DE19746641B4 - Verdrahtungsverfahren für Halbleiter-Bauelemente zur Verhinderung von Produktpiraterie und Produktmanipulation und Verwendung des Halbleiter-Bauelements in einer Chipkarte - Google Patents

Verdrahtungsverfahren für Halbleiter-Bauelemente zur Verhinderung von Produktpiraterie und Produktmanipulation und Verwendung des Halbleiter-Bauelements in einer Chipkarte Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit folgenden Schritten:
– Aufbringen und Strukturieren von Schichten (3, 4) zur Erzeugung zumindest einer Bauelementelage und gegebenenfalls weiterer Bestandteile des Halbleiterbauelementes auf einer ersten Seite eines ersten Substrates (1);
– Bereitstellen eines nicht prozessierten zweiten Substrates (6);
– Verbinden der ersten Seite des ersten Substrates (1) mit dem zweiten Substrat (6);
– Bereitstellen von leitenden Strukturelementen (13) auf einer zweiten Seite des ersten Substrates, die der ersten Seite gegenüber liegt, wobei dieser Schritt so ausgeführt wird, daß über elektrische Durchkontaktierungen (11, 12) durch das erste Substrat ein elektrischer Kontakt zwischen den leitenden Strukturelementen (13) und der Bauelementelage hergestellt wird; und
– Fertigstellen des Halbleiterbauelementes.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mit einem oder mehreren leitenden Strukturelementen versehenen Halbleiter-Bauelements mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 sowie dessen Verwendung in einer Chipkarte gemäß Anspruch 19. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer metallisierten Halbleiter-Schaltungsstruktur, welches mit CMOS-kompatiblen Standard-Halbleitertechnologien durchführbar ist und die Anwendung des sogenannten Reverse Engineering zur Aneignung fremden Technologie-Know-hows bzw. zum Auslesen und/oder zur Manipulation der im Bauelement gespeicherten Information erschwert. Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es darüber hinaus möglich, ein gegenüber Umwelteinflüssen geschütztes Halbleiter-Bauelement herzustellen.
  • Ein übliches Verfahren ist beispielsweise aus G. Schumiki, P. Seegebrecht „Prozeßtechnologie", Springer-Verlag Berlin, ISBN 3-540-17670-5 bekannt. 5 zeigt ein durch solch ein Verfahren hergestelltes Halbleiter-Bauelement. In 5 bezeichnen die mit Bezugszeichen 11 bezeichneten Schichten Passivierungs- bzw. Isolatorschichten, die mit Bezugszeichen 12 bezeichneten Schichten stellen leitende Schichten dar, die beispielsweise aus dotiertem Halbleiter-Material oder aus dotierten Poly-Siliziumschichten aufgebaut sind, und die mit Bezugszeichen 13 bezeichneten Schichten stellen Metallisierungen dar. Die Verdrahtung 13 des Bauelementes wird mittels Deposition und Strukturierung von Metallschichten und dazwischenliegenden Isolatorschichten 11 realisiert. Bei diesem modularen Verfahren werden jeweils Kontaktlöcher durch eine Isolatorschicht 11 bis auf eine leitende Struktur 12, 13 geätzt, sodann eine Metallschicht abgeschieden und nachfolgend Leiterbahnen 13 strukturiert und wiederum mit einer Isolatorschicht 11 bedeckt.
  • Die mit solchen Halbleiter-Bauelementen verbundenen Probleme bestehen zum einen darin, daß mit Techniken des Reverse Engineering das Design und die Anordnung der Leiterbahnen innerhalb des Bauelements leicht erkannt werden kann und daß daher auch das Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiter-Bauelements für Dritte leicht nachzuahmen ist.
  • Beispielsweise können Halbleiter-Bauelemente optisch durchstrahlt werden, und ihr Design kann mittels Elektronenstrahlmikroskopie entweder unter Verwendung von bildgebenden Verfahren oder aber auch unter Verfolgung eines fließenden Stroms leicht „durchschaut" werden. Desweiteren ist es auch üblich, Schicht für Schicht eines Halbleiter-Bauelements mechanisch oder chemisch abzutragen und anschließend die sich jeweils ergebende Oberfläche zu untersuchen.
  • Hält man sich die enormen Entwicklungskosten für neuartige Halbleiter-Chips vor Augen, so ist klar erkennbar, daß ein großer Bedarf an Möglichkeiten besteht, die Erfolgsaussichten solcher Reverse Engineering-Methoden entscheidend einzudämmen.
  • Ein weiteres Problem besteht darin, daß bei der Anwendung solcher Halbleiter-Bauelemente in Chipkarten Manipulationsmöglichkeiten für Dritte gegeben sind, die die Sicherheit von Chipkarten stark beeinträchtigen. Beispielsweise ist es durch spezielle Techniken möglich, die in den Chipkarten gespeicherte Information zu lesen und ggf. zu verändern.
  • Bisherige Ansätze zur Lösung der vorstehend genannten Probleme beruhten beispielsweise auf der Verbesserung der verwendeten PIN-Codes durch Verwendung einer Geheimzahl mit einer erhöhten Anzahl an Stellen, um den Mißbrauch von Chipkarten zu unterbinden.
  • Ansätze zur Lösung des mit den verwendeten Reverse Engineering-Methoden verbundenen Problems beruhten darauf, das Chipkarten-Design möglichst komplex zu gestalten, um die Erfolgsaussichten der vorstehend erwähnten optischen Durchstrahlungs- oder Elektronenmikroskopierverfahren zu verringern. Bei dem Versuch, eine aufzubauende Schaltung möglichst komplex zu gestalten, tritt jedoch wiederum das Problem auf, daß der Integrationsgrad der Schaltung deutlich verschlechtert werden kann und daß das Herstellungsverfahren technologisch aufwendig wird. Genauer gesagt läßt sich der Komplexitätsgrad insbesondere dadurch steigern, daß mehrere Metallisierungsebenen übereinander angeordnet werden. Aufgrund der Oberflächentopographie ist dafür aber auch eine Anpassung der jeweiligen Größen der Leiterbahnen notwendig, wodurch die Integrationsdichte der Metallisierung bei der entsprechenden Vorrichtung verschlechtert wird.
  • Zur Behinderung des Reverse Engineering sind aus der US 5399441 , der US 5258334 und der EP 0771023 A2 Verfahren bekannt bei denen eine undurchsichtige Schicht auf die integrierten Schaltungen aufgebracht wird, bzw. Vorschläge zur geeigneten Zusammensetzung einer derartigen Schicht. In der US 5030796 wird zum gleichen Zweck die integrierte Schaltung in eine besonders ausgestaltete Hülle eingekapselt.
  • Aus der US-Patentschrift Nr. 5 563 084, die der DE 44 33 845 A1 entspricht, ist überdies ein Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen integrierten Schaltung bekannt. Bei diesem Verfahren werden bereits vollständig fertig prozessierte Chips unter Verwendung eines Handlingsubstrats auf ein weiteres Substrat, das seinerseits ebenfalls mehrere Bauelementelagen enthalten kann, aufgebracht. Um die Ausbeute zu erhöhen, wird die Funktionsfähigkeit der einzelnen Chips vor dem Zusammenfügen überprüft.
  • Auch die US 5,489,554 bildet eine dreidimensionale integrierte Schaltungsanordnung, wobei jedes Substrat eine Bauelementlage aufweist, wobei jedoch die ersten beiden Substrate mit den aktiven Oberflächen zueinander verbunden werden, und die Kontaktierung beider Substrate mittels Durchkontaktierungen durch eines der beiden Substrate erfolgt.
    •
  • Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, das bekannte Verfahren zur Herstellung eines mit einem oder mehreren leitenden Strukturelementen versehenen Halbleiter-Bauelements derart weiterzubilden, daß die Komplexität der Schaltung erhöht werden kann, ohne die Integrationsdichte zu verschlechtern und das Verfahren technologisch zu aufwendig zu gestalten. Ferner liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiter-Bauelement mit komplexerer Schaltung aber hoher Integrationsdichte bereitzustellen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Aufgabe durch das Verfahren Anspruchs 1 gelöst. Ferner wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines mit einem oder mehreren leitenden Strukturelementen versehenen Halbleiter-Bauelements, das gegenüber Umwelteinflüssen geschützt ist, nach Anspruch 17, sowie die Verwendung von nach dem Verfahren hergestellten Halbleiter-Bauelementen in einer Chip-Karte bereitgestellt.
  • Die bevorzugten Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft somit ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit folgenden Schritten:
    • – Aufbringen und Strukturieren von Schichten zur Erzeugung zumindest einer Bauelementelage und gegebenenfalls weiterer Bestandteile des Halbleiterbauelementes auf einer ersten Seite eines ersten Substrates;
    • – Bereitstellen eines nicht prozessierten zweiten Substrates;
    • – Verbinden der ersten Seite des ersten Substrates mit einem zweiten Substrat;
    • – Bereitstellen von leitenden Strukturelementen auf einer zweiten Seite des ersten Substrates, die der ersten Seite gegenüber liegt, wobei dieser Schritt so ausgeführt wird, daß über elektrische Durchkontaktierungen durch das erste Substrat ein elektrischer Kontakt zwischen den leitenden Strukturelementen und der Bauelementelage hergestellt wird; und
    • – Fertigstellen des Halbleiterbauelementes.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Bauelementelage im Substrat bis vor eine Metallisierungsebene prozessiert. Das heißt, der Ausgangspunkt ist jeweils eine Bauelementelage innerhalb eines Substrates ohne Metallisierung, mit einer oder mit mehreren Metallisierungsebenen. Nachfolgend wird das nun vorliegende Bauelementesubstrat mit einem Handlingsubstrat Vorderseite zu Vorderseite zusammengefügt, und zusätzlich kann das Bauelementesubstrat von der Rückseite her gedünnt werden. Die darauffolgende Bereitstellung elektrischer Kontakte zum Bauelement, d.h. die Bereitstellung der auf die Bauelementelage innerhalb des Substrats ohne Metallisierung, mit einer oder mehreren Metallisierungsebenen folgenden Metallisierungsebene, erfolgt vorzugsweise, indem Kontaktlöcher nach einem entsprechenden Lithographieschritt durch die ggf. gedünnte Bauelementesubstratschicht bis auf die zu kontaktierenden Gebiete geätzt und nachfolgend metallisiert werden.
  • Durch die Abfolge der Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein zusätzliches Substrat in das Bauelement eingebracht. Dieses Substrat kann entweder das Bauelementesubstrat selbst oder, bei einer iterativen Wiederholung der Verfahrensschritte gemäß Patentanspruch 12, dasjenige Handlingsubstrat sein, welches in dem vorangehenden Iterationsschritt eingebracht wurde und entsprechend die Rolle des Bauelementesubstrats übernommen hat. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform kann dabei das zusätzliche Substrat beispielsweise zwischen dem Halbleiter-Bauelement an sich und der oder den zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiter-Bauelements vorgesehenen Metallisierungsebenen angeordnet sein. Das zusätzliche Substrat kann aber auch zwischen einzelnen zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiter-Bauelements vorgesehenen Metallisierungsebenen angeordnet sein. Der Ausdruck „Metallisierungsebenen" umfaßt dabei sämtliche leitende Strukturelemente des Halbleiter-Bauelements, also beispielsweise Leiterbahnen, Verdrahtungen usw..
  • Durch eine derartige Einbringung eines zusätzlichen Substrats ist es möglich, die Komplexität der sich ergebenden Schaltung beträchtlich zu erhöhen, ohne den Integrationsgrad der Vorrichtung zu verschlechtern oder das Herstellungsverfahren zu sehr kompliziert zu machen.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden das Bauelementesubstrat und das Handlingsubstrat derart fest miteinander verbunden, daß daraufhin keine zerstörungsfreie Trennung des Schichtenstapels erfolgen kann.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist das zusätzlich in das Bauelement eingebrachte Substrat aus einem Material, das im Bereich sichtbarer Wellenlängen nicht transparent ist, beispielsweise aus Silizium, so daß die Verwendung optischer Durchstrahlungsverfahren verhindert wird. Das zusätzliche Substrat kann zusätzlich noch ein Material enthalten oder aus einem solchen hergestellt sein, das im Bereich kurzwelliger Strahlung, beispielsweise Röntgenstrahlen, nicht transparent ist, so daß die Verwendung von Röntgen-Durchstrahlungsverfahren verhindert wird.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das zusätzliche Substrat auch ein sogenanntes SOI-Substrat sein, so daß die vergrabene Isolatorschicht bei einem Ätzschritt als ein Ätzstopp dient. Dadurch kann das Herstellungsverfahren weiter vereinfacht werden, und seine Kosten können reduziert werden. Ferner ist es bei Verwendung eines SOI-Substrats möglich, das zusätzliche Substrat gleichmäßiger zu ätzen.
  • Für die Verbindung der Vorderseite des Bauelementesubstrats mit dem Handlingsubstrat wird die Vorderseite des Bauelementesubstrats vorzugsweise mit einer Haftschicht versehen. Die Haftschicht kann dabei gleichzeitig eine passivierende und/oder planarisierende Funktion übernehmen. Anschließend wird das Bauelementesubstrat von der Rückseite her gedünnt. Das Dünnen kann dabei beispielsweise durch naßchemisches Ätzen oder durch mechanisches oder chemomechanisches Schleifen erfolgen. Der nach dem Zusammenfügen und Dünnen vorliegende Substratstapel kann darauf folgend wie ein Standardsubstrat weiterbearbeitet werden, wobei die Oberfläche des gedünnten Bauelementesubstrats nun die Vorderseite darstellt. Diese wird zunächst durch Abscheidung einer dielektrischen Schicht isoliert, wobei bei Verwendung eines SOI-Substrates unter Umständen auf diese Isolierung verzichtet werden kann. Nach einem Standardlithographieschritt werden durch die Isolatorschicht und die dünne Bauelementesubstratschicht Kontaktlöcher auf die zu kontaktierenden Gebiete geätzt und die Seitenwände der Kontaktlöcher isoliert. Über diese Kontakte wird schließlich die Verdrahtung mittels Standardmetallisierung, die aus einer oder mehreren Metallisierungsebenen bestehen kann, hergestellt. Die Kontakte können hierbei zwischen beliebigen Metallisierungsebenen des Bauelementesubstrats und der Verdrahtung realisiert werden. Schließlich kann, wie bei der Bauelementeherstellung gemäß dem Stand der Technik, die Substratscheibe auf die notwendige Dicke reduziert werden, indem der Substratstapel von der Handlingsubstratseite her mechanisch oder/und chemisch gedünnt wird.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird gegenüber den nach dem heutigen Stand der Technik bekannten Verfahren zur Mehrlagenverdrahtung vorteilhafterweise den Möglichkeiten der Produktpiraterie und der Produktmanipulation begegnet, da Teile der Bauelementeverdrahtung auf die Seite des Bauelementesubstrats verlagert werden, die dem Bauelement an sich oder aber auch weiteren Teilen der Bauelementeverdrahtung gegenüberliegt. Bei den bekannten Verfahren zur Mehrlagenverdrahtung sind demgegenüber übereinander angeordnete strukturierte Metallschichten durch optisch transparente dielektrische Schichten, beispielsweise SiO2, voneinander isoliert, wie in 5 gezeigt.
  • Durch Einbringen des zusätzlichen Substrats, das, wie vorstehend erläutert, das Bauelementesubstrat selbst oder auch ein Handlingsubstrat sein kann, kann die Komplexität der Verdrahtung erhöht werden, wodurch die üblicherweise eingesetzten Techniken zur Analytik des Schaltungsaufbaus und Techniken zur Manipulation der in den Bauelementen gespeicherten Information verhindert bzw. erschwert werden. Wenn das zusätzliche Substrat zusätzlich optisch nicht transparent ist, werden zum einen Verfahren zur optischen Durchleuchtung oder Analyse mittels Elektronenstrahlmikroskopie verhindert, zum anderen sind Verfahren zur Manipulation oder zum Auslesen der in der Schaltung bzw. der in der Chipkarte enthaltenen Information nicht mehr anwendbar.
  • Darüber hinaus kann das erfindungsgemäße Verfahren verwendet werden, um ein gegenüber Umwelteinflüssen geschütztes Halbleiter-Bauelement herzustellen. Insbesondere dient die erste Substratschicht, die ja nunmehr eine Zwischenschicht innerhalb des Halbleiter-Bauelements darstellt, als eine Schutzschicht gegenüber Umwelteinflüssen. Durch Auswahl eines geeigneten Materials für das erste Substrat kann diese Schutzfunktion erhöht werden.
  • Ferner können vor dem Schritt zum Bereitstellen des oder eines von den mehreren leitenden Strukturelementen noch weitere Schutzschichten aufgebracht werden, um die Schutzfunktion zu erhöhen. Beispiele für solche Schutzschichten können Passivierungsschichten, beispielsweise aus SiO2 sein.
  • Insbesondere ist es bei einer iterativen Wiederholung der Verfahrensschritte, wenn also mehrere Substratschichten in das Bauelement eingebracht werden, möglich, das Halbleiter-Bauelement oder Teile davon einzukapseln, ggf. mit verschiedenen, geeignet ausgewählten Substrat- und/oder Zusatzschutzschichten.
    •
  • Die vorliegende Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen detaillierter beschrieben werden.
  • 1 zeigt ein Bauelementesubstrat mit fertig prozessierten MOS-Schaltungen und einer Metallisierungsebene vor der Verbindung mit einem Hilfssubstrat.
  • 2 zeigt das in 1 gezeigte Bauelementesubstrat nach Verbinden mit dem Hilfssubstrat und Dünnen des Bauelementesubstrats.
  • 3 zeigt den in 2 gezeigten Scheibenstapel, der wie eine Standardscheibe prozessiert wird.
  • 4 zeigt den in 3 gezeigten Scheibenstapel, der nun auf seiner Oberfläche mit einer Verdrahtungsebene versehen worden ist.
  • 5 zeigt einen typischen Schichtaufbau eines gemäß Standardverfahren hergestellten Halbleiterbauelementes mit mehreren leitenden Strukturelementen.
  • In 1 bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Bauelementesubstrat, das beispielsweise eine Siliziumscheibe 2 mit fertig prozessierten MOS-Schaltungen und eine Metallisierungsebene 3 umfaßt. Die Metallisierungsebene 3 ist mit einer Oxidschutzschicht passiviert. Die Metallisierung umfaßt beispielsweise eine Aluminiumlegierung. Auf die Bauelementescheibe wird eine Polyimidschicht 5 als Haftschicht aufgeschleudert, so daß die Oberflächentopographie eingeebnet wird.
  • Die Einebnung der Oberflächentopographie kann auch bereits vor dem Aufbringen der Haftschicht durch einen Planarisierungsschritt erfolgt sein. Anschließend erfolgt das Verbinden der Bauelementescheibe mit einem Hilfssubstrat 6, beispielsweise einer weiteren Siliziumscheibe. Anschließend wird der nun vorliegende Scheibenstapel mechanisch, nachchemisch und/oder chemomechanisch von der Seite des Bauelementesubstrats her gedünnt, so daß die Siliziumrestdicke des Bauelementesubstrats einige Mikrometer beträgt.
  • Nach dem Dünnen kann der Scheibenstapel 7, der beispielsweise in 2 gezeigt ist, wie eine Standardscheibe prozessiert werden.
  • Beispielsweise wird die Siliziumoberfläche passiviert, z.B. mit einer Oxidschicht 8. Kontaktlöcher 9 werden nach einem entsprechenden Lithographieschritt bis auf die zu kontaktierenden Gebiete der Metallisierung geätzt, wie in 3 gezeigt ist. Anschließend werden, wie in 4 gezeigt, vorzugsweise die Seitenwände der Kontaktlöcher mit Isolierschichten 10 isoliert. Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform erfolgt dies durch eine sogenannte Spacer-Oxid-Prozeßsequenz, die eine konforme Oxidabscheidung und ein nachfolgendes anisotropes Rückätzen umfaßt.
  • Die Verdrahtung der Schaltungen erfolgt beispielsweise durch Abscheidung einer Titannitridschicht 11 als Haft- und Barriereschicht für die nachfolgende Wolframmetallisierung 12, die beispielsweise durch W-Deposition erfolgen kann. Anschließend wird unter Verwendung von chemomechanischem Schleifen mit einem CMP-Gerät die Wolfram/Titannitridschicht von der Substratoberfläche entfernt, so daß die verbleibenden Wolfram/Titannitrid-"Stöpsel" (sog. Plugs) die vertikale Verbindung zur Bauelementemetallisierungsebene realisieren. Schließlich wird durch einen Standardmetallisierungsprozeß, beispielsweise mit einer Aluminiumlegierung 13 und nachfolgende Passivierung 14 die Verdrahtung des Bauelements durchgeführt, wie in 4 gezeigt ist. Dabei kann die Verdrahtung des Bauelements auch mehrere Metallisierungsebenen umfassen.
  • Es sind aber auch andere Verfahren zur Herstellung einer Verdrahtung der Schaltungen denkbar.
  • Abschließend wird der Scheibenstapel von der Hilfssubstratseite her vorzugsweise mechanisch auf die notwendige Restdicke, z. B. 180 μm, gedünnt.
  • Es ist den Fachleuten offensichtlich, daß die vorliegende Erfindung wie vorstehend beschrieben in zahlreichen Ausführungsformen modifiziert werden kann.
  • Beispielsweise können das Hilfssubstrat 6 und/oder das Bauelementesubstrat 1 nach ggf. Dünnen des Bauelementesubstrats auf verschiedene Weisen prozessiert und/oder strukturiert werden. Insbesondere können virtuelle Leiterbahnen, die keinerlei Anschlüsse zu dem Bauelement aufweisen, in diesen Substraten hergestellt werden, um beim Reverse Engineering bewußt fehlerhafte Informationen zu liefern. Ebenso ist es möglich, die planarisierte Oberfläche des gemäß 4 prozessierten Bauelements mit einem weiteren Hilfssubstrat zu verbinden, um eine weitere Hilfssubstratschicht in das sich ergebende Bauelement einzubringen.
  • Auf diese Weise können beispielsweise bei einer Verdrahtung, die mehrere Verdrahtungsebenen umfaßt, diese jeweils durch ein zusätzlich hinzugefügtes Hilfssubstrat voneinander getrennt werden.
  • Das durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte Halbleiter-Bauelement läßt sich besonders vorteilhaft in Chipkarten verwenden, da durch seinen speziellen Aufbau die Manipulationsmöglichkeiten von außen stark eingeschränkt sind.
  • Insbesondere wird es Fälschern erschwert, beispielsweise mit Metallstiften durch die einzelnen Bauelementeschichten durchzudringen, um dadurch die in dem Chip gespeicherte Information auszulesen und/oder zu fälschen.

Claims (19)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit folgenden Schritten: – Aufbringen und Strukturieren von Schichten (3, 4) zur Erzeugung zumindest einer Bauelementelage und gegebenenfalls weiterer Bestandteile des Halbleiterbauelementes auf einer ersten Seite eines ersten Substrates (1); – Bereitstellen eines nicht prozessierten zweiten Substrates (6); – Verbinden der ersten Seite des ersten Substrates (1) mit dem zweiten Substrat (6); – Bereitstellen von leitenden Strukturelementen (13) auf einer zweiten Seite des ersten Substrates, die der ersten Seite gegenüber liegt, wobei dieser Schritt so ausgeführt wird, daß über elektrische Durchkontaktierungen (11, 12) durch das erste Substrat ein elektrischer Kontakt zwischen den leitenden Strukturelementen (13) und der Bauelementelage hergestellt wird; und – Fertigstellen des Halbleiterbauelementes.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Substrat (1) im Bereich sichtbarer Wellenlängen nicht transparent ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Substrat (1) ein Si-Substrat ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Substrat (1) ein SOI-Substrat ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Verbinden des ersten Substrates mit dem zweiten Substrat das erste Substrat (1) von der zweiten Seite her gedünnt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Dünnen durch Ätzen, mechanisches oder chemomechanisches Schleifen oder eine Kombination dieser Verfahren erfolgt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zum Verbinden der ersten Seite des ersten Substrates (1) mit dem zweiten Substrat (6) den Schritt zum Aufbringen einer haftvermittelnden Schicht (5) umfaßt.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die haftvermittelnde Schicht (5) eine Polyimidschicht ist.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt des Aufbringens und Strukturierens der Schichten (3, 4) nur die Bauelementelage ohne Metallisierungsebene(n) auf der ersten Seite des ersten Substrates (1) erzeugt wird, wobei die leitenden Strukturelemente (13) auf der zweiten Seite des ersten Substrates die Metallisierungsebene(n) des Halbleiterbauelementes bilden, so daß beim fertiggestellten Halbleiterbauelement das erste Substrat (1) zwischen der Bauelementelage und der/den Metallisierungsebene(n) liegt.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt des Aufbringens und Strukturierens der Schichten (3, 4) als weitere Bestandteile des Halbleiterbauelementes eine oder mehrere Metallisierungsebene(n) auf der ersten Seite des ersten Substrates (1) erzeugt werden, wobei die leitenden Strukturelemente (13) auf der zweiten Seite des ersten Substrates zumindest eine weitere Metallisierungsebene des Halbleiterbauelementes bilden, so daß beim fertiggestellten Halbleiterbauelement das erste Substrat (1) zwischen einzelnen Metallisierungsebenen liegt.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt des Aufbringens und Strukturierens der Schichten (3, 4) als weitere Bestandteile des Halbleiterbauelementes eine oder mehrere Metallisierungsebene(n) auf der ersten Seite des ersten Substrates (1) erzeugt werden, wobei die leitenden Strukturelemente (13) auf der zweiten Seite des ersten Substrates eine Ver drahtung zur elektrischen Kontaktierung der Metallisierungsebene(n) des Halbleiterbauelementes bilden, so daß beim fertiggestellten Halbleiterbauelement das erste Substrat (1) zwischen der/den Metallisierungsebene(n) und der Verdrahtung liegt.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zum Fertigstellen des Halbleiterbauelementes die weiteren Schritte umfaßt: – Verbinden des aus den vorangehenden Verfahrensschritten resultierenden Substratstapels mit einem weiteren Substrat; – Bereitstellen eines weiteren leitenden Strukturelementes auf der freien Seite des weiteren Substrates; – gegebenenfalls Wiederholung der vorangehenden beiden Verfahrensschritte.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8 und 12, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Schritt des Bereitstellens von leitenden Strukturelementen die zweite bzw. freie Seite des ersten bzw. weiteren Substrates strukturiert wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, 12 und 13, dadurch gekennzeichnet, daß auf die zweite bzw. freie Seite des ersten bzw. weiteren Substrates eine zusätzliche leitende Schicht (teilweise) aufgebracht wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die mit der zusätzlichen leitenden Schicht versehene Seite des ersten bzw. weiteren Substrates mit einem zusätzlichen Substrat verbunden wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, 12 und 13, gekennzeichnet durch wiederholtes Durchführen der folgenden aufeinanderfolgenden Schritte: – (teilweises) Aufbringen einer zusätzlichen leitenden Schicht auf den aus den vorangehenden Verfahrensschritten resultierenden Substratstapel; – Verbinden der zusätzlichen leitenden Schicht mit einem zusätzlichen Substrat.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, zur Herstellung eines gegen Umwelteinflüsse geschützten Halbleiterbauelements.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Schritt des Bereitstellens von leitenden Strukturelementen eine oder mehrere Schutzschichten auf die zweite bzw. freie Seite des ersten bzw. weiteren Substrates aufgebracht werden.
  19. Verwendung eines Halbleiterbauelementes, das mit dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18 hergestellt ist, in einer Chipkarte.
DE19746641A 1997-09-19 1997-10-22 Verdrahtungsverfahren für Halbleiter-Bauelemente zur Verhinderung von Produktpiraterie und Produktmanipulation und Verwendung des Halbleiter-Bauelements in einer Chipkarte Expired - Fee Related DE19746641B4 (de)

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