DE1912547A1 - Widerstandsschaltung mit auf einer isolierenden Unterschicht befindlichen Leiter- und Widerstandsbereichen - Google Patents
Widerstandsschaltung mit auf einer isolierenden Unterschicht befindlichen Leiter- und WiderstandsbereichenInfo
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Description
Angstrohm Precision, Inc., 78II Lemona Avenue, Van Nuys,
California, Vereinigte Staaten von Amerika
Widerstandsschaltung mit auf einer isolierenden Unterschicht befindlichen Leiter- und Widerstandsbereichen
Die Erfindung betrifft Widerstandsschaltungen mit auf
einer isolierenden Unterschicht befindlichen Leiter- und Widerstandsbereichen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung
auf sogenannte Dünnfilmschaltungen und zwar im vorliegenden Fall auf Dünnfilm-Widerstandsschaltungen.
Dünnfilmschaltungen bestehen im allgemeinen aus ebenen Schaltkomponenten9die in Form eines oder mehrerer Beläge
aus geeignetem Material auf eine Unterschicht aufgebracht
sind. Dünnfilrawiderstände werden beispielsweise in der Art
hergestellt, daß auf eine geeignete Unterschicht ein dünner Belag als Flächenmuster aus Widerstandsmaterial von entsprechender
Dicke und entsprechender Flächenausdehnung aufgebracht wird, so daß sich der jeweils gewünschte Widerstandswert
ergibt. Die Verbindung zu anderen Schaltungskomponenten und zu den an der Unterschicht angeordneten Anschlußklemmen
wird durch leitende Beläge hergestellt, die in geeigneter
Weise auf der Unterschicht angeordnet sind, so daß die gewünschten Verbindungen sichergestellt sind. .
Bei der Herstellung solcher Filmschaltungen ergeben sich Schwierigkeiten hinsichtlich der Niederschlagung der
einzelnen Schichten auf der Unterschicht, weshalb die als Schichten auf der Unterschicht niedergeschlagenen Sclialtungskomponenten
häufig nicht genau diejenigen elektrischen Vierte haben, welche sie haben sollen. Diese Schaltungskomponenten
müssen folglich jeweils anschließend auf die jeweils gewünschten Werte berichtigt bzw; "getrimmt" werden. Diese Trimmung
erfolgt im allgemeinen dadurch, daß bestimmte Mengen der betreffenden als Schicht auf der Unterschicht niedergeschlagenen
Schaltungskomponente nachträglich wieder abgetragen werden, so daß sich im Endeffekt der angestrebte
elektrische Wert der betreffenden Schaltungskomponente ergibt.
Aus den genannten Gründen ist es allgemein üblich, die
• - 2 - ';■■'.. '
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betreffenden Schaltungskomponenten hinsichtlich ihrer jeweiligen elektrischen Werte jeweils- von vornherein absichtlich entweder
größer oder kleiner zu bemessen als die jeweils für sie angestrebten elektrischen Werte sind, so daß anschließend
diese elektrischen Werte dadurch genau eingestellt werden können, daß ein Teil der betreffenden Schichtdicke wieder
abgetragen wird. Im Falle von Filmwiderständen wird die betreffende Widerstandsschicht von vorneherein in einer Dicke
abgelagert, welche einen geringeren Wert als den angestrebten Widerstandswert ergibt. Durch entsprechende Materialabtragung
wird sodann der Querschnitt der Widerstandsschicht verringert, so daß dann sich durch diese Materialabtragung der wirkliche
Widerstandswert der Widerstands schicht auf den angestrebten Wert erhöht.
Die Einstellung der jeweils genauen elektrischen Werte
der verschiedenen Schaltungskomponenten solcher Dünnfilmschaltungen macht aber auch deshalb Schwierigkeiten, weil es
sehr schwer oder manchmal sogar unmöglich ist, die elektrischen Werte bestimmter solcher Schältkomponenten durch 'iaterialabtragunr,
einzustellen, ohne dabei gleichzeitig die elektrischen Vierte anderer Schaltungskomponenten, die mit den zu trimmenden
Schaltkomponenton zusammengeschaltet sind, ebenfalls zu beeinflussen.
Dieο hat seine Ursache weitgehend in der körperlichen
Au^bildu/iij der bisher üblichen Dünnfilmschaltungen.
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Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, bei Widerstandsschaltungen und insbesondere DünnfiImsehaltungen
der eingangs dargelegten Art eine Trimmung bestimmter Schaltungskomponenten zu ermöglichen, ohne gleichzeitig die
elektrischen Werte benachbarter, damit zusammengeschalteter Schaltungskomponenten ebenfalls zu verändern.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst,
daß eine Anzahl der Leiterbereiche der betreffenden Wider." Standsschaltung in der Nähe eines Randes und eine weitere
Anzahl der Leiterbereiche der Schaltung in der Nähe eines
zu diesem Rand entgegengesetzt gelegenen Randes der Unterschicht
angeordnet ist und daß eine Anzahl der Widerstands=··
bereiche der' Schaltung jeweils zwischen je einem der erst?4-
und zweitgenannten Leiterbereiche und eine weitere Anzahl der Widerstandsbereiche der Schaltung jeweils .zwischen je
zwei nebeneinandergelegenen dieser zweitgenannten. Leiterbe«·
reiche angeordnet ist. Durch eine derartige Anordnung sind die einzelnen Widerstandsbereiche derart auf der Unterschicht
angeordnet, daß ihre Oberflächen zum Zwecke der Trimmung abgetragen werden können, ohne daß dadurch die elektrischen Werte
anderer Widerstandsbereiche der Schaltung beeinflußt; werden.
Die Erfindung wird nunmehr in ihren Einzelheiten unter
Bezug auf die anliegende Zeichnung anhand eines bevorzugten
Ausführungsbeispieles beschrieben. In der Zeichnung stellen dar:
Fig. 1 ein Sehaltschema einer Widerstands
leiterschaltung nach der Erfindung,
Fig. 2 " eine stark vergrößerte Aufsicht auf
eine Dünnfilmschaltung nach der Erfindung, durch welche das in
Fig. 1 dargestellte Schaltschema verwirklicht wird,
Fig. 3 eine stark vergrößerte perspektivische
Teilansicht der in Fig. 2 gezeigten erfindungsgemäßen Dünnfilmschaltung
und
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer
eingekapselten Dünnfilmschaltung
nach der Erfindung.
Fig. 1 der Zeichnungen zeigt eine Leiterschaltung von
in Reihe geschalteten Widerständen 10 bis 14, während ein
weiterer Widerstand 15 mit seiner einen Klemme an das freie
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Ende des Widerstands 10 angeschlossen ist,, ein Widerstand
mit seiner einen Klemme an das freie Ende des Widerstands 14
angeschlossen ist und xireitere Widerstände 16 bis 19 jeweils' mit ihren einen Enden an die betreffenden gegenseitigen Verbindungsstellen
der Widerstände 10 bis 14 angeschlossen sind.
Zum Zwecke der Erzielung bestimmter Betriebseigenschaften können selbstverständlich jeweils entsprechend mehr oder
entsprechend weniger-Widerstände als die in der Zeichnung
dargestellte Anzahl von Widerständen in gleicher Weise zusammengeschaltet werden. Unter bestimmten Umständen kann
es auch vorteilhaft sein, die jeweils freien Enden der Widerstände 15 bis 20 an eine gemeinsame Sammelschiene anzuschließen.
Die in Fig. 1 dargestellte Art von Widerstandsschaltungen eignet sich ausgezeichnet zur Herstellung im
Dünnfilmverfahren und eine solche "Dünnfilmschaltung nach
der Erfindung ist in. den Fig. 2 und 3 jeweils in stark vergrößertem
Maßstab wiedergegeben. Eine beispielsweise aus keramischem Material oder aus Glas bestehende Unterschicht
ist in eine Anzahl länglicher Unterbereiche unterteilt, welche in der Zeichnung mit den Bezugsziffern Al, Bl, A2, B2,
A3j B3, AH, A5s B5 und Αβ bezeichnet sind. Jeder dieser
Unterbereiche verläuft jeweils mit seiner Längsachse in
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rtiehtung der Querachse der Unterschicht 30, wobei diese
Unterbereiche jeweils, parallel zueinander liegend längs
der Längsachse der Unterschicht angeordnet sind. Aus den FiG· 2 und 3 ist außerdem ersichtlich, daß auf der Oberfläche
der Unterschicht ein sich wiederholendes Muster von Hüten
und zwischen diesen Nuten gelegenen Swischenerliöhungen gebildet
ist. Die jeweils ungeradreihigen Bereiche, nämlich die Bereiche Al bis A63 weisen jexreils zwischen vertieften Dereichen 32 und 33 verlaufende schlangenlinienförraige
jjuten 31 auf, In den jeweils geradreihigen Bereichen
Bl bis B5 sind jeweils nebeneinanderliegende der vertieften
Oereiche 33 durch U-förmig verlaufende Hüten 3^ miteinander
verbunden. Diese Hüten haben vorzugsweise einen V-förmigen
Querschnitt, können aber auch einen gerundeten oder irgendwie anders gestalteten Querschnitt haben.
Die vertieften Bereiche 33 verlaufen jeweils längs des
einen Randes der Unterschicht 30 quer zu den jeweils neben-•einanderliegenden
Unterbereichen Al bis Αβ, Aus Fig. 2 geht hervor, daß die jeweils am meisten links und am meisten rechts
gelegenen Bereiche 33. bzw. 33<
sich quer zu den jeweiligen Unterbereichen Al3 Bl bzw» B5 und A6 erstrecken. Die Bereiche
33p frj-s 33r erstrecken sieh jeweils quer zu drei
aneinandergrenzenden Unterbereichen, Der Bereich 32? erstreckt
sich quer über die Unterbereiche Bi, A2 unä B2? 4er Bereich
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erstreckt sich quer über die* Unterbereiche B2, A3, 33 usw.
Die jeweils benachbarten Bereiche 33-i bis 33r sind jeweils
J. O
durch Kämme bzw. Zvischenerhöhungen 60 bis 64 voneinander
getrennt. Am entgegengesetzt gelegenen Rand der Unterschicht erstreckt sich der Bereich 32.- quer über die
Bereiche Al und 31, während sich der Bereich 32? quer über
die Bereiche A2 und B2 erstreckt usw. längs des Randes der Unterschicht bis zum Bereich 32g, welcher nur innerhalb des
Unterbereiches A6 liegt.
Die dargestellte Dünnfilmschaltung nach der Erfindung wird in an sich bekannter Weise durch Schichtenablagerung
hergestellt. Die Bereiche 32. bis 32,- und 33^ bis 33r werden
jeweils durch niederschlag einer leitenden Schicht 70,
beispielsweise eines Goldbelages, metallisiert. Sodann wird in den Nuten 31 bzw. 3^ zur Bildung der Widerstandsbereiche
ein .geeignetes Widerstandsmaterial 72 als Belag niedergeschlagen.
Dabei-wird der Niederschlag dieses Widerstandsmateriales
in den Nuten so vorgenommen, daß dieses Widerstandsmaterial über die in den betreffenden Nutenden zugeordneten
Bereichen niedergeschlagenen leitenden Beläge hinübergreift, so daß.in jedem Falle eine elektrische Verbindung
zwischen diesen leitenden Bereichen und den so gebildeten Widerstandsbereichen hergestellt ist. An die in
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den Bereichen 32 bzw. 33 befindlichen leitenden Beläge sind
Anschlüsse3 beispielsweise Leitungsdrähte 36 über entsprechende
Anschlußstellen, -beispielsweise über Leitungsdrahtköpfe 37 angeschlossen, welche beispielsweise mittels eines
elektrisch leitenden Tittes an die betreffenden Leiterbereiche angeschlossen sind.
Die einseinen "Tiderstandsbereiche können hinsichtlich
ihrer elektrischen Werte dadurch getrimmt vierden, daß jeweils
ein Teil des Widerstandsraaterials abgetragen und dadurch
der Querschnitt des lilderstandsmaterials verkleinert wird.
Dadurch, daß gGKiHß der r.rfindung die genannten Muten in ihrem
Querschnitt V-förmig sind, ist es möglich, durch Abtragung
jeweils nur geringer -!engen von Widerstandsmaterial verhältnismäßig
große Widerstandsänderungen vorzunehmen. So ist es beispielsweise sehr leicht, bei den erfindungsgemäß gestalteten
Widerstandsbereichen Widerstandsänderungen von 5 : 1 zu erreichen.
Die einzelnen Widerstandsbereiche liegen jeweils innerhalb ihnen zugeordneter Unterbereiche. So liegt beispielsweise
der am meisten links gelegene Widerstandsbereich 31^ im
Unterbereich Al, der Widerstandsbereich ~$h. im Unterbereich Bl,
der nächste Widerstandsbereich 31? im Unterbereich A2 usw.
längs der gesamten Länge der Unterschicht. Die einzelnen
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BAD ORIGINAL
Widerstandsbereiche können infolgedessen dadurch getrimmt
werden, daß eine bestimmte Menge von Widerstandsmaterial abgetragen oder in anderer Weise entfernt wird,, was beispielsweise
durch Hindurchführung unter einer Schleifscheibe oder
durch Ultraschallabtragung des Widerstandsmaterials längs der Länge des betreffenden Unterbereiches -,eschenen kann,
in welchem der jeweils zu trimmende Widerstandsbereich .gelegen
ist.
Die Trimmung der in der Zeichnung dargestellten Leiterschalt
uns kann beispielsweise folgendermaßen erfolgen«Zunächst
werden die Zwischenerhöhungen 5O3 5I5 52 und 53 beschliffen,
wodurch in den ihnen zugeordneten Nuten jeweils bestimmte
Mengen von Widerstandsmaterial abgetragen xverden, so daß der
Widerstandswert des Widerstandsbereiches 31* eingestellt und
der Widerstandswert des Widerstandsbereiches 3^1 teilweise
eingestellt wird. Sodann werden die Zwischenerhöhun,;en 55, 56,
57 und 58 jeweils um ein bestimmtes Maß beschliffen, wodurch der Widerstandsbereich 31? eingestellt wird. Durch den letztgenannten
Schleifvorgang werden auch die Widerstandswerte der U-förmig verlaufenden Widerstandsbereiche 3^., und J>k„
berichtigt, da die Zivischenerhöhungen 55 und 58 auch Teilen
dieser U-förmig verlaufenden Widerstandsbereiche zugeordnet sind. Die anderen schlangenlinienförmig verlaufenden Wider-
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Standsbereiche 31 der Schaltung werden in gleicher Weise
durch Beschleifen der ihnen zugeordneten Zwischenerhöhungen
eingestellt. Wenn alle Widerstandsbereiche 31 auf die jeweils gewünschten Widerstandswerte eingestellt sind, werden die
Widerstandsbereiche 34 auf die angestrebten Widerstandswerte
hingetrimmt. So wird beispielsweise die Zwischenerhöhung 60 genügend weit beschliffen, bis der Widerstandswert des
Widerstandsbereiches J>k, den gewünschten Wert erreicht hat,
wonach die anderen Widerstandsbereiche 34 der Schaltung in
gleicher Weise durch Beschleifen der ihnen jeweils zugeordneten
Zwischenerhöhungen öl bis 64 getrimmt werden. So kann also
jeder Widerstandsbereich der Schaltung jeitfeils für sich auf
den jeweils gewünschten Widerstandswert hingetrimmt werden.
Ss ist bemerkenswert j daß die U-förmig verlaufenden Widerstandsbereiche
34 während der Trimmung der ihnen benachbarten Widerstandsbereiche 31 ebenfalls mitgetrimmt werden. Die
Form der Widerstandsbereiche 34 gestattet jedoch ihre weitere
Uachtrimmung durch entsprechendes Beschleifen der Zwischenerhöhungen
60 bis- 64j wie dies oben beschrieben wurde. Auf
diese Weise können die Widerstandsbereiche 34 jeweils für
sich getrimmt werden, ohne daß die bereits vorher eingestellten, ihnen benachbarten Widerstandsbereiche 31 beeinflußt xverden.
Die einzelnen Widerstandswerte der Schaltung werden
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selbstverständlich so eingestellt, daß sich die jeweils gexfünselite Wirkungsweise der Gesaratschaltung ergibt. Soll
also beispielsweise die Schaltung für Analog-Digitalumwandlungen Verwendung finden, so können die- Widerstände 10 bis
d.h. die Widerstandsbereiche j>4 so bemessen werden, daß sie
jeweils einen Widerstandswert R haben, während die Widerstände 15 bis 20, d.h. die Widerstandsbereiche 31 so bemessen
werden, daß sie jeweils den Widerstandswert 2 · R haben.
Nach entsprechender Einstellung der einzelnen Schaltungskomponenten
kann die Schaltung in ein Schutzgehäuse 40 eingekapselt
werden, welches beispielsweise aus Epoxyharz oder irgend einem anderen geeigneten Material bestehen kann.
Dadurch ergibt sich eine in Fig. 4 gezeigte, recht stabile und in hohem Maße wirksame Schaltungseinheit.
Die Erfindung ist nicht auf die dargestellte und beschriebene bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern
beinhaltet alle sich dem Fachmann aufgrund seiner Sachkenntnis ergebenden Äquivalente und Abwandlungen.
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Claims (11)
- Patentansprücheί 1ΛWiderstandsschaltung mit auf einer isolierenden Unterschicht befindlichen Leiter- und Widerstandsbereichen, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzahl (32) dieser Leiterbereiche (32, 33) in der Nähe eines Randes und eine weitere Anzahl (33) dieser Leiterbereiche in der HUhe eines zu diesen Rand entgegengesetzt gelegenen Randes .der genannten Unterschicht (30) angeordnet ist und daß eine Anzahl (31) der genannten Widerstandsbereiehe (31S 3*0 jeweils zwischen je einem der erst-(32) und zweitgenannten (33) Leiterbereiche und eine weitere Anzahl (3*0 der genannten Widerstandsbereiche jeweils zwischen je zwei nebeneinandergelegenen dieser zweitgenannten (33) Leiterbereiche angeordnet ist.
- 2. Viiderstandsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erstgenannten und die zweitgenannten Leiterbereiche (32 bzw. 33) entsprechend der Anzahl der Widerstandsbereiche (31 bzw. 3*0 parallel zueinander längs der Unterschicht (30) angeordnet und jeweils endseitig mitAnschlußstellen (37) für äußere Leiter (36) versehen 3ind und daß jeweilö zwischen je zwei einander gegenüberliegenden (z.B. 32,., 33-jj 32p, 33p ···) dieser Leiterbereiche und- 13 -Θ09Θ3Θ/1201jeweils zwischen je zwei nebeneinandeFließenden (z.3. 331, 33pi 33pi 33-t ···) Leiterbereichen einer dieser parallelen Leiterbereichreihen schlangenlinienformig verlaufende Huten in der Unterschicht angeordnet sind, die 'jeweils mit die genannten Widerstandsbereiche darstellenden Belägen aus Widerstandsmaterial versehen sind.
- 3. Widerstandsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweils nebeneinanderliegende Leiterbereiche (z.B. 33-, j 33pi 33pj 33v ···) miteinander verbindenden widerstandsmaterialbele~ten fluten (3^L3 32Jp . · · ) U-föraiig verlaufen.
- k. Widerstandsschaltung nach Anspruch 2 oder 3.·. dadurch Sekennzeichnet, daß die Leiterbereiche (32, 33) aiii Bezu^ auf die Oberfläche der Unterschicht (30) in die iJutebene zurückgesetzt sind.
- 5. Widerstandsschaltung nach einem der Ansprüche 2bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß an den Anschlußstellen (37) jeweils von der Unterschicht (30) gehaltene Leitungsdrähte (36) angebracht sind.
- 6. Widerstandsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5»009838/1201gekennzeichnet· durch ein die Anordnung umgebendes Schutzgehäuse (40).
- 7· WidersfcaiKlssefiaXfcung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt der Nuten V-förmig ist waü diaß die Vliderstandsmaterialschicht an den ^Jutwanöungen angeordnet ist.
- 8. ¥i der st anas; schaltung nach einem der Ansprüche 1.bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbereiche (323 33) von firmartigen Belägen aus leitendem Material gebildet werden und daß die Unterschicht (30) in Form von Zwischenerhöhungen (51> 52, 53 -·.) derart zwischen den Leiterbereichen bzw. liiderstandsbereichen (31, 3*0 übersteht, daß diese auf der Unterschicht (30) ein sich wiederholendes ; Huster bilden»
- 9. vfiderstandissehaltung nach einem der Ansprüche1 bis 8a dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Widerstandsbereiche (31* 3*0 durch Oberflächenabtrag größenmäßig einstellbar sind.
- 10. Widerstandsschaltung nach Anspruch 8 oder 9» dadurch gekennzeichnet,, daß die größenordnungsmäßige Ein-- 15 808838/1201stellung der Widerstandsbereiche (31S 3*0 durch Abschliff der zwischen den Leiterbereichen (32, 33) bzw. Widerstandsbereichen überstehenden Zwischenerhöhungen (51* 52, 53 ···) der Unterschicht (30) möglich ist.
- 11. Widerstandsschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Abschliff der genannten Zwischenerhöhungen (5I5 52, 53 ···) derart möglich ist, daß jeitfeils nur der Widerstandswert eines Widerstandsbereiches (z.B. 31-,) verändert xvird, ohne daß der Widerstandswert eines dazu benachbarten Widerstandsbereiches (z.B. 31?) verändert wird.009838/1201
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GB (1) | GB1215340A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3344872A1 (de) * | 1983-12-12 | 1985-06-20 | Ernst Roederstein Spezialfabrik für Kondensatoren GmbH, 8300 Landshut | Spannungsteiler |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4418474A (en) * | 1980-01-21 | 1983-12-06 | Barnett William P | Precision resistor fabrication employing tapped resistive elements |
GB2181009B (en) * | 1985-09-23 | 1989-11-29 | Fluke Mfg Co John | Apparatus and method for providing improved resistive ratio stability of a resistive divider network |
GB9813668D0 (en) * | 1998-06-25 | 1998-08-26 | Sentec Ltd | Printed circuit board current sensor |
US6229428B1 (en) * | 2000-05-30 | 2001-05-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microcircuit resistor stack |
EP2801098A4 (de) * | 2012-01-04 | 2015-06-24 | Services Petroliers Schlumberger | Hochspannungswiderstand und herstellungsverfahren dafür |
US20160027562A1 (en) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | Qualcomm Incorporated | Precision resistor tuning and testing by inkjet technology |
EP3451352B1 (de) * | 2017-08-28 | 2020-05-27 | Hochschule Für Angewandte Wissenschaften München | Hochgenaue generative fertigung von elektrischen widerständen |
TWI667666B (zh) * | 2018-12-05 | 2019-08-01 | 光頡科技股份有限公司 | 電阻元件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT150922B (de) * | 1935-02-05 | 1937-10-11 | Kremenezky Ag Joh | Widerstandssatz. |
US2629166A (en) * | 1948-10-07 | 1953-02-24 | Int Resistance Co | Method of forming resistor assemblies |
US2775673A (en) * | 1954-05-26 | 1956-12-25 | Frank G Johnson | Resistor |
US2994848A (en) * | 1958-08-20 | 1961-08-01 | Illinois Tool Works | Resistor device |
US3353136A (en) * | 1964-06-05 | 1967-11-14 | Zd Elektroizmeriteljnykh Pribo | Printed resistors |
-
1968
- 1968-03-12 US US712437A patent/US3512115A/en not_active Expired - Lifetime
-
1969
- 1969-03-12 GB GB03146/69A patent/GB1215340A/en not_active Expired
- 1969-03-12 FR FR6906913A patent/FR2003731A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-03-12 DE DE19691912547 patent/DE1912547A1/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3344872A1 (de) * | 1983-12-12 | 1985-06-20 | Ernst Roederstein Spezialfabrik für Kondensatoren GmbH, 8300 Landshut | Spannungsteiler |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1215340A (en) | 1970-12-09 |
FR2003731A1 (de) | 1969-11-14 |
US3512115A (en) | 1970-05-12 |
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