DE1957659B2 - Verfahren zur herstellung von solarzellen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von solarzellenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen.
Solarzellen sind Siliziumphotozellen, die eine unmittelbare Umwandlung von Strahlungsenergie in
elektrische Energie ermöglichen. Da sie in erster Linie Verwendung finden, um die Sonnenstrahlung
als Energiequelle zur Erzeugung von elektrischem Strom auszunutzen, werden solche Photozellen allgemein
»Solarzellen« genannt. Sie dienen in einigen Bereichen der Technik, z. B. bei der Raumfahrt und
der Bordversorgung der Erdsatelliten als Stromquelle, d. h. also bevorzugt in Gebieten, wo wegen der
Wolkenlosigkeit eine nahezu vollständige Ausnutzung der Sonnenstrahlung gegeben ist.
Bei der niedrigen Spannung eines Einzelelementes kommt für die meisten Anwendungen nur eine
Reihenschaltung in Frage. Für die Anwendung in der Praxis werden an die Qualität der Zellen bestimmte
elektrische und optische Forderungen gestellt. So soll die Leerlaufspannung 550 mV, die
maximale Leistung 58,5 mV überschreiten oder wenigstens erreichen. Die Stromspannungskennlinie
soll auch bei Belichtung möglichst wenig von der Linearität abweichen und einen bis zu möglichst
hohen Strömen reichenden Ast nahezu konstanter Spannung aufweisen.
Es ist bekannt, daß die Güte der Belastungskennlinie
im wesentlichen von der Güte der Kontaktierung abhängt. Es ist ebenfalls bekannt, diese Güte
dadurch zu verbessern, daß die Kontakte, für die man beispielsweise vorteilhaft Titan-Silber-Kontakte
verwendet, nach dem Aufdampfen noch einer Sinterung unterzogen werden. Diese Sinterung erfolgt dabei
sowohl am Vorderseiten- wie am Rückseitenkontakt, wobei man üblicherweise unter der Vorderseite
der Solarzelle die Seite versteht, durch die die Lichtstrahlung, die die freien Ladungsträger erzeugt,
in die Zelle eindringt.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Güte der Kontaktierung zu verbessern und damit die Ausbeute von
Solarzellen hoher Qualität, an denen hauptsächlich Interesse besteht, zu steigern.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur Herstellung von Solarzellen erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß vor dem Aufbringen des Vorderseitenkontaktes der Rückseitenkontakt einer gesonderten, verstärkten
Zwischensinterung unterzogen wird.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird erreicht, daß der Ohmsche Kontakt verbessert und damit
der Übergangswiderstand verringert wird, was wiederum die gewünschte Erhöhung der Leerlaufspannung
der Solarzellen — etwa um 10 mV — zur Folge hat. Da die Zwischensinterung sich aber nur
auf den Rückseitenkontakt bezieht, ist eine Beschädigung des dicht unter der Oberfläche des Vorderseitenkontaktes
liegenden pn-Überganges ausgeschlossen.
Versuche haben gezeigt, daß die Ausbeute an Solarzellen hoher Qualität durch die erfindungsgemäße
Zwischensinterung des Rückseitenkontaktes etwa verdreifacht
werden konnte.
Als besonders vorteilhaft hat sich erwiesen, die Zwischensinterung des Rückseitenkontaktes in einem
Temperatur-Zeit-Bereich zwischen etwa 5 Minuten bei 620° C und 7 Minuten bei 600° C vorzunehmen,
nachdem in etwa 5 Minuten Aufheizzeit die Sintertemperatur erreicht wurde. Der Vorderseitenkontakt
wird dagegen jedoch nur kurz und bei niedrigerer Temperatur, etwa 5 Minuten bei 580" C (einschließlich
der Aufheizzeit), gesintert.
Als Schutzgas werden während der Sinterung etwa Liter Argon je Stunde und etwa 0,4 Liter Wasserstoff
je Stunde durch den Sinterofen geleitet.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung von Solarzellen, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem
Aufbringen des Vorderseitenkontaktes der Rückseitenkontakt einer gesonderten, verstärkten Zwischensinterung
unterzogen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischensinterung des
Rückseitenkontaktes in einem Temperatur-Zeit-Bereich zwischen etwa 5 Minuten bei 620° C und
7 Minuten bei 600° C vorgenommen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sintertemperatur nach
einer Aufheizzeit von etwa 5 Minuten erreicht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß während der Sinterung etwa
100 Liter Argon je Stunde und etwa 0,4 Liter Wasserstoff je Stunde durch den Sinterofen geleitet
werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß Kontakte aus einer Titan-Silber-Legierung
einer Zwischensinterung unterzogen werden.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691957659 DE1957659C (de) | 1969-11-17 | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen | |
| GB1290979D GB1290979A (de) | 1969-11-17 | 1970-10-22 | |
| US00088445A US3736180A (en) | 1969-11-17 | 1970-11-10 | Method of producing solar cells |
| FR7041206A FR2069571A5 (de) | 1969-11-17 | 1970-11-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691957659 DE1957659C (de) | 1969-11-17 | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1957659A1 DE1957659A1 (de) | 1971-04-01 |
| DE1957659B2 true DE1957659B2 (de) | 1971-04-01 |
| DE1957659C DE1957659C (de) | 1971-10-21 |
Family
ID=
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2253830A1 (de) * | 1972-11-03 | 1974-05-16 | Licentia Gmbh | Integrierte halbleiteranordnung |
| DE3017831A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2253830A1 (de) * | 1972-11-03 | 1974-05-16 | Licentia Gmbh | Integrierte halbleiteranordnung |
| DE3017831A1 (de) * | 1980-05-09 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur durch sintern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1957659A1 (de) | 1971-04-01 |
| US3736180A (en) | 1973-05-29 |
| FR2069571A5 (de) | 1971-09-03 |
| GB1290979A (de) | 1972-09-27 |
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