DE19648063A1

DE19648063A1 - Maske zum Mustern einer Mikrolinse

Info

Publication number: DE19648063A1
Application number: DE19648063A
Authority: DE
Inventors: Euy Hyeon Baek
Original assignee: LG Semicon Co Ltd
Current assignee: MagnaChip Semiconductor Ltd
Priority date: 1996-05-16
Filing date: 1996-11-20
Publication date: 1997-11-20
Anticipated expiration: 2016-11-21
Also published as: KR100209752B1; US5835274A; JPH1074927A; JP3227561B2; KR970077704A; DE19648063B4

Description

Die Erfindung betrifft die Halbleitertechnik, spezieller eine Maske zum Mustern einer Mikrolinse für ein Halbleiter bauteil.

Im allgemeinen wird eine Mikrolinse dazu verwendet, einfal lendes Licht auf eine Oberfläche eines Halbleiterbauteils zu fokussieren. Bei einem Festkörper-Bildsensor ist eine derar tige Mikrolinse jeder Photodiode zugeordnet, damit Licht von einem Objekt durch die Mikrolinse hindurch auf eine zugehö rige Photodiode des Bauteils fokussiert wird, um ein elek trisches Signal zu erzeugen. Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, umfaßt ein Festkörper-Bildsensor eine Vielzahl matrix förmig angeordneter Photodioden, die einfallendes Licht mit tels photoelektrischer Wandlung in ein elektrisches Signal umsetzen, um eine Ladung zu erzeugen; eine Vielzahl vertika ler CCDs (VCCDs), die in Spalten zwischen den Photodioden angeordnet sind, um eine Vertikalübertragung der eingespei cherten Ladungen zu ermöglichen; und ein Horizontal-CCD (HCCD), das in einer Linie mit den Enden der VCCDs ausgebil det ist, um eine Horizontalübertragung der von den VCCDs übertragenen Ladungen zu ermöglichen.

Der Festkörper-Bildsensor umfaßt auch einen Meßverstärker (SA), der das vom HCCD übertragene Bildsignal erfaßt, um ein elektrisches Signal zu erzeugen; Farbfilterschichten und Mikrolinsen über den Photodioden (nicht dargestellt). Nun wird der Aufbau des obengenannten, üblichen Festkörper-Bild sensors im einzelnen unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschrie ben, die eine Schnittansicht entlang der Linie A-A′ in Fig. 1 zeigt.

Bei diesem Festkörper-Bildsensor sind die Photodioden 2 zum Umsetzen einfallenden Lichts in ein elektrisches Signal in einer Matrix so angeordnet, daß sie auf einem Halbleiter substrat 1 einen gegenseitigen Abstand einhalten, und die VCCDs 3 sind zwischen die Photodioden 2 eingefügt. Eine ers te Einebnungsschicht 4 ist dort über dem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet, wo die Photodioden 2 und die VCCDs 3 ausge bildet sind, und auf der ersten Einebnungsschicht 4 ist eine Farbfilterschicht 5 ausgebildet. Auch ist auf der Farbfil terschicht 5 eine zweite Einebnungsschicht 6 ausgebildet, und Mikrolinsen 7 sind auf dieser den Photodioden 2 entspre chend ausgebildet. Diese Mikrolinsen 7 dienen zum Fokussie ren von Licht von einem Objekt in maximaler Weise auf die entsprechenden Photodioden 2.

Die folgende Beschreibung betrifft eine herkömmliche Maske, wie sie zur Mustererzeugung derartiger Mikrolinsen verwendet wird, sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Mikrolinse unter Verwendung der herkömmlichen Maske.

Fig. 3 ist eine Draufsicht auf eine herkömmliche Maske zum Mustern einer Mikrolinse, und Fig. 4 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B′ in Fig. 3. Fig. 5 zeigt die Licht transmissionscharakteristik der herkömmlichen Maske.

Gemäß den Fig. 3 und 4 werden quadratische oder andere rechteckige Lichtsperrschichten 9 auf einem Glassubstrat 8 hergestellt, um zu verhindern, daß Bereiche, in denen Mi krolinsen auszubilden sind, Licht ausgesetzt werden. Betref fend die Lichttransmissionscharakteristik einer herkömmli chen Maske, wie in Fig. 5 dargestellt, sind die Lichtsperr schichten 9 für Licht undurchlässig, während die anderen Be reiche außer diesen Lichtsperrschichten 9 Licht durchlassen.

Nun wird ein Verfahren zum Herstellen einer herkömmlichen Mikrolinse unter Verwendung einer derartigen Maske beschrie ben. Dabei veranschaulichen die Fig. 6A bis Fig. 6C Her stellschritte für eine herkömmliche Mikrolinse.

Wie es in Fig. 6A dargestellt ist, wird eine photoempfindli che Schicht 7a auf die Einebnungsschicht 6 aufgetragen. An schließend wird die photoempfindliche Schicht 7a unter Ver wendung der Maske von Fig. 3 belichtet und entwickelt, um über den Photodiodenbereichen photoempfindliche Muster 7b mit einem vorgegebenen gegenseitigen Abstand auszubilden, wie es in Fig. 6B veranschaulicht ist. Diese photoempfindli chen Muster 7b weisen abhängig von der Form einer Zelle eine quadratische oder anders rechteckige Form aus. Durch Ausfüh ren einer Wärmebehandlung an den photoempfindlichen Mustern 7b, um sie umzuschmelzen, werden Mikrolinsen 7 hergestellt, wie es in Fig. 6C veranschaulicht ist.

Die herkömmlichen, mittels des obigen Prozesses hergestell ten Mikrolinsen weisen die folgenden Nachteile auf.

Wenn der Krümmungsradius einer Mikrolinse klein wird, wird einfallendes Licht auf einen Punkt nahe bei derselben fokus siert. So wird die photoempfindliche Schicht unter Verwen dung einer Maske, die einfach in einen Lichtsperrbereich und einen Lichttransmissionsbereich unterteilt ist, entsprechend der Form einer Zelle mit quadratischer oder anders recht eckiger Form gemustert, und sie wird wärmebehandelt, um eine Mikrolinse herzustellen, wobei sich der Krümmungsradius der selben verringert. Darüber hinaus besteht bei einer mit Rechteckform hergestellten Mikrolinse eine große Differenz zwischen ihrem Krümmungsradius in Breiten- und ihrem Krüm mungsradius in Längenrichtung, wodurch einfallendes Licht nicht fehlerfrei auf die zugehörige Photodiode fokussiert wird, sondern ein Teil des Lichts auf die Einebnungsschicht oder die Farbfilterschicht zwischen der Photodiode und der Mikrolinse fokussiert wird, was zu Lichtverlusten und einer Auflösungsverringerung führt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Maske zum Herstellen einer Mikrolinse zu schaffen, die großen Krüm mungsradius aufweist und bei der die Krümmungsradien in Breiten- und Längenrichtung gleich sein können.

Diese Aufgabe ist durch die Masken gemäß den beigefügten un abhängigen Ansprüchen gelöst.

Die Erfindung wird im folgenden anhand durch Figuren veran schaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt das Layout eines üblichen Festkörper-Bildsen sors;

Fig. 2 zeigt eine Schnittansicht entlang der Linie A-A′ in Fig. 1;

Fig. 3 ist eine Draufsicht auf eine herkömmliche Maske zum Mustern einer Mikrolinse für ein Halbleiterbauteil;

Fig. 4 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B′ in Fig. 3;

Fig. 5 zeigt die Lichttransmissionscharakteristik einer her kömmlichen Maske;

Fig. 6A bis 6C veranschaulichen Herstellschritte für eine herkömmliche Mikrolinse unter Verwendung einer herkömmlichen Maske zum Mustern einer Mikrolinse eines Halbleiterbauteils;

Fig. 7 ist eine Draufsicht auf eine Maske zum Mustern einer Mikrolinse gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbei spiel der Erfindung;

Fig. 8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A′ in Fig. 7;

Fig. 9 zeigt die Lichttransmissionscharakteristik der Maske gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel;

Fig. 10 ist eine Draufsicht auf eine Maske zum Mustern einer Mikrolinse gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbei spiel der Erfindung;

Fig. 11 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B′ in Fig. 10;

Fig. 12A bis 12C veranschaulichen Herstellschritte für eine Mikrolinse mit der Maske gemäß dem ersten bevorzugten Aus führungsbeispiel;

Fig. 13 ist eine Draufsicht auf eine Maske zum Mustern einer Mikrolinse eines Halbleiterbauteils gemäß einem dritten be vorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 14A und 14B sind Schnittansichten eines Photoresistmus ters, wie es unter Verwendung der Maske des dritten bevor zugten Ausführungsbeispiels hergestellt wurde;

Fig. 15A und 15B sind Schnittansichten einer Mikrolinse ge mäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel;

Fig. 16 ist eine Draufsicht zum Veranschaulichen des Aufbaus der Maske von Fig. 13; und

Fig. 17A und 17B zeigen den Krümmungsradius einer herkömmli chen Linse und den Krümmungsradius einer gemäß der Erfindung hergestellten Mikrolinse zum Vergleich.

Erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel

Fig. 7 ist eine Draufsicht auf eine Maske zum Strukturieren einer Mikrolinse eines Halbleiterbauteils gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung, und Fig. 8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A′ in Fig. 7.

Das erste Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft eine Maske zum Strukturieren einer Mikrolinse, wenn eine Zelle quadratische Form aufweist. Eine Haupt-Lichtsperrschicht (Cr) 12, die Licht vollständig ausblendet, ist auf einem Bereich eines Glassubstrats 11, der dem Zentrum einer Mikro linse entspricht, ausgebildet. Diese Haupt-Lichtsperrschicht 12 ist durch mehrere Hilfs-Lichtsperrschichten 13 umschlos sen, die mit vorbestimmten gegenseitigen Abständen ausgebil det sind.

Jede Hilfs-Lichtsperrschicht 13 ist so konzipiert, daß sie regelmäßige Breite aufweist, damit die zu den Hilfs-Licht sperrschichten 13 gestrahlte Lichtintensität um so größer wird, je größer die Intervalle zwischen den Hilfs-Licht sperrschichten 13 sind. Außerdem kann der Abstand zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten 13 um so größer sein, je grö ßer die Intervalle zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten 13 und der Haupt-Lichtsperrschicht 12 sind. Als anderes Verfah ren kann die Breite der äußersten Hilfs-Lichtsperrschicht 13 schmaler als die der anderen sein, wobei der Abstand zwi schen den Hilfs-Lichtsperrschichten 13 konstant ist.

Fig. 9 zeigt graphisch die Lichttransmissionscharakteristik der Maske dieses Ausführungsbeispiels, wobei das durch die Maske gestrahlte Licht die folgenden Eigenschaften aufweist. Die Intensität des einfallenden Lichts nimmt im Bereich der Haupt-Lichtsperrschicht 12 auf einem Wafer ab, und die Lichtintensität ist in Bereichen höher, die von der Haupt-Lichtsperrschicht 12 entfernt sind. Die photoempfindliche Schicht belichtet, wobei die Maske des Ausführungsbeispiels verwendet wird, um ein Muster mit gerundeten Konturen herzu stellen.

Zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel

Fig. 10 zeigt eine Draufsicht einer Maske zum Mustern einer Mikrolinse eines Halbleiterbauteils gemäß einem zweiten be vorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung, und Fig. 11 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B′ in Fig. 10.

Das zweite Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft eine Halbtonmaske zum Mustern einer Mikrolinse, wenn eine Zelle quadratische Form aufweist. Eine Haupt-Lichtsperrschicht (Cr) 12, die Licht vollständig ausblendet, ist quadratisch in einem Bereich eines Glassubstrats ausgebildet, der dem Zentrum einer Mikrolinse entspricht. Diese Haupt-Lichtsperr schicht 12 wird von mehreren Halbton-Lichtsperrschichten 14 umschlossen, die andere Lichttransmission als die Haupt-Lichtsperrschicht 12 aufweisen. Die benachbart zur Haupt-Lichtsperrschicht 12 liegenden Halbton-Lichtsperrschichten 14 bestehen aus einem Material mit niedrigem Lichttransmis sionsvermögen, und die äußerste der Halbton-Lichtsperr schichten 14 besteht aus einem Material mit höherem Licht transmissionsvermögen, als es die anderen Schichten aufwei sen. Die Lichttransmissionscharakteristik der Maske dieses zweiten Ausführungsbeispiels ist dieselbe wie die beim ers ten Ausführungsbeispiel.

Drittes bevorzugtes Ausführungsbeispiel

Fig. 13 zeigt eine Draufsicht auf eine Maske zum Mustern einer Mikrolinse eines Halbleiterbauteils gemäß einem drit ten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Fig. 14A ist eine Schnittansicht entlang der Hauptachse in Fig. 13, und Fig. 14B ist eine Schnittansicht entlang der Nebenachse in Fig. 13. Fig. 15A zeigt die Form einer Linse, gesehen von der Hauptachse aus, sowie ihren Krümmungsradius, und Fig. 15B zeigt die Form einer Linse, gesehen von der Nebenachse aus, und ihren Krümmungsradius. Fig. 16 ist eine Draufsicht zum Veranschaulichen des Aufbaus der Maske von Fig. 13.

Das dritte Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft eine Maske zum Mustern einer Mikrolinse dann, wenn eine Zelle rechteckige Form aufweist, und Hilfs-Lichtsperrschichten 13 sind nur in der Nebenachsenrichtung auf der Zelle ausgebil det. Wenn die Form der Zelle ein Rechteck ist, ist eine ers te Haupt-Lichtsperrschicht 12a so im Zentrum der Zelle aus gebildet, daß sie schmaler als die Zelle ist, und zweite Haupt-Lichtsperrschichten 12b sind an den beiden Seiten der ersten Haupt-Lichtsperrschicht 12a in der Hauptachsenrich tung ausgebildet. Die zweiten Haupt-Lichtsperrschichten 12b verfügen über Trapezform. Mehrere Hilfs-Lichtsperrschichten 13 sind in demjenigen Bereich der Zelle ausgebildet, in dem weder die erste noch die zweite Haupt-Lichtsperrschicht 12a bzw. 12b ausgebildet sind.

Nun wird der Aufbau der Maske gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel detaillierter beschrieben.

Je länger die Intervalle zwischen den Hilfs-Lichtsperr schichten 13 und den Haupt-Lichtsperrschichten sind, desto höher ist das Lichttransmissionsvermögen. Demgemäß wird die Photoresistschicht unter Verwendung der genannten Maske strukturiert, um das Muster der Fig. 14A und 14B herzustel len. Das Photoresistmuster 7b weist in der Hauptachsenrich tung, ohne die Hilfs-Lichtsperrschichten 13, Rechteckverlauf auf, wie in Fig. 14A dargestellt. Das Photoresistmuster 7b in Richtung der Nebenachse, mit den Hilfs-Lichtsperrschich ten 13, weist gerundeten Verlauf auf, wie es in Fig. 14B dargestellt ist. Am Photoresistmuster 7b ist eine Wärmebe handlung ausgeführt, um eine Mikrolinse herzustellen, deren Krümmung in Breitenrichtung so konzipiert werden kann, daß sie mit der in der Längenrichtung übereinstimmt, wie es in den Fig. 15A und 15B dargestellt ist.

Viertes bevorzugtes Ausführungsbeispiel

Ein viertes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft eine Maske zum Mustern einer Mikrolinse im Fall einer rechteckigen Zelle, und auf der Zelle sind Halbton-Lichtsperrschichten ausgebildet, die als Hilfsschichten die nen.

Fünftes bevorzugtes Ausführungsbeispiel

Ein fünftes bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft eine Negativmaske zum Mustern einer Mikrolinse mit demselben Aufbau wie jeweils beim ersten bis vierten bevor zugten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Wenn eine Mikrolinse unter Verwendung einer Negativphotore sistschicht hergestellt wird, unterscheidet sich die Anord nung lichtdurchlässiger und Licht sperrender Schichten in der Maske von der beim ersten bevorzugten Ausführungsbei spiel.

Jede Hilfs-Lichtsperrschicht 13 ist so konzipiert, daß sie regelmäßige Breite aufweist, damit die Lichtintensität um so kleiner wird, je länger die Intervalle zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten 13 und der Haupt-Lichtsperrschicht 12 sind. Außerdem kann der Zwischenraum zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten 13 um so schmaler sein, je länger die Intervalle zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten 13 und der Haupt-Lichtsperrschicht 12 sind. Als anderes Verfahren kann die Breite der äußersten Hilfs-Lichtsperrschichten 13 größer als die der anderen sein, wobei der Abstand zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten 13 gleich ist.

Außerdem kann das zweite Ausführungsbeispiel der Erfindung dadurch modifiziert werden, daß die lichtdurchlässigen und Licht sperrenden Bereiche gegeneinander vertauscht werden. Anders gesagt, wird die Haupt-Lichtsperrschicht 12 ein lichtdurchlässiger Bereich, und mehrere Halbton-Lichtsperr schichten 14 benachbart zur Haupt-Lichtsperrschicht 12 wer den aus einem Material mit hohem Lichttransmissionsvermögen hergestellt, während die äußerste der Halbton-Lichtsperr schichten 14 aus einem Material mit niedrigerem Lichttrans missionsvermögen als dem der anderen Schichten hergestellt wird.

Auch das dritte und vierte Ausführungsbeispiel der Erfindung können so modifiziert werden, daß lichtdurchlässige und Licht sperrende Bereiche gegeneinander vertauscht werden.

Demgemäß sind die Lichttransmissionseigenschaften einer Mas ke zum Mustern einer Mikrolinse entgegengesetzt zu denen, wie sie graphisch in Fig. 9 dargestellt sind. Wenn eine Ne gativphotoresistschicht verwendet wird, ist das Photoresist muster 7b dasselbe wie beim ersten oder zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel.

In den Fig. 12A bis 12C sind Herstellschritte für eine Mi krolinse unter Verwendung einer Maske gemäß einem der Aus führungsbeispiele veranschaulicht.

Die Photoresistschicht 7a wird auf die Einebnungsschicht 6 aufgetragen, wie es in Fig. 12A dargestellt ist. Wenn die Maske des ersten oder zweiten bevorzugten Ausführungsbei spiels verwendet wird, wird eine Positivphotoresistschicht abgeschieden, und wenn die Maske des dritten oder vierten bevorzugten Ausführungsbeispiels verwendet wird, wird eine Negativphotoresistschicht abgeschieden. Gemäß Fig. 12B wird die Photoresistschicht unter Verwendung der Maske gemäß einem der Ausführungsbeispiele 1 bis 4 belichtet und entwi ckelt, um Photoresistmuster 7b mit vorbestimmtem gegenseiti gem Abstand auf den Photodioden herzustellen.

Die Maske zum Mustern einer Mikrolinse hat entweder die Lichttransmissionscharakteristik von Fig. 9, oder eine sol che, die dazu entgegengesetzt ist, und das Photoresistmuster 7b verfügt über eine abgerundete Kontur.

Wie es in Fig. 12C dargestellt ist, wird jedes Photoresistmuster 7b thermisch behandelt, um mittels Umschmelzung eine Mikrolinse 7 herzustellen. Die mittels des obigen Prozesses hergestellte Mikrolinse verfügt über einen größeren Krüm mungsradius als eine herkömmliche Linse.

Die Maske zum Mustern einer Mikrolinse sowie das Verfahren zum Herstellen einer Mikrolinse unter Verwendung dieser Mas ke, wie oben beschrieben, weisen die folgenden Vorteile auf.

Erstens ist, wenn die Form der Zelle quadratisch ist, die Haupt-Lichtsperrschicht der Maske von Hilfs-Lichtsperr schichten umgeben, deren Lichttransmissionsvermögen um so höher ist, je größer die Intervalle zwischen den Haupt- und einer der Hilfsschichten sind. Die Photoresistschicht wird unter Verwendung dieser Maske belichtet und entwickelt, um dadurch ein Photoresistmuster mit abgerundeter Kontur herzu stellen, und durch Umschmelzen des Photoresistmusters wird die Krümmung der Mikrolinse größer als bei einer herkömmli chen Linse, was aus Fig. 17A deutlicher erkennbar ist, die den Krümmungsradius einer durch eine herkömmliche Maske her gestellten Linse zeigt, während Fig. 17B den Krümmungsradius einer durch eine erfindungsgemäße Maske hergestellten Mikro linse zeigt. Daher ermöglichen es mittels der erfindungsge mäßen Maske hergestellte Mikrolinsen, einfallendes Licht fehlerfrei auf entsprechende Photodioden zu fokussieren.

Zweitens kann dann, wenn die Form einer Zelle rechteckig ist, eine herkömmliche Mikrolinse, deren Krümmungsradius in Breitenrichtung von dem in Längenrichtung verschieden ist, einfallendes Licht nicht korrekt auf die entsprechende Pho todiode fokussieren, während bei einer erfindungsgemäßen Mi krolinse der Krümmungsradius in Breitenrichtung ähnlich dem jenigen in Längenrichtung ist, was Verluste einfallenden Lichts ausschließt und eine Verbesserung der Empfindlichkeit und Auflösung gewährleistet, wodurch das Problem von Bild verschmierung beseitigt ist.

Claims

1. Maske zum Mustern einer Mikrolinse, gekennzeichnet durch:

- ein Glassubstrat;
- einen Haupt-Lichtsperrbereich (12; 12a, 12b), der auf einem vorbestimmten Gebiet des Glassubstrats ausgebildet ist; und
- Hilfs-Lichtsperrbereiche (13), die um den Haupt-Licht sperrbereich herum oder auf einem Teil desselben so ausge bildet sind, daß, je größer der Abstand zwischen dem Haupt- und einem jeweiligen Hilfs-Lichtsperrbereich ist, die Inten sität des dort hindurchgestrahlten Lichts um so größer wird.

2. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfs-Lichtsperrbereiche (13) lichtdurchlässig sind und die Intensität der durch die Hilfs-Lichtsperrbereiche hindurch gestrahlten Lichts um so größer wird, je größer der Abstand zwischen dem Haupt-Lichtsperrbereich (12; 12a, 12b) und ei nem jeweiligen Hilfs-Lichtsperrbereichen ist.

3. Maske zum Mustern einer Mikrolinse, gekennzeichnet durch:

- ein Glassubstrat;
- eine Haupt-Lichtsperrschicht (12), die auf einem vorbe stimmten Gebiet des Glassubstrats ausgebildet ist; und
- mehrere Hilfs-Lichtsperrschichten (13), die so ausgebildet sind, daß sie die Haupt-Lichtsperrschicht umgeben.

4. Maske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere der Hilfs-Lichtsperrschichten regelmäßige Breite aufweisen und der Abstand zwischen ihnen um so größer wird, je größer der Abstand zwischen der Haupt- und einer jeweili gen Hilfs-Lichtsperrschicht ist.

5. Maske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten (13) konstant ist und die Breite jeder Hilfs-Lichtsperrschicht um so klei ner ist, je größer der Abstand zwischen der Haupt-Licht sperrschicht (12) und der jeweiligen Hilfs-Lichtsperrschicht ist.

6. Maske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Haupt-Lichtsperrschicht (12) eine lichtdurchlässige Schicht ist und daß mehrere Hilfs-Lichtsperrschichten um diese lichtdurchlässige Schicht herum ausgebildet sind.

7. Maske nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfs-Lichtsperrschichten so konzipiert sind, daß sie re gelmäßige Breite aufweisen, und daß der Abstand zwischen ihnen um so kleiner ist, je größer der Abstand zwischen der lichtdurchlässigen Schicht und der jeweiligen Hilfs-Licht sperrschicht ist.

8. Maske nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten konstant ist und daß die Breite einer jeweiligen Hilfs-Lichtsperrschicht um so kleiner ist, je größer der Abstand zwischen der licht durchlässigen Schicht und der jeweiligen Hilfs-Lichtsperr schicht ist.

9. Maske nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Haupt-Lichtsperrschicht rechtwinklig, speziell quadratisch, oder rund ausgebildet ist.

10. Maske zum Mustern einer Mikrolinse, gekennzeichnet durch:

- ein Glassubstrat;
- eine Haupt-Lichtsperrschicht (12), die in einem vorbe stimmten Gebiet auf dem Glassubstrat ausgebildet ist; und
- mehrere Halbton-Lichtsperrschichten (14), die so ausgebil det sind, daß sie die Haupt-Lichtsperrschichten umgeben.

11. Maske nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbton-Lichtsperrschichten (14) regelmäßige Breite auf weisen und die Lichtdurchlässigkeit jeder derselben um so höher ist, je größer der Abstand zwischen der Haupt-Licht sperrschicht und der jeweiligen Halbton-Lichtsperrschicht ist.

12. Maske nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Haupt-Lichtsperrschicht (12) lichtdurchlässig ist und daß die Lichtdurchlässigkeit jeder Halbton-Lichtsperr schicht (14) um so geringer ist, je größer der Abstand zwi schen der lichtdurchlässigen Schicht und der jeweiligen Halbton-Lichtsperrschicht ist.

13. Maske zum Mustern einer Mikrolinse bei einer rechtecki gen Zellenanordnung, gekennzeichnet durch:

- ein Glassubstrat;
- eine erste Haupt-Lichtsperrschicht (12a), die auf dem Glassubstrats am Zentrum der Zelle so ausgebildet ist, daß sie die Form der Zelle aufweist;
- zweite Haupt-Lichtsperrschichten (12b), die in der Haupt achse mit der ersten Haupt-Lichtsperrschicht verbunden sind und trapezförmig so ausgebildet sind, daß sie an ihren äußersten Enden in der Nebenachse die Breite einer Zelle aufweisen; und
- Hilfs-Lichtsperrschichten (13), die auf demjenigen Bereich der Zelle ausgebildet sind, über dem die erste und zweite Haupt-Lichtsperrschicht nicht ausgebildet sind.

14. Maske nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfs-Lichtsperrschichten (13) so konzipiert sind, daß sie konstante Breite aufweisen, und der Abstand zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten um so kleiner ist, je größer der Abstand zwischen der lichtdurchlässigen Schicht und der je weiligen Hilfs-Sperrschicht ist.

15. Maske nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten so konzi piert ist, daß er konstant ist, und die Breite jeder Hilfs-Lichtsperrschicht um so kleiner ist, je größer der Abstand zwischen der Haupt- und der jeweiligen Hilfs-Lichtsperr schicht ist.

16. Maske nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Haupt-Lichtsperrschicht als lichtdurchlässige Schicht dient und mehrere Hilfs-Lichtsperrschichten um diese licht durchlässige Schicht herum ausgebildet sind.

17. Maske nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite jeder Hilfs-Lichtsperrschicht konstant ist und der Abstand zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten um so kleiner ist, je größer der Abstand zwischen der lichtdurch lässigen Schicht und der jeweiligen Hilfs-Lichtsperrschicht ist.

18. Maske nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände zwischen den Hilfs-Lichtsperrschichten konstant sind und daß die Breite jeder Hilfs-Lichtsperrschicht um so kleiner ist, je größer der Abstand zwischen der lichtdurch lässigen Schicht und der jeweiligen Hilfs-Lichtsperrschicht ist.

19. Maske nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Haupt-Lichtsperrschicht (12a) auf einem Rechteck bereich ausgebildet ist, der vier zentralen Unterteilungen entspricht, die durch Vierteln sowohl der Länge als auch der Breite des Gebiets der rechteckigen Zelle ausgebildet sind, und zwei zweite Haupt-Lichtsperrschichten (12b) über demje nigen Gebiet der Zelle ausgebildet sind, das mit der ersten Haupt-Lichtsperrschicht in der Hauptachse zu verbinden ist, und zwar auf Grundlage einer Diagonalen zwischen den Kanten der ersten Haupt-Lichtsperrschicht und den Kanten der Zelle.