DE19631168C1 - Pre-coating substrate holder of graphite - Google Patents

Pre-coating substrate holder of graphite

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Abstract

A process for pretreating substrate holders of graphite, for gas phase epitaxy, involves pre-coating the upper face of the substrate holder with an AlGaAs layer, preferably a 0.5-2 (especially 0.9-1.1) mu m thick deposited layer of(AlxGa1-x)0.48As0.52.

Description

Die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) dient u. a. zur Herstellung von einkristallinen Schichten und Schicht folgen für verschiedenste Anwendungen. Dabei kommen beispielsweise für III-V-Halbleiter metallorganische Ausgangsverbindungen und Hydride zum Einsatz, die bei Normal- oder Niedrigdruck (z. B. 20-200 mbar) meistens mittels pyrolytischer Zerset­ zung bei Temperaturen zwischen 450°C und 800°C abgeschieden werden. Die Abscheidung erfolgt auf Substraten, z. B. einkri­ stallinem InP-Wafer, in der gewünschten Festkörperzusammen­ setzung gemäß dem in der Gasphase vorgegebenen Mischungsver­ hältnis.The organometallic gas phase epitaxy (MOVPE) serves u. a. to Production of single crystalline layers and layer follow for various applications. Here come for example for III-V semiconductors organometallic starting compounds and hydrides used at normal or low pressure (e.g. 20-200 mbar) mostly using pyrolytic decomposition deposit at temperatures between 450 ° C and 800 ° C will. The deposition takes place on substrates, e.g. B. einkri in an InP wafer, in the desired solid state settlement according to the mixture ratio specified in the gas phase ratio.

Der sich in dem für die Epitaxie verwendeten Reaktor befind­ liche Substratträger, ein aus hochreinem Graphit gepreßter Block, beschichtet mit Siliziumcarbid (zur Vermeidung von Ausdampfeffekten), wird z. B. durch Hochfrequenzankopplung auf die gewünschte Abscheidungstemperatur aufgeheizt. Ein solches Verfahren ist in der DE 38 37 584 A1 beschrieben. Die auf der Oberseite des Substratträgers liegenden Substrate werden dann beschichtet. Dabei bleibt z. B. bei einer Abscheidung von Schichten im Materialsystem von GaInAsP nach jeder Abscheidung auf dem Substratträger eine ca. 3 µm dicke Schicht aus den abgeschiedenen Materialien zurück, die vor den nächsten Abscheidungen nicht entfernt wird.Which is in the reactor used for the epitaxy Liche substrate carrier, a pressed from high-purity graphite Block coated with silicon carbide (to avoid Evaporation effects), z. B. by high frequency coupling the desired deposition temperature is heated. Such one The method is described in DE 38 37 584 A1. The one on the Substrates lying on top of the substrate carrier are then coated. It remains z. B. with a deposition of Layers in the GaInAsP material system after each Deposition on the substrate carrier approximately 3 µm thick Layer of the deposited materials back that before the next deposits are not removed.

Im aluminiumfreien System GaInAsP ist es notwendig, vor der eigentlichen Epitaxie den Substratträger zu beschichten. Es kann dabei z. B. typischerweise 0,5 µm GaInAs und 0,5 µm InP abgeschieden werden. Wenn diese sog. Vorbeschichtung nicht gemacht wird, stimmen die Zusammensetzungen und demzufolge die Gitteranpassungen und die Energiebandlücke der aufgewachsenen Schichten nicht. Die Spezifikation der Bauelemente erlaubt nur geringe Abweichungen, die unbedingt eingehalten werden müssen. Deshalb ist eine große Genauigkeit und insbesondere eine gute Reproduzierbarkeit beim Abscheiden der Schichten auf die Substrate sehr wichtig.In the aluminum-free GaInAsP system, it is necessary actual epitaxy to coat the substrate carrier. It can z. B. typically 0.5 µm GaInAs and 0.5 µm InP be deposited. If this so-called pre-coating is not is made, the compositions are correct and consequently the lattice adjustments and the energy band gap of the grown up Layers don't. The specification of the components allows  only minor deviations, which must be observed have to. That is why great accuracy and particular good reproducibility when depositing the layers very important to the substrates.

Bei der konventionellen Vorbehandlung der Substratträger ist es nach etwa jeder fünften Abscheidung erforderlich, den Substratträger zu wechseln. Die gebrauchten Substratträger können durch Ausheizen (Ätzung mit einer chlorhaltigen Ver­ bindung) wieder schichtfrei gemacht werden und nach neuerli­ cher Vorbeschichtung wieder eingesetzt werden. Die Reprodu­ zierbarkeit der physikalischen und elektrischen Eigenschaften der Schichten wird nach dieser Reinigungsprozedur immer schlechter, und deshalb werden in der Regel immer neue Substratträger eingesetzt. Ein umweltfreundlicheres Ätzver­ fahren, wie z. B. das naßchemische Ätzen mit NH₄OH : H₂O₂ : H₂O ist nicht anwendbar, da auch hier die Reproduzierbarkeit nicht gut genug ist.In the conventional pretreatment the substrate carrier is after approximately every fifth deposition To change substrate carrier. The used substrate carriers can be heated (etching with a chlorine-containing Ver bond) are made shift-free again and again cher pre-coating can be used again. The reproductions decorability of the physical and electrical properties of layers is always after this cleaning procedure worse, and therefore usually new ones Substrate carrier used. A more environmentally friendly etch drive such. B. wet chemical etching with NH₄OH: H₂O₂: H₂O is not applicable because here too the reproducibility is not good enough.

In der Technologie der Vorbeschichtung herrschen bei den ver­ schiedenen Herstellern der Anlagen unterschiedliche Auffas­ sungen vor. Einige beschichten nur mit InP, andere beschich­ ten mit GaInAs bzw. mit GaInAsP und wieder andere beschich­ ten, wie oben angegeben, mit kombinierter Schichtenfolge. Diesbezügliche Angaben befinden sich in der DE 44 04 110 A1 in Spalte 2 in den Zeilen 21 bis 36. Alle derartigen Anlagen, die Substratträger aus Kohle haben, scheinen eine Vorbeschichtung zu benötigen.In the technology of pre-coating, the ver Different manufacturers of the systems have different views sang. Some only coat with InP, others coat Coating with GaInAs or with GaInAsP and others ten, as stated above, with a combined layer sequence. Relevant information can be found in DE 44 04 110 A1 in column 2 in lines 21 to 36. All such systems, the carbon substrate supports appear to be pre-coated to need.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Vorbehandlung von Substratträgern aus Graphit für Gasphasen­ epitaxie im GaInAsP-System anzugeben, das zu einer Rationa­ lisierung des Beschichtungsprozesses führt und bessere Be­ schichtungsergebnisse liefert. The object of the present invention is to provide a method for Pretreatment of graphite substrate substrates for gas phases specify epitaxy in the GaInAsP system that leads to a rationa lization of the coating process and better loading provides stratification results.  

Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.This task is accomplished with the method with the characteristics of Claim 1 solved. Further training results from the dependent claims.

Der Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Vorbehand­ lung der Substratträger, bei dem eine Vorbelegung der Substratträger mit einer Schicht aus AlGaAs, vorzugsweise (AlxGa1-x)0.48As0.52, einer Dicke von 0,5 µm bis 2 µm, typischer­ weise etwa 1 µm erfolgt. Das AlGaAs bewirkt eine Versiegelung der Substratträgeroberfläche, die auf Grund ihrer Beschaffen­ heit extrem groß ist. Diese Oberfläche der Substratträger be­ steht nämlich wie auch eingangs erwähnt aus amorphem SiC, das auf das Graphit, das den hauptsächlichen Anteil des Substrat­ trägers ausmacht, aufgebracht ist und eine Rauhigheit (Maximum der Abstände je zweier Ebenen, in denen ein Punkt der Oberfläche des Substratträgers liegt und die koplanar sind zu einer Ebene, die näherungsweise die Oberseite des Substratträgers bildet) von mehr als Spin aufweist. Das AlGaAs ist außerdem ein exzellenter Sauerstoff- und Feuchtig­ keitsadsorber. Den praktischen Erfahrungen zufolge bewirkt eine so versiegelte Oberfläche während der Abscheidung auf die Substrate auch eine günstigere Zersetzungskinetik; denn die Oberfläche hat eine deutlich geringere Aufnahmekapazität der Reaktanten.The object of the invention is a method for pretreatment of the substrate carrier, in which a pre-coating of the substrate carrier with a layer of AlGaAs, preferably (Al x Ga 1-x ) 0.48 As 0.52 , a thickness of 0.5 μm to 2 μm, more typically about 1 µm. The AlGaAs seals the substrate carrier surface, which is extremely large due to its nature. This surface of the substrate carrier is namely, as also mentioned at the outset, from amorphous SiC, which is applied to the graphite, which makes up the main part of the substrate carrier, and a roughness (maximum of the distances between two planes, in which a point on the surface of the substrate carrier lies and which are coplanar to a plane that approximately forms the top of the substrate carrier) of more than spin. The AlGaAs is also an excellent oxygen and moisture adsorber. According to practical experience, such a sealed surface also results in more favorable decomposition kinetics during the deposition on the substrates; because the surface has a significantly lower absorption capacity of the reactants.

Mit diesem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine erhebliche Verringerung der Zeiten, in denen der Beschichtungsprozeß zum Wechseln der Substratträger unterbrochen werden muß, und eine erhebliche Verbesserung der Reproduzierbarkeit der Substrat­ beschichtungen erreicht. Es werden nun etwa 15 Abscheidungen mit einem Substratträger erzielt (d. i. eine Verbesserung um den Faktor 3), ohne eine Abätzung darauf abgeschiedener, aus dem Beschichtungsprozeß stammender Materialien vornehmen zu müssen. Auch nach der Abätzung mit chlorhaltigen Verbindungen werden hier wesentlich bessere Ergebnisse erzielt als mit der konventionellen Methode. Eine umweltfreundlichere naßchemi­ sche Behandlung (wie oben erwähnt) ist ebenfalls durchführbar mit vergleichbar guten Resultaten.With this method according to the invention, a significant Reduction in the times in which the coating process for Changing the substrate carrier must be interrupted, and one considerable improvement in the reproducibility of the substrate coatings achieved. There are now about 15 deposits achieved with a substrate support (i.e. an improvement by the factor 3), without an etching on it to make materials originating from the coating process have to. Even after etching with chlorine-containing compounds much better results are achieved here than with the conventional method. A more environmentally friendly wet chemistry treatment (as mentioned above) is also feasible with comparable good results.

Ein weiteres Problem, das durch das erfindungsgemäße Verfah­ ren beseitigt wird, ist die auftretende Beschichtung der Rückseite eines beschichteten Substrates während der Epita­ xie. Bei der konventionellen Vorbelegung der Substratträger und anschließender Epitaxie ist eine solche Abscheidung auf die Rückseiten der Substrate nicht zu vermeiden, da die epi­ taktisch abgeschiedenen Materialien zwischen die Rückseite des Substrates und die Auflagefläche des Substratträgers kriechen (bekannt als Kurzweg-Transport-Abscheidung). Bei sich anschließenden Prozeßschritten, die Ätzungen umfassen, verursachen diese auf die Rückseiten der Substrate abge­ schiedenen Materialien Schwierigkeiten, da sie während der Ätzung auf die Vorderseiten der Substrate gelangen und dort Ablagerungen bilden, die nicht mehr zu entfernen sind. Au­ ßerdem treten Probleme bei der Belichtungstechnik (Fotolitho­ grafie) auf wegen der durch diese Abscheidungen bedingten Un­ ebenheiten in der Auflagefläche der Substrate auf dem Substratträger, ferner bei Trockenätzprozessen, bei denen die Substrate schlecht auf dem Substratträger haften. Daher muß in beiden Fällen eine zusätzliche Behandlung der Rückseiten der Substrate durchgeführt werden, wodurch das Verfahren erheblich aufwendiger wird. Bei der Vorbelegung der Substrat­ träger entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren und an­ schließender Epitaxie findet die Abscheidung auf die Rückseiten praktisch nicht mehr statt. Der Grund ist die Un­ terbindung von Kurzweg-Transport-Abscheidungen. Die für den Materialtransport verantwortlichen Spuren von Sauerstoff - bedingt z. B. durch sauerstoffhaltige Beschichtung der Wafer - werden durch die erfindungsgemäße Art der Vorbelegung ver­ mieden (durch die extrem hohe Affinität von Sauerstoff zum Aluminium).Another problem that the inventive method is eliminated, the coating that occurs is the  Back of a coated substrate during the epita xie. With conventional pre-loading of the substrate carrier and subsequent epitaxy is such a deposition the backs of the substrates cannot be avoided, since the epi tactically separated materials between the back of the substrate and the contact surface of the substrate carrier crawl (known as short-distance transport separation). At subsequent process steps, which include etching, cause these abge on the backs of the substrates Difficulties with various materials, as they occur during the Etching get to the front of the substrates and there Form deposits that can no longer be removed. Au There are also problems with the exposure technology (photolitho grafie) due to the Un caused by these deposits Flatness in the contact surface of the substrates on the Substrate carrier, also in dry etching processes in which the Substrates adhere poorly to the substrate carrier. Therefore in both cases additional treatment of the back of the substrates are performed, making the process becomes considerably more complex. When pre-loading the substrate carrier according to the inventive method and closing epitaxy takes place on the Backs practically no longer take place. The reason is the Un Connection of short-distance transport separations. The one for the Material transport responsible traces of oxygen - conditionally z. B. by coating the wafer with oxygen - are ver by the type of pre-assignment according to the invention avoided (due to the extremely high affinity of oxygen for Aluminum).

Claims (4)

1. Verfahren zur Vorbehandlung von Substratträgern aus Gra­ phit für Gasphasenepitaxie, bei dem eine Vorbelegung der für die Aufnahme eines Substrates vorge­ sehenen Oberseite der Substratträger mit einer Schicht aus AlGaAs erfolgt.1. Process for the pretreatment of substrate supports from Gra phit for gas phase epitaxy where a pre-assignment of the pre-recorded for receiving a substrate seen top of the substrate carrier with a layer AlGaAs takes place. 2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schicht der Vorbelegung als (AlxGa1-x)0.48As0.52 abgeschieden wird.2. The method according to claim 1, wherein the layer of the pre - assignment is deposited as (Al x Ga 1-x ) 0.48 As 0.52 . 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Schicht der Vorbelegung mindestens 0,5 µm und höchstens 2 µm dick abge­ schieden wird.3. The method according to claim 1 or 2, wherein the layer of Preassignment at least 0.5 µm and at most 2 µm thick will be divorced. 4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Schicht der Vorbe­ legung mindestens 0,9 µm und höchstens 1,1 µm dick abge­ schieden wird.4. The method of claim 3, wherein the layer of prep at least 0.9 µm and at most 1.1 µm thick will be divorced.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19845252A1 (en) * 1998-10-01 2000-04-06 Deutsche Telekom Ag Process for the production of semiconductor layers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3837584A1 (en) * 1987-11-11 1989-05-24 Toshiba Ceramics Co Method and appliance for vertical vapour deposition growth
DE4404110A1 (en) * 1993-04-22 1994-10-27 Mitsubishi Electric Corp Substrate holder for MOCVD and MOCVD devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3837584A1 (en) * 1987-11-11 1989-05-24 Toshiba Ceramics Co Method and appliance for vertical vapour deposition growth
DE4404110A1 (en) * 1993-04-22 1994-10-27 Mitsubishi Electric Corp Substrate holder for MOCVD and MOCVD devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19845252A1 (en) * 1998-10-01 2000-04-06 Deutsche Telekom Ag Process for the production of semiconductor layers

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