DE1807631A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
HalbleiterbauelementInfo
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- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
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Description
Patentanwalt·
DIpI.-!ng. Π. Qootz u.
Dipl.-Ing. Umpredit
OKD PRAHA, oborovy poanik, Prag (Tschechoslowakei)
Halbleiterbauelement
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit
einem in einem Gehäuse eingeschlossenen und mit Elektroden in gleitfähiger Druokkontaktverbindung stehenden, flächenhaften Halbleiterelement«
Zur Verbindung des flächenhaften Halbleiterelementes mit den Elektroden verwendete man bisher zweierlei Anordnungen. Die eine Anordnung
besteht darin, daß das flächenhafte Halbleiterelement mit den Elektroden in einer festen metallischen Verbindung, vorwiegend Lötverbindung,
steht. Ein Nachteil dieser Verbindungsart ist insbesondere darin zu sehen, daß das flächenhafte Halbleiterelement und die Elektroden
aus Werkstoffen bestehen, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten voneinander abweichen. Bei thermischen Dehnungen kommt es zu
(S 5899-V 1080)-IpGr(7)
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Störungen der metallischen Verbindungen, die auch zu einer Zerstörung
des Halbleiterelements führen können·
Vom betriebs- und fertigungstechnischen Standpunkt aus erscheint die zweite Anordnungsart, bei der eine Druckkontaktverbindung Verwendung
findet, viel vorteilhafter. Diese Art erlaubt eine gleitfähige Verbindung, deren Vorteil darin besteht, daß es bei den thermischen
Dehnungen zu keinen Störungen der Verbindungen kommt, und demzufolge
das Halbleiterelement keinen schädlichen Wirkungen ausgesetzt ist· Pur diese Verbindungsart werden nach dem Stand der Technik verschiedene
technische Mittel verwendet»
Dafür verwendet man nach dem Stand der Technik im wesentlichen zwei Gehäusebauarten. Eine davon ist die klassische Ausführung, bei
der an einer Grundplatte, die zugleich eine der Hauptelektroden bildet, ein Halter der Druckfeder befestigt ist, der das flächenhafte
Halbleiterelement über die andere Hauptelektrode an die Grundplatte drückt. Diese Anordnung wird durch einen Gehäuseteil überdeckt, der
zugleich die Ausführung der zweiten Elektrode trägt und an der.Grundplatte
befestigt ist·
Ein lachteil dieser Ausführungen besteht in hohen iertigungsaufwendungen
und einem erheblichen Raumbedarf. Der größte Nachteil besteht jedoch darin, daß bei einer derartigen Bauart bloß eine, einseitige
Kühlung des Halbleiterelementes möglich ist. .
In letzter Zeit verwendet man überwiegend die zweite Gehäusebauart,
die derart ausgeführt ist, daß die flächenhaften Hauptelektroden
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miteinander durch einen Verbindungsteil verbunden sind, mit welchem
zusammen sie ein fertigungstechnisch einfaches Gehäuse bilden. Das
aus einem Siliziumeinkristallplättchen bestehende und mindestens einen pn-übergang enthaltende Halbleiterelement, das mit entweder durch
einen direkten Metallüberzug oder durch Befestigung von Trägerplatten, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient dem des Halbleiterplättchens
benachbart liegt, gebildeten Anschlußelektroden versehen ist, ist in diesem Gehäuse derart angeordnet, daß es mit den Anlageflächen
der beiden Anschlußelektroden in Berührung steht. Der zur Herstellung des Kontaktes zwischen den Elektroden und dem Halbleiterelement erforderliche
Druck wird außerhalb des Halbleiterbauelementes liegenden Druckkörpern, in der Regel zwei Kühlkörpern, entnommen.
Bei einigen dieser Gehäuse ist der Verbindungsteil aus zwei kreisringförmigen
Rahmen gebildet, deren jeder mit seinem Innenrand jeweils
an der einen Hauptelektrode befestigt ist und die an ihren Außenrändern mit metallischen Ansätzen versehen sind, die Üblicherweise miteinander
verschweißt sind. Die Metallansätze sind als flache Ringe ausgestaltet, die in einer zur Achse des Halbleiterbauelementes senkrecht
liegenden Ebene angeordnet sind. Sie erlauben eine axiale Bewegung der Hauptelektroden, um durch den ausgeübten Druck die notwendige
Berührung mit dem Halbleiterelement zu erreichen.
Ein Nachteil dieser bekannten Gehäuseausführungen besteht darin, daß sie die Parallelität der Flächen der Hauptelektroden und des Halbleiterelementes
nicht gewährleisten und nur schwierig die durch Fertigungstoleranzen entstehenden Abweichungen ausgleichen.
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Dieser Mangel macht sich insbesondere "bei denjenigen Gehäusen
bemerkbar, in welchen die Hauptelektroden aus steifen, unverformbaren
Platten bestehen. Ein Vorteil dieser Elektroden ist insbesondere darin zu sehen, daß hierbei die Möglichkeit einer einwandfreien Bearbeitung
der Oberfläche vom Standpunkt der Planparallelität und der Rauhigkeit aus besteht·
Die Erfindung hat zur Aufgabe, diese Mängel zu vermeiden und bei einem Gehäuse, bei dem der Verbindungsteil der aus unverformbaren Platten
ausgebildeten Hauptelektroden aus zwei Eahmen besteht, die im wesentlichen kreisförmig sind und deren Außenränder mit Ansätzen versehen
sind, eine derartige Verbindung der beiden Rahmen zu schaffen, welche bei der Fertigung eine höchsterreichbare Planparallelität des
aus einem Siliziumeinkristallplättchen bestehenden und mindestens einen pn-übergang enthaltenden Halbleiterelementes mit den entweder
durch einen direkten Metallüberzug oder durch Befestigung von Trägerplatten, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient dem des Halbleiterplättchens
benachbart liegt, gebildeten Anschlußelektroden und den Hauptelektroden derart gewährleistet, daß die zur Erreichung einer
vollen gleitfähigen Berührung erforderliche Druckkraft minimal ist.
Gegenstand der Erfindung, mit der diese Aufgabe gelöst wird, ist ein Halbleiterbauelement, bei dem ein flächenhaftes, mindestens einen
pn-übergang enthaltendes Halbleiterelement in einem aus zwei durch unverformbare
Platten gebildeten Elektroden und einem isolierenden Verbindungsteil
bestehenden Gehäuse untergebracht ist, wobei der isolierende Verbindungsteil aus zwei ringförmigen Rahmen besteht, deren jeder .
mit seinem Innenrand jeweils an der einen Elektrode befestigt ist und
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die mit ihrem Außenrand unter Anwendung von an den Außenrändern eines
jeden Rahmens befestigten Ansätzen miteinander verbunden sind, wobei
mindestens einer der Rahmen aus isolierendem Material hergestellt ist, mit dem Kennzeichen, daß die Ansätze als zwei Rohre unterschiedlichen
Durchmessers ausgestaltet sind, deren jedes mit seiner Innenseite jeweils
an der Außenseite eines der Eahmen befestigt ist, so daß sie koaxial mit der Achse des Halbleiterbauelementes liegen und ineinander
eingeschoben sind, wobei ihre länge derart bemessen ist, daß sie über die Außenränder des Rahmens hinausragen, an dem das Rohr kleineren
Durchmessers befestigt ist, und diese hinausragenden Enden miteinander verbunden sind·
Die Vorteile der erfindungsgemäßen Ausführung bestehen darin, daß vor der letzten Operation, bei der die Ansätze der beiden Rahmen zur
Verbindung gelangen, die hochsterreichbare Planparallelität der Anlageflächen
gewährleistet ist und nach der Durchführung der Verbindung der beiden Rahmen und des Abschließens des Gehäuses am Umfang dieses Gehäuses
ein steifer Ring ausgebildet wird, der die Zerstörung der festgelegten Planparallelität verhindert. Eine wichtige Auswirkung der erfindungsgemäßen
lösung besteht darin, daß ohne jedwede Fertigungsschwierigkeiten und Sonderoperationen der ungünstige Einfluß aller Pertigungstoleranzen
auf die Planparallelität und somit auf den Wert der Druckkraft vermieden wird·
Der Erfindungsgegenstand kann vorzugsweise so ausgeführt werden, daß die Rahmenansätze als metallische Rohre ausgebildet und ihre hinausragenden
Enden zusammengeschweißt sind.
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Die Erfindung ermöglicht eine weitere vorteilhafte Ausführung
des Gehäuses, die darin besteht, daß die die Ansätze bildenden Rohre
als eine untrennbare Einheit mit den Rahmen hergestellt und ihre freien.
Enden durch einen Verbindungsring verbunden .sind. Um die Verbindung
zu erleichtern, können die" Enden mit geeigneten Vorsprängen versehen
werden. In diesem lalle ist der Verbindungsring in Kunststoff-Spritzguß
ausgeführt·
In einer weiteren Ausführung der Erfindung sind die freien Rohrenden
metallüberzogen, und der Verbindungsring ist als ein U-Ring ausgestaltet,
der angelötet ist. In diesem Falle kann der Verbindungsring
auch aus einer lötschicht hergestellt werden.
In der Ausführung mit metallischen Rohren kann das erfindungsgemäße
Gehäuse derart vereinfacht werden, daß einer der Rahmen aus elektrisch isolierendem Werkstoff hergestellt ist, während der andere
aus Metall besteht und mit dem zugehörigen Rohransatz aus Metall eine
untrennbare Einheit bildet« Vorteilhaft ist sodann die Ausführung, bei der cer metallische Rahmen die Gestalt eines Kegelstumpfes hat.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung veranschaulicht.
Es zeigen«
Pig. 1 einen Schnitt durch ein Halbleiterbauelement, bei dem die
Ansätze als metallische Rohre ausgebildet sind;
Pig. 2 einen Schnitt durch ein Halbleiterbauelement, bei dem die Ansätze mit dem Rahmen eine untrennbare Einheit bilden j
Fig. 3 einen Schnitt durch ein Halbleiterbauelement mit vereinfachtem
Gehäuse.
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Das flächenhafte Halbleiterelement 1, bestehend aus einem SiIiziumeinkristallplättchen
mit einem pn-übergang und Kontakten, ist zwischen zwei Elektroden, der Anode 2 und der Kathode 3, gleitfähig angeordnet,
die durch zwei steife, unverformbare Kupferplatten gebildet sind» An der Anode 2 ist vermittels eines aus einer Fe-Ni-Legierung
hergestellten Verbindungsringes 4 ein Rahmen. 5 aus keramischem Material
befestigt, an dessen Außenrand ein Rohr 6 angeschlossen ist, das nach den in fig· 1 und 3 gezeigten Ausführungen aus der Fe-Ni-Legierung
besteht. Bei der in Fig. 2 veranschaulichten Ausführung ist das Rohr 6 aus keramischem Material und bildet eine untrennbare Einheit
mit dem Rahmen 5.
Ähnlich ist auch die Kathode 3 angeordnet. Bei den in Fig. 1 und 2 gezeigten Ausführungen ist an der Kathode 3 vermittels des Verbindungsringes
4 ein keramischer Rahmen 7 befestigt, an dessen Außenrand ein Rohr 8 angeschlossen ist. Bei der Ausführung gemäß Fig. 1 ist das
Rohr aus der Fe-Ni-Legierung hergestellt. Bei der Ausführung gemäß
Fig. 2 besteht das Rohr 8 aus keramischem Material und bildet eine untrennbare
Einheit mit dem Rahmen 7·
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführung ist der Rahmen 7 aus der Fe-Ni-Legierung als eine untrennbare Einheit mit dem Rohr 8 ausgebildet
und unmittelbar an der Kathode 3 befestigt.
Die Rohre 6 und 8 sind ineinandergeschoben und an ihren Enden verbunden. Bei den Ausführungen nach Fig. 1 und 3 ist die Verbindung
durch eine Schweißnaht gebildet. Bei der in Pig. 2 gezeigten Ausführung ist die Verbindung durch einen Spritzgußring 9 aus Kunststoff,
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der eine U-Form aufweist, gebildet. Um eine zuverlässige Verbindung
zu erreichen, sind die Enden der Bohre 6 und 8 hier mit einem Umfangsvorsprung
versehen.
Das Herstellungsverfahren der in Fig.. 1 veranschaulichten Ausführung
des Erfindungsgegenstandes ist, wie folgt»
Es werden zwei Untergruppen hergestellt, die eine bestehend aus der Anode 2, dein Ring 4, dem Rahmen 5 und dem Rohr 6 und die andere
aus der Kathode 3> dem Ring 4, dem Rahmen 7 und dem Rohr 80
Auf die Kathode 3 wird das flächenhafte Halbleiterelement 1 gelegt, worauf die die Anode 2 tragende Untergruppe mit ihrem Rohr 6
in das Rohr 8 eingeschoben wird und mit einem Werkzeug unter Anwendung der Druckkraft von einem im voraus festgelegten Wert beide Untergruppen
über die Kathode 3 und die Anode 2 derart aneinander gedrückt rwerden, daß die Anlageflächen der Kathode 3 und der Anöde 2
und des flächenhaften Halbleiterelementes 1 aufeinander aufsitzen. Dadurch werden alle Fertigungstoleranzen behoben, die auch bei einer
präzisen Fertigung entstehen und die sonst den erforderlichen einwandfreien Kontakt der Anlageflächen beeinträchtigen würden. In diesem
Falle werden die Ränder der Rohre 6 und 8 zusammengeschweißt.
Im wesentlichen derselbe Vorgang wird auch bei der Fertigung des in Fig. 2 und 3 gezeigten Halbleiterbauelementes angewandt« Der Unterschied
der Endoperation bei der Ausführung nach Fig. 2 besteht darin, daß die Verbindung der beiden Rohre 6 und 8 in Spritzguß ausgeführt
ist bzw., falls die Berührungsflächen der Rohre 6 und 8 metallüberzogen sind, daß die Verbindung durch Verlötung gebildet ist.
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Claims (1)
- Patentansprüche1· Halbleiterbauelement, bei dem ein flächenhaftes, mindestens einen pn-übergang enthaltendes Halbleiterelement in einem aus zwei durch unverformbare Platten gebildeten Elektroden und einem isolierenden Yerbindungsteil bestehenden Gehäuse untergebracht ist, wobei der isolierende "Verbindungsteil aus zwei ringförmigen Rahmen besteht, deren jeder mit seinem Innenrand jeweils an der einen Elektrode befestigt ist und die mit ihrem Außenrand unter Anwendung von an den Außenrändern eines jeden Rahmens befestigten Ansätzen miteinander verbunden sind, wobei mindestens einer der Rahmen aus isolierendem Material hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansätze als zwei Rohre (6, 8) unterschiedlichen Durchmessers ausgestaltet sind, deren jedes mit seiner Innenseite jeweils an der Außenseite eines der Rahmen (5) befestigt ist, so daß sie koaxial mit der Achse des Halbleiterbauelementes (1) liegen und ineinander eingeschoben sind, wobei ihre Länge derart bemessen ist, daß sie'über die Außenränder des Rahmens (5) hinausragen, an dem das Rohr (6) kleineren Durchmessers befestigt ist, und diese hinausragenden Enden miteinander verbunden sind.2c Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei welchem die beiden Rahmen aus elektrisch isolierendem Material hergestellt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansätze als metallische Rohre (6, 8) ausgebildet und ihre hinausragenden Enden zusammengeschweißt sind·3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei welchem die beiden Rahmen aus elektrisch isolierendem Material hergestellt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Rohre (6, 8) mit den Rahmen (5, 7) eine untrennbare90983 8/0803- ίο -Einheit bilden und ihre hinausragenden Enden durch einen Verbindungsring (9) verbunden sind.4. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und 3* dadurch gekennzeichnet, daß die hinausragenden Enden der Rohre (6, 8) mit Vorsprängen versehen sind und der Verbindungsring (9) aus Kunststoff-SpritE-guß besteht,5. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und 3} dadurch gekennzeichnet, daß die Berührungsflächen der hinausragenden Enden der Bohre (6, 8) metallüberzogen sind und der Verbindungsring (9) als ein metallischer U-Ring ausgebildet und angelötet ist»6. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und 3t dadurch gekennzeichnet, daß der Verbindungsring (9) aus einer Lötschicht besteht.7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Rahmen (5) aus elektrisch isolierendem Material und der andere (71) aus Metall hergestellt sind und das eine Rohr (8) mit dem Rahmen (71) eine untrennbare Einheit bildet.3. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und 7S dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Rahmen (7f) die G-estalt eines Kegelstumpfes hat»909838/0803 ORIGINAL INSPECTED
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