DE19826509A1 - Dichroitischer Filter und optisches Beleuchtungssystem - Google Patents
Dichroitischer Filter und optisches BeleuchtungssystemInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 65
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 26
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 claims 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 37
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical compound [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 hyperoxide ions Chemical class 0.000 description 1
- JCDAAXRCMMPNBO-UHFFFAOYSA-N iron(3+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ti+4].[Fe+3].[Fe+3] JCDAAXRCMMPNBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/0006—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means to keep optical surfaces clean, e.g. by preventing or removing dirt, stains, contamination, condensation
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/207—Filters comprising semiconducting materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen dichroitischen Filter, der
eine Funktion zum Zersetzen von auf seiner Oberfläche anhaftenden
Schmutz aufweist, sowie auf ein optisches Beleuchtungssystem, das mit
einem diese Funktion aufweisenden optischen Element ausgerüstet ist.
Als herkömmliches optisches Beleuchtungssystem ist ein Flüssigkristall
videoprojektor bekannt, bei dem ein Lichtstrom (Lichtfluß) durch ein
Flüssigkristallfeld hindurchgeht, so daß der Lichtstrom Bildinformation
trägt, die auf dem Flüssigkristallfeld angezeigt ist und der den diese Bild
information tragenden Lichtstrom auf einen Schirm projiziert. Ein derartiges
optisches Beleuchtungssystem umfaßt optische Elemente, wie eine Licht
quelle, ein dichroitischer Filter zum Zerlegen eines von der Lichtquelle
emittierten Lichtstroms in die drei Hauptfarbkomponenten B, G und R,
Flüssigkristallfelder zum Anzeigen von Bildern, die den Lichtströmen der
einzelnen Zerlegungskomponenten entsprechen, ein optisches Projektions
system zum Kombinieren der Lichtströme der einzelnen Komponenten, die
durch die Flüssigkristallfelder hindurchgegangen sind und zum Ausstrahlen
des kombinierten Lichtstroms, einen Reflexionsspiegel zum Reflektieren des
Lichtstroms in eine gewünschte Richtung u. dgl.
In einem optischen Beleuchtungssystem wie ein Flüssigkristallvideoprojek
tor tritt innerhalb des optischen Systems aufgrund der von der Lichtquelle
während ihres Einsatzes abgestrahlten Wärme eine Luftkonvektion auf.
Während aufgrund dieser Konvektion Luft von außen (äußere Luft, Außen
luft) in das optische System eintritt, kann die Oberfläche eines optischen
Elements wie der oben erwähnte dichroitische Filter und das Flüssigkristall
feld mit organischer Materie verunreinigt werden, die in der Außenluft
enthalten ist, wodurch das optische Leistungsvermögen des optischen
Beleuchtungssystems beeinträchtigt wird. Insbesondere in einer Tempera
turumgebung, in der Tau- bzw. Feuchtigkeitskondensation auftritt, kann
Schmutz fest an dem optischen Element anhaften. Man mag in diesem Fall
daran denken, den Schmutz vom optischen Element abzuwischen. Da aber
ein optisches Beleuchtungssystem, wie etwa ein Flüssigkristallvideo
projektor in eine Beleuchtungseinrichtung eingebaut ist, ist es viel schwieri
ger, das optische Element abzuwischen, als wenn dieses nach außen
freiliegen würde. Selbst wenn Schmutz abgewischt werden kann, wird es
Zeit und Arbeit kosten und das optische Element kann während des
Abwischens beschädigt werden.
Angesichts dessen ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen
dichroitischen Filter bereitzustellen, der die Zeit und den Aufwand zum
Abwischen von Schmutz von der Oberfläche erspart und ferner ist es eine
Aufgabe der Erfindung, ein optisches Beleuchtungssystem mit einem
entsprechenden optischen Element wie etwa ein derartiger dichroitischer
Filter bereitzustellen.
Der dichroitische Filter in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung
umfaßt ein transparentes Substrat, eine auf einer Oberfläche des trans
parenten Substrats gebildete dichroitische Schicht und eine Halbleiter-
Photokatalysatorschicht, die auf einer zum transparenten Substrat ent
gegengesetzten Oberfläche der dichroitischen Schicht oder/und auf einer
zur dichroitischen Schicht entgegengesetzten Oberfläche des transparenten
Substrats gebildet ist.
Bevorzugt ist die Halbleiter-Photokatalysatorschicht aus einem Material
hergestellt, das aus der Gruppe bestehend aus Titanoxid, Zinkoxid, Eisen
oxid und Wolframoxid gewählt ist.
In diesem Fall enthält die Halbleiter-Photokatalysatorschicht bevorzugt ein
Metall und/oder Metalloxid, welches von dem oben erwähnten einen
Material verschieden ist, um eine photokatalytische Wirkung des Halbleiter-
Photokatalysators zu aktivieren.
Das optische Beleuchtungssystem in Übereinstimmung mit der vorliegen
den Erfindung umfaßt eine Lichtquelle und wenigstens ein optisches
Element zum Reflektieren oder Durchlassen durch dieses eines von der
Lichtquelle ausgestrahlten Lichtstroms entlang einer optischen Achse,
wobei auf wenigstens einer Oberfläche des optischen Elements eine
Halbleiter-Photokatalysatorschicht gebildet ist.
Bevorzugt ist die Halbleiter-Photokatalysatorschicht im optischen Beleuch
tungssystem aus einem Material hergestellt, das aus der aus Titanoxid,
Zinkoxid, Eisenoxid oder Wolframoxid bestehenden Gruppe gewählt ist.
In diesem Fall enthält die Halbleiter-Photokatalysatorschicht bevorzugt ein
Metall und/oder Metalloxid, welches von dem oben erwähnten einen
Material verschieden ist, um eine Photokatalysatorwirkung des Halbleiter-
Photokatalysators zu aktivieren.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher
erläutert.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht, die die Konfiguration eines dichroiti
schen Filters in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt; und
Fig. 2 ist eine Ansicht, die die Konfiguration eines optischen Projek
tionssystems für einen Flüssigkristallvideoprojektor zeigt; es
handelt sich um eine Ausführungsform des optischen Beleuch
tungssystems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfin
dung.
Im folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit
Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erklärt.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht, die die Konfiguration eines dichroitischen
Filters in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt. Wie in Fig. 1 gezeigt, umfaßt ein dichroitischer Spiegel 1
in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
eine dichroitische Schicht 3, die auf einer Oberfläche eines transparenten
Substrats 2 gebildet ist, sowie eine auf einer Oberfläche der dichroitischen
Schicht 3 gebildete Photokatalysatorschicht 4, insbesondere Halbleiter-
Photokatalysatorschicht 4.
Als transparentes Substrat 2 kann beispielsweise eine transparente Glas
schicht, eine transparente Kunststoffschicht, ein transparenter Kunststoff
film o. dgl. verwendet werden.
Die dichroitische Schicht 3, die z. B. durch abwechselnd geschichtete
Schichten von Siliziumoxid und Titanoxid gebildet ist, läßt beispielsweise
nur Licht mit einer Wellenlänge durch, die nicht kürzer als 500 nm ist,
während Licht mit einer kürzeren Wellenlänge reflektiert wird.
Die Photokatalysatorschicht 4, insbesondere Halbleiter-Photokatalysator
schicht 4 ist nicht auf bestimmte Materialien beschränkt, solange es sich
um einen Photokatalysator, insbesondere Halbleiter-Photokatalysator, wie
etwa bekannte Halbleiter-Photokatalysatoren, handelt. Als spezielle Bei
spiele können Halbleiter wie Titanoxid, Zinkoxid, Wolframoxid, Eisenoxid,
Zinnoxid, Strontiumtitanat, Wismutoxid, Zirkoniumoxid, Nioboxid, Mischun
gen von Titanoxid und Siliciumoxid, Mischungen von Titanoxid und Zinn
oxid, Cadmiumsulfid, Galliumphosphid, Eisentitanat u. dgl. genannt werden.
Als bevorzugte HalbIeiter-Photokatalysatoren kann Titanoxid, Zinkoxid,
Eisenoxid und Wolframoxid aufgelistet werden.
Das Verfahren zum Anbringen der Halbleiter-Photokatalysatorschicht 4
kann sputtern, CVD (chemische Abscheidung aus der Gasphase), Vaku
umbeschichtung, Anstreichen, Sprühbeschichtung, Thermosprühen u. dgl.
verwenden, um Beispiele zu nennen. Die Filmdicke muß eine derartige
Größenordnung aufweisen, daß sie die optischen Charakteristika des
dichroitischen Filters 1 nicht beeinträchtigt und liegt bevorzugt in der
Größenordnung von einigen Nanometern.
Bei dieser Ausführungsform kann zusätzlich ein Metall und/oder Metalloxid
hinzugefügt sein, um die photokatalytische Wirkung des Halbleiterkatalysa
tors zu aktivieren. Spezielle Beispiele umfassen Metalle, wie etwa Platin,
Palladium, Rhodium, Nickel, Gold, Kupfer u. dgl. sowie Metalloxide wie
etwa Rutheniumoxid, Nickeloxid u. dgl.
Damit eine derartige Halbleiter-Photokatalysatorschicht 4 eine photokataly
tische Wirkung hat, ist Licht mit einer Energie nicht kleiner als die Bandlüc
ke des Halbleiter-Photokatalysators erforderlich. Wenn z. B. Titanoxid als
der Halbleiter-Photokatalysator verwendet wird, ist Ultraviolettlicht mit
einer Wellenlänge nicht länger als 400 nm erforderlich. Beispiele von
Lichtquellen, die derartiges Ultraviolettlicht emittieren, umfassen nicht nur
weiße Fluoreszenzlampen, sondern auch Xenonlampen, Hochdruckqueck
silberlampen (die nur Ultraviolettlicht emittieren) u. dgl.
Die Halbleiter-Photokatalysatorschicht 4 dieser Ausführungsform zeigt
einen sogenannten Selbstreinigungseffekt, bei dem Schmutz aus organi
scher Materie durch die Oxidationskraft eines im Valenzband erzeugten
positiven Lochs zersetzt wird, wenn der Halbleiter Licht mit einer Energie
nicht kleiner als die Bandlücke absorbiert. Wird nämlich die Halbleiter-
Photokatalysatorschicht 4 für eine vorbestimmte Zeitdauer mit Licht
bestrahlt, das Ultraviolettlicht enthält, wird aktiver Sauerstoff wie etwa
Hydroxylradikale (OH), Hyperoxidionen (O2⁻) o. dgl. erzeugt. Aktiver Sauer
stoff weist eine sehr hohe Reaktivität auf, da er im Gegensatz zu normalem
Sauerstoff in einem angeregten Zustand ist. Zum Beispiel weist ein
Hydroxylradikal eine sehr hohe Oxidationskraft von 36 000 K (als Tempera
tur ausgedrückt) auf. Ferner weist aktiver Sauerstoff eine lange Lebens
dauer auf, so daß er, nachdem er einmal erzeugt ist, sich über die
Halbleiter-Photokatalysatorschicht 4 verteilt. Deshalb wird aus organischer
Materie bestehender Schmutz u. dgl., der an der Oberfläche des dichroiti
schen Filters 1 anhaftet, durch den aktiven Sauerstoff verbrannt, wenn die
Halbleiter-Photokatalysatorschicht 4 mit Licht bestrahlt wird, das Ultra
violettlicht enthält, wobei der Schmutz zu Wasser und Kohlendioxid
zersetzt wird.
Bei dem dichroitischen Filter 1 in Übereinstimmung mit dieser Ausführungs
form wird also, wenn er mit dem oben erwähnten Licht enthaltend Ultra
violettlicht für eine vorbestimmte Zeitdauer bestrahlt wird, Schmutz durch
den Selbstreinigungseffekt der HalbIeiter-Photokatalysatorschicht 4 zer
setzt. Dementsprechend kann, wenn Licht enthaltend Ultraviolettlicht als
das von der Lichtquelle eines den dichroitischen Filter 1 verwendenden
optischen Systems emittiert wird, der Schmutz ohne jedes Abwischen
daran gehindert werden, hieran anzuhaften, einfach indem wie üblich der
dichroitische Filter 1 verwendet wird.
Wenn auch die Halbleiter-Photokatalysatorschicht 4 auf der Oberfläche der
dichroitischen Schicht beim dichroitischen Filter 1 gebildet ist, ist es
bevorzugt, daß zusätzlich eine Halbleiter-Photokatalysatorschicht auf der
rückseitigen Oberfläche des transparenten Substrats gebildet ist, wodurch
Schmutz nicht nur daran gehindert werden kann, an der Oberfläche des
dichroitischen Filters 1 anzuhaften, sondern auch daran gehindert werden
kann, an der rückseitigen Oberfläche des transparenten Substrats 2
anzuhaften.
Im folgenden wird eine Ausführungsform des optischen Beleuchtungs
systems in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung erklärt.
Fig. 2 ist eine Ansicht, die die Konfiguration eines optischen Projektions
systems für einen Flüssigkristallvideoprojektor zeigt, der das optische
Beleuchtungssystem in Übereinstimmung mit dieser Ausführungsform
verwendet. Wie in Fig. 2 gezeigt, umfaßt das optische Projektionssystem
für einen Flüssigkristallvideoprojektor bei dieser Ausführungsform eine
Lichtquelle 11, wie etwa eine Xenonlampe oder Hochdruckquecksilber
lampe, zum Ausstrahlen eines Lichtstromes, der Ultraviolettlicht enthält,
einen Kaltspiegel 12, der stromabwärts der Lichtquelle 11 angeordnet ist,
um einen von der Lichtquelle 11 ausgestrahlten Lichtstrom L0 zu reflektie
ren, und einen Projektionsabschnitt 13 zum bewirken, daß ein durch den
Kaltspiegel 12 reflektierter Lichtstrom L1 Bildinformation trägt, und dann
zum Projezieren des Lichtstroms L1 auf einen Schirm.
Der Kaltspiegel 12 ist derart konfiguriert, daß durch ihn vom von der
Lichtquelle 11 ausgestrahlten Lichtstrom sichtbares Licht reflektiert und
Infrarotlicht durchgelassen wird.
Der Projektionsabschnitt 13 umfaßt einen dichroitischen G/BR-Trennspiegel
21 zum Trennen des durch den Kaltspiegel 12 reflektierten Lichtstroms L1
in eine G-Komponente LG und eine BR-Komponente LB, LR, einen dichroiti
schen B/R-Trennfilter 22 zum Trennen der durch den dichroitischen Filter
21 isolierten BR-Komponente LB, LR in eine B-Komponente LB und eine
R-Komponente LR, ein Flüssigkristallfeld 23B zum Anzeigen eines Bildes für
die B-Komponente, ein Flüssigkristallfeld 23G zum Anzeigen eines Bildes
für die G-Komponente, ein Flüssigkristallfeld 23R zum Anzeigen eines
Bildes für die R-Komponente, einen Aluminiumspiegel (Gesamtreflexions
spiegel) 24 zum Reflektieren der G-Komponente LG, die durch den dichroiti
schen G/BR-Filter 21 isoliert ist, hin zum Flüssigkristallfeld 23G, einen
dichroitischen GR-Kombinierfilter 25 zum Kombinieren der durch das
Flüssigkristallfeld 23G durchgelassenen G-Komponente und der durch das
Flüssigkristallfeld 23R durchgelassenen R-Komponente, einen dichroiti
schen BGR-Kombinierfilter 26 zum Kombinieren der durch den dichroiti
schen Filter 25 kombinierten GR-Komponente und der durch das Flüssig
kristallfeld 23B durchgelassenen B-Komponente, einen Aluminiumspiegel
27 (Gesamtreflexionsspiegel) zum Reflektieren der B-Komponente, die
durch das Flüssigkristallfeld 23B durchgelassen ist, hin zum dichroitischen
BGR-Kombinierfilter 26, und ein Projektionsobjektiv 28 zum Bilden eines
Bildes aus einem Lichtstrom L2, der durch den dichroitischen BGR-Kombi
nierfilter 26 zusammengesetzt ist, auf einem Schirm.
Bei dieser Ausführungsform ist die oben erwähnte Halbleiter-Photokatalysa
torschicht auf einer jeweiligen Oberfläche der optischen Elemente dichroiti
scher G/BR-Filter 21, dichroitischer B/R-Trennfilter 22, dichroitische
GR-Kombinierfilter 25 und dichroitischer BGR-Kombinierfilter 26, die das
optische Projektionssystem für einen Flüssigkristallvideoprojektor bilden,
gebildet.
Es wird nun die Funktionsweise dieser Ausführungsform erklärt.
Der von der Lichtquelle 11 ausgestrahlte Lichtstrom L10 wird durch den
Kaltspiegel 12 zum Projektionsabschnitt 13 reflektiert. Der durch den
Kaltspiegel 12 reflektierte Lichtstrom L1 wird durch den dichroitischen
G/BR-Trennfilter 21 in die G-Komponente LG und die BR-Komponente LB,
LR zerlegt und die somit isolierte G-Komponente LG wird durch den Alumi
niumspiegel 24 reflektiert, um das Flüssigkristallfeld 23G zu bestrahlen.
Durch ein nicht dargestelltes Anzeigemittel wird ein Bild auf dem Flüssig
kristallfeld 23G angezeigt. Nach Hindurchgehen durch das Flüssigkristall
feld 23G trägt dementsprechend die G-Komponente LG des Lichtstroms der
G-Komponente entsprechende Bildinformationen.
Andererseits wird die durch den dichroitischen G/BR-Trennfilter 21 isolierte
BR-Komponente LB, LR durch den dichroitischen B/R-Trennfilter 22 in die
B-Komponente LB und die R-Komponente LR getrennt und die somit
isolierte B-Komponente LB bestrahlt das Flüssigkristallfeld 23B. Wie beim
Flüssigkristallfeld 23G wird ein der B-Komponente entsprechendes Bild auf
dem Flüssigkristallfeld 23B angezeigt. Nach Hindurchgehen durch das
Flüssigkristallfeld 23B trägt dementsprechend die B-Komponente LB des
Lichtstroms der B-Komponente entsprechende Bildinformation.
Die durch den dichroitischen B/R-Trennfilter 22 isolierte R-Komponente LR
bestrahlt das Flüssigkristallfeld 23R. Wie bei den Flüssigkristallfeldern 23B
und 23G, wird auf dem Flüssigkristallfeld 23R ein der R-Komponente
entsprechendes Bild angezeigt. Nach Hindurchgehen durch das Flüssig
kristallfeld 23R trägt dementsprechend die R-Komponente LR des Licht
stroms der R-Komponente entsprechende Bildinformation.
Von den Komponenten B-Komponente LB, G-Komponente LG und
R-Komponente LR, die die auf den Flüssigkristallfeldern 23B, 23G und 23R
angezeigten Bildinformationsdaten tragen, werden die G-Komponente LG
und die R-Komponente LR durch den dichroitischen GR-Kombinierfilter 25
kombiniert und bestrahlen den dichroitischen BGR-Kombinierfilter 26.
Andererseits wird die B-Komponente LB durch den Aluminiumspiegel 27
reflektiert und bestrahlt den dichroitischen BGR-Kombinierfilter 26. Dann
werden im dichroitischen BGR-Kombinierfilter 26 die B-Komponente LB, die
G-Komponente LG und die R-Komponente LR kombiniert, was den Farbbild
information tragenden Lichtstrom L2 ergibt. Der die Farbbildinformation
tragende Lichtstrom L2 geht durch das Projektionsobjektiv 28 hindurch, um
ein Bild auf einem Schirm zu bilden, der nicht dargestellt ist, wodurch auf
dem Schirm ein Farbbild projiziert wird, das die auf den Flüssigkristall
feldern 23B, 23G und 23R angezeigten Bilder kombiniert.
In einem derartigen optischen Projektionssystem für einen Flüssigkristall
videoprojektor tritt innerhalb des optischen Systems aufgrund der durch die
Lichtquelle 11 emittierten Wärme eine Luftkonvektion auf. Während
aufgrund dieser Konvektion Außenluft in das optische System eintritt,
können die dichroitischen Filter 21, 22, 25 und 26 mit in der Außenluft
enthaltener organischer Materie verunreinigt werden. In diesem Fall mag
erwogen werden, den Schmutz vom optischen Element abzuwischen. Da
ein derartiges optisches Projektionssystem innerhalb einer Beleuchtungsein
richtung installiert ist, ist es aber sehr schwierig, den Schmutz abzuwi
schen, während die dichroitischen Filter 21, 22, 25 und 26 freiliegen.
Selbst wenn der Schmutz abgewischt werden kann, kann das optische
Element durch das Abwischen beschädigt werden.
Im optischen Projektionssystem nach dieser Ausführungsform ist auf der
Oberfläche jedes der dichroitischen Filter 21, 22, 25 und 26 eine Halbleiter-
Photokatalysatorschicht gebildet, wobei die Lichtquelle 11 durch eine
Xenonlampe, eine Hochdruckquecksilberlampe o. dgl. gebildet ist, die einen
Lichtstrom enthaltend Ultraviolettlicht emittieren kann. Dementsprechend
kann auf den dichroitischen Filtern 21, 22, 25 und 26 haftender Schmutz
durch den Selbstreinigungseffekt der Halbleiter-Photokatalysatorschicht
zersetzt werden, einfach indem das optische System nach dieser Aus
führungsform verwendet wird. Dementsprechend kann der Schmutz
beseitigt werden, ohne ihn abzuwischen. Dadurch wird die Wartung
einfach und es wird verhindert, daß die Oberflächen der dichroitischen
Filter 21, 22, 25 und 26 beschädigt werden.
Wenn auch jeder der dichroitischen Filter 21, 22, 25 und 26, die das
optische Projektionssystem für einen Flüssigkristallvideoprojektor bilden,
gemäß der oben erwähnten Ausführungsform mit der Halbleiter-Photokata
lysatorschicht versehen ist, können auch die Lichtquelle 11, der Kaltspiegel
12, die Oberflächen der Flüssigkristallfelder 23B, 23G und 23R, die Alumi
niumspiegel 24 und 27 oder/und das Projektionsobjektiv 28 bzw. die bzw.
mehrere Linsen des Projektionsobjektivs mit einer Halbleiter-Photokatalysa
torschicht ausgebildet sein.
Wenn auch das optische Beleuchtungssystem der vorliegenden Erfindung
gemäß der oben erwähnten Ausführungsform auf ein optisches Projektions
system für einen Flüssigkristallvideoprojektor angewendet ist, ist die
Erfindung nicht hierauf beschränkt und kann auf jedes optische Beleuch
tungssystem angewendet werden.
Wie im Detail im vorangehenden erklärt, kann bei einem dichroitischen
Filter in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung dadurch, daß eine
Halbleiter-Photokatalysatorschicht auf einer Oberfläche der dichroitischen
Schicht entgegengesetzt zum transparenten Substrat und/oder auf einer
Oberfläche des transparenten Substrats entgegengesetzt zur dichroitischen
Schicht gebildet ist, der Schmutz auf der Oberfläche durch den Selbst
reinigungseffekt der Halbleiter-Photokatalysatorschicht ohne jedes Wischen
beseitigt werden. Entsprechendes gilt für andere, erfindungsgemäß auf
wenigstens einer Oberfläche mit einer Halbleiter-Photokatalysatorschicht
beschichtete optische Elemente wie Spiegel, Linsen und dergleichen.
Ferner kann im optischen Beleuchtungssystem in Übereinstimmung mit der
vorliegenden Erfindung dadurch, daß die Halbleiter-Photokatalysatorschicht
auf der Oberfläche eines optischen Elements gebildet ist, der auf der
Oberfläche des optischen Elements anhaftende Schmutz beseitigt werden,
einfach indem sie mit einem von einer Lichtquelle ausgestrahlten Licht
strom bestrahlt wird. Dementsprechend besteht keine Notwendigkeit, den
Schmutz abzuwischen, was es möglich macht, die Wartung zu verein
fachen und verhindert, daß das optische Element durch Abwischen beschä
digt wird.
Auf einer Oberfläche eines dichroitischen Filters 1 oder eines optischen
Elements in einem Beleuchtungssystem, wie etwa ein dichroitischer Filter,
ist eine Photokatalysatorschicht, insbesondere Halbleiter-Photokatalysator
schicht 4 gebildet, wodurch auf der Oberfläche haftender Schmutz durch
einen Selbstreinigungseffekt beseitigt wird, der durch eine photokatalyti
sche Wirkung der Photokatalysatorschicht bei Bestrahlung mit Ultraviolett
licht enthaltenem Licht erzeugt wird. Auf einer Oberfläche eines optischen
Elements wie dichroitische Filter 21, 22, 25 und 26 zum Zerlegen des von
einer Lichtquelle 11 emittierten Lichts in drei Hauptfarbkomponenten B, G
und R und von anderen optischen Elementen wird eine Halbleiter-Katalysa
torschicht wie etwa Titanoxid gebildet. Es wird bewirkt, daß die Lichtquelle
11 Licht enthaltend Ultraviolettlicht emittiert. Während das Licht von der
Lichtquelle 11 die dichroitischen Filter 21, 22, 25 und 26 bestrahlt, wird an
der Oberfläche anhaftender Schmutz durch den Selbstreinigungseffekt des
Halbleiter-Photokatalysators beseitigt. Dementsprechend kann ohne Abwi
schen o. dgl. der an den dichroitischen Filtern 21, 22, 25 und 26 anhaften
de Schmutz beseitigt werden.
Claims (7)
1. Dichroitischer Filter, umfassend:
ein transparentes Substrat (2);
eine auf einer Oberfläche des transparenten Substrats (2) gebildete dichroitische Schicht (3); und
eine auf einer zum transparenten Substrat (2) entgegengesetzten Oberfläche der dichroitischen Schicht (3) oder/und auf einer zur dichroitischen Schicht (3) entgegengesetzten Oberfläche des trans parenten Substrats gebildete Halbleiter-Photokatalysatorschicht (4).
ein transparentes Substrat (2);
eine auf einer Oberfläche des transparenten Substrats (2) gebildete dichroitische Schicht (3); und
eine auf einer zum transparenten Substrat (2) entgegengesetzten Oberfläche der dichroitischen Schicht (3) oder/und auf einer zur dichroitischen Schicht (3) entgegengesetzten Oberfläche des trans parenten Substrats gebildete Halbleiter-Photokatalysatorschicht (4).
2. Dichroitischer Filter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Photokatalysatorschicht
(4) aus einem aus der aus Titanoxid, Zinkoxid, Eisenoxid und Wol
framoxid bestehenden Gruppe gewählten Material hergestellt ist.
3. Dichroitischer Filter nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Photokatalysatorschicht
(4) ein Metall oder/und ein Metalloxid enthält, welches von dem
einen Material verschieden ist, um eine photokatalytische Wirkung
des Halbleiter-Photokatalysators zu aktivieren.
4. Optisches Beleuchtungssystem, umfassend:
eine Lichtquelle (11); und
ein optisches Element (11, 12, 21, 22, 23B, 23G, 23R, 24, 25, 26, 27, 28) zum Reflektieren oder Durchlassen durch dieses eines von der Lichtquelle (11) ausgestrahlten Lichtstroms entlang einer opti schen Achse,
wobei auf einer Oberfläche des optischen Elements eine Halbleiter- Photokatalysatorschicht (4) gebildet ist.
eine Lichtquelle (11); und
ein optisches Element (11, 12, 21, 22, 23B, 23G, 23R, 24, 25, 26, 27, 28) zum Reflektieren oder Durchlassen durch dieses eines von der Lichtquelle (11) ausgestrahlten Lichtstroms entlang einer opti schen Achse,
wobei auf einer Oberfläche des optischen Elements eine Halbleiter- Photokatalysatorschicht (4) gebildet ist.
5. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Halbleiter-Photokatalysatorschicht (4) aus einem
aus der aus Titanoxid, Zinkoxid, Eisenoxid und Wolframoxid beste
henden Gruppe gewählten Material hergestellt ist.
6. Optisches Beleuchtungssystem nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Halbleiter-Photokatalysatorschicht (4) ein Metall
oder/und ein Metalloxid enthält, welches von dem einen Material
verschieden ist, um eine photokatalytische Wirkung des Halbleiter-
Photokatalysators zu aktivieren.
7. Optisches Element mit wenigstens einer optischen Oberfläche zum
Reflektieren oder Durchlassen eines Lichtstroms,
gekennzeichnet durch eine photokatalytische Oberflächenbeschich
tung.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187762A JPH1123838A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | ダイクロイックフィルタおよび照明光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19826509A1 true DE19826509A1 (de) | 1999-02-04 |
Family
ID=16211768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19826509A Ceased DE19826509A1 (de) | 1997-06-27 | 1998-06-15 | Dichroitischer Filter und optisches Beleuchtungssystem |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1123838A (de) |
| DE (1) | DE19826509A1 (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286904A (ja) | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Seiko Epson Corp | 光学部品およびこれを用いたプロジェクタ |
| TWI231523B (en) * | 2003-06-18 | 2005-04-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Method of cleaning surface of semiconductor wafer |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP9187762A patent/JPH1123838A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-06-15 DE DE19826509A patent/DE19826509A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1123838A (ja) | 1999-01-29 |
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