DE1652170B2 - Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleichdicker Werkstoffschichten an mehreren unterschiedlich dicken Halbleiterscheiben - Google Patents

Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleichdicker Werkstoffschichten an mehreren unterschiedlich dicken Halbleiterscheiben

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DE1652170B2
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adhesive
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Siemens AG
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    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
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    • H01L21/0201—Specific process step
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    • B24—GRINDING; POLISHING
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleich dicker Werkstoffschichten an mehreren zwar vorbearbeiteten, aber unterschiedlich dicken Halbleiterscheiben durch Läppen und/oder Polieren, wobei dieselben auf einer gemeinsamen Trägerplatte mittels einer dazwischenliegenden Klebstoffschicht befestigt sind.
Ein solches Verfahren ist in der Halbleitertechnik allgemein üblich. Ferner ist in der US-PS 30 41 800 die Aufgabe behandelt, an einem Kristall zwei parallele ebene Flächen zu erzeugen, wobei der Prozeß an mehreren Kristallen gleichzeitig vorgenommen wird. Dabei werden die Kristalle zunächst auf einem scheibenförmigen gemeinsamen Träger festgeklebt und die erste der ebenen Flächen durch Läppen der Kristalle erzeugt. Ohne die Kristalle zunächst von dem gemeinsamen Träger zu lösen, wird die durch den ersten Läppvorgang entstandene ebene Fläche der Kristalle mit je einem zylindrischen Träger verklebt. Diese Träger werden dann in je eine zylindrische Ausnehmung eines zweiten Halteorgans eingepaßt und verklebt. Diese Anordnung dient dann als Träger für den zweiten Läppvorgang zur Erzeugung der zweiten ebenen Fläche pro Kristall. Die Befestigung der Scheiben auf dem ersten Träger geschieht in konventioneller Weise.
Hierbei werden die Halbleiterscheiben so gegen die Trägerplatte gepreßt, daß das zwischen den einzelnen Scheiben und der Trägerplatte befindliche Klebemittel weitgehend ausgepreßt wird und die ebenen Oberflächen der Halbleiterscheiben mit der ebenen Oberfläche der Trägerplatte zusammenfallen.
Zunächst führt ein solches Verfahren häufig zu nicht unbeträchtlichen Materialverlusten. Ferner tritt oft die Aufgabe auf, eine dünne, ζ. B, durch Diffusion oder Epitaxie erzeugte jObeFÖScheBzone in definierter Weise abzutragen. In |jies?sn. falle ist das bekannte Verfahren ungeeignet, weffäie%eiden Stirnflächen der Halbleiters scheiben nur in seltenen Fällen zueinander exakt parallel sind.
Deshalb wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß zwischen den Halbleiterscheiben und der Trägerplatte entsprechend der unterschiedlichen Dicke der HaIb-
leiterscheiben unterschiedlich dicke Klebstoffschichten eingebracht werden. Es werden also die etwa dieselbe Dicke aufweisenden Halbleiterscheiben derart auf dem Träger festgeklebt, daß ihre zu bearbeitenden ebenen Flächen sämtlich in einer einzigen Ebene liegen und das
IS läppende und/oder polierende Werkzeug und die Halbleiterscheiben derart miteinander in Kontakt gebracht und gehalten, daß auch im Augenblick der ersten Berührung, d. h. also bevor irgendeine Abtragung eingesetzt hat. die ebene Arbeitsfläche des abtragenden
ao Werkzeuges mit der Ebene der zu bearbeitenden Stirnflächen der Halbleiterscheiben zusammenfällt
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die bevorzugte Durchführung des erfindungsgemä-Ben Ve= fahrens wird an Hand der Figuren dargestellt.
Eine aus einem kreisförmigen Hohlring 1 bestehende, mit einer Anzahl äquidistanter kleiner säulenartiger Saugnäpfe 2 (im Beispielsfalle zehn) versehene Anordnung ist eine besonders zweckmäßige Ausführungs-
form des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Beschikkung des Trägers. Sie ist in F i g. 1 in Aufsicht auf die mit den säulenartigen Saugnäpfen 2 versehene Seite und in F i g. 2 in seitlicher Ansicht dargestellt. Die säulenartigen Saugnäpfe 2 sind mit je einem Kranz von Sauglöchern oder mit je einem einzigen Saugspalt 3 versehen. Die Deckflächen der säulenartigen Saugnäpfe 2 liegen — gegebenenfalls auf Grund eines sorgfältigen Schleifens und Planiäppens — genau in einer Ebene e. Der Durchmesser der säulenartigen Saugnäpfe 2 ist etwas kleiner als der Durchmesser der zu bearbeitenden Halbleiterscheiben 5. Die Sauglöcher bzw. Saugspalte 3 sind über den Hohlring mit einer Saugpumpe verbunden.
Eine in den F i g. 3 und 4 dargestellte, kreisförmige Hilfsschablone 4 wird mit einer Anzahl der säulenartigen Saugnäpfe 2 des Hohlringes 1 entsprechenden Anzahl von Halbleiterscheiben 5 (im Beispielsfalle 10 Stück) bestückt, wobei die zu bearbeitende Oberfläche 5a gegen den Boden der Schablone gekehrt sein muß.
Der Boden der Schablone ist mit Vertiefungen versehen, in welche die zu behandelnden Scheiben 5 eingelegt werden, derart, daß die gegenseitige Lage der Scheiben zueinander praktisch der gegenseitigen Lage der säulenartigen Saugnäpfe 2 auf dem Hohlring 1 entspricht. Wird nun der Hohlring 1 mit den säulenartigen Saugnäpfen 2 in die Schablone 4 eingeführt, so ist es leicht zu erreichen, daß jeder der säulenartigen Saugnäpfe 2 mit seiner Deckfläche mit einer und nur einer einzigen Scheibe 5 in Kontakt kommt. Durch Betätigung der Saugvorrichtung werden die Scheiben 5 an den ebenen Deckflächen der säulenartigen Saugnäpfe des Halteringes 1 festgehalten. Die Haltevorrichtung 1 wird dann umgekehrt, derart, daß die säulenartigen Saugnäpfe 2 nach oben weisen und die Halbleiterscheiben auf den säulenartigen Saugnäpfen 2 aufliegen.
Eine andere Möglichkeit ist dadurch gegeben, daß man die Schablone 4 über die säulenartigen Saugnäpfe 2 hinwegschiebt, so daß die Halbleiterscheiben 5 von
den Sauglöchern bzw. Saugspalten 3 festgehalten werden.
Auf die obenliegenden Rückseiten der Halbleiterscheiben wird je ein Stück Klebemittel, z. B. Bienenwachs, gelegt
Die in F i g. 4 dargestellte Trägerscheibe 6. die inzwischen auf einer Heizplatte oder einer anderen Heizvorrichtung auf eine Temperatur über dem Schmelzpunkt des Klebemittels erwärmt wurde, wird auf die Rückseiten 5b der durch die Saugvorrichtung an den Deckflächen der «äulenartigen Saugnäpfe 2 festgehaltenen Halbleiterscheiben 5 festgeklebt, wobei der hochgezogene Rand der Schablone 4 als Führung dienen kann. Die Trägerscheibe 6 wird nach dem Schmelzen des Klebemittels an drei Punkten aufliegen. Die außerdem '5 entstehenden, verschieden dicken Abstände zwischen den Rückseiten der Halbleiterscheiben 5 und der Trägerplatte 6 werden kapillar von dem flüssigen Klebemittel 7 ausgefüllt Zur Beschleunigung der Erstarrung des Klebemittels 7 kann auf die Rückseite der Trägerscheibe 6 eine Kühlplatte gelegt werden. Nach dem Erstarren des Klebemittels 7 wird die Saugpumpe abgestellt Die Trägerplatte 6 mit den Halbleiterscheiben 5, deren Oberflächen 5a alle in einer Ebene e liegen, ist für die weitere Bearbeitung bereit
Die weitere Bearbeitung besteht darin, daß die Trägerplatte mit den angeklebten Halbleiterscheiben in der oben bei der Definition der Erfindung angegebenen Weise mit der ebenen Bearbeitungsfläche eines Werkzeuges in Berührung gebracht wird. Am einfachsten und sichersten wird dies erreicht indem die Trägerplatte mit den Scheiben 5 in der bei Läpp- und Poliermaschinen üblichen Weise auf der insbesondere horizontal gelagerten Bearbeitunsfläche des Werkzeuges aufgebracht wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

  1. ?2.
    Patentansprüche:T
    * 1. Vterfahren pm gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleich dicker WerkstoKscfcicJtten an mehreren zwar vorgearbeiteten, aber unterschiedlich dickem Halbleiterscheiben durch Läppen und/oder Polieren, wobei dieselben auf einer gemeinsamen Trägerplatte mittels einer dazwischenliegenden Klebstoffschicht befestigt sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Halbleiterscheiben (5) und der Trägerplatte (6) entsprechend der unterschiedlichen Dicke der Halbleiterscheiben (5) unterschiedlich dicke Klehstoffschichten (7) eingebracht werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Einbringen der unterschiedlich dicken Klebstoffschichten (7) die abzuarbeitenden Stirnflächen (5a) der Halbleiterscheiben (5) in einer gemeinsamen Ebene (e) fixiert und gehalten, dann die Rückseite (56) der Halbleiterscheiben (5) mit einem Klebemittel, z. B. Wachs, bedeckt und in diesem Zustand mit der Trägerplatte (6) in Verbindung gebracht werden.
  3. 3. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung aus einer an einen Vakuumerzeuger anschließbaren Grundplatte (1) mit darauf angeordneten säulenartigen Saugnäpfen (2) besteht, deren Auflageflächen für die Halbleiterscheiben (5) sämtlich in der Ebene (e) liegen.
DE1652170A 1967-03-03 1967-03-03 Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleichdicker Werkstoffschichten an mehreren unterschiedlich dicken Halbleiterscheiben Pending DE1652170B2 (de)

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DE1652170A1 DE1652170A1 (de) 1971-02-25
DE1652170B2 true DE1652170B2 (de) 1975-05-22

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DE1652170A Pending DE1652170B2 (de) 1967-03-03 1967-03-03 Verfahren zum gleichzeitigen stirnseitigen Abarbeiten gleichdicker Werkstoffschichten an mehreren unterschiedlich dicken Halbleiterscheiben

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GB (1) GB1170897A (de)
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GB1170897A (en) 1969-11-19
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