DE1934369A1 - Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus III-V-Verbindungen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus III-V-VerbindungenInfo
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Description
VlCIXR-OHBMISROiIO QXBH Burghausen, den 4. Juli 1969
Burghanaen IX/PateAbt.Dr.Hö/We
Int. Wa-Oh 6901*
Verfahren zum Herstellen von Einkristallen
aus III-V Verbindungen
Es ist begannt, Einkristalle von HI-V Verbindungen aus
der Schmelze zu ziehen. Dabei kann sowohl aus einem Tiegel
in vertikaler Richtung wie auch aus einem Boot in horizontaler Richtung gezogen werden. Der Nachteil dieser Verfahren
liegt darin, daß kleinste, nicht aufschmelzende Kristalle von Verunreinigungen auf der Schmslsoberfläche zum Einkristall
schwimmen und das monokristalline Wachstum stören. Dabei entstehen
Koangrenzen, die als Einsprengunge und Zwillingsebenen
auftreten. Derartige Verunreinigungen kommen meistens aus den in der Verbindiragshalbleitertschnik verwendeten Tiegeln
oder Booten, die beispielsweise aus Aluminiumnitrid oder Bornitrid bestehen.
Weiterhin ist. bekannt, bei der Herstellung von Einkristallen
aus III-V Verbindungen mit einer bei dem Schmelzpunkt der
Verbindung flüchtigen Komponente, die Stöchiometrle der Schmelze dadurch zu erhalten, daß der Dampfdruck innerhalb
des abgedichteten Ziehgefäßes auf den Wert eingestellt v/ird, den die flüchtige Komponente über der Schmelze der III-V
Verbindung bei der Schmelztemperatur hat. Dies wird erreicht, indem man an. einer Stelle des Gefäßes eine kleine Menge der
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reinen flüchtigen Komponente einbringt und an der kältesten
Stelle dea Gefäßes diejenige !Temperatur einstellt, bei der die reine flüchtige Komponente den gleichen Dampfdruck
hat, wie über der Schmelze der III-V Verbindung. Somit wird ein Abdampfen der flüchtigen Komponente aus der
Schmelze verhindert.
. Eine weitere Möglichkeit der Herstellung von Halbleiter-
* einkristallen aus III-V Verbindungen besteht darin, die
Schmelze mit einer Schmelze aus Boroxyd zu überschichten und so die flüchtige Komponente am Ausdampfen zu hindern.
Dabei können auch die Verunreinigungen vom Tiegel oder Boot nicht mehr zum wachsenden Kristall an der Oberfläche entlang
schwimmen, da sie von der Boroxydschmelze aufgenommen
werden. Der Nachteil dieses Verfahrens ist, daß beim Er--
wärmen flüchtige, insbesondere ozy&ische Verunreinigungen
unter Blasenbildung ausdampfen und dabei unkontrollierbare Mengen der flüchtigen Komponente der III-V Verbindung mitreißen.
Eine nachträgliche Wiederherstellung der Stöchiometrie der III-V Verbindungssehmelze mit Hilfe des Dampf-
) drucks der flüchtigen Komponente ist nicht möglich, da die
Oberfläche durch die Boroxydschmelze bedeckt ist.
Es wurde nun ein Verfahren zum Herstellen von Einkristallen • aus der Schmelze von III-V Verbindungen, die eine beim
Schmelzpunkt der Verbindung flüchtige Komponente aufweisen, durch Ziehen aus einem Eiegel oder Boot, wobei durch Einstellung
des Dampfdrucks der flüchtigen Komponente die Stöohiometrie der III-V Verbindung erreicht und gegebenenfalls
In Gegenwart von Dotierstoffen gearbeitet wird, ge-.
funden. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß die
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Oberfläche der Schmelze der III-V Verbindung von einer
Boroxydschmelze umrandet und gegebenenfalls weitere Teile der Oberfläche bedeckt sind.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird nur ein Teil der Oberfläche der Schmelze der III-V Verbindung von geschmolzenem
Boroxyd bedeckt. Dadurch kann auch nach dem Ausdampfen der flüchtigen Verunreinigungen die Stöchiometrie der III-V
Verbindung mit Hilfe des Dampfdrucks der flüchtigen Komponente eingestellt werden. Außerdem bleiben die Vorteile
der Boroxydbeschichtung erhalten, *robei überraschenderweise
schon ein geringer Boroxydrand große Mengen an Verunreinigungen aus dem Tiegel- oder Bootmaterial aufnimmt.
Gegenüber dem Ziehverfahren mit einer völligen Bedeckung der Schmelze bringt das erfindungsgemäße Verfahren den
weiteren Vorteil, daß man im Tiegel oder Boot die nicht flüchtige Komponente vorlegen kann, diese Komponente aufschmilzt,
mit einer Boroxydschmelze umrandet und die flüchtige Komponente über die Dampfphase bis zur Stöchiometrie
einbringt. Aus der so erhaltenen Schmelze der III-V Verbindung kann nach bekannten Verfahren der Einkristall
gezogen werden. Das erfindungsgemäße Verfahren bietet also die Möglichkeit, sowohl die Herstellung der III-V Verbindung
wie auch das anschließende Ziehen des Einkristalls aus dem polykristallinen Material in der gleichen Apparatur durchzuführen.
Von besonderer Bedeutung ist das beanspruchte Verfahren bei der Herstellung von Galliumarsenideinkristallen. Aber
auch für andere III-V Verbindungen mit einer flüchtigen
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A _
Komponente, beispielsweise Galliumphosphid, Indiumarsenid,
hat sich das Verfahren als geeignet erwiesen.
Das beanspruchte Verfahren ist hinsichtlich der Breite des Boroxydrandes sehr variationsfähig. Sind leichtflüchtige
Dotierstoffe zugegen, so erscheint bei den üblichen Tiegeln und Booten ein Abstand der Boroxydschmelze vom wachsenden
Einkristall von etwa 2 bis 5 mm besonders zweckmäßig. Wird
mit größeren Gefäßen gearbeitet, so kann der Abstand größer gehalten werden. Sind weniger flüchtige Dotierstoffe zugegen,
so ist es vorteilhaft, den Boroxydrand weniger breit zu wählen. Er muß jedoch ausreichend sein, um die zu erwartende
Menge an Oberflächenkristallen aus dem Tiegelmaterial aufnehmen zu können. Die Breite des Boroxydrandes
beträgt in solchen Fällen meistenteils 2 bis 5 mm.
Bei nur geringer noch freier Oberfläche der Schmelze benötigt die Einstellung des stöchiometrischen Verhältnisses
der III-V Verbindung längere Zeit wie bei größerer freier Oberfläche. Außerdem hängt das Ausmaß der Dotierung, die
durch den Sauerstoff der Boroxydschmelze entsteht, von der angewandten Boroxydmenge ab.
Als n-Dotierstoffe kommen vor allem Selen, Schwefel, Tellur, Silicium in Präge. Für die p-Dotierung eignen sich beispielsweise
Beryllium, Magnesium, Calcium, Kupfer, Zink und Cadmium.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird in den für das Ziehen
von Einkristallen üblichen Apparaturen durchgeführt.
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Besondere Verwendung finden die Einkristalle aus IH-V' Verbindungen für die Erzeugung von lasern und Mikrowellen.
Alle Versuche wurden in einer Apparatur durchgeführt, wie sie in der DBP 1 233 .828 beschrieben ist. In einem Alumini umoxydtiegel von 40 mm oberer Weite, 20 mm unterer Weite
und von einer Höhe von 40 mm wurden 65 g Gallium vorgelegt.
Auf das Gallium wurden 1 g Boroxyd aufgegeben. Aus einer Arsenquelle (etwa 120 g) wurde sodann die entsprechende
Arsenmenge zur Herstellung der Stöchiometrie.. des Galliumarsenids mit Hilfe eines Dampfdrucks von etwa 1 Atmosphäre
in bekannter Weise in das auf den Schmelzpunkt des Galliumarsenids erhitzte Gallium eingedampft. Sodann wurde aus
dieser Schmelze das Galliumarsenid mit Hilfe eines Impflings und einer Ziehgeschwindigkeit von 0,2 - 0,3 mm/min zu einem
Einkristall gezogen. In der verbleibenden Boroxydschmelze · sind Verunreinigungen in Porm von kleinen Kristallen oder
als aufgelöste Oxyde nachweisbar.
In einem Bornitridtiegel mit einem Durchmesser von ca, 35 mm
und einer Höhe von 33 mm wurden 140 g mit !Delnr dotiertem
Galliumarsenid vorgelegt und sodann 1 g Boroxyd aufgebracht.
Durch einö Arsenquelle, die einen Dampfdruck von etwa 1 Atmosphäre
Erzeugt, wurde die Stöchiometrie des Galliumarsenids
gewährleistet. Das Galliumarsenid wurde auf die Schmelztemperatur (etwa 12400O) erhitzt und mit einem Impfling ein
Einkristall aus der Schmelze gezogen.(Ziehgeschwindigkeit 0,2 - 0,3 mm/min).
Mit dem gleichen Verfahren wurde auch ein chromdotierter Galliumarsenideinkriatall gezogen. Dabei wurden jedoch nur
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0,2 g Boroxyd eingesetzt, da Chrom bei dem Schmelzpunkt
des Galliumarsenids kaum flüchtig ist und somit ein geringer Boroxydrand bereits die erfindungsgemäßen Vorteile
erbringt.
In einem Bornitridtiegel mit einem Durchmesser von etwa
55 mm und einer Höhe von 40 mm wurden 350 g Galliumarsenid
mit 50 mg Boroxyd beschichtet. Diese geringe Boroxydmenge reicht aus, um ein einwandfreies Ziehen eines Einkristalls
zu ermöglichen.
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Claims (1)
- PatentanspruchVerfahren zum Herstellen von Einkristallen aus der Schmelze von HI-V Verbindungen, die eine beim Schmelzpunkt der Verbindung flüchtige Komponente aufweisen, durch Ziehen eines Einkristalls aus einem Tiegel oder Boot, wobei durch Einstellung des Dampfdrucks der flüchtigen Komponente die Stöchiometrie der IH-V Verbindung erreicht und gegebenenfalls in Gegenwart von Dotierstoffen gearbeitet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Schmelze der IH-V Verbindungen von einer Boroxydschmelze umrandet und gegebenenfalls weitere Teile der Oberfläche bedeckt sind.009885/1836
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1934369A DE1934369C3 (de) | 1969-07-07 | 1969-07-07 | Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus HI-V Verbindungen |
NL7009802A NL7009802A (de) | 1969-07-07 | 1970-07-02 | |
BE753050D BE753050A (fr) | 1969-07-07 | 1970-07-06 | Procede de preparation de monocristaux de composes resultant del'union d'un element de la colonne 3 avec un element de la colonne 5 |
FR707024947A FR2060032B1 (de) | 1969-07-07 | 1970-07-06 | |
US00052751A US3741817A (en) | 1969-07-07 | 1970-07-06 | Process for producing monocrystals from iii-v compound melts with a boron oxide rim |
JP45059402A JPS4949308B1 (de) | 1969-07-07 | 1970-07-07 | |
GB3287570A GB1315346A (en) | 1969-07-07 | 1970-07-07 | Process for the manufacture of single crystals from iii-v compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1934369A DE1934369C3 (de) | 1969-07-07 | 1969-07-07 | Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus HI-V Verbindungen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1934369A1 true DE1934369A1 (de) | 1971-01-28 |
DE1934369B2 DE1934369B2 (de) | 1974-02-21 |
DE1934369C3 DE1934369C3 (de) | 1974-10-03 |
Family
ID=5739098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1934369A Expired DE1934369C3 (de) | 1969-07-07 | 1969-07-07 | Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus HI-V Verbindungen |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3741817A (de) |
JP (1) | JPS4949308B1 (de) |
BE (1) | BE753050A (de) |
DE (1) | DE1934369C3 (de) |
FR (1) | FR2060032B1 (de) |
GB (1) | GB1315346A (de) |
NL (1) | NL7009802A (de) |
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- 1970-07-02 NL NL7009802A patent/NL7009802A/xx unknown
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- 1970-07-06 US US00052751A patent/US3741817A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-07-06 FR FR707024947A patent/FR2060032B1/fr not_active Expired
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---|---|
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FR2060032A1 (de) | 1971-06-11 |
DE1934369C3 (de) | 1974-10-03 |
FR2060032B1 (de) | 1973-01-12 |
JPS4949308B1 (de) | 1974-12-26 |
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Legal Events
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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