DE19708992A1 - VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares Licht - Google Patents
VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares LichtInfo
- Publication number
- DE19708992A1 DE19708992A1 DE19708992A DE19708992A DE19708992A1 DE 19708992 A1 DE19708992 A1 DE 19708992A1 DE 19708992 A DE19708992 A DE 19708992A DE 19708992 A DE19708992 A DE 19708992A DE 19708992 A1 DE19708992 A1 DE 19708992A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- distributed bragg
- bragg reflector
- vcsel
- visible light
- indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 40
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 241001676573 Minium Species 0.000 claims 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
- H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf geschichtete opti
sche Vorrichtungen und insbesondere auf laseroptische Vor
richtungen.
Zur Zeit spielen konventionelle kantenemittierende Halblei
terlaser durch ihre hohe Betriebsleistung und ihre Modula
tionsfähigkeiten eine signifikantere Rolle in der optischen
Kommunikation; der konventionelle kantenemittierende Halblei
terlaser hat mehrere Nachteile oder Probleme, was es schwie
rig macht, diese kantenemittierende Vorrichtung in verschie
denen Anwendungen anzuwenden.
Neuerdings besteht jedoch ein zunehmendes Interesse an ober
flächenemittierenden Lasern mit vertikalem Hohlraum (VCSEL).
Der konventionelle VCSEL hat mehrere Vorteile, wie beispiels
weise eine ebene Konstruktion, wobei Licht rechtwinklig zur
Oberfläche des Rohchips abgestrahlt wird, was die Möglichkeit
einer feldweisen Herstellung bietet. Während konventionelle
VCSELs mehrere große Vorteile haben, weisen konventionelle
VCSELs mehrere Nachteile im Hinblick auf das sichtbare Spek
trum auf, wie beispielsweise eine schlechte Leistung, eine
schlechte Reflektivität der verteilten Bragg-Reflektoren und
derartiges. Zusätzlich wird durch diese Probleme die Her
stellbarkeit der VCSELs für das sichtbare Spektrum stark ein
geschränkt.
Eine konventionelle Lösung, um das Reflektionsproblem zu lö
sen, besteht, darin die Zahl der reflektiven Elemente oder
der alternierenden Schichten zu erhöhen, die die konventio
nell verteilten Bragg-Reflektoren umfassen. Diese Lösung löst
aber nicht das Reflektionsproblem in konventionellen VCSELs,
sondern verschlimmert einige andere Probleme, wie beispiels
weise die Defektdichte und dergleichen, und schränkt somit
die Herstellbarkeit ein.
Beispielsweise werden als Ergebnis der schlechten Reflektivi
tät von konventionell verteilten Bragg-Reflektoren viele zu
sätzliche wechselnde Schichten (beispielsweise 50 bis 200 zu
sätzliche wechselnde Schichten) abgelagert, in einem Versuch,
die Reflektivität der konventionell verteilten Bragg-Reflek
toren zu erhöhen. Durch eine Erhöhung der wechselnden Schich
ten tritt jedoch eine Erhöhung der Herstellungskosten auf.
Insbesondere wird bei der zunehmenden Zahl alternierenden
Schichten eine Erhöhung der Defektdichte der alternierenden
Schichten erzeugt, als auch eine Erhöhung des Zeitbetrages,
der erforderlich ist, um die Schichten herzustellen, was somit
eine wesentliche Erhöhung der Herstellungskosten konventio
neller VCSELs ergibt, als auch eine Verminderung der Qualität
der hergestellten VCSELs, was somit konventionelle VCSELs
nicht geeignet macht für eine Herstellung größerer Zahlen für
diesen Zweck.
Man kann leicht sehen, daß konventionelle kantenausstrahlende
Halbleiterlaser und konventionelle oberflächenemittierende
Laser mit vertikalem Hohlraum mehrere Nachteile und Probleme
aufweisen, was ihre Verwendung bei der Herstellung hoher
Stückzahlen nicht gestattet. Somit wäre ein VCSEL und ein
Verfahren, das das Herstellungsverfahren einfacher macht, die
Kosten erniedrigt und eine höhere Zuverlässigkeit des VCSEL
ergibt, sehr wünschenswert.
Fig. 1 ist ein Beispiel eines vergrößerten, vereinfachten
Querschnitts einer VCSEL-Vorrichtung, die auf dem Substrat
vorbereitet ist; und
Fig. 2 ist eine vereinfachte graphische Darstellung der Re
flektivität über der Wellenlänge.
Fig. 1 zeigt einen vergrößerten oberflächenemittierenden La
ser mit vertikalen Hohlraum (VCSEL) 101, der auf einem
Substrat 102 ausgebildet ist, das Oberflächen 105 und 110
aufweist, wobei Licht 120 von dem VCSEL 101 ausgestrahlt
wird. Es sollte verständlich sein, daß während Fig. 1 nur ei
nen einzigen VCSEL 101 zeigt, der VCSEL 101 viele VCSELs dar
stellen kann, die auf einem Substrat 102 angeordnet sind, um
Felder auszubilden. Im allgemeinen wird der VCSEL 101 aus
mehreren definierten Gebieten oder Regionen hergestellt, so
daß ein verteilter Bragg-Reflektor 103, der eine Vielzahl al
ternierender Schichten hat, was durch die Schichten 111 und
112 dargestellt ist, ein Abdeckungsgebiet 104, ein aktives
Gebiet 106, ein Abdeckungsgebiet 107, einen verteilten
Bragg-Reflektor 108, der eine Vielzahl wechselnder Schichten hat,
wie das durch die Schichten 117 und 118 dargestellt ist, und
ein Kontaktgebiet 109.
Das Substrat 102 ist in diesem Beispiel aus jedem geeigneten
Material gemacht, wie beispielsweise Galliumarsenid, Silicium
oder derartigem. Typischerweise ist das Substrat 102 aus Gal
liumarsenid hergestellt, um das epitaxiale Wachstum mehrerer
nachfolgender Schichten zu erleichtern, die VCSEL 101 umfas
sen.
Typischerweise wird irgend ein geeignetes epitaxiales Deposi
tionsverfahren, wie beispielsweise molekulare Strahlepitaxie
(MBE), metallene organische chemische Bedampfung (MOCVD),
oder dergleichen, um die geforderten mehreren Schichten für
VCSEL 101 auszubilden. Diese Verfahren gestatteten die epita
xiale Ablagerung von Materialschichten, wie Indiumalluminium
galliumphosphid, Alluminiumarsenid, Galliumarsenid, Alumini
umgalliumarsenid, Aluminiumgalliumphosphid, Indiumalumini
umphosphid und dergleichen. Es sollte verständlich sein, daß
die epitaxiale Ablagerung extensiv verwendet wird, um die
Mehrzahl der Schichten zu erzeugen, die VCSEL 101 umfaßt.
Bezieht man sich nun auf die verteilten Bragg-Reflektoren 103
und 108, sollte verständlich sein, daß der verteilte
Bragg-Reflektor 103 zuerst abgelagert wird, mit einer nachfolgenden
Ablagerung, die das Abdeckungsgebiet 104, das aktive Gebiet
106, das Abdeckgebiet 107, den verteilten Bragg-Reflektor 108
und das Kontaktgebiet 109 bildet. Im allgemeinen ist die
Dicke wechselnder Schichten 111, 112, 117 und 118 typischer
weise als Teile der Wellenlänge des Lichts 120 ausgebildet,
das der VCSEL 101 aussenden soll. Somit sind die spezifischen
Dicken der wechselnden Schichten 111, 112, 117 und 118 Funk
tionen der Wellenlänge, auf der der VCSEL 101 arbeiten soll.
Die verbreitesten verwendeten Wellenlängenwerte sind ein
Viertel, ein Halb, drei Viertel, eine volle Wellenlänge oder
ein Mehrfaches davon. In einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Wellenlänge werden Dicken einer Viertel Wel
lenlänge verwendet.
Im allgemeinen wird die Dotierung der verteilten Bragg-Re
flektoren aufgeteilt, wobei einer der verteilten Bragg-Re
flektoren vom N-Typ und der andere vom P-Typ ist. Da die Do
tierebenen im Stand der Technik wohlbekannt sind, werden die
Dotierpegel hierin nur beschrieben, um das Material entweder
als undotiert, p-leitend dotiert, wie beispielsweise mit Koh
lenstoff, Zink oder dergleichen oder n-leitend dotiert, wie
beispielsweise mit Beryllium, Silicium oder dergleichen zu
identifizieren. Kurz gesagt, sind der verteilte Bragg-Reflek
tor 103 und ein Teil des Abdeckungsgebietes 104 n-leitend do
tiert, wobei ein Teil des Abdeckungsgebietes 104, des aktiven
Gebietes 106, und ein Teil des Abdeckungsgebietes 107 nicht
dotiert sind, und wobei ein Teil des Abdeckungsgebietes 107,
des verteilten Bragg-Reflektors 108 und des Kontaktgebietes
109 p-leitend dotiert sind.
In der vorliegenden Erfindung sind verteilte Bragg-Reflekto
ren 103 und 108, die wechselnde Schichten 111 und 112, 117
und 118 haben, aus irgendwelchen geeigneten Materialien her
gestellt, wie beispielsweise Indium-Aluminium-Gallium-Phos
phid und Aluminiumarsenid (beispielsweise In·49AlxGa·51-x
P/AlAs), Indium-Aluminium-Gallium-Phosphide und Indium-Alu
minium-Phosphide (beispielsweise In·49AlxGa·51-xP/In·49Al.·5P)
und Aluminium-Gallium-Arsenid und Aluminium-Arsenid
(beispielsweise Al·5Ga·5As/AlAs), die auf oder in Überdeckung
des Substrats 102 epitaxial abgesetzt oder abgelagert sind,
um somit verteilte Bragg-Reflektoren 103 und 108 auszubilden,
die eine wesentliche höhere Reflektivität im sichtbaren Spek
trum als konventionell verteilte Bragg-Reflektoren besitzen.
Zusätzlich sollte verständlich sein, daß in jedem der obigen
Beispiele, in der eine prozentweise Zusammensetzung eines
speziellen Elements angegeben ist, dies nur als Beispiel be
trachtet werden sollte. Es sollte ferner verständlich sein,
daß Variationen dieser Beispiele groß sein können und als
Teil der vorliegenden Erfindung zu betrachten sind.
Beispielsweise gestattet das Auswählen von Indium-Aluminium-
Gallium-Phosphid und Aluminium-Arsenid (In·49AlxGa·51-
xP/AlAs) als Materialstruktur für die verteilten Bragg-Re
flektoren 103 und 108 eine Reflektion des sichtbaren Lichtes,
das durch das aktive Gebiet 106 erzeugt wird. Eine geeignete
Reflektivität des Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids kann er
zielt werden, indem man eine prozentmäßige Zusammensetzung
des Indiums im Bereich von 48 bis 50 Prozent hat. Durch Va
riation der prozentmäßigen Zusammensetzung von Indium tritt
eine entsprechende Variation in der prozentmäßigen Zusammen
setzung von Gallium auf, mit einem nominalen Bereich von 52
bis 50 Prozent. Zusätzlich kann die Aluminiumprozentkonzen
tration sich im Bereich von 0 bis 51 Prozent bewegen, mit ei
nem bevorzugten Bereich von 5 bis 15 Prozent, und einem nomi
nalen Bereich von 7 bis 13 Prozent. Es sollte angegeben sein,
daß die Prozentzusammensetzung des Aluminiums die Prozentkon
zentration des Galliums vermindert, um somit eine balancierte
Komposition zu erzeugen.
In einem anderen Beispiel gestattet die Auswahl von Indium-
Aluminium-Gallium-Phosphid und Indium-Aluminium- Phosphid
(In·49AlxGa·51-xP/In·49Al·51P) als Materialstruktur für die
verteilten Bragg-Reflektoren 103 und 108 auch die Reflektion
des sichtbaren Lichtes, das aus dem aktiven Gebiet 106 er
zeugt wurde. Wie vorstehend beschrieben wurde, kann das Indi
um-Aluminium-Gallium-Phosphid im vorliegenden Beispiel ähn
lich variiert werden. Zusätzlich kann das Indium-Aluminium-
Phosphid auch variiert werden mit der Prozentzusammensetzung
des Indium, die sich im Bereich von 48 Prozent bis 50 Prozent
bewegt. Die Aluminiumprozentkomposition kann sich ebenso im
Bereich von einem Prozent bis 10 Prozent bewegen, wobei ein
bevorzugter Bereich zwischen 8 Prozent und 2 Prozent und ein
nominaler Bereich zwischen 4 Prozent bis 6 Prozent liegt.
In nochmals einem anderen Beispiel gestattet die Auswahl von
Aluminium-Gallium-Arsenid und Aluminium-Arsenid
(Al·5Ga·5As/AlAs) als Materialstruktur für verteilte Braag-
Reflektoren 103 und 108 auch eine Reflektion des sichtbaren
Lichts, das vom aktiven Gebiet 106 erzeugt wird. In diesem
Beispiel kann jedoch das Aluminium und das Gallium des Alumi
nium-Gallium-Arsenids variiert werden. Im allgemeinen kann
sich das Aluminium des Alluminium-Gallium-Arsenids im Bereich
von 0 Prozent bis 100 Prozent bewegen, mit einem nominalen
Bereich von 40 Prozent bis 60 Prozent, und das Gallium kann
sich in einem Bereich von 0 Prozent bis 100 Prozent bewegen,
mit einem nominalen Bereich von 40 Prozent bis 60 Prozent.
Durch das Auswählen irgendeines der obigen Beispiele als Ma
terial, das für die wechselnden Schichten 111, 117 bezie
hungsweise 112, 118 verwendet wird, wird die Verminderung
oder die Abnahme der Zahl wechselnder Schichten in den
Bragg-Reflektoren 103 und 108 gestattet. Im allgemeinen kann durch
Verwendung irgendeines der obigen Beispiele für die Material
strukturen die wechselnden Schichten 111 und 112 im verteil
ten Bragg-Reflektor 103 auf 40 Paar minimiert werden, während
die wechselnden Schichten 117 und 118 im verteilten Bragg-Re
flektor 108 auf 28 Paar vermindert werden können, um somit
das Verfahren für die Herstellung verteilter Bragg-Reflekto
ren 103 und 108 zu vereinfachen, als auch um die Leistung der
Reflektivität der verteilten Bragg-Reflektoren 103 und 108 zu
erhöhen. Es wird angenommen, daß durch die Verwendung dieser
chemischen Zusammensetzungen eine verbesserte Differenz zwi
schen den Brechungsindizes der wechselnden Schichten 111,
112 und 117 und 118 erzeugt wird, das heißt, es besteht eine
größere Differenz des Brechungsindexes zwischen den Schichten
111 und 112, und ebenso zwischen den Schichten 117 und 118,
was somit die Reflektivität erhöht. Es wird ferner angenom
men, daß diese Zunahme der Reflektivität die Verminderung der
Zahl der wechselnden Schichten 111, 112, 117 und 118 in den
verteilten Bragg-Reflektoren 103 und 108 gestattet. Somit er
gibt sich eine Verbesserung der Leistung.
Als ein Ergebnis der Verminderung der Zahl der wechselnden
Schichten wird die Herstellung des VCSEEL 101 stark verein
facht, um somit die VCSELs leichter herstellbar und weniger
teuer zu machen. Da die Herstellung oder Fabrikation verein
facht wird und da eine geringere Zahl von Schritten erforder
lich ist, wird die gesamte Defektdichte ebenso vermindert mit
einer entsprechenden Erhöhung der Herstellbarkeit, wodurch
eine weitere Verminderung der Kosten erzielt wird.
Aus Gründen der Einfachheit und um eine Überladung der Figur
zu vermeiden, ist das Abdeckungsgebiet 104 als einzelne
Schicht gezeigt; es sollte jedoch verständlich sein, daß das
Abdeckungsgebiet 104 aus mindestens zwei Komponenten gemacht
ist, die epitaxial auf dem verteilten Bragg-Reflektor 103
verteilt oder abgelagert ist. Als erstes wird eine Schicht
irgendeines geeigneten Materials, wie beispielsweise Indium-
Aluminium-Gallium-Phosphid, das eine passende Dicke hat und
ähnlich wie der verteilte Bragg-Reflektor 103 dotiert ist,
epitaxial auf dem verteilten Bragg-Reflektor 103 abgelagert.
Beispielsweise wird eine n-dotierte Indium-Aluminium-Gallium-
Phosphidschicht (IN.₄₉AlxGa.51-xP) epitaxial auf dem verteil
ten Bragg-Reflektor 103 abgelagert. Im allgemeinen hat die
Aluminium-Gallium-Phosphid-Schicht eine Dicke, die durch die
Wellenlänge des Lichtes bestimmt wird, das vom VCSEL 101 ab
gestrahlt werden soll, um es somit zu gestatten, daß die In
dium-Aluminium-Gallium-Phosphidschicht jede geeignete Dicke
aufweist. Als zweites wird eine Schicht irgendeines geeigne
ten Materials, wie beispielsweise undotiertes Indium-Alumi
nium-Gallium-Phosphid, das eine passende Dicke hat, epitaxial
auf der ersten Schicht des Abdeckungsgebietes 104 abgelagert.
Aus Gründen der Einfachheit ist das aktive Gebiet 106 als ei
ne einzelne Schicht dargestellt, die epitaxial auf dem Ab
deckungsgebiet 104 abgelagert oder verteilt ist; es sollte
jedoch verständlich sein, daß das aktive Gebiet 106 mehrere
Schichten von Barrieregebieten mit verteilten Mengenvertie
fungsgebieten umfassen kann. In Form eines einfachen Bei
spiels ist das aktive Gebiet 106 aus mindestens zwei Barrie
reschichten und einem Mengenvertiefungsgebiet hergestellt,
wobei das Mengenvertiefungsgebiet zwischen den beiden Barrie
regebieten angeordnet ist. Die Mengenvertiefung ist aus undo
tierten Indium-Gallium-Phosphid (InGaP) und die Barrierege
biete sind aus Indium-Aluminium-Gallium-Phosphid (InAlGaP)
hergestellt. Typischerweise umfaßt das aktive Gebiet 106 drei
bis fünf Mengenvertiefungen mit ihren entsprechenden Barrie
regebieten.
Aus Gründen der Einfachheit und um eine Überladung der Figur
zu verhindern, ist das Abdeckungsgebiet 107 als einzelne
Schicht gezeigt; es sollte jedoch verständlich sein, daß das
Abdeckungsgebiet 107 aus zwei Komponenten hergestellt ist,
die auf dem aktiven Gebiet 106 verteilt oder epitaxial abge
lagert sind. Als erstes wird eine Schicht irgendeines geeig
neten undotierten Abdeckmaterials epitaxial in einer passende
Dicke auf den aktiven Gebiet 106 abgelagert. Als zweites wird
eine Schicht irgend eines geeigneten dotierten Abdeckmateri
als epitaxial auf dem undotierten Abdeckmaterial abgelagert.
Es ist beispielsweise eine undotierte Indium-Aluminium-Galli
um-Phosphid-Schicht (In·49AlxGa·51-xP) epitaxial auf dem ak
tiven Gebiet 106 abgelagert. Im allgemeinen hat das undo
tierte Indium-Aluminium-Gallium-Phosphid eine Dicke, die
durch die Wellenlänge des Lichtes bestimmt wird, das vom
VCSEL 101 abgestrahlt werden soll, um es somit zu ermögli
chen, daß die Aluminium-Gallium-Arsenid-Schicht jede geeig
nete Dicke annehmen kann. Danach wird eine dotierte Indium-
Aluminium-Gallium-Phosphid-Schicht (In·49AlxGa·51-xP) epita
xial auf der undotierten Schicht abgelagert. Die dotierte
Schicht ist im allgemeinen mit einem p-leitenden Dotiermittel
dotiert.
Das Kontaktgebiet 109 wird durch das Anordnen irgendeines ge
eigneten Materials auf dem verteilten Bragg-Reflektor 108,
wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxyd, Gold, Platin oder der
gleichen, ausgebildet. Es sollte verständlich sein, daß in
Abhängigkeit vom gewählten Material das spezielle Verfahren
der Anordnung und der Musterbildung des spezifischen Mate
rials sich beim Bilden des Kontaktgebietes 109 ändert.
Fig. 2 ist eine vereinfachte graphische Darstellung der Re
flektivität über der Wellenlänge für mehrere Beispiele ver
schiedener Materialkompositionen des VCSELs 101. Jede Linie
210, 220 und 230 stellt eine unterschiedliche Materialzusam
mensetzung der wechselnden Schichten 111, 112 und 117, 118
der verteilten Bragg-Reflektoren 103 und 108 dar, wie das in
Fig. 1 gezeigt ist.
Betrachtet man die Linie 210, die eine Materialzusammenset
zung von In·49Al·1Ga·41P/In·49Al·5P hat, so kann man sehen,
daß die Bandbreite, das ist die Breite der ansprechenden Fre
quenzen, viel schmäler ist, als bei der Linie 220 oder der
Linie 230, wobei sie auch eine niedrigere Reflektivität hat.
Betrachtet man die Linie 220, die eine Materialzusammenset
zung von Al·5Ga·5As/AlAs hat, so kann man sehen, daß sich die
Bandbreite verbessert hat; die Bandbreite der Linie 220 ist
aber nicht so gut, wie das in Linie 230 gezeigt ist.
Betrachtet man die Linie 230, die eine Materialzusammenset
zung von In·49Al·1Ga·41P/AlAs hat, so kann man sehen, daß die
Bandbreite besser ist als bei der Linie 210 und der Linie
220, so daß die Materialzusammensetzung der Linie 230 bevor
zugt wird.
Es sollte jedoch verständlich sein, daß jede der Linien 210,
220 und 230 für das Reflektieren von Licht im sichtbaren
Spektrum verwendbar ist. Es sollte ferner verständlich sein,
daß obwohl drei spezielle Beispiele gezeigt wurden, andere
Materialzusammensetzungen möglich sind.
Während spezielle Ausführungsformen der vorliegenden Erfin
dung gezeigt und beschrieben wurden, können weitere Modifika
tionen und Verbesserungen von Fachleuten vorgenommen werden.
Die vorliegende Erfindung soll somit nicht auf die hier ge
zeigten speziellen Formen beschränkt sein, sondern es sollen
in den angefügten Ansprüchen alle Modifikationen abgedeckt
sein, die nicht von der Idee und dem Umfang dieser Erfindung
abweichen.
Claims (18)
1. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für das sichtbare
Licht, gekennzeichnet durch:
ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
einen ersten verteilten Bragg-Reflektor (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleitersubstrats (102) an geordnet ist, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Indium-Aluminium-Galli um-Phosphids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
ein erstes Abdeckungsgebiet (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
ein aktives Gebiet (106), das auf dem ersten Abdeckungs gebiet (104) angeordnet ist;
ein zweites Abdeckungsgebiet (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
einen zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, bei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wechselnde Schichten (117, 118) eines Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) einen zweiten Dotiertyp und eine zweite Do tierkonzentration aufweist; und
ein Kontaktgebiet (109), das auf dem zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
einen ersten verteilten Bragg-Reflektor (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleitersubstrats (102) an geordnet ist, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Indium-Aluminium-Galli um-Phosphids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
ein erstes Abdeckungsgebiet (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
ein aktives Gebiet (106), das auf dem ersten Abdeckungs gebiet (104) angeordnet ist;
ein zweites Abdeckungsgebiet (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
einen zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, bei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wechselnde Schichten (117, 118) eines Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) einen zweiten Dotiertyp und eine zweite Do tierkonzentration aufweist; und
ein Kontaktgebiet (109), das auf dem zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
2. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht, wie das in Anspruch 1 beansprucht wurde, weiter da
durch gekennzeichnet, daß der erste Dotiertyp n-leitend ist.
3. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht, wie das in Anspruch 2 beansprucht wurde, weiter da
durch gekennzeichnet, daß das n-leitende Dotiermittel Selen
oder Silicium ist.
4. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht, wie das in Anspruch 2 beansprucht wurde, weiter da
durch gekennzeichnet, daß das n-leitende Dotiermittel
Silicium ist.
5. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht, wie das in Anspruch 1 beansprucht wurde, weiter da
durch gekennzeichnet, daß der zweite Dotiertyp p-leitend ist.
6. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht, wie das in Anspruch 5 beansprucht wurde, weiter da
durch gekennzeichnet, daß das p-leitende Dotiermittel Kohlen
stoff ist.
7. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht, wie das in Anspruch 5 beansprucht wurde, weiter da
durch gekennzeichnet, daß das p-leitende Dotiermittel Zink
ist.
8. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, daß ei
ne prozentuale Zusammensetzung des Indiums im Indium-Alumi
nium-Gallium-Phosphid sich im Bereich von 46 bis 54 Prozent
bewegt, und weiter dadurch gekennzeichnet, daß eine prozen
tuale Zusammensetzung des Galliums im Indium-Aluminium-Galli
um-Phosphid sich im Bereich von 41 bis 61 Prozent bewegt.
9. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 8, weiter dadurch gekennzeichnet, daß die
prozentuale Zusammensetzung des Indiums im Indium-Aluminium-
Gallium-Phosphid sich im Bereich von 44 bis 54 Prozent be
wegt, und weiter dadurch gekennzeichnet, daß die prozentuale
Zusammensetzung des Galliums im Indium-Aluminium-Gallium-
Phosphid sich im Bereich von 46 bis 56 Prozent bewegt.
10. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 9, weiter dadurch gekennzeichnet, daß die
prozentuale Zusammensetzung des Indiums im Indium-Aluminium-
Gallium-Phosphid sich im Bereich von 46 bis 54 Prozent be
wegt, und weiter dadurch gekennzeichnet, daß die prozentuale
Zusammensetzung des Galliums im Indium-Aluminium-Gallium-
Phosphid sich im Bereich von 46 bis 54 Prozent bewegt.
11. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, daß ei
ne prozentuales Zusammensetzung des Aluminiums im Indium-Alu
minium-Gallium-Phosphid sich im Bereich von größer null Pro
zent bis 54 Prozent bewegt.
12. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 11, weiter dadurch gekennzeichnet, daß
sich die prozentuales Zusammensetzung des Aluminiums im Indi
um-Aluminium-Gallium-Phosphid im Bereich von 5 Prozent bis 54
Prozent bewegt.
13. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 12, weiter dadurch gekennzeichnet, daß
sich die prozentuales Zusammensetzung des Aluminiums im Indi
um-Aluminium-Gallium-Phosphid im Bereich von 8 Prozent bis 12
Prozent bewegt.
14. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 1, wobei das erste Abdeckungsgebiet (104)
weiter gekennzeichnet ist durch:
eine dotierte Schicht Indium-Aluminium-Gallium-Phosphid, die auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor abgelagert wird; und
eine undotierte Schicht Indium-Aluminium-Gallium-Phos phid, die über der dotierten Schicht des Indium-Aluminium- Gallium-Phosphids liegt.
eine dotierte Schicht Indium-Aluminium-Gallium-Phosphid, die auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor abgelagert wird; und
eine undotierte Schicht Indium-Aluminium-Gallium-Phos phid, die über der dotierten Schicht des Indium-Aluminium- Gallium-Phosphids liegt.
15. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares
Licht nach Anspruch 14, wobei das aktive Gebiet (106) weiter
gekennzeichnet ist durch:
eine erste Barriereschicht (104) Indium-Aluminium-Gal lium-Phosphid, die auf der undotierten Schicht Indium-Alumi nium-Gallium-Phosphids abgelagert ist, die auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) abgelagert ist;
eine Mengenvertiefungsschicht (quantum well layer) Indi um-Alluminium-Gallium-Phosphids, die die erste Barriere schicht (104) des undotierten Aluminium-Gallium-Phosphids überlagert; und
eine zweite Barriereschicht (107) des Indium-Aluminium- Gallium-Phosphids, die auf der Mengenvertiefungsschicht des Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids angeordnet ist.
eine erste Barriereschicht (104) Indium-Aluminium-Gal lium-Phosphid, die auf der undotierten Schicht Indium-Alumi nium-Gallium-Phosphids abgelagert ist, die auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) abgelagert ist;
eine Mengenvertiefungsschicht (quantum well layer) Indi um-Alluminium-Gallium-Phosphids, die die erste Barriere schicht (104) des undotierten Aluminium-Gallium-Phosphids überlagert; und
eine zweite Barriereschicht (107) des Indium-Aluminium- Gallium-Phosphids, die auf der Mengenvertiefungsschicht des Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids angeordnet ist.
16. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für das sichtbare
Licht, gekennzeichnet durch:
ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
einen ersten verteilten Bragg-Reflektor (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleitersubstrats (102) an geordnet ist, wobei der erste-verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Indium-Aluminium-Galli um-Phosphids und eines Indium-Aluminium-Phosphids umfaßt, wo bei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
ein erstes Abdeckungsgebiet (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
ein aktives Gebiet (106), das auf dem ersten Abdeckungs gebiet (104) angeordnet ist;
ein zweites Abdeckungsgebiet (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
einen zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wechselnde Schichten (117, 118) eines Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids und eines Indium-Aluminium-Phosphids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) einen zweiten Dotiertyp und eine zweite Dotierkonzentration aufweist; und
ein Kontaktgebiet (109), das auf dem zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
einen ersten verteilten Bragg-Reflektor (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleitersubstrats (102) an geordnet ist, wobei der erste-verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Indium-Aluminium-Galli um-Phosphids und eines Indium-Aluminium-Phosphids umfaßt, wo bei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
ein erstes Abdeckungsgebiet (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
ein aktives Gebiet (106), das auf dem ersten Abdeckungs gebiet (104) angeordnet ist;
ein zweites Abdeckungsgebiet (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
einen zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wechselnde Schichten (117, 118) eines Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids und eines Indium-Aluminium-Phosphids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) einen zweiten Dotiertyp und eine zweite Dotierkonzentration aufweist; und
ein Kontaktgebiet (109), das auf dem zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
17. VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für das sichtbare
Licht, gekennzeichnet durch:
ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
einen ersten verteilten Bragg-Reflektor (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleitersubstrats (102) an geordnet ist, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Aluminium-Gallium-Arse nids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
ein erstes Abdeckungsgebiet (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
ein aktives Gebiet (106), das auf dem ersten Abdeckungs gebiet (104) angeordnet ist;
ein zweites Abdeckungsgebiet (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
einen zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, bei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wechselnde Schichten (117, 118) eines Aluminium-Gallium-Arsenids und eines Alumi nium-Arsenids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Re flektor (108) einen zweiten Dotiertyp und eine zweite Dotier konzentration aufweist; und
ein Kontaktgebiet (109), das auf dem zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
einen ersten verteilten Bragg-Reflektor (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleitersubstrats (102) an geordnet ist, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Aluminium-Gallium-Arse nids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
ein erstes Abdeckungsgebiet (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
ein aktives Gebiet (106), das auf dem ersten Abdeckungs gebiet (104) angeordnet ist;
ein zweites Abdeckungsgebiet (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
einen zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, bei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wechselnde Schichten (117, 118) eines Aluminium-Gallium-Arsenids und eines Alumi nium-Arsenids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Re flektor (108) einen zweiten Dotiertyp und eine zweite Dotier konzentration aufweist; und
ein Kontaktgebiet (109), das auf dem zweiten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
18. Verfahren zur Herstellung eines VCSELs mit verteilten
Bragg-Reflektoren für sichtbares Licht, gekennzeichnet durch
folgende Schritte:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
Ausbildung eines ersten verteilten Bragg-Reflektors (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleiter substrats (102) angeordnet ist, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids und eines Aluminium-Arse nids umfaßt, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
Ausbildung eines ersten Abdeckungsgebiets (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
Ausbildung eines aktiven Gebiets (106), das auf dem er sten Abdeckungsgebiet (104) angeordnet ist;
Ausbildung eines zweiten Abdeckungsgebiets (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
Ausbildung eines zweiten verteilten Bragg-Reflektors (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wech selnde Schichten (117, 118) des Indium-Aluminium-Gallium- Phosphids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) einen zweiten Dotier typ und eine zweite Dotierkonzentration aufweist; und
Ausbildung eines Kontaktgebiets (109), das auf dem zwei ten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (102), das eine erste Oberfläche (105) und eine zweite Oberfläche (110) hat;
Ausbildung eines ersten verteilten Bragg-Reflektors (103), der auf der ersten Oberfläche (105) des Halbleiter substrats (102) angeordnet ist, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) wechselnde Schichten (111, 112) eines Indium-Aluminium-Gallium-Phosphids und eines Aluminium-Arse nids umfaßt, wobei der erste verteilte Bragg-Reflektor (103) einen ersten Dotiertyp und eine erste Konzentration aufweist;
Ausbildung eines ersten Abdeckungsgebiets (104), das auf dem ersten verteilten Bragg-Reflektor (103) angeordnet ist;
Ausbildung eines aktiven Gebiets (106), das auf dem er sten Abdeckungsgebiet (104) angeordnet ist;
Ausbildung eines zweiten Abdeckungsgebiets (107), das auf dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist;
Ausbildung eines zweiten verteilten Bragg-Reflektors (108), der auf dem zweiten Abdeckungsgebiet (107) angeordnet ist, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) wech selnde Schichten (117, 118) des Indium-Aluminium-Gallium- Phosphids und eines Aluminium-Arsenids umfaßt, wobei der zweite verteilte Bragg-Reflektor (108) einen zweiten Dotier typ und eine zweite Dotierkonzentration aufweist; und
Ausbildung eines Kontaktgebiets (109), das auf dem zwei ten verteilten Bragg-Reflektor (108) angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/616,359 US5706306A (en) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | VCSEL with distributed Bragg reflectors for visible light |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19708992A1 true DE19708992A1 (de) | 1997-10-30 |
Family
ID=24469093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19708992A Withdrawn DE19708992A1 (de) | 1996-03-15 | 1997-03-05 | VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares Licht |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5706306A (de) |
JP (1) | JPH104243A (de) |
KR (1) | KR100469546B1 (de) |
CN (1) | CN1166067A (de) |
DE (1) | DE19708992A1 (de) |
TW (1) | TW345766B (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10017337C2 (de) * | 2000-04-07 | 2002-04-04 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente |
DE19919382C2 (de) * | 1998-08-31 | 2002-04-25 | Agilent Technologies Inc | Halbleiterlaser mit codotierten verteilten Bragg-Reflektoren |
DE10122063B4 (de) * | 2000-05-24 | 2017-11-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung |
DE102013204964B4 (de) | 2012-03-22 | 2022-05-25 | Palo Alto Research Center Incorporated | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Laser mit Reflektor mit hohem Reflexionsvermögen und begrenzter Bandbreite |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6243407B1 (en) | 1997-03-21 | 2001-06-05 | Novalux, Inc. | High power laser devices |
US5953362A (en) * | 1997-12-15 | 1999-09-14 | Pamulapati; Jagadeesh | Strain induce control of polarization states in vertical cavity surface emitting lasers and method of making same |
US6160830A (en) * | 1998-03-04 | 2000-12-12 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser device and method of manufacture |
US20010040907A1 (en) * | 1998-06-12 | 2001-11-15 | Utpal Kumar Chakrabarti | Optical device including carbon-doped contact layers |
GB2344457B (en) | 1998-12-02 | 2000-12-27 | Arima Optoelectronics Corp | Semiconductor devices |
GB2344456B (en) * | 1998-12-02 | 2000-12-27 | Arima Optoelectronics Corp | Semiconductor devices |
US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
US6621842B1 (en) | 1999-10-15 | 2003-09-16 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for long wavelength semiconductor lasers |
NL1015714C2 (nl) * | 2000-07-14 | 2002-01-15 | Dsm Nv | Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur. |
EP1298461A1 (de) * | 2001-09-27 | 2003-04-02 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Halbleiter Verteilten Bragg-Reflektor mit GaP und Halbleiterbauelement mit einem Resonanzhohlraum und einer solchen VBR |
US6853012B2 (en) * | 2002-10-21 | 2005-02-08 | Uni Light Technology Inc. | AlGaInP light emitting diode |
US6845116B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-01-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Narrow lateral waveguide laser |
CN1319175C (zh) * | 2003-01-17 | 2007-05-30 | 中国科学院半导体研究所 | 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 |
US7177021B2 (en) * | 2004-09-14 | 2007-02-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated radiation sources and amplifying structures, and methods of using the same |
US7307719B2 (en) * | 2004-09-14 | 2007-12-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Wavelength-tunable excitation radiation amplifying structure and method |
US7339666B2 (en) * | 2004-09-14 | 2008-03-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light-amplifying structures and methods for surface-enhanced Raman spectroscopy |
US7408967B2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-08-05 | Emcore Corporation | Method of fabricating single mode VCSEL for optical mouse |
US7511808B2 (en) * | 2006-04-27 | 2009-03-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Analyte stages including tunable resonant cavities and Raman signal-enhancing structures |
CN102169392B (zh) * | 2010-02-26 | 2013-01-23 | 深圳华映显示科技有限公司 | 触控面板及触控感测方法 |
US9112331B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Surface emitting laser incorporating third reflector |
US9112332B2 (en) | 2012-06-14 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Electron beam pumped vertical cavity surface emitting laser |
EP3011646A4 (de) * | 2013-06-20 | 2017-03-08 | Hewlett-Packard Enterprise Development LP | Modusgesteuertes lasersystem |
WO2015128254A1 (en) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting semiconductor devices with getter layer |
CN106876590A (zh) * | 2017-02-06 | 2017-06-20 | 华南师范大学 | 一种新型透明有机光伏电池 |
EP3514898A1 (de) | 2018-01-19 | 2019-07-24 | Koninklijke Philips N.V. | Vertikalresonator-oberflächenemissionslaservorrichtung mit integrierter fotodiode |
CN109038215A (zh) * | 2018-08-28 | 2018-12-18 | 深亮智能技术(中山)有限公司 | 一种双氧化孔径的高功率高速垂直腔面发射激光器 |
CN112544021B (zh) * | 2019-07-08 | 2024-02-06 | 泉州市三安光通讯科技有限公司 | 半导体激光光束整形器 |
CN113589322A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-11-02 | 太原理工大学 | 一种面向多线激光雷达的vcsel线性阵列 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5568499A (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Sandia Corporation | Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors |
-
1996
- 1996-03-15 US US08/616,359 patent/US5706306A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-24 TW TW086100793A patent/TW345766B/zh active
- 1997-02-19 KR KR1019970004977A patent/KR100469546B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-02-28 CN CN97103105A patent/CN1166067A/zh active Pending
- 1997-03-05 JP JP9069147A patent/JPH104243A/ja active Pending
- 1997-03-05 DE DE19708992A patent/DE19708992A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19919382C2 (de) * | 1998-08-31 | 2002-04-25 | Agilent Technologies Inc | Halbleiterlaser mit codotierten verteilten Bragg-Reflektoren |
DE10017337C2 (de) * | 2000-04-07 | 2002-04-04 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente |
DE10122063B4 (de) * | 2000-05-24 | 2017-11-02 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung |
DE102013204964B4 (de) | 2012-03-22 | 2022-05-25 | Palo Alto Research Center Incorporated | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Laser mit Reflektor mit hohem Reflexionsvermögen und begrenzter Bandbreite |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1166067A (zh) | 1997-11-26 |
KR100469546B1 (ko) | 2005-04-25 |
US5706306A (en) | 1998-01-06 |
JPH104243A (ja) | 1998-01-06 |
KR970068060A (ko) | 1997-10-13 |
TW345766B (en) | 1998-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19708992A1 (de) | VCSEL mit verteilten Bragg-Reflektoren für sichtbares Licht | |
DE69329223T2 (de) | Seitlich emittierende Superlumineszenzdiode | |
DE4135813C2 (de) | Oberflächenemittierende Halbleiter-Laservorrichtung | |
DE69025273T2 (de) | Lichtemittierende Diode mit lichtreflektierender Schicht | |
DE69214423T2 (de) | Verwendung einer Halbleiterstruktur als lichtemittierende Diode | |
DE19629920B4 (de) | Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor | |
DE69105079T2 (de) | Stegwellenleiterlaser mit vergrabener Heterostruktur und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3587496T2 (de) | Lumineszenzdiode mit kantenemission. | |
DE69312360T2 (de) | Infrarotes Licht emittierende Halbleitervorrichtung mit in bezug auf die Spaltungsflächen schrägen Seitenflächen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE10126307A1 (de) | Vertikal emittierende Hohlraumflächen Laservorrichtung | |
DE102018211355A1 (de) | Halbleiterlaservorrichtung | |
DE19911717A1 (de) | Monolithisches elektrolumineszierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19756856A1 (de) | Halbleiterlichtemissionsvorrichtung mit hoher Lichtemissionswirksamkeit | |
DE69412693T2 (de) | Laserdiode mit vertikalem Resonator | |
DE10244986B4 (de) | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement | |
DE19807783A1 (de) | Bauelement mit einem Lichtsender und einem Lichtempfänger | |
DE60012592T2 (de) | Halbleiterlaser und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69023813T2 (de) | Optisches System unter Verwendung eines Halbleiterlasers mit abstimmbarer Wellenlänge. | |
DE102007063957B3 (de) | Strahlung emittierender Halbleiterchip | |
DE102004029423A1 (de) | Halbleiterlaserelement | |
EP2617110B1 (de) | Laserdiode mit hoher effizienz | |
DE102005046417A1 (de) | Halbleiterlichtemittiervorrichtung mit engem Strahlungsspektrum | |
EP3918679A1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung von laserstrahlung | |
DE2634330A1 (de) | Lichtemittierende halbleiterdiode | |
DE69109397T2 (de) | Methode zur herstellung einer optischen halbleitervorrichtung mit vergrabener mesa-struktur. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |