DE19507553A1 - Verfahren und Schaltungsanordnung zum Betrieb einer Hochdruckentladungslampe - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Schaltungsanordnung zum Betrieb einer Hochdruckentladungslampe gemäß dem Oberbegriff des Pa­ tentanspruchs 1 bzw. gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 3.

Eine dem Oberbegriff des Patentanspruchs 3 entsprechende Schaltungsan­ ordnung ist beispielsweise in dem Buch "Betriebsgeräte und Schaltungen für elektrische Lampen" von C.H. Sturm/E. Klein, Hrsg. Siemens AG, 6. Auf­ lage 1992, Seite 217-218 offenbart. Diese Schaltungsanordnung umfaßt, aus­ gehend vom Netzspannungsanschluß, ein Funkentstörungsfilter, einen Brückengleichrichter, einen Hochsetzsteller, einen Zwischenkreiskondensa­ tor, einen Tiefsetzsteller und einen Vollbrückenwechselrichter, in den eine Halogen-Metalldampf-Hochdruckentladungslampe sowie ein Zündgerät für diese Lampe integriert sind. Die Halogen-Metalldampf-Hochdruckentla­ dungslampe wird hier mit einem 500-Hz-Rechteckstrom betrieben. Der Hochsetzsteller gewährleistet eine sinusförmige Netzstromentnahme. Durch pulsweitenmodulierte Ansteuerung des Hochsetzstellertransistors werden die Zeiten, in denen der Transistor leitet, während einer Netzhalbwelle so gesteuert, daß die Hüllkurve des aufgenommenen Stromes sinusförmig ist. Die am Zwischenkreiskondensator anliegende Ausgangsspannung des Hochsetzstellers dient dem nachgeschalteten Tiefsetzsteller als Versorgungs­ spannung. Der Tiefsetzsteller ist derart aufgebaut, daß der Drain-Anschluß des zum Tiefsetzsteller gehörenden Feldeffekttransistors mit dem positiven Pol des Zwischenkreiskondensators und der Source-Anschluß mit der Lam­ pendrossel verbunden ist, und die Anode der in den Tiefsetzsteller integrier­ ten Freilaufdiode an Masse angeschlossen ist, während ihre Kathode mit der Lampendrossel und dem Source-Anschluß verbunden ist. Der Transistor des Tiefsetzstellers wird mittels Pulsweitenmodulationssignalen derart gesteu­ ert, daß die elektrische Leistungsaufnahme der Lampe unabhängig von Streuungen der Netz- oder Lampenspannung konstant bleibt. Die Aus­ gangsspannung des Tiefsetzstellers wird der Halogen-Metalldampf-Hoch­ druckentladungslampe über die Transistoren des Vollbrückenwechselrich­ ters zugeführt. Die Transistorpaare des Wechselrichters schalten mit einer niedrigen Frequenz (ca. 500 Hz) und drehen dabei die Richtung des Lam­ penstroms um. Dieses Umpolen der Lampenspannung bzw. des Lampen­ stroms verhindert, daß in der Lampe Entmischungserscheinungen und Un­ symmetrien auftreten, die durch den Gleichstrombetrieb hervorgerufen werden.

Bei der oben erläuterten Schaltungsanordnung wird der Tiefsetzsteller im sogenannten Continuous-Mode betrieben. Das heißt, daß der Transistor des Tiefsetzstellers wieder eingeschaltet wird, bevor der Stromfluß durch die Freilaufdiode des Tiefsetzstellers abgeklungen ist. Der Wirkungsgrad dieser Schaltungsanordnung beträgt mit im Continuous-Mode betriebenen Tief­ setzsteller üblicherweise ca. 82% bis 86%.

Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Schaltungsanord­ nung zum Betrieb einer Hochdruckentladungslampe mit einem verbesserten Wirkungsgrad bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkma­ le des Patentanspruches 1 bzw. 3 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausführun­ gen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.

Beim erfindungsgemäßen Betriebsverfahren wird der Tiefsetzsteller nach Beendigung der Lampenanlaufphase nicht im Continuous-Mode, sondern im Discontinuous-Mode betrieben. Das heißt, der Schalttransistor des Tief­ setzstellers wird erst dann wieder in den niederohmigen Zustand versetzt, wenn der Stromfluß durch die dazugehörende, in den Tiefsetzsteller inte­ grierte Freilaufdiode auf Null abgesunken ist. Durch diese Betriebsweise entstehen, unabhängig von der verwendeten Freilaufdiode, keine Schaltver­ luste im Transistor. Außerdem sind der Feldeffekttransistor und die Frei­ laufdiode des Tiefsetzstellers erfindungsgemäß derart verschaltet, daß der Source-Anschluß mit dem negativen Pol des Zwischenkreiskondensators verbunden ist und die Kathode der Freilaufdiode am postiven Pol des Zwi­ schenkreiskondensators angeschlossen ist. Durch diese Maßnahme verein­ facht sich die Ansteuerung des Feldeffekttransistors, weil diese nun nicht mehr, beispielsweise mittels eines Transformators, potentialfrei ausgeführt werden muß. Die erfindungsgemäße Betriebsweise verbessert den Wir­ kungsgrad der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung auf einen Wert oberhalb von 90%. Während der Anlaufphase der Hochdruckentladungs­ lampe wird der Tiefsetzsteller vorteilhafterweise im Continuous-Mode be­ trieben. Dadurch kann ein wesentlich höherer Lampenstrom erzeugt werden und die Anlaufphase der Lampe verkürzt werden. Unter dem Begriff An­ laufphase versteht man den Zeitraum, den die Entladungslampe nach erfolg­ ter Zündung durchläuft, bevor sie ihren stabilen Betriebszustand erreicht hat. Während der Anlaufphase verdampfen die an der Entladung teilhaben­ den Füllungskomponenten und ihre Dampfdrücke streben einem neuen Gleichgewichtswert zu. Außerdem steigt der Lichtstrom der Lampe wäh­ rend der Anlaufphase auf seinen Maximalwert an.

Nachstehend wird die Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungs­ beispiels näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Blockschaltbild der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung,

Fig. 2 Einzelheiten des Tiefsetzstellers der erfindungsgemäßen Schal­ tungsanordnung,

Fig. 3 den Stromverlauf durch die in den Tiefsetzsteller TS integrierte Lampendrossel LD nach Beendigung der Anlaufphase der Hoch­ druckentladungslampe LP: Discontinuous-Mode-Betrieb des Tief­ setzstellers,

Fig. 4 den Stromverlauf durch die in den Tiefsetzsteller TS integrierte Lampendrossel LD während der Anlaufphase der Hochdruckent­ ladungslampe LP: Continuous-Mode-Betrieb des Tiefsetzstellers.

Die Schaltungsanordnung gemäß eines bevorzugten Ausführungsbeispiels besteht, ausgehend vom Netzspannungsanschluß, aus einem Funkentstö­ rungsfilter FE, einem Netzspannungsgleichrichter GL, einem Hochsetzsteller HS, einem Zwischenkreiskondensator C1, einem Tiefsetzsteller TS und ei­ nem Vollbrückenwechselrichter WR, an den eine Hochdruckentladungs­ lampe LP mit Zündvorrichtung ZE angeschlossen ist. Die Schalttransistoren T3, T6; T4, T5 des Wechselrichters WR werden mittels eines Generators RG, der eine niederfrequente Rechteckspannung von ca. 120 Hz erzeugt, ange­ steuert, so daß durch die Lampe LP ein Rechteckstrom derselben Frequenz fließt.

Das mit dem Netzeingang verbundene Funkentstörungsfilter FE besteht in bekannter Weise aus einer nicht-stromkompensierten und einer stromkom­ pensierten Filterdrossel mit jeweils zwei Wicklungsblöcken, wobei in jede Netzzuleitung jeweils ein Wicklungsblock integriert ist, sowie aus zwei Fil­ terkondensatoren. Diese beiden Kondensatoren sind mit den Filterdrosseln derart verschaltet, daß sich vom Netzeingang her die übliche Anordnung ei­ nes LC-Tiefpaßfilters ergibt.

Der dem Brückengleichrichter GL nachgeschaltete Hochsetzsteller HS arbei­ tet als Sinusstromregler. Mit Hilfe einer Sinusstromkontrolleinheit SV und einer Pulsweitenmodulationseinheit P1 werden die Zeiten, in denen der Transistor T1 des Hochsetzstellers HS niederohmig ist, während einer Netz­ halbwelle derart gesteuert, daß die Hüllkurve des aufgenommen Stromes si­ nusförmig ist. Die Pulsweitenmodulationseinheit P1 arbeitet mit mittelfre­ quenten Steuersignalen von ca. 50 kHz. Eine derartige Ansteuerung des Hochsetzstellers HS ist beispielsweise in der europäischen Offenlegungs­ schrift EP-A 485865 beschrieben.

Am Zwischenkreiskondensator C1 liegt die Ausgangsspannung des Hoch­ setzstellers HS an, die je nach Höhe der Netzspannung zwischen 285 V bis 440 V beträgt. Als Zwischenkreiskondensator C1 wird ein Elektrolytkonden­ sator hoher Kapazität verwendet. Er versorgt den nachgeschalteten Tiefsetz­ steller TS und den Wechselrichter WR während des Netzspannungsnull­ durchganges mit Energie. Der Tiefsetzsteller TS wird mit Hilfe einer weite­ ren Pulsweitenmodulationseinheit P2 und einer Leistungsregelungseinheit PE so gesteuert, daß die Lampenleistung unabhängig von Streuungen der Netzspannung und der Lampenspannung konstant bleibt. Die Pulsweiten­ modulationseinheit P2 arbeitet mit Steuersignalen oberhalb von 20 kHz. Die am Kondensator C2 anliegende Ausgangsspannung des Tiefsetzstellers TS dient dem Wechselrichter WR als Eingangsspannung. Die Transistorpaare T3, T6 und T4, T5 werden vom Rechteckgenerator RG abwechselnd nieder­ ohmig gesteuert, so daß durch die Lampe LP ein im wesentlichen rechteck­ förmiger Strom mit einer Frequenz von ca. 120 Hz fließt. Das Grundprinzip eines Vollbrückenwechselrichters ist beispielsweise in dem Buch "Getaktete Stromversorgung: Grundlagen Applikationen" von J. Beckmann, FRANZIS Arbeitsbuch 1990, auf der Seite 32 beschrieben.

Eine umfangreiche Kontrolleinheit TI überwacht den ordnungsgemäßen Be­ trieb der Hochdruckentladungslampe LP. Diese Kontrolleinheit TI umfaßt einen Zeitgeber zur Steuerung von Zeitabläufen sowie Überwachungsschal­ tungen, die den Spannungsabfall am Tiefsetzstellerausgangskondensator C2 während des Lampenbetriebes überwachen und die Ansteuerungsvorrich­ tungen P1, P2 des Hochsetzstellers HS bzw. des Tiefsetzstellers TS bei nicht ordnungsgemäßem Betrieb stillegen.

In Fig. 2 sind Einzelheiten des Tiefsetzstellers TS und seiner Ansteuerung abgebildet. Der Tiefsetzsteller TS besteht im wesentlichen aus einem Feldef­ fekttransistor T2, einer Freilaufdiode D1, einer Lampendrossel LD und ei­ nem Ausgangskondensator C2. Zwecks einer übersichtlichen Darstellung wurden in den Fig. 1 und 2 Anschlüsse A1 bis A6 eingeführt. Sie veran­ schaulichen die Vernetzung des in der Fig. 2 abgebildeten Tiefsetzstellers TS mit den anderen Komponenten der erfindungsgemäßen Schaltungsan­ ordnung. Der Source-Anschluß des Feldeffekttransistors T2 ist über einen ohmschen Widerstand R1 zum Minuspol des Zwischenkreiskondensators C1 geführt, während sein Drain-Anschluß mit der Anode der Freilaufdiode D1 und mit der Lampendrossel LD verbunden ist. Die Kathode der Freilaufdi­ ode D1 ist an den Pluspol des Zwischenkreiskondensators C1 und an einen Anschluß des Ausgangskondensators C2 angeschlossen. Der andere An­ schluß des Ausgangskondensators C2 ist mit der Lampendrossel LD ver­ bunden, so daß die Freilaufdiode D1, der Kondensator C2 und die Lampen­ drossel LD einen geschlossenen Stromkreis bilden. Parallel zur Serienschal­ tung von Freilaufdiode D1 und Drain-Source-Strecke des Transistors T2 ist ein Spannungsteiler geschaltet, der aus den ohmschen Widerständen R2, R3 besteht. Ein zwischen dem Drain des Transistors T2, der Anode der Frei­ laufdiode D1 und der Lampendrossel LD lokalisierter Abgriff V1 ist über ein RC-Glied R4, C3 mit dem Eingang der Pulsweitenmodulationseinheit P2 verbunden. Der Ausgang der Pulsweitenmodulationseinheit P2 ist über ei­ nen Totem-Pol-Verstärker T7, T8, R6 zum Gate-Anschluß des Transistors T2 geführt. Die Pulsweitenmodulationseinheit P2 umfaßt eine Spannungsbe­ grenzungseinheit D, drei Schmitt-Trigger S1, S2, S3, einen Kondensator C4 und einen ohmschen Widerstand R5, der den Eingang des ersten Schmitt- Triggers S1 zu seinem Ausgang rückkoppelt. Der Kondensator C4 ist zwi­ schen dem Ausgang des zweiten S2 und dem Eingang des dritten Schmitt- Triggers S3 angeordnet. Die Pulsweitenmodulationseinheit P2 des Tiefsetz­ stellers TS stimmt, abgesehen von der Dimensionierung der einzelnen Bau­ teile, mit der Pulsweitenmodulationseinheit P1 des Hochsetzstellers HS überein.

Ein Abgriff V2 zwischen den Spannungsteilerwiderständen R2, R3 ist mit dem Eingang der Leistungsregelungseinheit PE verbunden. Der Ausgang der Leistungsregelungseinheit PE ist an den Kondensator C4 und an den Eingang des dritten Schmitt-Triggers S3 der Pulsweitenmodulationseinheit P2 angeschlossen. Die Leistungsregelungseinheit PE besteht aus einem Ope­ rationsverstärker IC1, Kondensatoren C5, C6, ohmschen Widerständen R7, R8, R9, R10, R11, R12 und Dioden D2, D3. Die Spannungsteilerwiderstände R7, R8 erzeugen zusammen mit einer Hilfsspannung eine Referenzspannung für den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers IC1, der außer­ dem mittels des RC-Gliedes R10, C6 zu seinem Ausgang rückgekoppelt ist. Der nicht-invertierende Eingang des Operationsverstärkers IC1 ist über den Widerstand R9 mit dem Abgriff V2 verbunden. Eine ausführliche Beschrei­ bung der Leistungsregelungseinheit PE findet man in dem Patent US 5,198,728.

Die Ansteuerung des Tiefsetzstellers TS umfaßt auch eine Strombegren­ zungseinheit SB, die an einen Abgriff V3 zwischen den Spannungsteilerwi­ derständen R1, R3 angeschlossen ist und in Fig. 1 der Übersichtlichkeit halber nicht abgebildet ist. Die Strombegrenzungseinheit SB besteht aus zwei Bipolartransistoren T9, T10, zwei Dioden D4, D5, einem Kondensator C7 und den Widerständen R13 bis R17. Der Ausgang der Strombegren­ zungseinheit SB ist mit dem Kondensator C4 und dem Eingang des dritten Schmitt-Triggers S3 der Pulsweitenmodulationseinheit P2 verbunden. Ta­ belle I enthält Angaben zur Dimensionierung der elektronischen Bauele­ mente des Tiefsetzstellers TS der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zum Betrieb einer 150-W-Metallhalogenid-Hochdruckentladungslampe.

Solange der Transistor T2 des Tiefsetzstellers TS eingeschaltet ist - das be­ deutet eine niederohmige Drain-Source Strecke - fließt, ausgehend vom Zwischenkreiskondensators C1, über den Ausgangskondensator C2 des Tief­ setzstellers TS durch die Lampendrossel LD und über den Source-Wider­ stand R1 ein linear ansteigender Strom. Bei ausgeschaltetem Transistor T2 - hochohmige Drain-Source Strecke - baut sich das in der Drossel LD gespei­ cherte Magnetfeld ab und sorgt für einen linear abnehmenden Stromfluß durch die Lampendrossel LD und durch die Freilaufdiode D1. Der Tiefsetz­ steller TS wird mit Hilfe der Schaltungskomponenten PE, P2 auf konstante Ausgangsleistung und damit auf konstante Lampenleistung geregelt. Dazu wird das Tastverhältnis des Transistors T2 mittels der Pulsweitenmodulati­ onseinheit P2 und der Leistungsregelungseinheit PE entsprechend gesteuert.

Zur Festlegung des Einschaltzeitpunktes des Transistors T2 detektiert die Pulsweitenmodulationseinheit P2 über das RC-Glied R4, C3 den Nulldurch­ gang des Lampendrosselstromes. Die Leistungsregelungseinheit PE über­ wacht an ihrem Eingang - nicht-invertierenden Eingang des Operationsver­ stärkers IC1 - den Spannungsabfall über die in Serie geschalteten Wider­ stände R1 und R3. Da der Widerstand R1 vom Lampendrosselstrom durch­ flossen wird, ist sein Spannungsabfall proportional zum Lampendrossel­ strom. Der Spannungsabfall am Widerstand R3 ist hingegen proportional zu der am Kondensator C2 anliegenden Ausgangsspannung U₂ des Tiefsetz­ stellers TS. Die ohmschen Widerstände R1 bis R3 sind so dimensioniert, daß im Arbeitspunkt der Leistungsregelungseinheit PE der Spannungsabfall über den Widerständen R1 und R3 gleich sind, so daß Spannungs- und Stromsignal gleichermaßen für die Leistungsregelung der Lampe LP ausge­ nutzt werden. Der Spannungsabfall über den Widerständen R1, R3, der im Arbeitspunkt der Leistungsregelungseinheit PE proportional zur Lampen­ leistung ist, wird von dem Operationsverstärker IC1 mit dem vom Span­ nungsteiler R7, R8 und einer Hilfsspannungsquelle erzeugten Referenzspan­ nung verglichen. Die Ausgangsspannung des Operationsverstärkers IC1 bzw. der Leistungsregelungseinheit PE wird dem Kondensator C4 der Puls­ weitenmodulationseinheit P2 zugeführt und beeinflußt dessen Ladezustand.

Die Strombegrenzungseinheit SB überwacht an ihrem Eingang, der mit dem Abgriff V3 verbunden ist, den Spannungsabfall an dem vom Lampendros­ selstrom durchflossenen Source-Widerstand R1. Überschreitet der Lam­ pendrosselstrom den zulässigen Maximalwert, so schalten die Transistoren T9, T10 durch und veranlassen die Pulsweitenmodulationseinheit P2 über die Verbindung zum Kondensator C4 dazu, den Tiefsetzstellertransistor T2 abzuschalten.

Nach Beendigung der Zünd- und Anlaufphase, das heißt, nachdem die Lampe LP bzw. die Betriebsparameter der Lampe LP einen stabilen Gleich­ gewichtszustand angenommen haben, arbeitet der Tiefsetzsteller TS im so­ genannten Discontinuous-Mode (Fig. 3). Das bedeutet, daß der Transistor T2 erst dann wieder eingeschaltet wird, wenn der Strom durch die Lampen­ drossel LD auf Null abgesunken ist. Der Nulldurchgang des Lampendros­ selstromes wird der Pulsweitenmodulationseinheit P2 über das RC-Glied R4, C3 mitgeteilt. Bei entmagnetisierter Lampendrossel LD erniedrigt sich das Potential am Verbindungspunkt V1 und erzeugt mittels des RC-Gliedes R4, C3 ein Low-Eingangssignal am Schmitt-Trigger S1. Am Ausgang von S1 und am Eingang des Schmitt-Triggers S2 liegt somit ein High-Signal an, das vom Schmitt-Trigger S3 wieder in ein Low-Signal invertiert wird, so daß, nach nochmaliger Inversion durch den Schmitt-Trigger S3, am Gate des Transi­ stors T2 ein High-Signal generiert wird, das den Transistor T2 einschaltet. Die Einschaltdauer bzw. der Ausschaltzeitpunkt des Transistors T2 hängt von der Ladezeit des Kondensators C4 ab, die wiederum durch die Rege­ lungseinheiten PE und SB beeinflußt wird. Liegt am Kondensator C4 ein High-Potential an, so wird am Ausgang des Schmitt-Triggers S3 ein Low- Signal erzeugt und der Tiefsetzstellertransistor T2 ausgeschaltet. Die Aus­ schaltdauer des Transistors T2 wird von der Pulsweitenmodulationseinheit P2 nicht geregelt. Sie hängt von der Entmagnetisierung der Lampendrossel LD ab. Die maximale Ausschaltdauer wird durch den ohmschen Widerstand R5 allerdings auf ca. 30 µs begrenzt, so daß die niedrigste Taktfrequenz des Tiefsetzstellers TS ca. 30 kHz beträgt. Detektiert das RC-Glied R4, C3 inner­ halb von 30 µs keinen Nulldurchgang des Lampendrosselstromes, so wird der Ausgang des Schmitt-Triggers S1, der über den Widerstand R12 zu sei­ nem Eingang rückgekoppelt ist, mittels dieser Rückkopplung auf "High" ge­ setzt und dadurch der Transistor T2 wieder eingeschaltet, obwohl der Dros­ selstrom noch nicht auf Null abgesunken ist.

Fig. 3 zeigt schematisch die zeitliche Abhängigkeit des Stromverlaufs durch die Lampendrossel LD nach Beendigung der Anlaufphase der Hoch­ druckentladungslampe LP. Zum Zeitpunkt t₁ ist der Lampendrosselstrom I auf Null abgesunken und die Pulsweitenmodulationseinheit P2 schaltet den Transistor T2 erneut ein. Der Lampendrosselstrom I steigt dann bis zum Ausschaltzeitpunkt t₂ des Transistors T2 linear auf einen Maximalwert I_max an, der üblicherweise unterhalb der Abschaltschwelle der Strombegren­ zungseinheit SB von 5,5 A liegt. Die Einschaltdauer t₂-t₁ hängt von der Lei­ stungsregelung ab. Sie berechnet sich aus dem Spannungsabfall U₁ am Zwi­ schenkreiskondensator C1, dem Spannungsabfall U₂ am Kondensator C2, der Induktivität L der Lampendrossel LD und dem Maximalwert des Lam­ pendrosselstromes I_max zu:

Bei ausgeschaltetem Transistor T2 nimmt der Lampendrosselstrom I linear ab und erreicht zum Zeitpunkt t₃ den Wert Null. Die Ausschaltdauer t₃-t₂ des Transistors T2 berechnet sich zu:

Der Betrag des mittleren Lampenstromes I_L ist nach Beendigung der An­ laufphase halb so groß wie der oben erwähnte Maximalwert I_max des Lam­ pendrosselstromes:

Die Richtung des Lampenstromes wechselt allerdings im 120-Hz-Schalttakt des Wechselrichters WR.

Fig. 4 zeigt den Stromverlauf durch die Lampendrossel LD während der Anlaufphase der Hochdruckentladungslampe. Der Tiefsetzsteller arbeitet während der Anlaufphase im sogenannten Continuous-Mode, das heißt, daß der Transistor T2 bereits wieder eingeschaltet wird, bevor der Lampendros­ selstrom auf Null abgesunken ist. Diese Betriebsweise hat den Vorteil, daß dadurch der Lampe während der Anlaufphase, im Vergleich zum Disconti­ nuous-Mode-Betrieb, ein höherer mittlerer Strom bereitgestellt wird, so daß die Dauer der Anlaufphase verkürzt wird. Der Betrag des mittleren Lam­ penstromes I_L während der Anlaufphase berechnet sich zu:

Mit I_min wird die Stromstärke des zum Wiedereinschaltzeitpunkt t₃ des Transistors T2 noch vorhandenen Reststroms durch die Lampendrossel LD bezeichnet.

Die Tiefsetzstellerausgangsspannung U₂ beträgt während der Anlaufphase nur ca. 15 V bis 20 V im Vergleich zu etwa 50 V bis 130 V am Ende der An­ laufphase. Gemäß der Gleichung (2) hätte diese vergleichsweise geringe Ausgangsspannung U₂ eine erhebliche Verlängerung der Ausschaltdauer des Transistors T2 zur Folge. Da die Ausschaltdauer des Transistors T2 aber durch den Widerstand R5 auf maximal 30 µs begrenzt ist, wird der Transi­ stor T2 von der Pulsweitenmodulationseinheit P2 bereits wieder eingeschal­ tet, bevor der Lampendrosselstrom vollständig abgeklungen ist. Der Tief­ setzsteller TS arbeitet also im Continuous-Mode-Betrieb (Fig. 4). Der Über­ gang vom Continuous-Mode-Betrieb zum Discontinuous-Mode-Betrieb des Tiefsetzstellers TS erfolgt stetig.

Die Erfindung beschränkt sich nicht auf das oben näher erläuterte Ausfüh­ rungsbeispiel. Beispielsweise funktioniert das erfindungsgemäße Betriebs­ verfahren auch bei Schaltungsanordnungen ohne Hochsetzsteller HS.

R1|0,25 Ω
R2, R5	2,2 MΩ
R3	560 Ω
R4, R11	100 kΩ
R6	10 Ω
R12	3,3 kΩ
R9, R10	10 kΩ
R7	56 kΩ
R8	1,3 kΩ
R13, R17	470 Ω
R14	4,7 kΩ
R16	1 kΩ
R15	2,2 kΩ
C1	22 µF
C2	1 µF
C3	10 pF
C4, C7	470 pF
C5, C6	10 nF
T2	IRF840FI
T7, T9	BC817-40
T8, T10	BC807-40
S1, S2, S3	40106
D1	STTB506F

Claims (6)

1. Verfahren zum Betrieb einer Hochdruckentladungslampe mit einer Schaltungsanordnung, die folgende Bauelemente enthält:

• - ein Funkentstörungsfilter (FE), dessen Eingang mit einer elektri­ schen Spannungsquelle verbunden ist,
• - einen Zwischenkreiskondensator (C1),
• - einen Tiefsetzsteller (TS), dessen Eingang parallel zum Zwischen­ kreiskondensator (C1) geschaltet ist,
• - einen Wechselrichter (WR), an dessen Ausgangskreis eine Hoch­ druckentladungslampe (LP) angeschlossen ist, und dessen Eingang mit dem Ausgang des Tiefsetzstellers (TS) verbunden ist,

dadurch gekennzeichnet, daß der Tiefsetzsteller (TS) nach Beendigung der Anlaufphase im Discontinuous-Mode betrieben wird.

2. Verfahren zum Betrieb einer Hochdruckentladungslampe nach An­ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Tiefsetzsteller (TS) wäh­ rend der Anlaufphase der Hochdruckentladungslampe (LP) im Conti­ nuous-Mode betrieben wird.

3. Schaltungsanordnung zum Betrieb einer Hochdruckentladungslampe mit

• - einem Funkentstörungsfilter (FE), dessen Eingang mit einer elektri­ schen Spannungsquelle verbunden ist,
• - einem Zwischenkreiskondensator (C1),
• - einem Tiefsetzsteller (TS), dessen Eingang parallel zum Zwischen­ kreiskondensator (C1) geschaltet ist, wobei der Tiefsetzsteller (TS) einen Feldeffekttransistor (T2) und eine Freilaufdiode (D1) enthält,
• - einem Wechselrichter (WR), in dessen Ausgangskreis eine Hoch­ druckentladungslampe (LP) integriert ist, und dessen Eingang mit dem Ausgang des Tiefsetzstellers (TS) verbunden ist,
• - einer Zündvorrichtung (ZE) für die Hochdruckentladungslampe (LP),

dadurch gekennzeichnet, daß der Source-Anschluß des Feldeffekttran­ sistors (T2) des Tiefsetzstellers (TS) mit dem negativen Pol des Zwi­ schenkreiskondensators (C1) verbunden ist und die Kathode der Frei­ laufdiode (D1) an den positiven Pol des Zwischenkreiskondensators (C1) angeschlossen ist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung einen Hochsetzsteller (HS) aufweist, dessen Eingang, eventuell über einen Gleichrichter (GL), mit dem Ausgang des Funkentstörungsfilters (FE) verbunden ist, und dessen Ausgang an den Zwischenkreiskondensator (C1) angeschlossen ist.