DE19719763A1 - Schaltungsanordnung mit Prozessor in Mikrohybridtechnik - Google Patents

Schaltungsanordnung mit Prozessor in Mikrohybridtechnik

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Werner Hatscher
Ansgar Debertin
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Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit Pro­ zessor, insbesondere in Mikrohybridtechnik nach dem Ober­ begriff des Anspruchs 1 bzw. nach dem Oberbegriff des An­ spruchs 2.
Stand der Technik
Mikroelektronische Schaltungen werden in jüngster Zeit in Mikrohybridtechnik realisiert, die eine weitere Miniatu­ risierung von Steuergeräten ermöglicht. Der mit dieser Technik gewonnene Mikrohybrid basiert auf einem speziel­ len Trägermaterial, das aus mehreren Lagen flexibler Ke­ ramikfolie zusammengesintert wird. Die einzelnen kerami­ schen Isolationsfolien werden in ungebranntem Zustand mit Leiterbahnen bedruckt. Dort, wo später Verbindungen zwi­ schen den verschiedenen Lagen nötig sind, werden Löcher, sogenannte Vias, gestanzt und mit leitender Paste ge­ füllt, um die verschiedenen Ebenen elektrisch zu verbin­ den. Die einzelnen Folien werden gestapelt und bei einer Temperatur von typischerweise 900°C zu einem Mehrlagen­ substrat gesintert. Mit dieser Mikrohybridtechnik werden typischerweise Schaltungsanordnungen mit wenigstens einem Prozessor realisiert, der entweder direkt auf der Leiter­ platte oder einem gesonderten Zwischenträger, einer soge­ nannten Zwischenträgerkeramik, angebracht ist. Im erstge­ nannten Fall, bei Anordnung des Prozessors direkt auf der Leiterplatte, ist zur Verbesserung der elektromagneti­ schen Verträglichkeit (EMV) des Prozessors bislang vorge­ sehen, in Signalleitungen des Prozessors Serienwider­ stände einzubauen. Diese Serienwiderstände werden zur Zeit als SMD (Surface Mounted Device)-Bauteile oder als gedruckte Widerstände auf der Leiterplatte hergestellt. Diese Ausbildung der Widerstände erfordert entsprechenden Platz auf der Leiterplatte und einen getrennten Herstel­ lungsschritt. Im Falle von auf einer Zwischenträgerkera­ mik angeordnetem Prozessor ist dieser über Bonddrähte mit der Leiterplatte bzw. Hauptplatine verbunden und zur Ver­ besserung des EMV-Verhaltens sind bislang in Signallei­ tungen des Prozessors auf der Zwischenkeramik Serienwi­ derstände aufgedruckt oder in diese Signalleitungen ein­ gebaut. Auch dieser Lösungsansatz zur Verbesserung des EMV-Verhalten des Prozessors erfordert speziellen Platz für die Widerstände und einen speziellen Prozeßschritt zu ihrer Herstellung bzw. zur SMD-Bestückung oder Keramikbe­ stückung.
Vorteile der Erfindung
Die Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. des Anspruchs 2 weist demgegenüber den Vorteil auf, daß ge­ trennte Bauteile und hierfür erforderliche Prozeßschritte grundsätzlich nicht erforderlich sind, um das EMV-Verhal­ ten des Prozessors durch Serienwiderstände zu verbessern. Vielmehr besteht der erfindungsgemäße Ansatz zur Verbes­ serung des EMV-Verhaltens des Prozessors darin, die dafür erforderlichen Widerstände in Form von Widerstandspaste zu bilden, die in Durchkontaktierungen bzw. Vias in der Leiterplatte eingefüllt ist, oder die Widerstände durch den Eigenwiderstand der Bonddrähte, mit denen der Prozes­ sor mit der Leiterplatine verbunden ist, festzulegen, wozu die Bonddrähte bevorzugt aus dafür geeignetem Mate­ rial gebildet sind und entsprechende Stärke und Länge aufweisen. Beide Lösungsansätze einer Integration der zur Verbesserung des EMV-Verhaltens benötigten Serienwider­ stände in die Leiterplatte bzw. Nutzung des Bonddraht­ widerstands als Serienwiderstände haben den Vorteil, daß Bauteile, nämlich SMD-Widerstände oder entsprechende Trä­ gerkeramik, und Arbeitsgänge, nämlich SMD-Bestückung und zusätzliche Bonds, eingespart werden können.
Während die Erfindung primär für die Produkte MCM (Multi Chip Modul) und COB (Chip On Board) gedacht ist, läßt sie sich auch bei anderen Produkten, die eine Schaltungsan­ ordnung mit Prozessor aufweisen, einsetzen, nämlich bei­ spielsweise bei verpackten IC's.
Zeichnung
Die Erfindung wird anhand der folgenden Figuren näher er­ läutert.
Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf eine Schaltungsanordnung mit einem Prozessor, dessen EMV gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung durch mit Widerstandspaste be­ füllte Vias erzielt wird, und
Fig. 2 schematisch eine Seitenansicht einer Schaltungsanordnung mit einem Prozessor, dessen EMV gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung durch Bonddrähte erzielt wird, die einen geeigneten Widerstandswert auf­ weisen.
Beschreibung des Ausführungsbeispiels
Die in Fig. 1 gezeigte Schaltungsanordnung weist eine Leiterplatte 1 auf, die beispielsweise aus einem Keramik­ folienverbund besteht, falls die Schaltungsanordnung in Mikrohybridtechnik realisiert ist, wobei auf den Schicht­ verbund beidseitig Leiterbahnen gedruckt sind, beispiels­ weise eine Leiterbahn 2, die eine Versorgungsspannung Vcc führt. Ferner ist auf der Leiterplatte 1 in an sich be­ kannter Weise ein Prozessor 3 angeordnet und fest mit dieser verbunden, der eine Vielzahl von Anschlüssen auf­ weist, beispielsweise Anschlüsse, die mit Signalleitungen 4, 5, 6 verbunden sind, einen Anschluß, der mit einer Leitung 7 mit der Spannungsversorgungsleitung 2 verbunden ist und eine Leitung 8, die an Masse gelegt ist.
Die Signalleitungen 4, 5 und 6 sind in einem ersten Ab­ schnitt auf der Oberseite der Leiterplatine 1 verlaufend in einem zweiten Abschnitt auf der Unterseite davon ver­ laufend gebildet, wie strichliert dargestellt. Die Si­ gnalleitungsabschnitte auf der Leiterplattenober- und Un­ terseite sind über eine Durchkontaktierung bzw. über Vias 9, 10 bzw. 11 mit den auf der Platinenunterseite verlau­ fenden Leiterabschnitten verbunden. Die Vias 9, 10 und 11 sind mit einer Widerstandspaste gefüllt, die einen Wider­ stand derart aufweist, daß durch diese Via-Füllungen Wi­ derstände festgelegt sind, die als Serienwiderstände zur Verbesserung des EMV-Verhaltens des Prozessors 3 dienen. Diese Via-Füllungen in den Vias 9, 10 und 11 ersetzen damit herkömmliche Serienwiderstände, die beim Stand der Technik auf die Leiterplatte 1 zur Verbesserung der EMV-Eigenschaften des Prozessors 3 gedruckt sind.
Fig. 2 zeigt eine weitere Ausführungsform der erfin­ dungsgemäßen Schaltungsanordnung. Bei dieser Schaltungs­ anordnung ist der Prozessor 3 über eine Vielzahl von Bonddrähten, von denen in Fig. 2 lediglich ein einziger Bonddraht 13 gezeigt ist, als Teil von Signalleitungen des Prozessors mit entsprechenden Leitungsabschnitten auf der Leiterplatte 1 verbunden. Erfindungsgemäß sind das Material, die Stärke und Länge der Bonddrähte so gewählt, daß sie die herkömmlich vorgesehenen Serienwiderstände zur Verbesserung des EMV-Verhaltens des Prozessors 3 ersetzen, so daß auch im Fall dieser Ausführungsform Bau­ teile in Form der Serienwiderstände sowie deren zusätz­ licher Herstellungsschritt eingespart werden können.

Claims (2)

1. Schaltungsanordnung mit wenigstens einem Prozessor (3), insbesondere in Mikrohybridtechnik realisierte Schaltungsanordnung, oder MCM (Multi Chip-Module)- oder COB (Chip On Board)-Schaltungsanordnung, wobei der Prozessor (3) auf einer Leiterplatte (1) ange­ ordnet ist, und wobei in an den Prozessor (3) ange­ schlossenen Signalleitungen (4, 5, 6) zur Verbesse­ rung der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) des Prozessors (3) Serienwiderstände eingebaut sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Serienwider­ stände als mit Paste gefüllte Durchkontaktierungen (Vias) (9, 11, 10) in der Leiterplatte (1) als Be­ standteil der Signalleitungen (4, 5, 6) realisiert sind.
2. Schaltungsanordnung mit wenigstens einem Prozessor (3), insbesondere in Mikrohybridtechnik realisierte Schaltungsanordnung, oder MCM (Multi Chip-Module)- oder COB (Chip On Board)-Schaltungsanordnung, wobei der Prozessor (3) auf einer Leiterplatte (1) ange­ ordnet und zur Signalübertragung über Bonddrähte (13) mit der Leiterplatte (1) verbunden ist, und wobei in den Signalübertragungswegen zur Verbesse­ rung der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) des Prozessors (3) Serienwiderstände enthalten sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Serienwider­ stände durch das Material, die Stärke und Länge der Bonddrähte (13) festgelegt sind.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1319818A1 (de) * 2000-09-22 2003-06-18 Aisin Aw Co., Ltd. Versorgung für elektronische schaltkreise

Cited By (3)

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EP1319818A1 (de) * 2000-09-22 2003-06-18 Aisin Aw Co., Ltd. Versorgung für elektronische schaltkreise
EP1319818A4 (de) * 2000-09-22 2006-06-07 Aisin Aw Co Versorgung für elektronische schaltkreise
US7222685B2 (en) 2000-09-22 2007-05-29 Aisin Aw Co., Ltd. Drive device with electronic circuit

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