DE19754415A1

DE19754415A1 - Schutzschaltung

Info

Publication number: DE19754415A1
Application number: DE1997154415
Authority: DE
Inventors: Henning H Schulte; Bernd Dr Froechte; Juergen Scheele; Peter Poessnicker; Jenoe Dr Tihanyi; Joachim Prof Dr Melbert
Original assignee: PUDENZ WILHELM GmbH; Siemens AG; Wickmann Werke GmbH
Current assignee: Wickmann Werke GmbH
Priority date: 1997-12-09
Filing date: 1997-12-09
Publication date: 1999-06-10

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schutzschaltung mit

- mindestens einem Element mit temperaturabhängigen Eigenschaften, das mit
- mindestens einem Schmelzleiter
- insbesondere bei galvanischer Trennung
- thermisch gekoppelt ist.

Derartige Schutzschaltungen für elektrische Geräte sind bei spielsweise aus der EP 0 096 834 A2 bekannt. In dieser Druck schrift wird ein Schmelzleiter als wärmeabgebendes Element eingesetzt. Als Element mit temperaturabhängigen Eigenschaften wird ein temperaturabhängiger Widerstand mit einer NTC- oder PTC-Charakteristik genutzt. Der Schmelzleiter und der tempera turabhängige Widerstand werden zur Herstellung einer guten thermischen Kopplung galvanisch getrennt an gegenüberliegenden Oberflächen oder aber gemeinsam an einer Oberfläche einer dün nen, wärmeleitenden Keramikschicht angeordnet. So gibt der Schmelzleiter Verlustwärme in Abhängigkeit von dem Stromfluß in einem Primärkreis an den temperaturabhängigen Widerstand ab, der Bestandteil eines Sekundärkreises ist. Die Wider standsänderung kann innerhalb des Sekundärkreises ausgewertet und bei Erreichen vorbestimmter Arbeitspunkte zum Auslösen von Schaltfunktionen genutzt werden. Die Schaltfunktionen sind nur durch fallspezifisch ausgewählte, äußere Beschaltungen im Sekundärkreis realisierbar, also durch zusätzlichen Bauaufwand mit nicht serienmäßiger Ausführung außerhalb der eigentlichen Schutzschaltung. Zudem greifen diese Hilfsmaßnahmen gemäß der Lehre nach dem Stand der Technik erst dann ein, wenn sich das Sicherungselement bereits in seinem Überlast- und Übergangs bereich befindet.

Es besteht daher die Aufgabe, eine Schutzschaltung der vor stehend genannten Art in preiswerter Bauform für einen uni versellen Einsatz in modernen Schaltungen weiterzubilden.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Element mit temperaturabhängigen Eigenschaften ein Halb leiter-Element mit reversibler, thermisch ansteuerbarer Schalteigen schaft ist, insbesondere ein Thyristor, dessen Schaltpunkt auf die Temperatur des Übergangsbereiches des Schmelzleiters abge stimmt ist.

Eine erfindungsgemäße Schutzschaltung besteht demnach im ein fachsten Fall aus einem Schmelzleiter und einem von dem Schmelzleiter galvanisch getrennten Thyristor, die miteinander thermisch gekoppelt sind. Thyristoren sind als preiswerte und sehr kleine Halbleiterschalter in der modernen Schaltungs technik weit verbreitete Bauelemente. Sie können elektrisch, optisch, aber auch thermisch angesteuert werden und liefern beim Durchschalten ein digital verwertbares Signal an ihrem Ausgang, beispielsweise einen 0/1-Übergang. Ein derartiges Ausgangssignal kann universell in jedem Mikrokontroller ver arbeitet werden. Innerhalb dieser kleinen Spezialprozessoren wird das digitale Signal des Thyristors als Eingangsinforma tion ohne weitere äußere Beschaltung zur Steuerung bzw. Rege lung komplexer Aufgaben verwendet, die in Form eines prozes sorintern vorgegebenen Schemas abgearbeitet werden.

Erfindungsgemäß wird der Schaltpunkt des Thyristors auf die Temperatur des Übergangsbereiches des Schmelzleiters abge stimmt, so daß das Ausgangssignal des Thyristors als Vorwar nung der Schutzschaltung gewertet werden kann. Durch ein sol ches Vorwarnsignal können auf den jeweiligen Anwendungsfall angepaßte Maßnahmen zur Minderung der Überlastung ergriffen werden, die durch die Schutzschaltung festgestellt worden ist. Die Sicherungsfunktion durch den Schmelzleiter bleibt dabei voll erhalten und schützt die nachfolgende Schaltung für den Fall, daß die eingeleiteten Maßnahmen unzureichende Wirkung haben bzw. die Überlastung der nachfolgenden Schaltung nicht beendet bzw. der Fehler nicht abgestellt werden kann. Die Schmelzsicherung schaltet dann entsprechend ihrer Kennlinie ab und trennt den an ihr hängenden, fehlerhaften Schaltungsast galvanisch und damit irreversibel von der restlichen Schal tung.

Es können dabei innerhalb einer externen Logik Prioritäten gesetzt werden, so daß in einem Zweig einer Schaltung zur Minderung der Überlastung erst weniger wichtige Verbraucher abgeschaltet werden können. Das ist über Software-Einstel lungen bei modernen Mikroprozessoren in gängiger Praxis leicht durchführbar.

Vorteilhafterweise liegt die Steuertemperatur des Halb leiter-Elementes bei ca. 150°C. Diese Temperatur liegt deutlich über normalen Umgebungstemperaturen in elektrischen Schaltungen, so daß eine Fehlfunktion durch äußere Einflüsse ausgeschlossen werden kann. Andererseits liegt diese Temperatur nicht so hoch, als daß sie nicht von jedem bekannten Schmelzleiter im Übergangs- bzw. Überlastbereich erreicht werden kann, ohne daß zusätzliche Heizwiderstände zu Hilfe genommen werden müssen.

In einer Weiterbildung ist das Halbleiter-Element über eine Isolationsschicht auf dem Schmelzleiter selbst, oder im Be reich einer Anschlußfläche des Schmelzleiters angeordnet. In Abhängigkeit von der jeweiligen Form und Charakteristik des Schmelzleiters kann sich ein unterschiedlicher Verlauf des Temperaturgradienten ergeben, so daß eine Platzierung des Halbleiterschalters in dem angegebenen Bereich frei erfolgen kann unter der Maßgabe, daß der Thyristor im Überlastfall durch die thermische Kopplung mit dem Schmelzleiter auf 150°C aufgeheizt wird und somit sicher schaltet.

Nach Anspruch 4 sind das Halbleiter-Element und der Schmelz leiter in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet. Im Gegensatz zu dem vorstehend angeführten Stand der Technik kann eine erfindungsgemäße Schutzschaltung unter Verwendung jeder belie bigen Form von Schmelzleiter aufgebaut werden, da sie nicht auf Schicht-Schmelzleiter beschränkt ist. Zudem kann die sehr kompakt und einfach aufgebaute Schutzschaltung gemeinsam mit dem Schmelzleiter auch in einem Standard-Gehäuse für Schmelz sicherungen angeordnet werden. Zur Darstellung verschiedener Möglichkeiten der Ausführung zusätzlicher Kontakte an Standard-Gehäusen wird an dieser Stelle auf die Ausführungs beispiele verwiesen.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird die gesamte Schutz schaltung als integrierte Schaltung auf einem Chip ausgeführt. Besonders vorteilhaft auf den Stückpreis wirkt sich eine Aus führung als Chip mit mehreren Schmelzleitern aus, wobei die Abschaltcharakteristik der jeweiligen Schutzschaltung erst direkt beim Einbau in ein Gehäuse bzw. bei der Verdrahtung mit äußeren Anschlüssen festgelegt wird, insbesondere durch Aus wahl von entsprechenden Bondpads zur Kontaktierung der An schlüsse an den Kontaktflächen durch Bonddrähte.

Vorteilhafterweise stellt die Schutzschaltung in einer Weiter bildung einen Dreipol dar, d. h. die Schutzschaltung ist mit nur drei äußeren Anschlüssen versehen. Der Thyristor und der Schmelzleiter haben dann entweder einen gemeinsamen Eingang oder einen gemeinsamen Ausgang, was den Schaltungsaufwand im Bereich der Anschlüsse stark senken kann. Es ist dabei vom jeweiligen Anwendungsfall abhängig, welche der genannten For men eingesetzt wird.

In einer Weiterbildung der Schutzschaltung ist der Schmelzlei ter von dem Halbleiter-Element galvanisch nicht getrennt. Es besteht insbesondere eine elektrische Verbindung zwischen dem Schmelzleiter und dem Halbleiter-Element in dem Bereich einer Anschlußfläche, durch die gleichzeitig die Befestigung des Halbleiter-Elementes, die elektrische Versorgung und der enge thermische Kontakt hergestellt werden. In einer bevorzugten Ausführungsform wird eine derartige Dreipolschaltung unter Verwendung eines Halbleiter-Elementes in einer Flip-Chip-Tech nologie realisiert. Bei dieser Technik wird eine mit Anschluß flächen oder auch Lotkügelchen versehene Oberfläche des Halb leiter-Elementes zu den Anschlußflächen der Schaltung hin gedreht und darauf positioniert. Eine Befestigung und Kontak tierung ist dabei hier in einem einzigen Prozeßschritt mög lich, ohne daß eine zu isolierende weitere Kontaktfläche ent steht.

Nachfolgend werden einige Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform einer Schutzschaltung in einer Streifensicherungsbauform;

Fig. 2a, 2b Skizzen eines Einsatzbeispiels aus dem Kfz-Bereich mit und ohne eine Schutzschaltung;

Fig. 3a, 3b eine Ansicht und eine Schnittdarstellung einer zweiten Ausführungsform einer Schutzschaltung in einer Geräte sicherungsbauform und

Fig. 4a, 4b eine Ansicht und eine Schnittdarstellung einer dritten Ausführungsform einer Schutzschaltung in Chipform.

In Fig. 1 ist eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform einer Schutzschaltung 1 dargestellt. Die Schutzschaltung 1 ist hier in einem Standardgehäuse 2 einer Streifensicherung unter gebracht, wie sie im Kfz-Bereich für Strombereiche von 5 bis 30 A zur Absicherung eines Stranges der Fahrzeugelektrik üb lich ist. Ein Schmelzleiter 3 bekannter Charakteristik und Bauform mit endseitig einstückig ausgebildeten äußeren Kontak ten 4 ist als reine Kfz-Streifensicherung um einen thermisch schaltbaren Thyristor 5 mit eigenem Ausgang 6 erweitert wor den. Der Thyristor 5 ist dazu auf dem Schmelzleiter 3 in einem Bereich angeordnet worden, der außerhalb des Hot-spot 7 liegt. Der Schmelzleiter 3 besteht aus einer Kupferlegierung mit verzinnter Oberfläche. Seine Schmelztemperatur im Hot-spot beträgt ca. 900°C. Aufgrund der relativ großen Abmessungen ist es bei einer Streifensicherung möglich, im Überlastbereich wärmetechnische Aufnahmen zu machen, die konkreten Aufschluß über den Verlauf des Temperaturgradienten geben. Dabei ist dann auch der Bereich erkennbar, in dem, unter Berücksichti gung der endlich guten Wärmekopplung zum Thyristor 5 eine Temperatur von etwas mehr als 150°C erreicht wird.

In der in Fig. 1 dargestellten Anordnung sind die Kreise des Schmelzleiters 3 und des Thyristors 5 galvanisch vollkommen voneinander getrennt. Der über jedem Halbleiterelement auf tretende Spannungsabfall tritt somit nur in dem sekundären Überwachungskreis auf. Es belastet somit den durch das Siche rungselement geschützten Ast nicht, was gerade im Kfz-Bereich aufgrund der verhältnismäßig niedrigen 12 V-Versorgungsspannung eine wesentliche Rolle spielen kann.

Fig. 2b zeigt als Prinzipskizze ein Einsatzbeispiel aus dem Kfz-Bereich zu der Schutzschaltung 1 aus Fig. 1, wobei Fig. 2a das Beispiel ohne Verwendung der Schutzschaltung 1 wiedergibt. Es handelt sich in beiden Fällen um einen elektrischen Kfz-Fensterheber mit einem Gleichstrommotor M.

In Fig. 2a wird über die in einem Ast geschalteten Leistungs transistoren T₁*, T₂* der Linkslauf angesteuert, durch den bei spielsweise das Fenster geschlossen wird. Der Rechtslauf des Gleichstrommotors M wird über die Transistoren T₂*, T₄* geschal tet. Die Transistoren aus Fig. 2a sind mit elektronischen Eigenschutzfunktionen ausgerüstet, die sie beispielsweise gegen Überlast in Form von Überströmen bzw. Kurzschlußströmen schützen. Zu einer Überlastung kann es z. B. kommen, wenn das eingefrorene Fenster durch Betätigung des Motors M geöffnet werden soll. Das eingefrorene oder verklemmte Fenster bewegt sich nicht, dadurch steht auch der Motor M bei vollem Kurz schluß-Stromfluß über die Transistoren T₁*, T₂* oder T₃*, T₄* still. Der Kurzschlußstromfluß kann die jeweils angesteuerten Transistoren in kürzester Zeit zerstören. Die in jedem ein zelnen der Transistoren T₁*, T₂*, T₂*, T₄* eingebauten Eigen schutzfunktionen verhindern diese Zerstörung jedoch recht zeitig. Derartig geschützte Leistungstransistoren sind jedoch in der Herstellung sehr aufwendig und dementsprechend gegen über dem eigentlichen Leistungstransistor als Einzelelement verhältnismäßig teuer.

Fig. 2b zeigt nun die Schaltung des elektrischen Kfz-Fenster hebers von Fig. 2a unter Verwendung baugleicher Leistungs transistoren T₁, T₂, T₂, T₄, jedoch ohne eingebaute Eigenschutz funktionen. Diese wesentlichen billigeren Halbleiterbauelemen te werden durch die Schutzschaltung 1 in einem gemeinsamen Rückflußpfad geschützt. Im Kurzschlußfall fließt über den Rückflußpfad ein stark überhöhter Strom, der den Schmelzleiter 3 aufheizt und somit den Thyristor 5 durchschalten kann bevor eine für die Leistungstransistoren T₁, T₂, T₃, T₄ kritische Be triebssituation eingetreten ist. Über den Ausgang 7 kann ein digitales Signal z. B. an die Bordelektronik weitergeleitet werden, die dann von sich aus den Anwender über die scheinbar eingefrorenen oder verklemmten Fenster als Betriebsstörungs anzeige informieren kann. Auf jeden Fall wird aber der weitere Stromfluß durch die Transistoren T₁, T₂, T₃, T₄ zur Gefahrabwen dung unterbrochen werden. Versagt die Abschaltung durch die Bordelektronik und bleibt der Stromfluß im Überlastbereich bestehen, so löst das Sicherungselement 3 aus und unterbricht den Rückflußpfad. Eine anschließende Reparatur mit dem Aus tausch der Schutzschaltung 1 wird dadurch erleichtert, daß das Vorwarnsignal des Thyristors 5 in der Bordelektronik gespei chert werden kann, um den Reparateur so umgehend zur Fehler quelle leiten zu können. Insgesamt ist die Lösung unter Ver wendung der Schutzschaltung 1 gegenüber der Lösung von Fig. 2a deutlich billiger und erleichtert zudem die Fehlersuche im Reparaturfall.

Fig. 3a ist eine Draufsicht einer zweiten Ausführungsform einer Schutzschaltung 1 in einer kleinen, SMD-bestückbaren Gerätesicherungsbauform, beispielsweise einer SM3. Für den Einbau der Schutzschaltung 1 werden an der Gerätesicherungs bauform mit bekanntem Standardgehäuse 2 selbst keine Anpassun gen des Gehäuses 2 vorgenommen. Der Kontakt 4 mit der ein stückig daran angeordneten Anschlußfläche 8 weist ausreichend viel Platz auf, um darauf den Thyristor 5 anordnen zu können. Die galvanische Trennung zum Stromkreis des Schmelzleiters 3 wird durch eine dünne Isolationsschicht 9 sichergestellt, die gleichzeitig zur Befestigung des Thyristors 5 auf der An schlußfläche 8 genutzt werden kann, z. B. durch Kleben. Die Kontaktierung des Thyristors 5 erfolgt über gängige Bonddrähte 10, da die Anschlüsse gewöhnlicher Halbleiterelemente stets an der Oberfläche angeordnet sind.

Zur Schaffung eines zusätzlichen Eingangstors an dem Siche rungskörper werden die Kontakte 4 mit den jeweils zugehörigen Anschlußflächen 8 gespalten. So können an jedem Ende des Ge häuses 2 jeweils zwei voneinander elektrisch isolierte, äußere Kontakte 4a, 4b mit gehäuseinnenliegenden Anschlußflächen 8a, 8b entstehen. Hier ist die Schutzschaltung durch Zusammen schalten des Ein- oder Ausganges als Dreipol ausgeführt, so daß nur ein Kontakt 4 in Form gespaltener Kontakte 4a, 4b ausgeführt werden muß. Der Schmelzleiter 3 liegt so an den Anschlußflächen 8, 8b gefestigt zwischen den äußeren Kontakten 4 und 4b, was unverändert der Anordnung innerhalb der bekann ten Gerätesicherung SM3 entspricht. Der Sicherungsteil konnte also mit Gehäuse 2, Schmelzleiter 3 und der Anordnung des Schmelzleiters innerhalb des Gehäuses 2 zwischen den Kontakten 4, 4b unverändert übernommen werden. Der thermisch durch die große Nähe zu dem Schmelzleiter 3 gekoppelte und über teil weise eigene Kontakte 4, 4a zugängliche Thyristor 5 erweitert diese Schaltung von einer reinen Sicherung mit bekannter Charakteristik hin zur Schutzschaltung 1.

Fig. 3b zeigt eine Schnittdarstellung der Ausführungsform von Fig. 3a. Die räumliche Anordnung der einzelnen Elemente in nerhalb des Gehäuses 2 verhindert das fehlerhafte Zustande kommen einer elektrischen Verbindung zwischen Schmelzleiter 3 und Bonddraht 10 innerhalb des Gehäuses 2, ohne daß dazu be sondere Maßnahmen ergriffen werden müßten. Gleichfalls kann eine sonstige Beeinflussung des Schmelzleiters 3 Bonddrahtes 10 ausgeschlossen werden, wodurch die bekannte Sicherungs charakteristik voll erhalten bleibt. Zudem ist hier, wie be reits zu dem Ausführungsbeispiels von Fig. 1 angemerkt, der Spannungsabfall über dem Thyristor 5 prinzipbedingt nicht zwischen den Schmelzleiteranschlüssen 4 und 4b meßbar. Dieser Spannungsabfall belastet daher auch die nachfolgende Schaltung des gesicherten Astes nicht.

In den Fig. 4a, 4b ist eine Ansicht und eine Schnittdar stellung einer dritten Ausführungsform einer Schutzschaltung 1 in Chipform skizziert. Auf einem Halbleiter-Chip 11 sind über einander der Thyristor 5 und der Schmelzleiter 3 dargestellt. Beide Elemente laufen zu eigenen Anschlußflächen 12 hin aus, so daß eine endgültige Verschaltung als 3- oder 4-Pol erst durch das Kontaktieren über Bonddrähte 10 mit den äußeren Anschlüssen 4 festgelegt wird. Eine Reduktion von einem 4-Pol auf einen 3-Pol ist beispielsweise bei der Kontaktierung durch Überbrückung eines möglichen Verbindungsbereichs 13 mit einem Bonddraht leicht herstellbar.

In der Ausführungsform von Fig. 4a werden bevorzugt mehrere Schmelzleiter 3 in entsprechender räumlicher Anordnung zu dem Thyristor 5 auf einem Chip 11 aufgebracht, so daß gleich eine ganze Bauteilfamilie aus einem einheitlichen Chip-Prozeß aus nur einem Satz Masken gewonnen werden kann. Die Auswahl der Charakteristik wird mit der Auswahl eines entsprechenden Schmelzleiters 3 erst durch das Bonden beim Einbau bzw. bei der Kontaktierung mit den äußeren Anschlüssen 4 getroffen, wie schon vorstehend erwähnt. Als Schnitt in einer Ebene A-A von Fig. 4a ergibt sich jedoch stets das in Fig. 4b skizzierte Bild. Abschließend wird die so vervollständigte Schutzschal tung 1 in mit einem Kunststoff-Gehäuse 14 vergossen und als SMD-bestückbares Element unter Bezeichnung der Schmelzleiter charakteristik und des Schmelzleiter-Nennstroms fertigge stellt.

Mindestens bei der Verwendung von integrierten Schaltungen auf Halbleiterchips ist es darüber hinaus auch möglich, die Schutzschaltung ohne galvanische Trennung zwischen Thyristor 5 und Schmelzleiter 6 aufzubauen. So könnte beispielsweise unter Verwendung eines Schmelzleiters 6 und eines Thyristors 5 eine sehr kompakte Dreipol-Lösung dadurch ausgeführt werden, daß der Thyristor 5 und der Schmelzleiter 6 einen gemeinsamen Eingang haben.

Eine weitere Möglichkeit ergibt sich unter Verwendung dis kreter Thyristor-Bauelemente dadurch, daß für die Kontaktie rung eine "Flip-Chip"-Technologie eingesetzt wird, bei der die mit Anschlußflächen 12 versehene Oberfläche eines Chips 11 zu den Anschlußflächen 8 einer Schaltung bzw. den Kontakten 4 des Gehäuses 2 hin gedreht werden. Eine der Anschlußflächen 12 an der Oberfläche des sehr kleinen Chips 11 kann so auch mit dem Schmelzleiter 3 direkt oder einer Anschlußfläche 8 verbunden werden, so daß die thermische Kopplung auch über diesen Kon takt laufen kann. Es gibt dann keine weitere Kontaktstelle zwischen Chip 11 und dem Schmelzleiter 6 oder der Anschluß fläche 8, an der eine galvanische Trennung vorzusehen wäre.

Die Schalttemperatur des Thyristors 5 liegt bei ca. 150°C und damit unterhalb der Schmelztemperatur von Lötzinn. So kann für die Kontaktierung Lötzinn eingesetzt werden. Die Schutzschal tung 1 wird in jedem Fall abgeschaltet, bevor der elektrische Kontakt zu dem Chip 11 bzw. dem Thyristor 5 unterbrochen wird, beispielsweise durch Auslöten. Damit ist bei sehr einfachem und kompaktem Aufbau sowie rationeller Produktionsweise der Schutzschaltung 1 eine sichere Funktion garantiert.

Bezugszeichenliste

1

Schutzschaltung

2

Standardgehäuse

3

Schmelzleiter

4

äußerer Kontakt

4

a gespaltener Kontakt

4

b gespaltener Kontakt

5

Thyristor

6

Ausgang

7

Hot-spot

8

Anschlußfläche

8

a gespaltene Anschlußfläche

8

b gespaltene Anschlußfläche

9

Isolationsschicht

10

Bonddraht

11

Chip

12

Chip-Anschlußfläche

13

mögl. Verbindungsbereich

14

Kunststoff-Gehäuse
M Motor
T₁

, T₂

, T₃

, T₄

Leistungstransistor (MOS-FET)
T₁

*, T₂

*, T₃

*, T₄

* MOS-FET jeweils mit Eigenschutzvorrichtung

Claims

1. Schutzschaltung mit

- mindestens einem Element mit temperaturabhängigen Eigenschaften, das mit
- mindestens einem Schmelzleiter
- insbesondere bei galvanischer Trennung
- thermisch gekoppelt ist,

dadurch gekennzeichnet, daß das Element mit temperaturabhängigen Eigenschaften ein Halbleiter-Element mit reversibler, thermisch ansteuer barer Schalteigenschaft ist, insbesondere ein Thyristor (5), dessen Schaltpunkt auf die Temperatur des Übergangs bereiches des Schmelzleiters (3) abgestimmt ist.

2. Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Steuertemperatur des Halbleiter-Elementes bei ca. 150°C liegt.

3. Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiter-Element über eine Isolationsschicht (9) auf dem Schmelzleiter (3) oder im Bereich einer Anschlußfläche (8) des Schmelzleiters (3) angeordnet ist.

4. Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiter-Element und der Schmelzleiter (3) in einem gemeinsamen Gehäuse (2) angeordnet sind.

5. Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Schutzschaltung (1) als integrierte Schaltung auf einem Chip (11) ausge führt ist, insbesondere mit mehreren, wahlweise an schließbaren Schmelzleitern (3) unterschiedlicher Schalt charakteristika und/oder Nennströme.

6. Schutzschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschaltung (1) als Dreipol ausgeführt ist.

7. Schutzschaltung nach Anspruch 5 und/oder 6, dadurch ge kennzeichnet, daß der Schmelzleiter (3) von dem Halblei ter-Element galvanisch nicht getrennt ist, insbesondere eine elektrische Verbindung in dem Bereich einer An schlußfläche (8) besteht.