DE10307309B4

DE10307309B4 - Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mittels Laser

Info

Publication number: DE10307309B4
Application number: DE10307309A
Authority: DE
Inventors: Sebastien Edmé; Stefan Lesjak; Eddy Dr. Roelants
Original assignee: Hitachi Via Mechanics Ltd
Current assignee: Via Mechanics Ltd
Priority date: 2003-02-20
Filing date: 2003-02-20
Publication date: 2007-06-14
Anticipated expiration: 2023-02-21
Also published as: CN1753755A; DE10307309A1; WO2004073917A1; AU2003294733A1; CN100448594C; KR20050103951A; JP2006513862A; EP1594651A1; US20040164057A1; US6849823B2

Abstract

Vorrichtung zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mit
einer Werkstückaufnahme (5) zur Halterung und Positionierung des Substrats (10),
einer Laserquelle (1) mit einem diodengepumpten, gütegesteuerten, gepulsten Festkörperlaser einer Wellenlänge zwischen 266 nm und 1064 nm,
der eine Laserstrahlung (2) in folgenden Wertebereichen abzugeben vermag:
einer Pulswiederholfrequenz zwischen 1 kHz und 1 MHz,
einer Pulslänge von 30 ns bis 200 ns und
einer mittleren Laserleistung von ca. 0,1 W bis ca. 5 W, ferner mit einer im Strahlengang des Lasers angeordneten Ablenkeinheit (3), die Ablenkgeschwindigkeiten bis zu 600 mm/s ermöglicht,
einer Abbildungseinheit (4) und
einer Steuerung, welche in der Lage ist, je nach Anwendungsfall den Laser mit unterschiedlichen Kombinationen von mittlerer Laserleistung und Wiederholfrequenzen zu betreiben.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mit

– einer Werkstückaufnahme zur Halterung und Positionierung des Substrats,
– einer Laserquelle mit einem diodengepumpten, gütegesteuerten, gepulsten Festkörperlaser,
– einer Ablenkeinheit,
– einer Abbildungseinheit und
– einer Steuerung zur Einstellung der Betriebskenngrößen des Lasers.

Es ist grundsätzlich bekannt, bei der Bearbeitung von Leiterplatten und vergleichbaren elektrischen Schaltungssubstraten die Energie eines Laserstrahls einzusetzen. So ist aus der US 5 593 606 die Verwendung eines W-Lasersystems mit einem kontinuierlich gepumpten, gütegeschalteten Nd:YAG-Laser zum Bohren von Mikrolöchern in einem Mehrschichtsubstrat bekannt. Typischerweise werden dort Wiederholfrequenzen von bis zu 5 kHz verwendet.

Aus der EP 931 439 B1 ist ein Verfahren zur Bildung von mindestens zwei Verdrahtungsebenen auf elektrisch isolierenden Unterlagen bekannt, wobei ein Laser, vorzugsweise eine Nd-YAG-Laser sowohl zum Bohren von Sacklöchern als auch zur Strukturierung von Leiterbahnen verwendet wird. Bei der Bildung von Leiterbahnen kann entweder die Metallschicht selbst unmittelbar durch den Laser durch partielles Abtragen strukturiert werden, oder es ist auch möglich, eine auf der Metallschicht liegenden Ätzresistschicht mit dem Laser partiell abzutragen und den dadurch freigelegten Bereich der Metallschicht dann abzuätzen.

Grundsätzlich ist es daneben auch bereits bekannt, Laserstrahlung zum Belichten von Fotoresistschichten zu verwenden. In der EP 1 115 031 A2 wird zu diesem Zweck vorgeschlagen, beispielsweise einen Titan-Saphir-Laser mit Wiederholraten von mehr als 80 MHz einzusetzen, der einen quasi kontinuierlichen UV-Laserstrahl erzeugt.

Je nach Anwendungsfall werden demnach unterschiedliche Lasersysteme eingesetzt, die einen erheblichen Investitionsaufwand bedingen, wenn in einer Leiterplattenfertigung verschiedene Bearbeitungsverfahren nebeneinander zur Anwendung kommen sollen.

Aus der WO 01 26 435 A1 ist eine Einrichtung bekannt, die speziell zum Laserbohren von Laminaten mit einer Metallschicht und einer aus organischem Material bestehenden Dielektrikumsschicht ausgelegt ist. Hieraus ist aber nur eine Vorrichtung zum Bohren ersichtlich was wiederum oben genannte Nachteile aufweist.

Des Weiteren zeigt die DE 197 37 808 A1 ein Verfahren zur Strukturierung und Herstellung von Leiterplatten, wobei der Laser mit einer Wellenlänge von 1064nm lediglich zum Materialabtrag bestimmt ist, wobei sowohl die Strukturierung von Metallschichten als auch das Durchtrennen des Grundsubstrats mit dem gleichen Laser erfolgen kann.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Lasersystem und ein entsprechendes Laser-Bearbeitungsverfahren anzugeben, welches ohne kostspielige Zusatzinvestitionen und aufwendige Umrüstungen die Bearbeitung von Substraten mit den unterschiedlichsten Laser-Verfahren ermöglicht.

Erfindungsgemäß wird dieses Ziel erreicht mit einer Vorrichtung zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mit

– einer Werkstückaufnahme zur Halterung und Positionierung des Substrats,
– einer Laserquelle mit einem diodengepumpten, gütegesteuerten, gepulsten Festkörperlaser einer Wellenlänge zwischen 266 und 1064 nm, der eine Laserstrahlung in folgenden Wertebereichen abzugeben vermag: – einer Pulswiederholfrequenz zwischen 1 kHz und 1 MHz, 30 – einer Pulslänge von 30 ns bis 200 ns und – einer mittleren Laserleistung von ca. 0,1 W bis ca. 5W,
– ferner mit einer Ablenkeinheit, die Ablenkgeschwindigkeiten bis zu 600 mm/s ermöglicht,
– einer Abbildungseinheit und
– einer Steuerung, welche in der Lage ist, je nach Anwendungsfall den Laser mit unterschiedlichen Kombinationen von mittlerer Laserleistung und Wiederholfrequenzen zu betreiben.

Durch die erfindungsgemäß vorgesehene Auswahl des Lasers mit einem bisher nicht bekannten Spektrum der Kennwerte und einer Steuerung, die für die jeweils vorgesehene Art der Substratbearbeitung eine vorgegebene Kombination an Kenndaten einzustellen vermag, ist es möglich, alle für die Leiterplattenbearbeitung vorkommenden Laser-Bearbeitungsschritte, wie Bohren, Abtragen von Metallschichten oder von Ätzresistschichten bis hin zum bloßen Belichten von fotoempfindlichen Lacken, mit einer einzigen Laserquelle vorzunehmen. Entsprechend vereinfacht sich der Aufwand für die Bereitstellung von Fertigungseinrichtungen und für die Umrüstungen zwischen verschiedenen Fertigungsschritten.

Vorzugsweise wird die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einem Laser mit einer Wellenlänge zwischen 350 und 550 nm, insbesondere einem W-Laser mit 355 nm Wellenlänge, betrieben.

Wie erwähnt, können für bestimmte, in Betracht kommende Bearbeitungsschritte vorgegebene Kombinationen der Laser-Kennwerte vorgesehen werden. So kann der Laser eine erste Betriebsart zum Abtragen von Schichten aufweisen, bei der er mit einer mittleren Laserleistung von etwa 1 bis 2 W und einer Wiederholfrequenz von etwa 60 bis 80 kHz betrieben wird. Dabei sei angemerkt, daß die etwas höhere Laserleistung und die etwas geringere Wiederholfrequenz für das Strukturieren von beispielsweise metallischen Schichten und die etwas geringere Laserleistung von etwa 1 W mit der etwas höheren Wiederholfrequenz von 80 kHz für das Abtragen von nichtmetallischen Schichten, wie Lötstoplack, kombiniert wird. In einer zweiten Betriebsart zum Bohren von Löchern in metallischen und dielektrischen Schichten des Schaltungssubstrats kann der Laser beispielsweise auf eine mittlere Laserleistung von 3 bis 4 W und eine Wiederholfrequenz von 10 bis 30 kHz eingestellt werden. In einer dritten Betriebsart zum Belichten von fotosensitiven Schichten wird der Laser auf eine wesentliche geringere Laserleistung in der Größenordnung von etwa 100 mW bei einer Wiederholfrequenz von 200 kHz bis 1 MHz eingestellt.

Als Ablenkeinheit dient zweckmäßigerweise eine Galvanometer-Spiegeleinheit, die die hohen Ablenkgeschwindigkeiten von typischerweise 300 bis 600 mm/s ermöglicht. Mit einer geeigneten Kombination von Laserleistung und Fleckdurchmesser ist auch eine wesentlich höhere Ablenkgeschwindigkeit einsetzbar. Mit diesen Geschwindigkeiten wird der Laserstrahl beim Strukturieren von Schichten im wesentlichen linear bewegt, während beim Bohren Kreisbewegungen in bekannter Weise ausgeführt werden.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Bearbeitung eines elektrischen Schaltungssubstrates, wobei ein Laser mit einer Wellenlänge zwischen etwa 266 und etwa 1064 nm, einer Pulswiederholrate zwischen 1 kHz und 1 MHz, einer Pulslänge zwischen 30 ns und 200 ns und einer mittleren Laserleistung zwischen ca. 0,1 W und ca. 5 W verwendet wird, weist folgende Schritte auf

– das Substrat wird auf einer Werkstückaufnahme fixiert und positioniert,
– der Laserstrahl wird über eine Steuereinheit auf eine der folgenden Betriebsarten eingestellt: a) Bohren von Löchern mit einer mittleren Laserleistung von 3 bis 5 W, einer Wiederholfrequenz von etwa 10 bis 30 kHz und einer Pulslänge von etwa 30 bis 50 ns, b) Strukturieren von metallischen oder dielektrischen Schichten mit einer mittleren Laserleistung von 1 bis 2 W, einer Wiederholfrequenz von etwa 50 bis 90 kHz, vorzugsweise 60 bis 80 kHz, und einer Pulslänge von etwa 50 bis 60 ns, c) Belichten einer fotosensitiven Schicht mit einer mittleren Laserleistung von annähernd 0,1 W, einer Wiederholfre quenz von 200 kHz bis 1 MHz und einer Pulslänge von 100 bis 200 ns, vorzugsweise 120 ns,
– das Substrat wird mit dem Laserstrahl in der eingestellten Betriebsart bearbeitet, wobei der Laserstrahl mittels einer Galvospiegel-Ablenkeinheit mit einer Geschwindigkeit von 300 bis 600 mm/s bewegt wird.

In einer bevorzugten Ausgestaltung wird die in der Betriebsart c) belichtete fotosensitive Schicht in einem weiteren Schritt entwickelt, und danach werden die nicht belichteten Flächen der Schicht entfernt.

Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert:
Es zeigt
1 den schematischen Aufbau einer erfindungsgemäß gestalteten Laser-Bearbeitungsvorrichtung mit einem zum Bohren von Löchern vorgesehenen Substrat,
2 ein schematisch dargestelltes Substrat, bei dem mit dem Laserstrahl eine Ätzresistschicht strukturiert und das freigelegte Muster anschließend geätzt wird,
3 ein schematisch gezeigtes Substrat, bei dem eine metallische Oberflächenschicht unmittelbar mit dem Laserstrahl strukturiert wird,
4 ein schematisch dargestelltes Substrat, bei dem eine auf eine Metallschicht aufgebrachte fotosensitive Schicht mit dem Laser belichtet wird, und
5 ein Substrat in Draufsicht, bei dem gemäß 4 eine Spur mit einem Laser belichtet und dann ausgewaschen werde.
In 1 ist der Aufbau einer Laserbearbeitungsvorrichtung schematisch gezeigt. Kernstück ist ein Laser 1, der als diodengepumpter, gütegesteuerter, gepulster Festkörperlaser für die Zwecke der Erfindung ausgelegt ist. Der von dieser Laserquelle ausgehende Laserstrahl 2 wird über eine Ablenkeinheit 3 mit zwei Galvospiegeln 31 und 32 und eine vorzugsweise aus einer Linse gebildete Abbildungseinheit 4 einem Substrat 10 zugeführt, das auf einer Aufnahmevorrichtung 5, vornehmlich einem nach allen Richtungen verstellbaren Positioniertisch, angeordnet ist. Zur Steuerung der Vorrichtung dient eine Steuereinheit 6, welche sowohl den Laser 1 als auch die Ablenkeinheit 3 und die Aufnahmeeinrichtung 5 entsprechend der gewünschten Bearbeitung steuert.
In der Regel wird das Werkstück, nämlich das Substrat, mit der Aufnahmeeinrichtung 5, also dem Positioniertisch, in horizontaler Richtung in eine derartige Position gebracht, daß ein bestimmtes, zur Bearbeitung vorgesehenes Feld des Substrats in den Wirkungsbereich des Laserstrahls 2 gelangt (X-Y-Positionierung). Außerdem ist es möglich, durch eine vertikale Verstellung des Positioniertisches 5 das Substrat je nach gewünschter Fokussierung des Laserstrahls in den Fokus der Abbildungseinheit 4 oder in einen vorgegebenen Abstand vom Fokus zu bringen. Während der Laserbearbeitung wird das Substrat in der eingestellten Position gehalten, da die Bewegungen auf dem zu bearbeitenden Feld durch Ablenkung des Laserstrahls über die Ablenkeinheit 3 vorgenommen werden. Durch die Ablenkung über Galvospiegel sind wesentlich höhere Geschwindigkeiten erreichbar als durch Verstellung des Positioniertisches 5, der eine relativ große Masse besitzt. Die Ablenkung des Laserstrahls 2 auf dem zu bearbeitenden Feld des Substrats 10 wird also von der Steuereinheit 6 über die Galvospiegel 31 und 32 vorgenommen. Ferner sind in der Steuereinrichtung Programme gespeichert, mit denen der Laser 1 für die jeweiligen Anwendungszwecke auf bestimmte Kombinationen von Leistungsdaten eingestellt wird.
Im Beispiel von 1 sei angenommen, daß in dem Substrat 10 Löcher, sog. Vias, in Form von Durchgangslöchern oder Sacklöchern gebohrt werden sollen. Das Substrat besitzt eine mittlere dielektrische Schicht 11 sowie auf der Oberseite und der Unterseite jeweils eine metallische Schicht 12 bzw. 13. Nimmt man an, daß ein Sackloch 14 durch die metallische Schicht 12 und die dielektrische Schicht 11 gebohrt werden soll, so wird der Laser so eingestellt, daß er eine mittlere Laserleistung von beispielsweise 3,5 bis 4 W bei einer Wiederholfrequenz von 10 bis 30 kHz und einer Pulslänge von 30 bis 50 ns abgibt. Der Laser selbst ist in diesem Fall vorzugsweise ein W-Laser mit 355 nm Wellenlänge. Es könnte aber auch ein Laser mit einer Wellenlänge von 532 nm verwendet werden. Ist der Laser nun auf die vorgegebene Leistung für die Bohrbetriebsart eingestellt, so werden die erforderlichen Löcher 14 in dem Substrat 10 gebohrt, wobei beispielsweise der Laserstrahl eine bestimmte Anzahl von Kreisbewegungen ausführen muß, um einerseits die metallische Schicht 12 und andererseits die dielektrische Schicht 11 in dem gewünschten Bohrloch abzutragen.
Soll nun auf dem Substrat 10 in einem anderen Arbeitsgang eine Strukturierung durch Ätzen von Leiterbahnen vorgenommen werden, so kann gemäß 2 auf die Metallschicht 12 zunächst eine Ätzresistschicht 15 aufgebracht werden, welche mit dem Laser nach einem vorgegebenen Muster in Bereichen 15a abgetragen wird, damit in diesen Bereichen die Metallschicht 12 freiliegt und danach abgeätzt werden kann. Der Laserstrahl, der in dieser Figur als 2-2 bezeichnet ist, wird über die Steuereinheit so eingestellt, daß er zum Abtragen des Ätzresists beispielsweise eine mittlere Laserleistung von etwa 1 W bei einer Wiederholfrequenz von 80 kHz und einer Pulslänge von 60 ns aufweist. Diese Werte sind nur Beispielsangaben, da die genaue Einstellung im einzelnen von der abzutragenden Schicht, ihrer Beschaffenheit, ihrer Dicke und dergleichen, abhängt.
In 3 ist beispielsweise gezeigt, wie mit einem Laserstrahl 2-3 eine Metallschicht 12 unmittelbar nach einem vorgegebenen Leiterbahnmuster strukturiert, d.h. partiell abgetragen wird. Die metallische Schicht 12 bleibt also nur dort bestehen, wo Leiterbahnen gewünscht sind, während in den Bereichen 12a die dielektrische Schicht 11 freigelegt ist. Zu diesem Zweck wird der Laserstrahl 2-3 über die Steuereinrich tung so eingestellt, daß er beispielsweise eine mittlere Leistung von 1,5 W bei einer Wiederholfrequenz von 60 kHz und einer Pulslänge von etw. 50 ns aufweist. Auch in diesem Fall hängt die genaue Einstellung von der Beschaffenheit und der Dicke der abzutragenden Metallschicht 12 ab.
In 4 schließlich ist gezeigt, wie auf dem Substrat eine Strukturierung mittels Fotolithografie durchgeführt werden kann. Hierbei wird auf der Metallschicht 12 zunächst eine fotosensitive Schicht 16 aufgebracht, welche mit einem Laserstrahl 2-4 in vorgegebenen Bereichen 16a belichtet wird. Die belichtete Schicht wird danach entwickelt und ausgewaschen, so daß die darunterliegenden Metallschichtbereiche 12a frei liegen und abgeätzt werden können.
5 zeigt als Foto in Draufsicht ein Substrat 10 mit einer fotosensitiven Schicht 16, welche in dem Bereich 16a mit einem Laserstrahl belichtet und dann ausgewaschen wurde. In diesem Beispiel wurde ein unter dem Handelsnamen Probelec bekanntes Photoresist mit einer Empfindlichkeit von 1200mJ/cm² bei einer Laser-Wellenlänge von 355 nm verwendet. Es wurde mit einem frequenzverdreifachten, diodengepumpten Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 355 nm, einer Wiederholfrequenz von 200 kHz und einer Pulsdauer von etwa 100–200 ns mit einer mittleren Laserleistung von etwa 100 mW belichtet. Mit einer Ablenkgeschwindigkeit von etwa 100 bis 600 nm/s wurde so eine Linienbreite von etwa 30 μm belichtet. In 5 ist zu sehen, daß trotz der pulsförmigen Beaufschlagung mit dem Laserlicht ein im wesentlichen gerader Randverlauf des belichteten Streifens 16a erzielt wird. Man erkennt einen inneren Streifen mit der Breite b1, bei dem nach dem Auswaschen die Kupferschicht 12 (4) besonders sauber hervortritt, und den Gesamtstreifen der Beleuchtung mit der Breite b2, dessen Randbereiche entsprechend der Energieverteilung des Laserstrahls etwas schwächer belichtet wurden, jedoch immer noch in ausreichendem Maße belichtet und dann abgetragen wur den, so daß die Metallschicht in voller Breite b2 abgeätzt werden kann.
Durch diese mit der Erfindung gegebene Möglichkeit kann auch die Belichtung mit der gleichen Lasereinrichtung wie die Strukturierung oder das Bohren vorgenommen werden. Dabei sind die erzielbaren Linien und Zwischenräume der angestrebten Strukturen durch den Durchmesser des fokussierten Laserflecks vorgegeben, ferner durch die Empfindlichkeit des Fotoresists und die Wiederholrate der Laserpulse. Mathematisch betrachtet ist die erzielbare Linienbreite eine Faltung der räumlichen Strahlverteilung im Fokus mit der spektralen Empfindlichkeit des Fotoresists. Obwohl es sich um einen gepulsten Laserstrahl handelt, erzielt man durch die Überlagerung der aufeinanderfolgenden Pulse eine gerade, durchgehende Linie. Durch die entsprechende Einstellung der Laser-Wiederholfrequenz und der Ablenkgeschwindigkeit der Galvospiegel wird so erreicht, daß das Fotoresist nicht abgetragen, sondern belichtet wird, so daß der gleiche Effekt wie bei dem häufig verwendeten cw-Ar⁺-Laser erzielt wird. Mit den oben angegebenen Werten kann man beispielsweise Linienbreiten von etwa 30 μm erzeugen.

Claims

Vorrichtung zur Bearbeitung von elektrischen Schaltungssubstraten mit einer Werkstückaufnahme (5) zur Halterung und Positionierung des Substrats (10), einer Laserquelle (1) mit einem diodengepumpten, gütegesteuerten, gepulsten Festkörperlaser einer Wellenlänge zwischen 266 nm und 1064 nm, der eine Laserstrahlung (2) in folgenden Wertebereichen abzugeben vermag: einer Pulswiederholfrequenz zwischen 1 kHz und 1 MHz, einer Pulslänge von 30 ns bis 200 ns und einer mittleren Laserleistung von ca. 0,1 W bis ca. 5 W, ferner mit einer im Strahlengang des Lasers angeordneten Ablenkeinheit (3), die Ablenkgeschwindigkeiten bis zu 600 mm/s ermöglicht, einer Abbildungseinheit (4) und einer Steuerung, welche in der Lage ist, je nach Anwendungsfall den Laser mit unterschiedlichen Kombinationen von mittlerer Laserleistung und Wiederholfrequenzen zu betreiben.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenzeichnet, daß ein Laser mit einer Wellenlänge zwischen 350 und 550 nm, vorzugsweise ein W-Laser mit 355 nm Wellenlänge, verwendet wird.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenzeichnet, daß der Laser eine erste Betriebsart zum Abtragen von Schichten aufweist, bei der er mit einer mittleren Laserleistung von etwa 1 bis 2 W und einer Wiederholfrequenz von etwa 60 bis 80 kHz betrieben wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenzeichnet, daß der Laser eine zweite Betriebsart zum Bohren von Löchern (14) in metalli schen (12) und dielektrischen Schichten (11) des Schaltungssubstrats (10) aufweist, bei der er mit einer mittleren Laserleistung von 3 bis 4 W und einer Wiederholfrequenz von 10 bis 30 kHz betrieben wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser eine dritte Betriebsart zum Belichten von fotosensitiven Schichten (16) aufweist, bei der er mit einer mittleren Laserleistung in der Größenordnung von 100 mW und einer Wiederholfrequenz von 200 kHz bis 1 MHz betrieben wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Ablenkeinheit eine Galvanometer-Spiegeleinheit (3) mit einer Ablenkgeschwindigkeit von 100 bis 600 mm/s verwendet ist.
Verfahren zur Bearbeitung eines elektrischen Schaltungssubstrats, wobei ein Laser (1) mit einer Wellenlänge zwischen etwa 266 nm und etwa 1064 nm, einer Pulswiederholrate zwischen 1 kHz und 1 MHz, einer Pulslänge zwischen 30 ns und 200 ns und einer mittleren Laserleistung zwischen ca. 0,1 W bis ca. 5 W verwendet wird, mit folgenden Schritten: – das Substrat (10) wird auf einer Werkstückaufnahme (5) fixiert und positioniert, – der Laserstrahl (2) wird über eine Steuereinheit (6) auf eine der folgenden Betriebsarten eingestellt: a) Bohren von Löchern (14) mit einer mittleren Laserleistung von 3 bis 5 W, einer Wiederholfrequenz von etwa 10 bis 30 kHz und einer Pulslänge von etwa 30 bis 50 ns, b) Strukturieren bzw. Abtragung von metallischen oder dielektrischen Schichten (15, 12) mit einer mittleren Laserleistung von 1 bis 2 W, einer Wiederholfrequenz von etwa 50 bis 90, vorzugsweise 60 bis 80 kHz, und einer Pulslänge von etwa 50 bis 60 ns, c) Belichten einer fotosensitiven Schicht (16) mit einer mittleren Laserleistung von annähernd 0,1 W, einer Wieder holfrequenz von 200 kHz bis 1 MHz und einer Pulslänge von ca. 100 bis 200 ns, vorzugsweise etwa 120 ns, und – das Substrat wird mit dem Laserstrahl (2) in der eingestellten Betriebsart bearbeitet, wobei der Laserstrahl mittels einer Galvospiegel-Ablenkeinheit (3) mit einer Geschwindigkeit von 300 bis 600 mm/s bewegt wird.
Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Betriebsart c) belichtete fotosensitive Schicht (16) in einem weiteren Schritt entwickelt wird und daß danach die nicht belichteten Bereiche der Schicht (16) entfernt werden.