas entsprechend zu erzeugenden Struktur übereinstimmen oder proportional sind.

5. Anordnung gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiedichte der auf die Maske bzw. das Raster treffenden Strahlung variierbar ist.

6. Anordnung gemäß mindestens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht tiefenzustrukturierenden Seiten des Glases mit einer Ätzschutzschicht versehen sind.