DE19644830C1 - Membran-Drucksensorchip - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Membran-Drucksensorchip gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
Die bisher bekannten Membran-Kraftsensorkombinationen sind in feinwerktechnischer
Fertigung erstellt, bei denen jedoch kein geschlossener Verbund zwischen Membran, dem
Übertragungselement sowie dem Kraftsensor und dem Gehäuse der Drucksensorkapsel
besteht. Diese Ausführungsformen sind jedoch in der Fertigung zu aufwendig, insbesonde
re weil der Kraftsensorchip vorgespannt werden muß und für jeden Chip die erforderliche
Vorspannung separat einzustellen ist.
Aus der DE 40 23 420 A1 ist ein Drucksensor bekannt, der eine scheibenförmige Schutzmembran, ein eben
solches Übertragungselement und einen Kraftsensor aufweist, wobei der Druckwandler in Form einer Deh
nungsmeßstreifenvorrichtung angeordnet ist. Da bei dieser Konzeption die Kraft primär von der oberen
Membran aufgenommen wird, ist diese Anordnung für Hochtemperaturanwendungen wenig geeignet.
Zum weiteren Stand der Technik werden die Druckschriften FR 14 47 317, DD 2 91 398 A5 und US 45 27
428 sowie US 51 93 394 und JP-Abstr. 3-255326 (A) genannt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Membran-Drucksensorchip
der eingangs genannten Art zu schaffen, der hermetisch verkapselt und in seinen Maßen
wesentlich verkleinert ist sowie bei Erwärmung wenig von thermischen Verspannungen
beeinflußt wird.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgezeigten Maßnahmen gelöst. In den
Unteransprüchen sind Ausgestaltungen und Weiterbildungen angegeben, und in der nach
folgenden Beschreibung ist ein Ausführungsbeispiel erläutert sowie in den Figuren der
Zeichnung skizziert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung eines Ausfürungsbeispiels von oben und von
unten gesehen,
Fig. 2 eine perspektivische Explosionsdarstellung der einzelnen Chips in der Sicht
von oben und unten des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 1,
Fig. 3 einen Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel des Drucksensorchips gemäß
Fig. 1,
Fig. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel des Drucksensorchips gemäß Fig. 1, jedoch
mit vorstehendem Trägerteil.
Der allgemeine Erfindungsgedanke sieht vor, einen hermetisch verkapselten
Drucksensorchip mit integrierter Medientrennmembran - beispielsweise für
Kraftstoffe, Verbrennungsgase, Öle oder Bremsflüssigkeit etc. - herzustellen,
wobei diese Membran den Druck auf einen Kraftsensor überträgt. Hierbei sind
die Medientrennmembran und der Kraftsensor miteinander verbunden und die
zwischen diesen beiden liegenden Hohlräume sind gasdicht verschlossen.
Die Fig. 1 und 2 zeigen nun ein Ausführungsbeispiel so eines Drucksensor
chips, einmal von oben gesehen und nebenan von unten gesehen in perspektivi
scher Darstellung. Der Drucksensorchip setzt sich aus drei plattenförmigen,
speziell ausgestalteten Elementen zusammen. Gleich vorweg ist zu sagen, daß
die bisher bekannten in Mikrotechnik hergestellten Sensormembranen einen
Durchmesser von ca. 8 mm haben, wogegen die hier vorgeschlagenen Ausfüh
rungsformen nur mehr einen Durchmesser von 1 bis 2 mm erfordern. Natürlich
wird dem entsprechend auch der Durchmesser des Gesamtchips kleiner.
Das gezeigte Ausführungsbeispiel setzt sich aus einem Schutzmembranchip 10
zusammen, der aus Silizium, Siliziumkarbid, Saphir, Quarz oder einem anderen
mikrostrukturierbaren Material gebildet ist. Die Oberseite ist - wie ersichtlich - glatt
und unstrukturiert und mit einer wärmeleitenden Schicht 10c versehen.
Dieser Schutzmembranchip 10 weist jedoch auf seiner Unterfläche eine Struk
turierung auf, wie sie in Fig. 2 dargestellt ist. Diese einen Hohlraum 10a bil
dende Strukturierung, die nicht nur - wie gezeichnet - rechteckig sein, sondern auch an
dere geometrische Formen haben kann, weist in der Hohlraummitte einen so
genannten "Centerboß" 10b auf, der hier eine rechteckige, geschnittene Pyra
midenform aufweist und mit seiner Oberfläche beim Zusammenbau auf das
entsprechend strukturierte Centerboß-Gegenstück 11b des Kraftsensorchips 11
zur Anlage kommt.
Der vorbeschriebene Schutzmembranchip 10 wird nun deckungsgleich mit dem
Kraftsensorchip 11 verbunden, der aus einem schlecht wärmeleitenden Mate
rial, wie beispielsweise Siliziumoxid oder Glas, besteht oder mit so einem
Material beschichtet ist. Die Strukturierung 11a und 11b an der Oberseite des
Kraftsensorchips 11 ist identisch derjenigen des Schutzmembranchips 10. Wie
vorstehend bereits erwähnt, kommen die Oberflächen der sogenannten
"Centerbosse" 10b und 11b exakt aufeinander zur Anlage. Zu erwähnen ist
noch, daß die schlecht wärmeleitende Zwischenschicht gleichzeitig dazu ge
eignet sein muß, um eine Verbindung - vorzugsweise Bondung - zwischen
Schutzmembranchip 10 und Sensorchip 11 durchführen zu können und so eine
hermetische Verkapselung und bestmögliche Wärmeisolierung zu gewährlei
sten. Die Fläche der Unterseite des Kraftsensorchips 11 ist nun mit Sensorele
menten 11c und Metallisierungen 11d versehen.
Der so gestaltete Kraftsensorchip 11 wird mit einem darunterliegenden Träger
chip 12 deckungsgleich verbunden, wobei der Trägerchip 12 mit einer zu bon
denden Schicht 12d versehen ist, die so strukturiert ist, daß Platz 12a, 12b für
die Membranauswölbung und die Metallisierungen 11d der piezoresistiven
Sensorelemente 11c geschaffen ist. Die Unterseite des Trägerchips 12 ist mit
Aussparungen 12c strukturiert, die zur Aufnahme des Lötmaterials 13 dienen.
Der Kraftsensorchip 11 ist selbst mit dem Schutzmembranchip 10 verbunden
und wird mit dem Lötmaterial 13 elektrisch kontaktiert.
Die - wie oben beschrieben - ausgeführten Sensorchips weisen sehr kleine
geometrischen Abmessungen auf. Vorteil ist, daß nur geringe Massen ausge
lenkt werden müssen, nämlich die Membranen und deren Centerboß. So ist
eine hohe Grenzfrequenz möglich.
Die Schutzmembran 10 muß relativ weich gegenüber dem Kraftsensor sein.
Die hauptsächliche Kraftaufnahme erfolgt durch den piezoresistiven Kraftsen
sor 11c. Damit stören thermisch verursachte Verspannungen in der Schutz
membran 10 das Signal kaum. Der dahinter liegende Kraftsensor 11c erfährt
keine starke Erwärmung, da die Schutzmembran die Wärme aufnimmt und
nach außen ableitet.
Die Halterung beziehungsweise der Träger 14, wie er an einem Ausführungs
beispiel des vorbeschriebenen Drucksensorchips in Fig. 4 angedeutet ist, kann
aus einem geeigneten wärmeleitenden Material gefertigt sein. Dieses Ausfüh
rungsbeispiel ist genauso konzipiert, wie vorstehend beschrieben, nur ist der
Trägerchip 12 mit einem vorstehenden Trägerteil 12e vergrößert, d. h. der Trä
gerchip 12 ist um eine bestimmte, wählbare Fläche größer gegenüber den zen
trisch von ihr aufgenommenen Flächen des Sensorchips 11 und des darüberlie
genden Schutzmembranchips 10. Diese nun vorstehenden Trägerflächenteile
12e geben den Vorteil, daß nur diese auf den Träger 14 (in der Fig. 4 nur als
schraffiertes Rechteck gezeichnet), der auch die Durchführungen für die elektri
schen Leitungen aufweist, festgespannt werden müssen und dadurch eine etwa
durch Erwärmung entstehende laterale Ausdehnung von Schutzmembran und
Sensorchip ungehindert erfolgen kann. Der Träger 14 kann bei einer runden
Ausführungsform des Drucksensorchips ebenfalls entsprechend rund und mit
einer überstehenden ringförmigen Haltefläche 12e ausgestaltet sein. Auch in
diesem Falle ist dieser ringförmige Träger 14 mit den Durchführungen für die
Elektrik versehen und wird mittels eines Spannringes etc. mit dem Drucksen
sorchip festgespannt. Die Verbindung des Chips mit der Halterung bzw. dem
Träger 14 kann nur mit dem Trägerchip 12 allein erfolgen, so daß dann mechani
sche Verspannungen vermieden werden.
Zu erwähnen ist noch, daß der Schutzmembranchip 10 mit einer weiteren
Schutzschicht versehen werden kann, die je nach Konzeption aus Metall,
Diamant, Al₂O₃, Siliziumoxid- oder -nitrid oder Siliziumkarbid gebildet wird.
Weiterhin kann die durch die Verbindung von Träger 12 und Sensorchip 11
entstehende Öffnung 13a direkt beim Bonden oder durch geeignete Methoden,
wie Löten, Sputtern, stromlose Metalldeposition etc. verschlossen werden.
Ferner kann der Drucksensorchip auch mit einer Überlastsicherung ausgerüstet
werden, wobei der Überlastschutz darin besteht, daß die Membran des Sensor
chips 11 bei zu starker Durchbiegung am Trägerchip 12 ansteht und von die
sem gestützt wird.
Claims (5)
1. Drucksensorchip mit einer Schutzmembran und einem
Übertragungselement sowie einem Kraftsensor, wobei der strukturierte
Schutzmembranchip (10) mit dem ebenfalls strukturierten Kraftsensorchip
(11) und einem Trägerchip (12) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die deckungsgleich hermetisch miteinander verbundenen plattenförmigen
Schutzmembran- (10) und Kraftsensor-Chipelemente (11) in ihren
aufeinanderliegenden Flächen identische Hohlräume (10a, 11a) und in diesen
zentrale, in der Form ebenso identisch strukturierte Erhebungen (Centerbosse
10b, 11b) aufweisen, die zur Kraftübertragung exakt aufeinander zur Anlage
kommen, und der Trägerchip (12) mit einer zu bondenden Schicht (12d)
versehen und so strukturiert ist, daß Freiräume (12a, 12b) für die
Membranauswölbung und die Metallisierungen (11d) der piezoresistiven
Sensorelemente (11c) geschaffen sind.
2. Drucksensorchip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Chips (10, 11, 12) aus einem mikrostrukturierbaren Material bestehen und
durch Bonden miteinander verbindbar sind.
3. Drucksensorchip nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Trägerchip (12) an seiner Unterseite mit Aussparungen (12c) für die
Aufnahme des Lötmaterials (13) strukturiert ist und in seiner Flächengröße
gegenüber den mit ihm verbundenen Chips (10, 11) einen vorstehenden
Trägerteil (12e) aufweist.
4. Drucksensorchip nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der Trägerchip (12) so gestaltet ist, daß die Auslenkung
von Schutzmembran- (10) und Kraftsensorchip (11) begrenzt wird und somit
ein mechanischer Überlastschutz gebildet ist.
5. Drucksensorchip nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß nur die vorstehenden Trägerteile (12e) mit einem
elektrische Durchführungen aufweisenden Träger (14) verspannt werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996144830 DE19644830C1 (de) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | Membran-Drucksensorchip |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1996144830 DE19644830C1 (de) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | Membran-Drucksensorchip |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE19644830C1 true DE19644830C1 (de) | 1998-02-19 |
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ID=7810252
Family Applications (1)
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DE1996144830 Expired - Fee Related DE19644830C1 (de) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | Membran-Drucksensorchip |
Country Status (1)
Country | Link |
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