DE1803779C3 - Transistor - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor, der einen Halbleiterkörper mit einer Kollektorzone, einer an eine praktisch ebene Oberfläche grenzenden Basiszone und einer nur an diese Oberfläche grenzenden und ferner völlig durch die Basiszone umgebenen schichtförmigen mit öffnungen versehenen Emitterzone enthält, wobei die Basiszone in den öffnungen der Emitterzone an die ebene Oberfläche grenzt, und auf dieser Oberfläche eine Isolierschicht angebracht ist, die wenigstens die Schnittlinie des Emitter-Basis-Übergangs mit dieser Oberfläche bedeckt, und die Basiszone wenigstens an der Stelle der öffnungen und die Emitterzone durch Fenster in der Isolierschicht mit einer Basiskontaktelektrode bzw. einer Emitterkontaktelektrode verbunden sind.

Derartige Transistoren, die sich insbesondere für hohe Leistungen bei hohen Frequenzen eignen, sind au; der Zeitschrift »Electronics«, Heft vom 11. Dezembei 1967, S. 110 bis 114, bekannt Dabei ist es wichtig, da£ eine derartige Struktur mit einer mit öffnunger versehenen Emitterzone eine große Emitterrandlänge je Flächeneinheit des Transistors ergibt, während ferne« die Gefahr eines Sekundärdurchbruchs bei einer derartigen durchlochten Emitterzone kleiner ist als bei einer Emitterzone, die in mehrere kleine getrennte Teilzonen unterteilt ist - wie dies z. B. aus der FR-PS 13 58 189 bekannt ist —,da eine auftretende Stromverdichtung sich bei einer durchlochten Emitterzone über einen größeren Teil der Emitterzone ausbreiten kann, bevor die Stromverdichtung örtlich eine derartige Größe erreicht, daß ein sekundärer Durchbruch auftritt

Die durchlochte Emitterzone bedeutet gegenüber der in getrennte Teilzonen unterteilten Emitterzone eine erhebliche Verbesserung, vorwiegend infolge der Taisache, daß die durchlochte Emitterzone eine zusammenhängende Zone ist Eine derartige zusammenhängende Emitterzone hat sowohl eine große Emitterrandlänge je Flächeneinheit des Transistors als auch eine große zulässige Stromdichte je Längeneinheit des Emitterrandes. Infolge des Zusammenhangs und der Niederohmigkeit der Emitterzone ist der elektrische Widerstand zwischen den unterschiedlichen Teilen des Emitterrandes gering und es wird eine gute Stromverteilung über den Emitterrand begünstigt.

Es sei bemerkt, daß in diesem Zusammenhang unter der Emitterrandlänge je Flächeneinheit des Transistors die Länge der Schnittlinie des Emitter-Basis-Übergangs mit der praktisch ebenen Oberfläche des Transistor Halbleiterkörpers je Flächeneinheit desjenigen Teils der praktisch ebenen Oberfläche, an den die Basiszone und die Emitterzone grenzen, zu verstehen ist.

Insbesondere mit Rücksicht auf Hochleistungstransistoren ist es wichtig, die mit der durchlochten Emitterzone erzielbare zulässige Stromdichte je Längeneinheit des Emitterrandes weiter zu steigern, um Transistoren mit kompakter Struktur, die nur eine geringe Kapazität zwischen der Basis- und der Kollektorzone aufweisen, erhalten zu können. Diese geringe Kapazität ist insbesondere für die Anwendung des Transistors bei höheren Frequenzen wichtig.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Transistor mir einer größeren zulässigen Stromdichte je Flächeneinheit des Transistors zu schaffen, und zwar beruht die Erfindung auf der aus Versuchen gewonnenen Erkenntnis, daß diese Stromdichte durch eine einfache Maßnahme gesteigert werdeii kann, ohne daß die Gefahr eines Auftretens von einem sekundären Durchbruch entsteht.

Diese Aufgabe wird durch einen Transistor von der eingangs beschriebenen Art gelöst, der gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet ist, daß die mit öffnungen versehene Emitterzone aus mindestens zwei durch die Basiszone voneinander getrennten Teilen besteht.

Daß mit dieser einfachen Maßnahme eine wesentliche Verbesserung erzielt wird, ist um so überraschender, weil die guten Eigenschaften der bekannten durchlochten Emitterzone insbesondere der zusammenhängenden Ausbildung der Emitterzone zugeschrieben werden, durch die sich eine günstige Kombination einer guten Stromverteilung und einer großen Randlänge je Flächeneinheit ergibt. Völlig im Widerspruch mit diesem Gedanken stellte es sich bei den der Erfindung zugrunde liegenden Versuchen heraus, daß eine

Unterbrechung dieses Zusammenhangs der Emitterzone durch Aufteilung der durchlochten Emitterzone in getrennte durcblochte Teilzonen eine wesentliche Verbesserung dieser Zonenstruktur mit sich bringt

Es sei bemerkt daß die Aufteilung der durchlochten Emitterzone in voneinander getrennte durchlochte Teilzonen unter Umständen eine Verringerung der Emitterrandlänge je Flächeneinheit des Transistors zur Folge hat Diese Verringerung wird jedoch reichlich ausgeglichen durch die erhöhte zulässige Stromdichte je Längeneinheit des Emitterrandes, so daß die Ausbildung nach der Erfindung zu Transistoren mit kompakterem Aufbau und kleineren Innenkapazitäten führt

Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Transistors besteht darin, daß jeder Teil der Emitterzone mindestens zwei nebeneinander liegende Reihen von öffnungen aufweist und die Basiskontaktelektrode eine auf der Isolierschicht liegende Basiskontaktschicht mit mehreren Fingern ist von denen jeder sich über eine Reihe von öffnungen erstreckt und wenigstens an der Stelle dieser öffnungen mi« der Basiszone verbunden ist, und die Emitterkontaktelektrode eine auf der Isolierschicht liegende Emitterkontaktschicht ist, die mehrere Finger aufweist, die mit der Emitterzone verbunden sind, und die Finger der Basiskontaktschicht und der Emitterkonaktschicht eine ineinandergreifende Anordnung bilden. Mit einer durchlochten Emitterzone, die auf diese Weise in Teilzonen geteilt ist, werden besonders gute Ergebnisse erhalten.

Vorzugsweise weist ein Transistor, bei dem die Emitterkontaktelektrode mit einem Zuleitungsteil versehen ist, eine Ausführungsform auf, bei der sich im Verbindungsweg zwischen jedem der voneinander getrennten Teile der Emitter/one und dem Zuleitungsteil mindestens ein Reihenwiderstand befindet.

Infolge dieser Widerstände tritt im Betrieb des Transistors ein Rückkopplungseffekt auf, durch den die Stromverteilung auf die Teilzonen begünstigt wird. Außerdem kann der Wert der verschiedenen Widerstände so gewählt werden, daß der elektrische Widerstand längs der Strombahnen zwischen dem Zuleitungsteil und den Teilzonen für sämtliche Teilzonen möglichst gleich ist.

Ein weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Tansistors, bei der in den Verbindungswegen zwischen dem Zuleitungsteil und den durchlochten Emitterteilzonen Reihenwiderstände aufgenommen sind, besteht darin, daß wenigstens einige der erwähnten Widerstände einen Teil einer gemeinsamen Widerstandssch'cht bilden. Diese Ausführungsform weist eine sehr große zulässige Stromdichte je Flächeneinheit des Transistors auf und ist außerdem auf einfache Weise herstellbar, wobei für die Anbringung der Reihenwiderstände keine kritischen zusätzlichen Schritte erforderlich sind.

Ausführungsbeispiele des Transistors nach der Erfindung werden an Hand der Zeichnungen im folgenden näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 schematisch eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eii.es erfindungsgemäßen Transistors,

Fig.2 schematisch einen längs der Linie H-II der F i g. 1 geführten Querschnitt durch diesen Transistor,

F i g. 3 schematisch eine Draufsicht auf ein anderes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Transistors.

Die Fig. 1 und 2 zeigen einen Transistor, der einen Halbleiterkörper t mit einer Kollektorzone 2, 3, einer an eine Draktisch ebene Oberfläche 4 grenzenden Basiszone 5 und einer nur an diese Oberfläche 4 grenzenden und femer völlig durch die Basiszone 5 umgebenen schichtförmigen Emitterzone 6, 7, die mi* öffnungen 8 versehen ist enthält wobei die Basiszone 5

' in den öffnungen 8 der Emitterzone 6, 7 an diese Oberfläche 4 grenzt während auf dieser Oberfläche 4 eine Isolierschicht 9 angebracht ist die wenigstens die Schnittlinie 10 des Emitter-Basis-Übergangs 11 mit dieser Oberfläche 4 bedeckt Die Basiszone 5 ist an der Stelle der erwähnten öffnungen 8 durch öffnungen 13 in der Isolierschicht 9 mit einer Basiskontaktschicht 12 verbunden, während die Emitterzone 6,7 durch Fenster 14 in der Isolierschicht 9 mit einer Emitterkontakt schicht 15 verbunden ist

■5 Es sei bemerkt daß in der Draufsicht nach F i g. 1 die Isolierschicht 9 durchsichtig gedacht ist, wodurch die unterliegenden Zonen sichtbar sind.

Nach der Ausbildung des Transisturs gemäß der Erfindung besteht die mit Öffnungen versehene Emitterzone 6,7 aus zwei (oder mehr als zwei) durch die Basiszone 5 voneinandergetrennten Teilen 6 und 7.

Die beiden Teile 6 und 7 der Emitterzone weisen je drei nebeneinander liegende Reihen von öffnungen 8 auf, während die auf der Isolierschicht 9 liegende 5 Basiskontaktschicht 12 sechs Finger 16 aufweist die sich je über eine Reihe von öffnungen 8 erstrecken und an der Stelle dieser öffnungen 8 mit der Basiszone 5 verbunden sind, und die auf der Isolierschicht 9 liegende Emitterkontaktschicht 15 vier Finger 17 aufweist die mit der Emitterzone 6, 7 verbunden sind. Die Kontaktschichten und die Finger 12, 16 bzw, 15, 17 bilden eine eineinandergreifende Anordnung.

Experimentell wurde nachgewiesen, daß eine Aufteilung der durchlochten Emitterzone 6, 7 in getrennte Teile 6 bzw. 7 die Stromverteilung über den Emitterrand günstig beeinflußt, wodurch sich eine größere zulässige Stromdichte je Längeneinheit des Emitterrandes ergibt als bei einer einfachen zusammenhängenden durchlochten Emitterzone Dies größere Stromdichte bringt es mit sich, daß Transistoren mit kompaktem Aufbau hergestellt werden können, die nur eine kleine Basis-Kollektor-Kapazität aufweisen, und bei denen die Gefahr des Auftretens eines sekundären Durchbruchs bei üblicher Verwendung der Transistoren gering ist.

Im vorliegenden Ausführungsbeispiel hat die Emitterzone 6, 7 mehrere nebeneinanderliegende Reihen von runden öffnungen Γ8. Es sei bemerkt, daß die Form der öffnungen 8 z. B. auch quadratisch sein kann, wobei die öffnungen zur Erhaltung einer großen Öffnungsdichte und somit einer großen Emitterranolänge je Flächeneinheit des Transistors beispielsweise derart angebracht werden können, daß zwei einander gegenüberliegende Ecken jeder öffnung praktisch auf der Mittellinie der betreffenden Reihe liegen. Dabei kann die Emitterkontaktschicht zum Unterschied vom vorliegenden Ausführungsbeispiel, bei dem eier Emitterkonlaktschicht 15 durch zwischen den Reihen von öffnungen 8 liegende große Fenster 14 mit der Emitterzone 6, 7 Kontakt macht, durch eine Vielzahl von in Reihen liegenden kleineren, beispielsweise ebenfalls quadratischen Fenstern mit der Emitterzone Kontakt machen, wobei neben einer Reihe dieser Fenster auf beiden Seiten je eine Reihe von quadratischen öffnungen 8 liegt, während jedes Fenster auf regelmäßige Weise durch

ν ier öffnungen 8 umgeben wird. Auf diese Weise ergibt sich ein besonders kompakter Aufbau des Transistors.

Der Transistor nach den F i g. 1 und 2 ist ein sogenanter planarer epitaxialer Transistor. Der Halb-

leiterkörper 1 besteht aus einem Halbleitersubstrat 2 und einer auf diesem angebrachten epilaktischen Halbleiterschicht 3. Die Basiszone 5 und die Emitterzone 6, 7 sind in der epitaktischen Haltleiterschicht 3 angebracht, während ein an die Basiszone 5 grenzender Teil der Kollektorzone 2,3 zur epitaktischen Halbleiterschicht 3 gehört und einen höheren spezifischen Widerstand hat als der übrige Teil 2 der Kollektorzone 2,3.

Der Transistor nach den F i g. 1 und 2 läßt sich wie folgt herstellen.

Es wird von einem η-leitenden Siliciumkörper 1 ausgegangen, der aus einem etwa 200 μπι dicken Substrat 2 mit einem spezifischen Widerstand von 0,01 bis 0,001 Ohm.cm besteht, auf dem eine η-leitende etwa

15 μπι dicke epitaktische Siliciumschicht 3 mit einem spezifischen Widerstand von etwa 2 Ohm.cm angebracht ist.

Üblicherweise werden die weiteren Abmessungen des Siliciumkörpers groß genug bemessen, um mehrere Transistoren gleichzeitig herstellen zu können, wobei die einzelnen Transistoren durch Unterteilung des Halbleiterkörpers erhalten werden. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel wird jedoch der Einfachheit halber die Herstellung eines einzigen Transistors erläutert.

Auf der epitaktischen Siliciumschicht wird auf eine in dem Gebiet der Halbleitertechnik übliche Weise eine Diffusionsmaske, z. B. aus Siliciumoxid, angebracht, während durch Diffusion eines Dotierungsstoffs, z. B. Bor, in den η-leitenden Siliciumkörper 1, der die Kollektorzone 2, 3 bildet, eine p-leitende Oberflächenzone, die Basiszone 5, gebildet wird.

Die Basiszone 5 hat Abmessungen von etwa 210 χ 110 χ 2,5 μίτι und grenzt an die praktisch ebene Oberfläche 4 der epitaktischen Siliciumschicht 3.

Auf der praktisch ebenen Oberfläche 4 wird dann eine Diffusionsmaskierungsschicht, z. B. aus Siliciumoxid, angebracht von der mit Hilfe üblicher Photomaskierungs- und Ätzverfahren Teile entfernt werden, um Oberflächenteile der Basiszone 5 frei zu legen, die einer anzubringenden n-Ieitenden Oberflächenzone, nämlich der Emitterzone 6, 7, in Form einer aus zwei Teilen bestehenden mit öffnungen versehenen Schicht entsprechen. In der Diffusionsmaskierungsschicht werden deshalb zwei öffnungen angebracht, die je die Form eines Netzwerkes haben, wonach durch Diffusion eines Dotierungsstoffs, z. B. Phosphor, die Emitterzone 6,7 in der Form der Netzwerke 6 bzw. 7 angebracht wird, wobei sich die Öffnungen 8 ergeben. Jede Emitterteilzone hat Abmessungen von etwa 90 χ 90 χ 1.5 μΐη und enthält 12 öffnungen mit je einem Durchmesser von etwa 12 m. Der Abstand der öffnungen voneinander beträgt etwa 8 μπι.

Dann wird die ganze Oberfläche 4 mit einer Isolierschicht 9. z. B. aus Siliciumoxid, überzogen, in der auf eine übliche Weise die Fenster 14 mit Abmessungen von etwa 8 χ 72μΐπ und die Fenster 13 mit einem Durchmesser von etwa 6 μΐη angebracht werden.

Auf eine übliche Weise wird auf der isolierschicht 9 die Bastskontaktschicht 12 angebracht die mit Fingern

16 versehen ist die an der Stelle der öffnungen 8 durch die Fenster 13 mit der Basiszone 5 verbunden werden.

Ferner wird die mit Fingern 17 versehene Emitterkontaktschicht 15 angebracht wobei die Finger 17 lurch die Fenster 14 mit der Emitterzone 6,7 verbunden werden.

Die Kontaktschichten können ζ Β. aus Aluminium jcstehcn.

Mit den Kontaktschichten 12 und 15 können auf ein« übliche Weise Zuleitungsteile verbunden werden.

Eine Kollektorkontaktelektrode kann auf eine übliche Weise mit dem Siliciumsubstrat 2 verbunden werden wonach der Transistor in einer Hülle angebraehl werden kann.

Mit Rücksicht auf eine gute Wärmeableitung und einen kleinen Kollektorreihenwiderstand empfiehlt es sich, das Siliciumsubstrat 2 dünner zu machen, z. B.,

ίο dadurch, da3 es an der Unterseite abgeätzt wird, bis seine Dicke /.. B. auf etwa 80 μπι herabgesetzt ist.

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf ein anderes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Transistors. Die Basiszone 31 umgibt die im übrigen nur an die Oberfläche des Halbleiterkörpers 32 grenzende Emitterzone, die aus vier durch die Basiszone 31 voneinander getrennten Teilen 33 bis 36 besteht. Die Teile 33 bis 36 bilden jeder für sich eine durchlochte Emitterleilzone, wobei die Basiszone 31 in allen öffnungen 37 an die Oberfläche des Halbleiterkörpers

32 grenzt. /Vn der Stelle der öffnungen 37 ist die Basiszone 31 durch Fenster 38 in einer auf der Halbleiteroberfläche liegenden isolierenden Schicht (die in der Figur durchsichtig gedacht ist) mit einer kammförmigen Basiskontaktschicht 39, 40 verbunden, deren Fingei 40 sich über je eine Reihe von öffnungen 37 erstrecken, jeder der Teile 33 bis 36 der Emitterzone

33 bis 36 ha: zwei nebeneinanderliegende Reihen von öffnungen 37, wobei sie je durch ein Fenster 41 mit einem Finger 42 der Emitterkontaktschicht 42, 43 Kontakt machen. Dabei bilden die beiden Kontaktschichten 49, 40 und 42, 43 eine ineinandergreifende Anordnung.
Mit dieser Zonenstruktur, bei der jede Emitterteilzo-

ne nur zwei Reihen von öffnungen aufweist, werden besonders gute Ergebnisse erhalten. Aus dem Gesichtspunkt der Unterteilung müssen zwei Reihen von öffnungen ais die optimale Zahl für die Teü/onen betrachtet werden.

Mit Rücksicht auf eine gute Stromverteilung empfiehlt es sich ferner, im Verbindungsweg bzw. in den Verbindungswegen zwischen jeder der Emitterteilzonen und dem Zuleitungstei! der Emitterkontaktelektrode mindestens einen Reihenwiderstand aufzunehmen.

Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel ist dies dadurch bewerkstelligt, daß auf der Isolierschicht eine Widerstandsschicht 44 aus z. B. Titan. Tantal. Nickel. Chrom oder einem anderen geeigneten Widerstandsmaterial angebracht ist. Die langgestreckte Widerstandsschicht

^s0 44 mit Abmessungen von z. B. 350 χ 40 μιη steht auf der einen langen Seite in elektrischer Verbindung mit jedem der Finger 42 der Emitterkontaktschicht 42,43. während sie auf der gegenüberliegenden langen Seite mit einem den Fingern 42 gemeinsamen Teil 43 der Emitterkon-

taktschicht 42, 43 elektrischen Kontakt macht. Der Abstand der Finger 42 vom Teil 43 betragt z. B. etwa 20 μπι. die Widerstandsschicht hat z. B. einen Flächen widerstand von wenigen Ohm.

Der Transistor nach Fig.3 kann auf eine Weise

hergestellt werden, die der beim vorstehenden Ausfüh ningsbeispiel erläuterten Weise ahnlich ist. Dabei kann die Widerstandsschicht 44 nach. Jedoch vorzugsweise vor der Anbringung der Kontaktschichten 39,40 und 42, 43 angebracht werden. z.B. durch Aufdampfen im

*< Vakuum durch eine Maske hindurch. Die seitliche Begrenzung der Widerstandsschicht 44 ist im übrigen nicht kritisch, während in Abhängigkeit vom gewünschten Wert der Reihenwiderstände Wtderstandxschkhten

mit einem spezifischen Flächenwiderstand, der z. B. zwischen etwa 0,1 und 20 Ohm schwanken kann, Anwendung finden können.

Sämtliche Reihenwiderstände für die Finger 42 bilden einen Teil der gemeinsamen Widerstandsschicht 44, wobei der Wert jedes Widerstandsteiles vom spezifischen Widerstand und von der Dicke der Widerstandsschicht 44 sowie vom Abstand zwischen jedem der Finger 42 und dem gemeinsamen Kontaktteil 43 abhängig ist.

Es sei bemerkt, daß eine derartige Widerstandsschicht, die den Vorteil hat, daß zum Anbringen keine kritischen zusätzlichen Arbeitsgänge erforderlich sind, auch in Form einer diffundierten Zone Verwendung finden kann. Eine diffundierte Widerstandsschichl kann durch eine gesonderte Diffusion erhalten werden, wobei der Flächenwiderstand völlig auf den gewünschten Widerslandswert der Reihenwiderstände abgestimmt werden kann. Es ist jedoch auch möglich, die Widerstandsschicht gleichzeitig mit der Emitterzone und/oder der Basiszone des Transistors anzubringen. Gleichzeitig mit der Basiszone wird dabei eine Widerstandszone angebracht, die durch einen pn-Übergang vom darunterliegenden Kollektorieil isoliert ist. Meistens ist der Flächenwiderstand dieser Widerstandsschicht für die anzubringenden Reihenwiderstände zu hoch, in welchem Falle gleichzeitig mit der Emitterzone innerhalb der erwähnten Widerstandszone mindestens ein Gebiet mit erheblich niedrigerem Flächenwiderstand angebracht werden kann. Dabei empfiehlt es sich, zur Vermeidung einer unerwünschten Transistorwirkung die pn-Übergänge zwischen diesen Gebieten und der erwähnten Widerstandszone kurzzuschließen, was einfach dadurch erfolgen kann, daß das Fenster in der Isolierschicht, das im Falle einer diffundierten Widerslandsschicht für die kontaktierung des gemeinsamen Teiles 43 erforderlich ist, derart angebracht ist, daß dieser gemeinsame Teil 43 auch den gewünschten Kurzschluß herbeiführt.

Der Halbleiterkörper eines erfindungsgemäßen Transistors kann z. B. aus einem anderen Halbleitermaterial

ίο als Silicium, z. B. aus Germanium odc' einer AmBv-Verbindung, bestehen. Die Isolierschicht kann z. B. statt aus Siliciumoxid aus Siliciumnitrid bestehen. Die Zahl der öffnungen in der Emitterzone kann größer oder kleiner als die im Ausführungsbeispiel erwähnte Zahl sein und

die öffnungen können eine andere Form haben. Ein erfindungsgemäßer Transistor hat im allgemeinen eine Emitterzone mit mindestens 20 öffnungen in der Emitterzone, da eine große Emiiicrrandlänge gewünscht ist. Der Halbleiterkörper braucht nicht aus einem mit einer epitakiischen Halbleiterschicht versehenen Halbleitersubstrat zu bestehen, sondern kann z. B. auch aus einem Halbleiterkörper bestehen, dessen Leitfähigkeit mit Ausnahme einer Oberflächenschicht durch Diffusion eines Dotierungsstoffes erhöht ist. Die Basiskoniaktschicht kann nicht nur an der Stelle der öffnungen, sondern auch mit Randteilen der Basiszone, die völlig außerhalb der Emitterzone liegen, verbunden sein. Der Halbleiterkörper kann außer der Emitterzone, der Basiszone und der KoHeklorzone weitere Zonen enthalten und z. B. einen Teil einer integrierten Halbleiterschaltung bilden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

70960877

Claims (4)

1. Patentansprüche:

   I.Transistor, der einen Halbleiterkörper mit einer Kollektorzone, einer an eine praktisch ebene Oberfläche grenzenden Basiszone und einer nur an diese Oberfläche grenzenden und weiter völlig durch die Basiszone umgebenen schichtförmigen Emitterzone, die mit öffnungen versehen ist, enthält, wobei die Basiszone in den öffnungen der Emitterzone an w die ebene Oberfläche grenzt, und auf dieser Oberfläche eine isolierende Schicht angebracht ist, die wenigstens die Schnittlinie des Eniitter-Basis-Übergangs mit dieser Oberfläche bedeckt, und die Basiszone, wenigstens an der Stelle der öffnungen, und die Emitterzone durch Fenster in der Isolierschicht mit einer Basiskontaktelektrode bzw. einer Emitterkontaktelektrode verbunden sind dadurch gekennzeichnet, daß die mit öffnungen (8) versehene Emitterzone aus mindestens zwei durch die Basiszone (5) voneinander getrennten Teilen (6,7) besteht (F i g. 1).
2. 2.Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Teil (6, 7) der Emitterzone mindestens zwei nebeneinander liegende Reihen von öffnungen (8) aufweist, und die Basiskontaktelektrode eine auf der Isolierschicht liegende Basiskontaktschicht (12) mit mehreren Fingern (16) ist. von denen jeder sich über eine Reihe von öffnungen erstreckt und wenigstens an der Stelle dieser Öffnungen mit der Basiszone (5) verbunden ist, und die Emitterkontaktelektrode eine auf der Isolierschicht liegende Emitterkontaktschicht (15) ist, die mehrere Finger (17) aufweist, die mit der Emitterzone (6, 7) verbunden sind, und die Finger der Basiskontaktschicht und der Emitterkontaktschicht eine ineinandergreifende Anordnung bilden (Fig. 1).
3. 3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Emitterkontaktelektrode mit einem Zuleitungsteil versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß sich im Verbindungsweg zwischen jedem der voneinander getrennten Teile (33 bis 36) der Emitterzone und dem Zuleitungsteil mindestens ein Reihenwiderstand befindet (F i g. 3).
4. 4. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einige der Reihenwiderstände einen Teil einer gemeinsamen Widerstandsschicht (44) bilden (F i g. 3).

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