DE19832852C2 - Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit Elektroden-Drahtbondpads - Google Patents

Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit Elektroden-Drahtbondpads

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Lichtemissionsvor­ richtung mit Elektroden-Drahtbondpads nach dem Oberbegriff des Patentan­ spruchs 1.
Eine gattungsgemäße Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ist aus der Patent­ schrift US 5,093,697 A bekannt.
Eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung (beispielsweise eine Leuchtdiode bzw. LED), die Lichtemissionen liefert, die vom sichtbaren Lichtbereich bis zum Ul­ traviolett-Bereich reichen, wurde mittels eines Nitrid-Halbleitermaterials, wie beispielsweise eines Mischkristalles aus GaN, AlN oder InN realisiert. In ei­ ner solchen LED-Vorrichtung wird vorzugsweise ein Saphir oder dergleichen als Wachstumssubstrat verwendet. Da ein derartiges Substrat ein isolierendes Substrat ist, wurden eine positive Elektrode und eine negative Elektrode auf der Wachstumsoberflächenseite der Vorrichtung vorgesehen. Verschiedene Struktu­ ren für den obigen Zweck wurden entwickelt.
Im folgenden wird eine herkömmliche Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung (ver­ gleiche die japanische Offenlegungsschrift Nr. 7-94782 A), die ein Nitrid-Halblei­ termaterial verwendet, beschrieben.
Fig. 3A ist eine Draufsicht, die die herkömmliche Galliumnitrid-Verbin­ dungshalbleiter-Lichtemissionsvorrichtung veranschaulicht und 3B ist eine schematische Schnittdarstellung längs einer Linie 3B-3B in der Draufsicht von Fig. 3A.
In Fig. 3B sind eine n-Typ-Galliumnitrid-Verbindungshalbleiterschicht 31 und eine p-Typ-Galliumnitrid-Verbindungshalbleiterschicht 33 in dieser Reihenfolge zur Lichterzeugung auf einem isolierenden Substrat 30, wie bei­ spielsweise einem Saphirsubstrat, abgelagert.
Ein negativer Elektrodenabschnitt einschließlich eines negativen Elektroden­ draht-Bondpads 32 ist auf der n-Typ-Galliumnitrid-Verbindungshalbleiter­ schicht 31 ausgebildet. Ein positiver Elektrodenabschnitt einschließlich eines positiven Elektrodendraht-Bondpads 34 und einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht 35 ist auf der p-Typ-Galliumnitrid-Verbindungshalb­ leiterschicht 33 vorgesehen. Die lichtdurchlässige Elektrodenschicht 35 zur Stromdiffusion ist im wesentlichen über der gesamten Oberfläche der p-Typ-Gal­ liumnitrid-Verbindungshalbleiterschicht 33 angeordnet. Ein Fensterab­ schnitt 36 ist auf der lichtdurchlässigen Elektrodenschicht 35 vorgesehen, durch welche das positive Elektrodendraht-Bondpad 34 die p-Typ-Galliumnitrid- Verbindungshalbleiterschicht 33 kontaktiert.
In der Draufsicht von Fig. 3A sind das positive Elektrodendraht-Bondpad 34 in dem positiven Elektrodenabschnitt und das negative Elektrodendraht-Bondpad 32 in dem negativen Elektrodenabschnitt an gegenüberliegenden Ecken der Vor­ richtung angeordnet.
Eine andere herkömmliche Vorrichtung, die eine ähnliche positive/negative Elektrodenstruktur verwendet, ist in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 8-274377 A beschrieben.
Die Lichtemissionsvorrichtungen des oben erläuterten Typs sind gewöhnlich mit der Elektrodenoberfläche nach oben angebracht, so dass Licht durch die transparente Elektrode abgestrahlt werden kann. Jedoch ist das positive Elektrodendraht-Bondpad 34 in dem positiven Elektrodenabschnitt, der in den Fig. 3A und 3B gezeigt ist, nicht lichtdurchlässig, da das Pad 34 vorzugsweise mittels eines Metallfilmes gebildet wird, der zu dick ist, um dort Licht durchzu­ lassen. Somit kann Licht, das in einem Teil der Lichtemissionsschicht (d. h. den Schichten 31 und 33) unter dem positiven Elektrodendraht-Bondpad 34 erzeugt wird, nicht wirksam ausgegeben werden.
Somit trägt in der herkömmlichen Struktur, die oben erläutert ist, lediglich der Strom, der durch den Teil der lichtdurchlässigen Elektrodenschicht 35 fließt, der nicht mit dem positiven Elektrodendraht-Bondpad 34 bedeckt ist, zu dem optischen Ausgang der in den Fig. 3A und 3B gezeigten Vorrichtung bei. Mit an­ deren Worten, der Strom, der in dem Teil unter dem positiven Elektrodendraht- Bondpad 34 fließt, hat keinen oder nur einen geringen Beitrag zu der effektiven Lichtemission der Vorrichtung in den Fig. 3A und 3B.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiter-Lichtemissions­ vorrichtung zu schaffen, die die obigen Nachteile vermeidet und eine wirksame Lichtemission erlaubt. Insbesondere soll die Halbleiter-Lichtemissionsvorrich­ tung stabil gegenüber Temperaturschwankungen sein.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß eine Halbleiter-Lichtemissions­ vorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 vorgesehen.
Vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die erfindungsgemäße Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung umfasst also: ein Isolierendes Substrat und eine geschichtete Struktur, die auf dem isolierenden Substrat ausgebildet ist, wobei die geschichtete Struktur wenigstens einen Lich­ temissionsabschnitt, einen positiven Elektrodenabschnitt und einen negativen Elektrodenabschnitt aufweist. Ein Teil des positiven Elektrodenabschnittes und ein Teil des negativen Elektrodenabschnittes überlappen einander mittels bzw. über einen isolierenden Film. Für die Elektrodenabschnitte vorgesehene Draht­ bondpads sind auf derselben Seite des isolierenden Substrats angeordnet, wobei das erste der Drahtbondpads auf einem Teil des positiven Elektrodenabschnitts direkt über dem isolierenden Film vorgesehen ist. Der isolierende Film beinhal­ tet lediglich Teile, die zu einem Verhindern eines Kurzschlusses zwischen den beiden Elektrodenabschnitten erforderlich sind.
In einem Ausführungsbeispiel sind ein erstes Drahtbondpad, das für den posi­ tiven Elektrodenabschnitt vorgesehen ist, und ein zweites Drahtbondpad, das für den negativen Elektrodenabschnitt vorgesehen ist, in der Nähe zueinander längs derselben Kante des isolierenden Substrates gebildet.
In der herkömmlichen Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach der eingangs genannten japanischen Offenlegungsschrift ist die direkt unter einem Elektro­ dendraht-Bondpad erzeugte interne Lichtemission durch das Elektrodendraht- Bondpad gesperrt oder blockiert und trägt so nicht zu der optischen Ausgangs­ leistung der Vorrichtung bei. Dagegen wird bei der erfindungsgemäßen Halble­ iter-Lichtemissionsvorrichtung das Fließen eines Stromes in einen Teil direkt unter einem Elektrodendraht-Bondpad für einen Elektrodenabschnitt durch Vorsehen einer isolierenden Schicht verhindert. Somit ist die Menge an Strom, die weniger stark zu der optischen Ausgangsleistung der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung beiträgt, reduziert, und die Lichtemissionswirksamkeit hiervon ist verbessert. Da darüber hinaus die Kontaktfläche für den anderen Elektrodenabschnitt zunimmt, ist es möglich, die Vorwärtsspannung (Betriebsspannung) der sich ergebenden Halbleiter-Licht­ emissionsvorrichtung zu reduzieren.
Weiterhin kann durch Ausgestalten des Lichtemissionsabschnittes in einer ein­ fachen Form, wie beispielsweise einem Rechteck, ein einfaches Lichtemissions­ muster der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung erhalten wer­ den.
Somit ermöglicht die hier beschriebene Erfindung den Vorteil, eine Halbleiter- Lichtemissionsvorrichtung zu schaffen, die eine reduzierte Betriebsspannung und eine gesteigerte optische Ausgangsleistung hat.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A bis 1D eine Struktur einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ge­ mäß Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 1A eine Draufsicht der Vorrichtung ist und Fig. 1B, 1C und 1D jeweils Schnittdarstellungen längs einer Linie 1B-1B, einer Linie 1C-1C und einer Linie 1D-1D in Fig. 1A sind,
Fig. 2A bis 2D eine Struktur einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ge­ mäß Beispiel 2 der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 2A eine Draufsicht der Vorrichtung ist und Fig. 2B, 2C und 2D Schnittdarstellungen längs einer Linie 2B-2B, einer Linie 2C-2C bzw. einer Linie 2D-2D in Fig. 2A sind, und
Fig. 3A und 3B eine herkömmliche Galliumnitrid-Halbleiter-Lichtemissi­ onsvorrichtung, die ein Nitrid-Halbleitermaterial verwen­ det, wobei Fig. 3A eine Draufsicht der Vorrichtung ist und Fig. 3B eine schematische Schnittdarstellung längs einer Li­ nie 3B-3B in Fig. 3A zeigt.
Fig. 1A bis 1D und 2A bis 2D beziehen sich jeweils auf ein Beispiel der vorlie­ genden Erfindung. Im folgenden werden die Beispiele der vorliegenden Erfindung anhand der Figuren beschrieben.
Beispiel 1
Die Fig. 1A bis 1D veranschaulichen eine Struktur einer Halbleiter-Lichtemissi­ onsvorrichtung gemäß Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung, wobei Fig. 1A eine Draufsicht der Vorrichtung ist und die Fig. 1B, 1C und 1D schematische Schnittdarstellungen von Fig. 1A sind. Insbesondere sind die Fig. 1B, 1C und 1D Schnittdarstellungen einer Linie 1B-1B, einer Linie 1C-1C bzw. einer Linie 1D- 1D in Fig. 1A.
Die Lichtemissionsvorrichtung des vorliegenden Beispiels umfasst: ein Saphir­ substrat 10 (eine quadratische Gestalt mit einer Fläche von etwa 350 µm mal etwa 350 µm), einen Lichtemissionsabschnitt 19 (grundsätzlich eine quadra­ tische Gestalt mit einer Fläche von etwa 300 µm mal etwa 300 µm mit zwei Ein­ kerbungen), ein positives Elektrodendraht-Bondpad 15 für einen positiven Elek­ trodenabschnitt und ein negatives Elektrodendraht-Bondpad 17 für einen nega­ tiven Elektrodenabschnitt. Die positiven und negativen Elektrodendraht-Bond­ pads 15 und 17 (jeweils in quadratischer Gestalt mit einer Fläche von etwa 130 µm mal etwa 130 µm gebildet) sind an gegenüberliegenden Ecken des Saphirsub­ strates 10 vorgesehen.
In den Fig. 1B, 1C und 1D ist eine n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht (0 ≦ X ≦ 1 und 0 ≦ Y ≦ 1) 11 auf dem Saphirsubstrat 10 vorgesehen. Eine AlZGaTIn1-Z-TN-Schicht (0 ≦ Z ≦ 1 und 0 ≦ T ≦ 1) 12 als eine Lichtemissionsschicht und eine p-Typ-AlUGa- VIn1-U-VN-Schicht (0 ≦ U ≦ 1 und O ≦ V ≦ 1) 13 sind auf der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN- Schicht 11 angeordnet, so dass ein Teil der Oberfläche der Schicht 11, der im wesentlichen parallel zu dem Saphirsubstrat 10 ist, teilweise nicht mit den Schichten 12 und 13 bedeckt ist. Die Lichtemissionsschicht 12 kann eine un­ dotierte oder mit Si dotierte AlZGaTIn1-Z-TN-Schicht sein.
Eine negative Elektrode 16 ist auf dem Teil der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht 11 vorgesehen, der nicht mit den Schichten 12 und 13 bedeckt ist. Das negative Elektrodendraht-Bondpad 17 ist weiterhin auf einem Teil der negativen Elektro­ de 16 vorgesehen.
Eine Isolierschicht 18 ist auf einem Teil der negativen Elektrode 16 und/oder dem negativen Elektrodendraht-Bondpad 17 zur Isolation von einer positiven Elektrode 14, die in einem folgenden Schritt gebildet wird, vorgesehen. Der Iso­ lierfilm kann unter Verwendung von beispielsweise einem SiO2-Film, einem SiNX-Film, einem TiO2-Film oder dergleichen hergestellt sein. Der Isolierfilm kann durch Verwenden eines Zerstäubungs- bzw. Sputter-Abscheidungsverfah­ rens oder eines Elektronenstrahl-Abscheidungsverfahrens erzeugt sein. Ein SOG-(Spin-on-Glas-)Verfahren kann ebenfalls verwendet werden.
Nach der Bildung der Isolierschicht 18 werden unnötige Teile der Schicht 18. die nicht zum Verhindern des Kurzschlusses zwischen der negativen Elektrode 16 und der positiven Elektrode 14 erforderlich sind, mittels Photolithographie- und Ätzprozessen entfernt.
Die Isolierschicht 18 hat eine Dicke, die ausreichend ist, um eine elektrische Isolation zwischen der negativen Elektrode 16 und der positiven Elektrode 14 zu realisieren und beträgt insbesondere etwa 0,2 µm oder mehr.
Spezifische Beispiele des Elektrodenmaterials für die negative Elektrode (n-Typ- Elektrode) 16 können beispielsweise eine Ti/Al-Schichtelektrode oder einen Al- Einzelschichtfilm umfassen.
Die positive Elektrode 14 ist auf der p-Typ-AlUGaVIn1-U-VN-Schicht 13 und der Isolierschicht 18 gebildet. Die positive Elektrode (transparente p-Typ-Elektrode) 14 ist transparent und kann erhalten werden, indem ein dünner Au-Film oder eine Metallschicht von einem oder mehreren Bestandteilen aus Ni, Pd, Pt und dergleichen abgeschieden wird, oder sie kann eine Schicht sein, die lediglich aus Ni, Pd oder Pt gebildet ist. Darüber hinaus kann sie auch durch Auftragen oder Abscheiden einer transparenten Elektrode aus ITO oder TiN auf einer dünnen Schicht aus Ni, Pd oder Pt erhalten werden. Die Dicke der Elektroden­ metallschicht der positiven Elektrode 14 ist so eingestellt, dass sie so wenig wie möglich die interne Lichtemission der Vorrichtung blockiert, während die Leit­ fähigkeit aufrechterhalten wird. Insbesondere kann die Dicke etwa 1 nm bis etwa 100 nm betragen.
Das positive Elektrodendraht-Bondpad 15 ist weiterhin auf einem Teil der posi­ tiven Elektrode 14 direkt über der Isolierschicht 18 gebildet. Das positive Elek­ trodendraht-Bondpad 15 ist gebildet unter Verwendung eines Materials eines Typs, der ähnlich zu demjenigen der positiven Elektrode 14 hinsichtlich des Herstellungsprozesses ist, wobei jedoch eine Au-Schicht auf der Oberfläche hier­ von vorgesehen ist. Daher kann die Schichtstruktur des sich ergebenden positi­ ven Elektrodendraht-Bondpads 15 von oben nach unten Au/(Ni, Pd, Pt) umfassen. Die gesamte Dicke des positiven Elektrodendraht-Bondpads 15 be­ trägt insbesondere etwa 0,1 µm bis etwa 2 µm.
Die Struktur der Fig. 1A und 1D, in welcher ein Teil der negativen Elektrode 16 vergraben ist, um direkt unter dem positiven Elektrodendraht-Bondpad 15 über der Isolierschicht 18 vorzuliegen, liefert die folgenden Vorteile.
Es ist möglich, einen Teil des Stromes, der direkt unter einem Hauptteil des po­ sitiven Elektrodendraht-Bondpads 15 fließt, der die Lichtemissionsschicht 12 überlagert und dann weniger stark zu der optischen Ausgangsleistung der Licht­ emissionsvorrichtung beiträgt, auszuschließen, während die Kontaktfläche zwischen der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht 11 und der negativen Elektrode 16 gesteigert ist. Als ein Ergebnis ist es möglich, die Betriebsspannung zu vermin­ dern, die für die Lichtemission erforderlich ist, und die externe Emissionswirk­ samkeit der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung zu verbes­ sern.
Wenn insbesondere das verwendete Saphirsubstrat 10 eine Fläche von beispiels­ weise etwa 350 µm mal etwa 350 µm hat, beträgt die Fläche der positiven und negativen Drahtbondpads 15 bzw. 17 jeweils etwa 130 µm mal etwa 130 µm, und die Fläche des Lichtemissionsabschnittes 19 beträgt etwa 300 bis 320 µm mal 300 bis 320 µm, subtrahiert um die Fläche, mit der sich die positiven und nega­ tiven Elektrodenpads 15 und 17 überlagern. Weiterhin beträgt die Fläche des Hauptteiles des positiven Elektrodendraht-Bondpads 15, die die Lichtemissions­ schicht 12 überlagert, etwa 100 µm mal etwa 100 µm.
Beispiel 2
Die Fig. 2A bis 2D veranschaulichen eine Struktur einer Lichtemissionsvorrich­ tung gemäß Beispiel 2 der vorliegenden Erfindung, wobei ein Lichtemissionsab­ schnitt 21 (eine Lichtemissionsschicht 12) in einer rechteckförmigen Gestalt ge­ bildet ist. Fig. 2A ist eine Draufsicht der Vorrichtung, und die Fig. 2B, 2C und 2D sind jeweils schematische Schnittdarstellungen von Fig. 2A. Insbesondere sind Fig. 2B, 2C und 2D Schnittdarstellungen längs einer Linie 2B-2B, einer Li­ nie 2C-2C bzw. einer Linie 2D-2D in Fig. 2A. Gleiche Bauteile in den Fig. 1A bis 1D und 2A bis 2D sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nicht nochmals näher erläutert.
Die Lichtemissionsvorrichtung des vorliegenden Beispiels umfasst: ein Saphir­ substrat 20 (einer quadratischen Gestalt mit einer Fläche von etwa 350 µm mal etwa 350 µm), einen Lichtemissionsabschnitt 21 (einer rechteckförmigen Gestalt mit einer Fläche von etwa 300 µm mal etwa 170 µm), ein positives Elektroden­ draht-Bondpad 15 für einen positiven Elektrodenabschnitt und ein negatives Elektrodendraht-Bondpad 17 für einen negativen Elektrodenabschnitt. Die posi­ tiven und negativen Elektrodendraht-Bondpads 15 und 17 (jeweils geformt in ei­ ner quadratischen Gestalt mit einer Fläche von etwa 130 µm mal etwa 130 µm) sind in der Nähe zueinander längs der gleichen Kante des Saphirsubstrates 20 vorgesehen.
Wie in Beispiel 1 ist ein Teil der negativen Elektrode 16 in diesem Beispiel ver­ graben, um teilweise direkt unterhalb dem positiven Elektrodendraht-Bondpad 15 durch die Isolierschicht 18 getrennt vorzuliegen, um so die folgenden Vorteile zu liefern.
Es ist möglich, einen Teil des Stromes, der direkt unter dem positiven Elektro­ dendraht-Bondpad 15 fließt und dann weniger stark zu der optischen Ausgangs­ leistung der Lichtemissionsvorrichtung beiträgt, auszuschließen, während eine vergrößerte Kontaktfläche zwischen der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht 11 und der negativen Elektrode 16 realisiert wird. Insbesondere beträgt die Kontaktflä­ che der negativen Elektrode 16 in diesem Beispiel etwa das 1,8-fache von derje­ nigen des herkömmlichen Beispiels; d. h., die Kontaktfläche ist von etwa 150 µm mal etwa 130 µm in dem herkömmlichen Beispiel auf etwa 150 µm mal 130 µm plus etwa 150 µm mal etwa 100 µm in dem vorliegenden Beispiel gewachsen. Demgemäß ist die Betriebsspannung um etwa 0,05 V bis etwa 0,1 V reduziert, d. h., von etwa 3,5 V in dem herkömmlichen Beispiel auf etwa 3, 4 bis etwa 3,45 V in dem vorliegenden Beispiel (ein Spannungswert für einen Vorwärtsstrom von etwa 20 mA). Weiterhin ist die optische Ausgangsleistung um etwa 2% bis etwa 5% gesteigert.
Zusätzlich ist es durch Vorsehen der positiven und negativen Elektrodendraht- Bondpads 15 und 17 längs einer Kante des Saphirsubstrates 20 möglich, den Lichtemissionsabschnitt 21 in einer einfachen polygonalen Gestalt zu bilden. Daher ist es durch Verwenden einer derartigen Lichtemissionsvorrichtung mög­ lich, auf einfache Weise ein Lichtemissionsgerät zu schaffen, das Emissionsei­ genschaften mit weniger Ungleichmäßigkeit hat.
Wie oben beschrieben ist, umfasst erfindungsgemäß die Halbleiter-Lichtemissi­ onsvorrichtung ein isolierendes Substrat und eine auf dem isolierenden Substrat gebildete geschichtete Struktur, wobei die geschichtete Struktur wenigstens ei­ nen Lichtemissionsabschnitt, einen positiven Elektrodenabschnitt und einen ne­ gativen Elektrodenabschnitt hat. Ein Teil des positiven Elektrodenabschnittes und ein Teil des negativen Elektrodenabschnittes überlappen einander über ei­ nen isolierenden Film. Mit einer derartigen Struktur ist es möglich, den direkt unter einem Teil von einem der Elektrodenabschnitte fließenden Strom zu redu­ zieren, der weniger wahrscheinlich zu der optischen Ausgangsleistung der Lich­ temissionsvorrichtung beiträgt, während die Kontaktfläche für den anderen der Elektrodenabschnitte gesteigert wird. Als ein Ergebnis ist es möglich, die opti­ sche Ausgangsleistung zu verbessern und die Betriebsspannung der sich erge­ benden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung zu reduzieren.
Weiterhin ist es gemäß der vorliegenden Erfindung auch möglich, ein (erstes) Drahtbondpad für den positiven Elektrodenabschnitt und ein anderes (zweites) Drahtbondpad für den negativen Elektrodenabschnitt vorzusehen, um nahe bei­ einander längs der gleichen Kante des isolierenden Substrates gebildet zu sein. Bei einer derartigen Struktur hat der Lichtemissionsabschnitt eine einfache Ge­ stalt, so dass das erhaltene Emissionsmuster nicht kompliziert ist, was bei­ spielsweise von einem Muster mit Einkerbungen abweicht. Daher ist es nach Einbau der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung in ein Lichtemissionsgerät, wie beispielsweise eine, möglich, ein Lichtemissionsgerät mit einfachen Emis­ sionseigenschaften zu erhalten.
Darüber hinaus ist es möglich, die Kontaktfläche der negativen Elektrode mit der n-Typ-Schicht (beispielsweise der n-Typ-AlXGaYIn1-X-YN-Schicht) zu ver­ größern. Als Ergebnis ist es möglich, die Betriebsspannung zu reduzieren, und die optische Ausgangsleistung der sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionsvor­ richtung zu steigern.

Claims (8)

1. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, umfassend:
ein isolierendes Substrat (10, 20), und
eine auf dem isolierenden Substrat (10, 20) ausgebildete Schichtstruktur (11, 12, 13, 14, 16, 17), die wenigstens einen Lichtemissionsabschnitt (11, 12, 13), einen positiven Elektrodenabschnitt (14) und einen negativen Elektrodenab­ schnitt (16) aufweist,
wobei ein Teil des positiven Elektrodenabschnittes (14) und ein Teil des negativen Elektrodenabschnittes (16) einander über einen isolierenden Film (18) überlappen,
dadurch gekennzeichnet, dass
ein für den positiven Elektrodenabschnitt (14) vorgesehenes erstes Draht­ bondpad (15) und ein für den negativen Elektrodenabschnitt (16) vorgesehenes zweites Drahtbondpad (17) auf derselben Seite des isolierenden Substrates (12, 20) ausgebildet sind,
der isolierende Film (18) nur Teile umfasst, die zum Verhindern eines Kurzschlusses zwischen dem negativen Elektrodenabschnitt (16) und dem positi­ ven Elektrodenabschnitt (14) erforderlich sind, und das erste Drahtbondpad (15) auf einem Teil des positiven Elektrodenab­ schnittes (14) direkt über dem isolierenden Film (18) vorgesehen ist.
2. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das erste Drahtbondpad (15) und das zweite Drahtbondpad (17) längs derselben Kante des isolierenden Substrates (20) ausgebildet sind.
3. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das erste Drahtbondpad (15) und das zweite Drahtbondpad (17) in jeweiligen diagonal entgegengesetzten Bereichen auf dem isolierenden Sub­ strat (10), das auf dieser Seite eine quadratische Form aufweist, ausgebildet sind.
4. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Lichtemissionsabschnitt (11, 12, 13) jeweils eine erste und eine zweite Schicht (13, 11) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps umfasst, und dass der positive Elektrodenabschnitt (14) auf der ersten Schicht (13) und der negative Elektrodenabschnitt (16) auf der zweiten Schicht (11) ausgebildet ist.
5. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die zweite Schicht (11) eine Teilschicht aufweist und der negative Elektrodenabschnitt (16) auf der Teilschicht ausgebildet ist.
6. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die positiven und negativen Elektrodenabschnitte (14, 16) auf Oberseiten von Schichten des Lichtemissionsabschnitts (11, 12, 13) ausgebildet sind.
7. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
  • - dass der Lichtemissionsabschnitt (11, 12, 13) der auf dem Substrat (11, 20) ausgebildeten Schichtstruktur (11, 12, 13, 14, 16, 17) folgende Schichten auf­ weist:
  • - eine erste Schicht (13) vom p-Typ aus AlUGaVIn1-U-VN mit 0 ≦ U ≦ 1 und 0 ≦ V ≦ 1,
  • - eine Lichtemissionsschicht (12) aus AlZGaTIn1-Z-TN mit 0 ≦ Z ≦ 1 und 0 ≦ T ≦ 1, und
  • - eine zweite Schicht (11) vom n-Typ aus AlXGaYIn1-X-YN mit 0 ≦ X ≦ 1 und O ≦ Y ≦ 1.
  • - dass der negative Elektrodenabschnitt (16) auf der zweiten Schicht (11) vom n-Typ aus AlXGaYIn1-X-YN ausgebildet ist,
  • - dass der positive Elektrodenabschnitt (14) auf der ersten Schicht (13) vom p- Typ aus AlUGaVIn1-U-VN ausgebildet ist, und
  • - dass der negative Elektrodenabschnitt (16) durch den isolierenden Film (18) an einer Position vergraben ist, die sich unmittelbar unterhalb des ersten Draht­ bondpads (15) des positiven Elektrodenabschnitts (14) befindet.
8. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, dass das erste Drahtbondpad (15) und das zweite Drahtbondpad (17) zueinander benachbart angeordnet sind.
DE19832852A 1997-07-23 1998-07-21 Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit Elektroden-Drahtbondpads Expired - Fee Related DE19832852C2 (de)

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