DE19734985B4 - Transistorbauelement - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
- H01L29/7304—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices the device being a resistive element, e.g. ballasting resistor
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
Halbleiterbauelement, das auf einem Substrat (80) angeordnet ist, mit einem aus mindestens einem Teilemitterbereich (83) bestehenden Emitterbereich, mit den Teilemitterbereichen zugeordneten Emitterwiderständen (41, 42, ..., 4n) und Emitter-Metallkontakten (89), wobei die Emitter-Metallkontakte (89) über den Teilemitterbereichen (83, ...) und die Emitterwiderstände zwischen den Teilemitterbereichen (83, ...) und den Emitter-Metallkontakten (89) angeordnet sind, gekennzeichnet durch eine Seitenkontaktierung (91, 92, 93, 94) an mindestens einem der Teilemitterbereiche (83), über die ein Spannungsabfall an dem mindestens einen Emitterwiderstand erfaßbar ist, wobei die Seitenkontaktierung als Graben (91) ausgebildet ist, wobei dieser eine den Graben bis auf eine elektrische Verbindung (94) zu dem mindestens einen Teilemitterbereich elektrisch isolierende Oxidschicht (92) aufweist und der Graben mit einem leitfähigen Material (93) aufgefüllt ist.
Description
- Stand der Technik
- Die Erfindung geht aus von einem Transistorbauelement nach der Gattung des Hauptanspruchs. Aus der
EP 39 77 27 A1 - Aus der
US 4 370 670 A ist ein Halbleiterbauelement bekannt, das auf einem Substrat angeordnet ist und einen aus mindestens einem Teilemitterbereich bestehenden Emitterbereich aufweist, wobei die den Teilemitterbereichen zugeordneten Emitterwiderstände und Emittermetallkontakte vorhanden sind. Die Emittermetallkontakte sind über den Teilemitterbereichen angeordnet und die Emitterwiderstände zwischen den Teilemitterbereichen und den Emitter-Metallkontakten. - Aus der
DE 38 02 767 A1 ist bekannt, dass es bei einem Halbleiterbauelement vorteilhaft sein kann, die Zuleiten zu den Einzelemittern im Layout in unmittelbarer Nachbarschaft der zugehörigen Emitter anzuordnen und sie so thermisch eng an den Emitter zu koppeln und ihnen damit einen positiven Temperaturkoeffizienten zu geben. - Aus der
DE 14 64 527 A ist eine Halbleiteranordnung bekannt, bei der nahezu auf der gesamten Oberfläche der Emitterzone eine Widerstandsschicht angeordnet ist. - Die
DE 43 09 898 A1 beschreibt, dass eine Widerstandsschicht zwischen Emitter und Emitterkontakt mit Hilfe einer Polysiliziumschicht hergestellt werden kann. Weiterhin werden Bereiche für die Dicke der Polysiliziumschicht sowie die Dotierungskonzentration angegeben, die im selben Bereich liegen wie in Anspruch 5. - Die
EP 0 632 505 A1 beschreibt vertikale bipolare Leistungstransistoren, die vorgegebene Seitenkontaktierungen aufweisen, die als Graben ausgebildet sind und aus leitfähigem Material bestehen. - Vorteile der Erfindung
- Das erfindungsgemäße Transistorbauelement mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, einen gleichmäßiger verteilten Stromfluß über als Emitterfinger ausgebildete Teilemitterbereiche zu gewährleisten. Dadurch werden länger ausgestaltete Emitterfinger bzw. höhere Stromdichten ermöglicht. Insbesondere bei Hochfrequenzleistungstransistoren ergeben sich in vorteilhafter Weise kleinere Umladekapazitäten, da es möglich wird, bei gegebener erforderlicher Stromtragfähigkeit kürzere Emitterfinger zu verwenden, und da die Stromdichte gleichmäßiger über die Emitterfinger verteilt ist.
- Ein weiterer Vorteil durch die Gegenkopplung im Emitterwiderstand ist die Homogenisierung der Stromdichte senkrecht zum Basiskontakt, was größere effektive Breiten der Teilemitterbereiche ermöglicht. Es werden Stromverdrängungseffekte (emitter-crowding) weiter verringert. Die obere Grenze der Breite der Emitterfinger infolge des endlichen Basisbahnwiderstands wird zu größeren Werten verschoben. Wahlweise kann bei Hochfrequenztransistoren die Gummelzahl der Basis verkleinert werden, d. h. ein höherer Basisbahnwiderstand in Kauf genommen werden, um die Stromtragfähigkeit des Hochfrequenz(Drift)-transistors zu vergrößern. Vorteilhaft ist ferner, daß das Verhältnis von Emitterrand zu Emitterfläche kleiner sein kann, ohne eine schädliche Kapazitätserhöhung zu bewirken. Das bedeutet, daß für die gleiche Stromtragfähigkeit weniger Teiltransistoren nötig sind.
- Durch die Anordnung des Emitterwiderstands genau zwischen dem jeweiligen Teilemitter und der Metallkontaktierung ergibt sich ferner eine platzsparende Bauweise eines Leistungstransistors.
- Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im Hauptanspruch angegebenen Transistorbauelements möglich. Besonders vorteilhaft ist es, bei gegebener thermischer Kopplung zwischen Emitterwiderstand und Teilemitterbereich für den Emitterwiderstand ein Material mit im wesentlichen nicht negativen Temperaturkoeffizienten zu wählen. So wird ortsaufgelöst je nach lokaler Temperatur eine Kompensation des negativen Temperaturkoeffizienten des Basis-Emitter-Übergangs ermöglicht.
- Eine geeignete, platzsparende Realisierung ergibt sich durch Ausführung der Emitterwiderstände als monokristalline Halbleiterschichten.
- Eine optimierte Ausführung hinsichtlich der Toleranz gegenüber hohen Basisbahnwiderständen ergibt sich durch den Teilemitterbreiten angepaßten Emitterwiderstandsbreiten.
- Durch geeignete Wahl der Dicke der Emitterwiderstandshalbleiterschicht und geeigneter Wahl der Dotierungskonzentration lassen sich in platzsparender Weise die Emitterwiderstände realisieren.
- Durch geeignete Wahl des Materials, des Leitfähigkeitstypus und des Dotierstoffs für die Emitterwiderstandshalbleiterschicht ergibt sich ein einfach realisierbarer integrierter Aufbau.
- Sperrschichtfreie Kontakte stellen eine weitere vorteilhafte Verbesserung des erfindungsgemäßen Transistorbauelements dar.
- In eleganter Weise läßt sich ein Auskoppelwiderstand zur Gewinnung einer dem Emitterstrom proportionalen Spannung integrieren, so daß ohne zusätzlichen Spannungsverlust eine Aussage über den Emitterstrom getroffen werden kann.
- Zeichnung
- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
-
1 zeigt ein Ersatzschaltbild eines Leistungstransistors mit Emitterwiderständen, -
2 einen Teil des erfindungsgemäßen Transistorbauelements, -
3 ein Ersatzschaltbild eines Leistungstransistors mit Emitterwiderständen und Meßwiderständen, und -
4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Transistorbauelements mit integriertem Auskoppelwiderstand. - Beschreibung der Ausführungsbeispiele
-
1 zeigt ein Ersatzschaltbild eines Leistungstransistors gemäß dem Stand der Technik, der parallel geschaltete Einzeltransistoren1 ,2 , ... n mit Teilemittern11 ,12 , ...1n sowie Basen21 ,22 , ...2n sowie Kollektoren31 ,32 , ...3n aufweist. Die Kollektoren sind alle mit dem Kollektoranschluß30 , die Basen alle mit dem Basisanschluß20 und die Teilemitter über Emitterwiderstände41 ,42 , ...4n mit dem Emitteranschluß40 verbunden. Im Beispiel ist der Kollektoranschluß30 über einen Gleichstrommotor als Last mit einem Anker61 und einem Permanentfeld62 mit dem positiven Pol einer Anwendungsschaltung verbunden. Die Emitterwiderstände41 ,42 , ...4n dienen zur Stabilisierung der Stromverteilung über die Einzeltransistoren, um bei gleichmäßiger Stromverteilung über die Einzeltransistoren einen maximalen Gesamtstrom durch die Anwendungslast, in diesem Fall ein Gleichstrommotor, zu gewährleisten. -
2 zeigt einen Ausschnitt des erfindungsgemäßen Transistorbauelements. Auf einem Substrat80 oder einer niederohmigen vergrabenen Schicht ist eine hochohmige epitaktische Schicht81 angeordnet, in die eine Basiszone82 eingebettet ist. In die Basiszone82 wiederum ist ein Teilemitterbereich83 mit einer Teilemitterbreite97 eingebettet.2 zeigt lediglich einen Querschnitt durch das Transistorbauelement. Der Teilemitterbereich ist als länglicher Emitterfinger ausgebildet, wie beispielsweise in der PatentschriftEP 39 77 27 A1 84 ist ein thermisch gewachsenes Oxid85 aufgebracht. Dabei kann auf das thermisch gewachsene Oxid85 ein weiteres Oxid86 aufgebracht sein. Es sind Aussparungen in den Oxidschichten vorgesehen für die Basiselektrode90 , die die Basiszone82 elektrisch kontaktiert sowie für den als epitaktische Widerstandsschicht ausgebildeten Emitterwiderstand87 , der ein ionenimplantiertes Gebiet88 aufweist, das in direktem elektrischen Kontakt mit dem Emittermetallkontakt89 steht. Der Emitterwiderstand87 weist dabei eine Emitterwiderstandsbreite98 auf. Der Emitterwiderstand87 stellt die erfindungsgemäße Realisierung eines der Emitterwiderstände41 ,42 , ...4n aus1 dar. Der Emitterwiderstand87 steht sowohl in direktem elektrischen als auch in direktem thermischen Kontakt mit dem Teilemitterbereich83 . Dadurch ergibt sich sowohl eine optimierte Stabilisierung der Stromverteilung über die einzelnen Teilemitterbereiche eines Leistungstransistors als auch eine Verbesserung der Stromtragfähigkeit sowie der Hochfrequenzeigenschaften und weitere Vorteile wie sie eingangs beschrieben wurden. In dem Gebiet88 ist beispielsweise durch Ionenimplantation die Ladungsträgerkonzentration erhöht, um einen sperrschichtfreien Kontakt zum Emittermetallkontakt89 zu gewährleisten. Dargestellt ist eine bevorzugte Ausführungsform, bei der die Emitterwiderstandsbreite98 ungefähr der Teilemitterbreite97 entspricht und der Emitterwiderstand87 ungefähr deckungsgleich auf dem Teilemitterbereich83 aufliegt, um in jedem Teilbereich des Teilemitterbereichs83 einen optimalen thermischen und elektrischen Kontakt zum Emitterwiderstand87 zu erhalten. In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Emitterwiderstand als epitaktische Schicht passenden Widerstands mit dem Leitfähigkeitstypus des Emitters ausgebildet. Ist deren Dicke im praktikablen Bereich der Größenordnung ein Mikrometer angesiedelt, also zwischen 0,3 und 3 Mikrometern, läßt sich ihr spezifischer Widerstand und damit ihre Dotierung über die Emitterstromdichte von Leistungstransistoren und die erforderliche Spannung der Gegenkopplung abschätzen. Mit einer Emitterstromdichte zwischen 103 und 105 A/cm2 und einer erforderlichen Spannung für die Gegenkopplung zwischen 0,1 und 1 V ergibt sich ein Bereich für den spezifischen Widerstand zwischen 10–2 und 10 Ωcm. Somit liegt er in einem technisch vernünftigen Bereich mit einer Dotierungskonzentration zwischen 1015 und 1019 pro Quadratzentimeter. Darstellen läßt sich die so dotierte epitaktische Zwischenschicht bei hinreichend tiefer Temperatur mittels der selektiven Epitaxie. Nach Aufbringen des thermisch gewachsenen Oxids85 und des weiteren Oxids86 werden zunächst in den Bereichen die Oxidschichten weggeätzt, die mit einer epitaktischen Schicht bedeckt werden sollen, so auch der für den Emitterwiderstand vorgesehene Bereich. Ist nun also die Oberfläche des Emitters, bzw. mindestens eines Teilemitterbereichs blankgeätzt, die übrige Oberfläche jedoch polykristallin, bzw. amorph, so lassen sich, beispielsweise durch Zusetzen von HCl als Ätzmedium zum Gas eines Abscheidereaktors, die Abscheidebedingungen so modifizieren, daß wegen ihrer höheren Bindungsenergie nur eine epitaktische Schicht aufwächst, während das entstehende Polysilizium laufend weggeätzt wird. Nach dem Auftragen der epitaktischen Widerstandsschicht wird, um einen sperrschichtfreien Kontakt zu gewährleisten, besonders bei Verwendung von Aluminium und seinen Legierungen als Material für den Emittermetallkontakt die Oberfläche der epitaktischen Widerstandsschicht87 beispielsweise mittels einer Implantation mit Ionen vom gleichen Leitfähigkeitstypus wie der Emitter mit Ladungsträgern angereichert, so daß ein ionenimplantiertes Gebiet88 entsteht. Durch diese Vorgehensweise ist ein besonders niedriger Kontaktwiderstand zu erreichen. -
3 zeigt ein Ersatzschaltbild eines Leistungstransistors mit den Teilemittern zugeordneten Emitterwiderständen und ihnen ebenfalls zugeordneten Meßwiderständen71 ,72 , ...7n . Die Meßwiderstände sind an eine gemeinsame Auskoppelleitung70 angeschlossen. Der andere Anschluß des Auskoppelwiderstands ist direkt mit dem Teilemitter des ihm zuordneten Einzeltransistors1 ,2 , ... n verbunden. Die Auskoppelwiderstände71 ,72 , ...7n dienen zum Erhalt einer dem Emitterwiderstand proportionalen Meßgröße, ohne einen zusätzlichen Spannungsverlust an einem Meßwiderstand in Kauf nehmen zu müssen. Die Verwendung von Auskoppelwiderständen als solchen ist aus dem Stand der Technik bekannt. - Eine erfindungsgemäße Realisierung der Auskoppelwiderstände zeigt
4 .4 unterscheidet sich von2 durch eine eingebrachte Seitenkontaktierung91 ,92 ,93 ,94 . Sie ist ein Beispiel für die physikalische Realisierung eines der Auskoppelwiderstände71 ,72 , ...7n . Die von der Basiselektrode90 abgewandten Seiten der Basiszone82 und des Teilemitterbereichs83 sind von einem geätzten Graben91 begrenzt, dessen Innenseiten mit Ausnahme des dem Teilemitterbereichs zugewandten Teilstücks94 mit einer Oxidschicht92 bedeckt sind und der mit einem leitfähigen Material93 , etwa Polysilizium vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Teilemitterbereich, gefüllt ist. Vorteilhaft wird dessen Polysilizium gleich zusammen mit dem Emitterbereich dotiert. Der Graben selbst ist außerhalb eines nicht gezeichneten Konktaktbereichs, der der Auskoppelleitung70 in3 entspricht, mit einer Oxidschicht, die ebenfalls nicht in4 eingezeichnet ist, gegen den Emitterwiderstand87 und dem Emittermetallkontakt89 elektrisch isoliert. - Die Erfindung ist nicht auf Transistoren als Halbleiterbauelemente beschränkt, sondern läßt sich auch auf Thyristoren anwenden, um deren Zündfunktion bei steilem Stromanstieg weiter zu verbessern. Hier wird dann eine epitaktische Widerstandsschicht zwischen mindestens einer der Hauptelektroden und dem darüberliegendem, als Kontakt dienenden Metallbelag angeordnet, wobei auch hier in vorteilhafter Weise der Temperaturkoeffizient der epitaktischen Widerstandsschicht ≥ 0, bzw. nur unwesentlich kleiner als 0 ist.
Claims (11)
- Halbleiterbauelement, das auf einem Substrat (
80 ) angeordnet ist, mit einem aus mindestens einem Teilemitterbereich (83 ) bestehenden Emitterbereich, mit den Teilemitterbereichen zugeordneten Emitterwiderständen (41 ,42 , ...,4n ) und Emitter-Metallkontakten (89 ), wobei die Emitter-Metallkontakte (89 ) über den Teilemitterbereichen (83 , ...) und die Emitterwiderstände zwischen den Teilemitterbereichen (83 , ...) und den Emitter-Metallkontakten (89 ) angeordnet sind, gekennzeichnet durch eine Seitenkontaktierung (91 ,92 ,93 ,94 ) an mindestens einem der Teilemitterbereiche (83 ), über die ein Spannungsabfall an dem mindestens einen Emitterwiderstand erfaßbar ist, wobei die Seitenkontaktierung als Graben (91 ) ausgebildet ist, wobei dieser eine den Graben bis auf eine elektrische Verbindung (94 ) zu dem mindestens einen Teilemitterbereich elektrisch isolierende Oxidschicht (92 ) aufweist und der Graben mit einem leitfähigen Material (93 ) aufgefüllt ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterwiderstände (
41 ,42 , ...,4n ) eine dotierte monokristalline Emitterwiderstands-Halbleiterschicht (87 ,88 ) aufweisen. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilemitterbereiche eine Teilemitter-Breite (
97 ) aufweisen, daß die Emitterwiderstände eine Emitterwiderstands-Breite (98 ) aufweisen und daß die Emitterwiderstands-Breite (98 ) in etwa der Teilemitter-Breite (97 ) entspricht. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterwiderstands-Halbleiterschicht (
87 ,88 ) eine Dicke in einem Bereich zwischen ca. 0,3 und 3 Mikrometern und eine Dotierungskonzentration in einem Bereich zwischen 1015 und 1019 cm–3 aufweist. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterwiderstands-Halbleiterschicht (
87 ,88 ) aus dem gleichen Material besteht wie das Substrat (80 ) und dass sie den gleichen Leitfähigkeitstypus aufweist wie der Emitterbereich. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterwiderstands-Halbleiterschicht (
87 ,88 ) mit dem gleichen Dotierstoff dotiert ist wie der Emitterbereich. - Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitterwiderstände einen sperrschichtfreien Kontakt zu den Emitter-Metallkontakten (
89 ) bilden. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration des in den Emitterwiderstands-Halbleiterschichten (
87 ,88 ) eingebrachten Dotierstoffs in den Emitter-Metallkontakten (89 ) zugewandten Gebieten (88 ) erhöht ist im Vergleich zur Dotierstoffkonzentration in den Emitter-Metallkontakten (89 ) abgewandten Gebieten. - Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitterbereich der Emitter eines Silizium-Leistungstransistors ist.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Verbindung (
94 ) des Grabens (91 ) mit dem mindestens einen Teilemitterbereich mit dem gleichen wie im Emitterbereich eingebrachten Dotierstoff dotiert ist. - Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Anschlußelektrode, über die der Graben (
91 ) an einer Oberfläche des Halbleiterbauelements elektrisch kontaktierbar ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19734985A DE19734985B4 (de) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | Transistorbauelement |
US09/129,376 US5990539A (en) | 1997-08-13 | 1998-08-05 | Transistor component having an integrated emitter resistor |
JP22821598A JP4418542B2 (ja) | 1997-08-13 | 1998-08-12 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19734985A DE19734985B4 (de) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | Transistorbauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19734985A1 DE19734985A1 (de) | 1999-02-18 |
DE19734985B4 true DE19734985B4 (de) | 2010-02-11 |
Family
ID=7838791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19734985A Expired - Fee Related DE19734985B4 (de) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | Transistorbauelement |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5990539A (de) |
JP (1) | JP4418542B2 (de) |
DE (1) | DE19734985B4 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3539887B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2004-07-07 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003514495A (ja) * | 1999-11-09 | 2003-04-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Dc−dcコンバータ |
DE102005021450B4 (de) * | 2005-05-10 | 2009-04-23 | Atmel Germany Gmbh | Integrierter Schaltkreis und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises und dessen Verwendung |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1464527A1 (de) * | 1962-11-27 | 1969-01-09 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Thermisch stabilisierte Halbleiteranordnung |
US4370670A (en) * | 1979-04-11 | 1983-01-25 | Fujitsu Limited | Transistor with plural parallel units |
DE3802767A1 (de) * | 1988-01-30 | 1989-08-10 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches geraet |
DE4309898A1 (de) * | 1992-03-30 | 1993-10-07 | Rohm Co Ltd | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0632505A1 (de) * | 1993-07-01 | 1995-01-04 | Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Vertikaler Bipolar-Leistungstransistor mit vergrabener Basis und ineinandergreifender Geometrie |
-
1997
- 1997-08-13 DE DE19734985A patent/DE19734985B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-05 US US09/129,376 patent/US5990539A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-12 JP JP22821598A patent/JP4418542B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1464527A1 (de) * | 1962-11-27 | 1969-01-09 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Thermisch stabilisierte Halbleiteranordnung |
US4370670A (en) * | 1979-04-11 | 1983-01-25 | Fujitsu Limited | Transistor with plural parallel units |
DE3802767A1 (de) * | 1988-01-30 | 1989-08-10 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches geraet |
EP0397727A1 (de) * | 1988-01-30 | 1990-11-22 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches gerät. |
DE4309898A1 (de) * | 1992-03-30 | 1993-10-07 | Rohm Co Ltd | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0632505A1 (de) * | 1993-07-01 | 1995-01-04 | Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Vertikaler Bipolar-Leistungstransistor mit vergrabener Basis und ineinandergreifender Geometrie |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Widlar,R.J. et al.: A Monolithic Power Op Amp, IEEE Journ. of Solid State Circuits Vol. 23, No. 2, 1988, pp 527 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19734985A1 (de) | 1999-02-18 |
JP4418542B2 (ja) | 2010-02-17 |
JPH11121465A (ja) | 1999-04-30 |
US5990539A (en) | 1999-11-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
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Effective date: 20130301 |