DE19708254A1 - Verfahren zum Bearbeiten eines organischen Films - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bear­ beitung eines organischen Films und insbesondere ein Bear­ beitungsverfahren zum Ausbilden kleiner Löcher in einem Filmsubstrat, das aus einem organischen Isolierfilm aus Po­ lyimid und einer Leitungsschicht aus Kupferfolie gebildet ist und als Substrat zur Filmverpackung eines LSI oder als organisches Filmsubstrat zur Verwendung in einem Printer­ kopf u. dgl. geeignet ist.

Mehrlagen-Verdrahtungsplattentechniken wurden zur LSI-Ver­ packung in Personalcomputern und hochintegrierten Computern entwickelt, und zum Zweck der Reduktion von Vorrichtungsko­ sten und zum Beschleunigen von Packungsvorrichtungen ist es heutzutage gewünscht, daß eine hochdichte Packungstechnik unter Verwendung eines Isolierfilms mit guter Hochfrequenz­ charakteristik in die Praxis umgesetzt wird. Insbesondere wurde ein Verfahren zum Ausbilden kleiner Durchgangslöcher in einem Filmsubstrat aus einem organischen Film und einer daranhaftenden Metallschicht gesucht, das sich durch hohen Durchsatz und geringe Kosten auszeichnet.

Desweiteren wurde bei einer Anwendung für einen Tinten­ strahldrucker u. dgl. ein Verfahren zum Ausbilden einer großen Anzahl von kleinen Durchgangslöchern in einem orga­ nischen Filmsubstrat mit einer Dicke von etwa 100 µm bei geringen Kosten und hohen Durchsätzen gesucht.

Als ein derartiges Verfahren zur Bearbeitung eines organi­ schen Films haben die Erfinder ein Verfahren zum Ausbilden hochzuverlässiger Durchgangslöcher vorgeschlagen. Gemäß diesem Vorschlag hat ein Durchgangsloch, das in einem Film­ substrat aus einem organischen Isolierfilm und einer lei­ tenden Schicht gebildet ist, ein hohes Seitenverhältnis, und keine Isolierschicht verbleibt an der Schnittstelle zwischen dem organischen Isolierfilm und der Leitungs­ schicht. Insbesondere wird das Substrat, das aus dem Isolierfilm, der eine organische Substanz enthält, besteht, in einem Bereich, in dem ein Sack- oder Durchgangsloch auszu­ bilden ist, mit einem Pulslaserstrahl einer Wellenlänge bestrahlt, die durch das Substrat absorbierbar ist, wobei ein Restfilm am Boden des Durchgangsloches im bestrahlten Bereich anschließend durch Bestrahlung mit einem zweiten Pulslaserstrahl mit einer Pulsweite von 200 Nanosekunden oder weniger verdampft und entfernt wird, wobei anschlie­ ßend das Substrat mit Ultraschallwaschung gewaschen wird, um eine Abscheidung an der Seitenwand des Durchgangsloches zu waschen und zu entfernen, wodurch kleine Durchgangs­ löcher mit hohem Durchsatz gebildet werden.

Bei dem bekannten Verfahren zur Bildung von Durchgangslö­ chern ist jedoch das Ultraschallwaschen in dem Endschritt erforderlich, wodurch die Anzahl von Schritten erhöht wird und es schwierig ist, die Produktionskosten zu senken.

Bei einer Anwendung zur Ausbildung von kleinen Durchgangs­ löchern in einem Printerkopf muß die Bearbeitung in einer Bedingung erfolgen, daß Halteteile für den Mechanismus auf dem Isolierfilm angeordnet sind und aufgrunddessen eine Lö­ sungsbehandlung, die für den Ultraschallwaschprozeß erfor­ derlich ist, in einigen Fällen nicht angewendet werden kann.

Es ist somit eine Aufgabe der Erfindung ein Verfahren zur Bearbeitung eines organischen Films zu schaffen, bei dem ein organischer Film mit geringen Kosten mit nur einem La­ serbestrahlungsprozeß behandelt werden kann, ohne einen Naßprozeß zu erfordern.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird zur Lösung dieser Aufgabe ein Verfahren zur Behandlung und Ausbildung eines organischen Films geschaffen mit den Schritten der Ein­ strahlung eines ersten Pulslaserstrahls mit einer Puls­ breite einer ersten vorgegebenen Zeit auf ein Filmsubstrat, das aus einer Isolierschicht, die eine organische Substanz enthält, und einer Metallschicht, die darauf geschichtet ist, besteht, in einem Bereich zur Ausbildung von Sack- oder Durchgangslöchern auf dem Filmsubstrat, um eine Reak­ tion der thermischen Zersetzung eines vom Laserstrahl be­ strahlten Bereichs der Isolierschicht und der Erzeugung ei­ nes Gases aufgrund der thermischen Zersetzung zu bewirken, und Einstrahlen eines zweiten Pulslaserstrahls einer zwei­ ten vorgegebenen Zeitdauer auf den Bereich der Isolier­ schicht, auf den der erste Pulslaserstrahl eingestrahlt wurde, um Restfilm am Boden des Sack- oder Durchgangsloches zu verdampfen und zu entfernen, wobei der zweite Pulslaser­ strahl eine Strahlfleckgröße aufweist, die größer ist als des ersten Pulslaserstrahls, um sich in einen Bereich aus­ zudehnen, der einen thermisch denaturierten Bereich der Isolierschicht abdeckt.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Bearbeitung eines Films, der eine organi­ sche Substanz enthält (im Folgenden als organischer Film bezeichnet) vorgeschlagen, mit den Schritten der Einstrah­ lung eines ersten Pulslaserstrahls mit einer Pulsbreite ei­ ner ersten vorgegegebenen Zeit auf den organischen Film in einem Bereich zur Ausbildung von Sack- oder Durchgangs­ löchern in dem organischen Film, um Reaktionen der thermi­ schen Zersetzung des Bereichs, der durch den ersten Laser­ strahl bestrahlt wurde, des organischen Films und/oder der Erzeugung eines Gases aufgrund der thermischen Zersetzung zu bewirken, und Einstrahlen eines zweiten Pulslaserstrahls mit einer Strahlfleckgröße, die größer ist als die des er­ sten Pulslaserstrahls, um sich in einen Bereich auszudeh­ nen, der einen thermisch denaturierten Bereich des organi­ schen Films abdeckt, und mit einer Pulsbreite einer vorge­ gebenen zweiten Zeitdauer, auf dem Bereich des organischen Films, der von dem ersten Pulslaserstrahl bestrahlt wurde.

Bei dem ersten bekannten Verfahren zur Ausbildung von Durchgangslöchern in einem Substrat aus einem Isolierfilm und einem leitenden Film, der darauf geschichtet ist, ist es bekannt, daß ein Restfilm auf dem Boden des Sackloches durch Bestrahlen mit einem Kurzpulslaserstrahl verdampft und entfernt werden kann. Der Strahl zum Verdampfen und zum Entfernen hat jedoch die gleiche Strahlfleckgröße wie der erste Pulslaserstrahl und folglich verbleibt, selbst nach der Bestrahlung mit dem zweiten Pulslaserstrahl, die Ab­ scheidung auf der Seitenwandung des Durchgangsloches, so daß selbst nach der Bestrahlung mit dem zweiten Laserpuls­ strahl der Ultraschallwaschprozeß erforderlich ist, um die Abscheidung auf der Seitenwandung des Loches zu entfernen.

Im Gegensatz dazu kann der Ultraschallwaschprozeß zur Ent­ fernung der Abscheidung auf der Seitenwandung des Durch­ gangsloches erspart werden, was sicherstellt, daß kleine Durchgangslöcher mit einer reduzierten Anzahl von Schritten mit hoher Steuerbarkeit und einem hohen Durchsatz erzeugt werden können. Gemäß der vorliegenden Erfindung kann auf jeden Naßprozeß während des Bearbeitungsprozesses verzich­ tet werden, wie oben beschrieben worden ist, und aufgrund­ dessen kann die Art der Objekte, bei denen die vorliegende Erfindung angewandt werden kann, erhöht werden, und die Erfindung angewandt werden kann, erhöht werden, und die Herstellungskosten können vorteilhafterweise deutlich redu­ ziert werden.

Die Fig. 1A bis 1E erläutern diagrammartig Schritte ei­ nes Bearbeitungsprozesses gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die beigefügten Zeich­ nungen beispielhaft erläutert.

Ein Bearbeitungsprozeß gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist diagrammartig in der Reihenfolge der Bearbei­ tungsschritte in den Fig. 1A bis 1E dargestellt.

Bezugnehmend auf die Fig. 1A bis 1E ist ein zu bearbei­ tendes Substrat ein Filmsubstrat zum Packen, das aus einem Polyimidfilm 2 mit einer Dicke von 30 µm und einer Kupfer­ schicht 3 mit einer Dicke von 10 µm gebildet ist. Während der Einstrahlung eines Laserstrahls wird das Substrat bear­ beitet während Stickstoffgas mit einer Flußrate von 10 l/min auf den bestrahlten Bereich des Substrates einströmt.

In einem ersten Schritt, wie in Fig. 1A dargestellt ist, wird ein erster Pulslaserstrahl 1 mit einer Pulsbreite von 0,3 ms, der durch Modulieren eines Argonlaserstrahls einer Wellenlänge von 515 nm mittels eines Ultraschallmodulators erhalten wird, in einer Bestrahlungsfleckgröße von 40 µm und mit zwei Schüssen in Bestrahlungsintervallen von 10 ms eingestrahlt. Die Strahlintensität beträgt 500 kW/cm².

Die ausgearbeitete Form nach der Bestrahlung mit dem ersten Pulslaser ist in der Schnittdarstellung in Fig. 1B darge­ stellt. Gemäß Fig. 1B hat ein Loch VH einen Bodendurchmes­ ser von 40 µm und einen oberen Durchmesser von 70 µm. Eine zersetzte Substanz 4 mit etwa 30 µm Dicke ist auf der Sei­ ein dünner Restfilm 7 aus denaturiertem Polyimid verbleibt auf dem Boden des Lochs.

In einem folgenden zweiten Schritt, wie in Fig. 1C darge­ stellt ist, wird ein zweiter Pulslaserstrahl 5, der aus ei­ ner zweiten höheren harmonischen eines QswYAG-Lasers gebil­ det ist (mit einer Bestrahlungsfleckgröße von 70 µm, einer Pulsbreite von 10 ns und einer Bestrahlungsspitzenlei­ stungsdichte von 100 MW/cm²) mit einem oder mehreren Schüs­ sen eingestrahlt.

Die Bearbeitungsform nach der Bestrahlung durch den zweiten Pulslaserstrahl 5 ist in der Schnittdarstellung in Fig. 1D dargestellt. Wie dort dargestellt ist, ist nicht nur der Restfilm 7 auf dem Boden des Durchgangsloches, sondern auch die Abscheidung 4 auf der Seitenwandung des Durchgangslo­ ches verdampft und entfernt, so daß ein Durchgangsloch mit einer glatten Seitenwandung gebildet ist. Durch Betrachtung mittels eines Elektronenmikroskopes wurde keine Abscheidung auf der Seitenwandung 8 des Loches festgestellt.

Durch Einbetten von Kupfer in das so gebildete Loch durch elektrolytisches Plattieren kann das Loch 6 gut mit Kupfer mit etwa 100%iger Ausbeute ausgefüllt werden, und mit ho­ her Reproduzierbarkeit, wie in Fig. 1E dargestellt ist. Dies beweist zusätzlich, daß das Loch gemäß der Erfindung mit hoher Reproduzierbarkeit geformt und die Abscheidungen vollständig entfernt werden können.

Im Fall eines Vergleichsbeispiels, bei dem der zweite Puls­ laserstrahl 5 mit derselben Bestrahlungsfleckgröße wie beim ersten Laserpulsstrahl 1, die 40 µm betrug, bestrahlt wur­ de, kann der Restfilm am Boden vollständig entfernt werden, jedoch die Abscheidung auf der Seitenwandung des Durch­ gangsloches konnte nicht entfernt werden.

In dem vorstehenden Ausführungsbeispiel wurde die Erfindung mit Bezug auf die Ausbildung von Löchern in dem Substrat zum Packen elektronischer Teile dargestellt, jedoch wird ein zweites Ausführungsbeispiel als ein Beispiel beschrie­ ben, das auf die Öffnung von kleinen Löchern in einem Poly­ imidfilm von etwa 100 µm Dicke gerichtet ist, der in der Praxis in einer Anwendung für einen Printerkopf u. dgl. verwendet wird.

In diesem Ausführungsbeispiel wird eine Laserstrahlquelle die wie im ersten Ausführungsbeispiel ausgebildet ist, zum Öffnen von Durchgangslöchern in einem Polyimidfilm verwen­ det.

Die Bedingungen für das Einstrahlen des ersten Pulslaser­ strahls 1 in einem ersten Schritt (siehe Fig. 1A) umfassen eine Strahlfleckgröße von 40 µm, eine Pulsbreite von 0,3 ms, eine Anzahl von Pulsen von 6 Schüssen, ein Bestrah­ lungsintervall von 10 ms und eine Bestrahlungsintensität von 500 kW/cm².

Die Bedingungen zum Bestrahlen mit einem zweiten Pulslaser­ strahl 5 in einem zweiten Schritt (vgl. Fig. 1C) umfassen eine Bestrahlungsstrahlfleckgröße von 120 µm, eine Puls­ breite von 10 ns und eine Bestrahlungsspitzenleistungs­ dichte von 100 MW/cm² in einem Schuß.

Das erhaltene Durchgangsloch hat einen Bodendurchmesser von 80 µm und einen oberen Durchmesser von 110 µm. Da der in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel verwendete Polyimid­ film von dem Verpackungssubstrat sich dadurch unterschei­ det, daß ihm eine Kupferfolie mit hoher Wärmeleitfähigkeit fehlt, steigt der Durchgangslochdurchmesser seitlich auf­ grund von thermischer Diffusion in dem Polyimidfilm, wobei jedoch irgendeine Abscheidung nicht auf der Durchgangsloch-Sei­ tenwandung nach der Bestrahlung mit dem zweiten Laser­ strahl 5 verbleibt, und eine Tendenz in Richtung auf eine glattere Seitenwandung als im ersten Ausführungsbeispiel ist zu beobachten.

Bei der Ausbildung der Durchgangslöcher für einen Printer­ kopf u. dgl. sind eine höhere Glätte der Seitenwandung und eine Steuerbarkeit des Neigungswinkels des Durchgangslochs wichtig, um den Tintenfluß zu steuern. Das Verfahren zur Bildung von Sack- oder Durchgangslöchern gemäß dem vorste­ henden Ausführungsbeispiel kann eine höhere Ebenheit der Seitenwandung sicherstellen und ermöglicht es, den Nei­ gungswinkel in Übereinstimmung mit der Anzahl von Schüssen des ersten Pulslaserstrahls 1 zu ändern und hat sich als praktisch effektive Methode herausgestellt.

Der erste Pulslaserstrahl hat eine Pulsweite im Bereich von 10 µs bis 20 ms. Der Grund dafür liegt darin, daß, da das Durchgangsloch thermisch ausgebildet wird, falls die Puls­ breite weniger als 10 µs beträgt, die Wärme an der Oberflä­ che der Isolationsschicht diffundiert, wenn sie durch den Laserstrahl bestrahlt wird, und eine zum Ausbilden von Sack- oder Durchgangslöchern erforderliche Wärmequantität nicht erreicht werden kann, und ferner, falls die Puls­ breite größer ist als 20 ms, die Wärme die unterliegende Metallschicht beschädigt, da die Wärmequantität zu groß ist, und es nicht als Produkt verwendbar ist.

Der zweite Pulslaserstrahl hat eine Strahlintensität mit weniger als etwa 200 ns Pulsbreite und mehr als etwa 10 MW/cm² Spitzenleistungsdichte. Der Grund dafür liegt darin, daß die Unterlagsschicht und die Durchgangsloch-Seitenwan­ dung nachteilig beeinflußt werden, falls die Pulsbreite des Pulslaserstrahls größer wird. Desweiteren wird eine Spit­ zenleistungsdichte von etwa 10 MW/cm² oder mehr als Mini­ malintensität zum Entfernen der thermisch zersetzten Ab­ scheidung der Isolierschicht von dem Lochboden, die durch den ersten Laserstrahl durch Strahlung erzeugt wurde, ver­ wendet, und wenn die geringere Intensität bei der Bestrah­ lung verwendet wird, ist es nicht möglich, den thermisch zersetzten Teil zu entfernen.

Die Pulsbreite des ersten Laserpulsstrahls wird zum thermi­ schen Zersetzen des organischen Films verwendet. Eine Puls­ breite im Bereich von 10 µs bis 20 ms ist angemessen. Der Grund dafür wird im Folgenden angegeben. Beim Abrasionsver­ fahren, das zur Bearbeitung des organischen Films allgemein bekannt ist, wird ultraviolettes Licht mit einer Pulsbreite von etwa 20 ns und etwa 0,5 µm der geringeren Absorptions­ länge des Laserstrahls verwendet. Bei der Einstrahlung des ersten Pulslaserstrahls gemäß der Erfindung, da anderer­ seits der Laserstrahl zu einer bestimmten Dicke von mehr als einigen Mikrometern zur Ausbildung eines tiefen Loches mit einem Schuß des Pulses andauert, falls eine plötzliche Wärmeentwicklung durch einen kurzen Pulsstrahl ausgelöst wird, wird eine explosive Zersetzungsreaktion durch die La­ serenergie ausgelöst, die in der Tiefenrichtung des Films absorbiert wird, und durch den Schock wird das Problem ei­ nes Bruches in dem organischen Film in der Nähe des Umfangs des bestrahlten Bereichs verursacht. Desweiteren wird bei dem Abrasionsverfahren eine leitende Substanz auf den bear­ beiteten Seitenwandungen gebildet. Demgegenüber wird im Vergleich der vorliegenden Erfindung mit der Pulsbreite, die beim Abrasionsverfahren verwendet wird, eine relativ längere Pulsbreite verwendet, und als Ergebnis wird ein Vorteil erhalten, das in einfacher Weise und ohne Schwie­ rigkeiten die Zersetzungsschicht auf der Seitenwandung durch die langsame thermische Zersetzungsreaktion entfernt werden kann, wodurch keine Brüche durch den Schock auftre­ ten. Experimentell wurde herausgefunden, daß zum Vermeiden des Auftretens von Brüchen der Seitenwandungsleitungs­ schicht eine Pulsbreite von mehr als 10 µs angemessen war.

Andererseits wird bei der Obergrenze der Pulsbreite der Be­ strahlung mit dem ersten Pulslaser das Problem auftreten, daß, aufgrund des Effektes der Wärmediffusion innerhalb des Films, die Grenze zwischen dem Wärmezersetzungsbereich zu weit in Richtung nach außen ausgedehnt wird, was eine Ver­ minderung der Steuerbarkeit des Prozeßdurchmessers mit sich bringt und eine Verschlechterung des Seitenverhältnisses (aspect ratio) des zu bildenden Durchgangsloches und daß die Wärmequantität, die zur Kupferfolie am Boden des Sub­ strats transportiert wird, verursacht, daß die Kupferfolie in der Nähe des Umfangs des bestrahlten Bereiches leicht abgeschält wird. Als Ergebnis der experimentellen Überprü­ fung der Pulsbreite zum Vermeiden dieser Probleme wurde herausgefunden, daß die Pulsbreite von weniger als 20 ms das Problem der Steuerbarkeit des obengenannten Bearbei­ tungsdurchmessers und das Problem des Abschälens der lei­ tenden Substanz am Boden des Substrats vermeidet.

Da andererseits der Zweck der zweiten Pulslaserbestrahlung in dem Herausblasen durch den thermischen Schock der Zer­ setzung des bestrahlten Bereichs der Seitenwandung des or­ ganischen Films, der durch die erste Pulslaserstrahlung ge­ bildet ist, und in der Entfernung des Restfilms am Bodenbe­ reich des Durchgangsloches besteht, ist es angemessen, dieselbe Pulsbreite wie bei dem normalen Abrasionsverfah­ ren anzuwenden, und eine Pulsbreite von typisch etwa 20 ns oder von etwa längstens 200 ns ist angemessen.

Erfindungsgemäß können, wie oben beschrieben wurde, kleine Satz- oder Durchgangslöcher vorteilhafterweise mit einer geringen Anzahl von Schritten mit hoher Steuerbarkeit und hohem Durchsatz gebildet werden, und desweiteren ist kein Naßschritt während des Bearbeitungsprozesses erforderlich, was die Art von Werkstücken deutlich erhöht und deutlich die Produktionskosten vorteilhaft senkt.

Claims (8)

1. Verfahren zum Bearbeitung eines organischen Films mit den Schritten:
Einstrahlen eines ersten Pulslaserstrahls mit einer Puls­ breite einer ersten vorgegebenen Zeitdauer auf ein Filmsub­ strat aus einer Isolierschicht, die eine organische Sub­ stanz enthält, und einer darauf laminierten Metallschicht, in einen Lochbildungsbereich des Filmsubstrats, um Reaktio­ nen zum thermischen Zersetzen des durch den Laserstrahl be­ strahlten Bereichs der Isolierschicht und zur Erzeugung ei­ nes Gases aufgrund der thermischen Zersetzung zu bewirken, und
Einstrahlen eines zweiten Pulslaserstrahls einer zweiten vorgegebenen Zeitdauer auf den Bereich der Isolierschicht, in den der erste Pulslaserstrahl eingestrahlt wurde, zum Verdampfen und Entfernen eines Restfilms auf dem Boden des Loches,
wobei der zweite Pulslaserstrahl eine Strahlfleckgröße auf­ weist, die größer ist, als die des ersten Pulslaserstrahls, um sich in einen Bereich zu erstrecken, der eine thermisch denaturierte Fläche des Isolierfilms abdeckt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die vorgegebene Zeitdauer des ersten Pulslaserstrahls eine Pulsbreite im Bereich von 10 µs bis 20 ms ist, und wo­ bei der zweite Pulslaserstrahl eine Strahlintensität mit weniger als etwa 200 ns Pulsbreite und mehr als 10 MW/cm² Spitzenleistungsdichte aufweist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, mit weiterhin den Schritten:
Aufsprühen eines Gases in den Laserbestrahlungsbereich.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Bestrahlungsfleckgröße des zweiten Pulslaser­ strahls so eingestellt ist, daß sie einen Außendurchmesser, nahe der Isolierschicht, die eine organische Substanz ent­ hält, oder der Oberfläche des Films, eines thermisch zer­ setzten Abscheidungsproduktes erreicht, das auf einer Sei­ tenwandung in der Nähe einer Öffnungskante durch die Be­ strahlung des ersten Pulslaserstrahls erzeugt wurde.

5. Verfahren zum Bearbeiten eines Films, der eine organi­ sche Substanz enthält, mit den Schritten:
Einstrahlen eines ersten Pulslaserstrahls mit einer Puls­ breite einer vorgegebenen Zeitdauer auf den organischen Film in einem Lochbildungsbereich des organischen Films, um zumindest Reaktionen der thermischen Zersetzung eines er­ sten Laserstrahlbereichs des organischen Films und der Er­ zeugung eines Gases aufgrund der thermischen Zersetzung auszulösen, und
Einstrahlen eines zweiten Pulslaserstrahls mit einer Strahlfleckgröße, die größer ist als die des ersten Pulsla­ serstrahls, um sich in einen Bereich zu erstrecken, der eine thermisch denaturierte Fläche des organischen Films abdeckt, und mit einer Pulsbreite einer zweiten vorgegebe­ nen Zeitdauer auf dem durch den ersten Pulslaserstrahl be­ strahlten Bereich des organischen Films.

6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die vorgegebene Zeitdauer des ersten Pulslaserstrahls eine Pulsbreite im Bereich von 10 µs bis 20 ms ist, wobei der zweite Pulslaserstrahl eine Bestrahlungsintensität mit weniger als 200 ns Pulsbreite und mehr als etwa 10 MW/cm² Spitzenleistungsdichte aufweist.

7. Bearbeitungsverfahren für einen organischen Film gemäß Anspruch 5 mit weiterhin dem Schritt des Aufsprühens eines Gases auf den durch den Laserstrahl bestrahlten Bereich.

8. Verfahren zum Bearbeiten eines organischen Films nach Anspruch 5, wobei die Strahlfleckgröße des zweiten Pulsla­ serstrahls so eingestellt ist, daß sie einen Außendurchmes­ ser nahe der Isolierschicht, die eine organische Substanz enthält, oder der Oberfläche des Films eines thermisch zer­ setzten Abscheidungsprodukts erreicht, das in einer Seiten­ wandung nahe einer Öffnungskante durch die Einstrahlung des ersten Pulslaserstrahls erzeugt wurde.