DE1619973A1 - Verfahren zur Herstellung von Silicium - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Silicium

Info

Publication number
DE1619973A1
DE1619973A1 DE19671619973 DE1619973A DE1619973A1 DE 1619973 A1 DE1619973 A1 DE 1619973A1 DE 19671619973 DE19671619973 DE 19671619973 DE 1619973 A DE1619973 A DE 1619973A DE 1619973 A1 DE1619973 A1 DE 1619973A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conductive layer
silicon
conductive
rod
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19671619973
Other languages
English (en)
Other versions
DE1619973B2 (de
DE1619973C3 (de
Inventor
Ozias Jun Albert Earl
Benedict Theodore Scott
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE1619973A1 publication Critical patent/DE1619973A1/de
Publication of DE1619973B2 publication Critical patent/DE1619973B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1619973C3 publication Critical patent/DE1619973C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/041—Doping control in crystal growth
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/071—Heating, selective
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/12—Photocathodes-Cs coated and solar cell
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/134—Remelt
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2933—Coated or with bond, impregnation or core
    • Y10T428/294—Coated or with bond, impregnation or core including metal or compound thereof [excluding glass, ceramic and asbestos]
    • Y10T428/2956—Glass or silicic fiber or filament with metal coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/298—Physical dimension

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Motorola !nc«, 94o1 West Grand Av., Praeiklift Park,ΐ|ώ£»* Ü5&
Verfahren zur Herstellung von Silicium«,
Die -Erfindung; "betrifft ein Trerfahren zur Herstellung*von Silicium, insbesondere für Halbleiterβ
Silicium vird in-weitem Umfange als Halbleitertaaterlal verwendete Ea gibt verschiedene Terfahron, um ein eolches Uaterial in bandeleüblichsn Mengen herzustellen,. In der Regel verwendet raan hierbeieinen Körper aus Silicium von hoher Reinheit sls Ausgangselement« Bann läßt man Siliolum von ebenso hoher Reinheit auf diesem Element auf«achaen durch Niederschlagen sue dem Daapf einer aereetabaran Siliciuroverbindungo Da die Zersetzung der 3iliciumverbindußg Ibei höherer Temperatur stattfindet, imfl man daa aua Siliclsua bsatahaada Element auf diese Teoperatur arhitaen. Gewöhnlich verwendet asan hierzu eine elektrische Halsunga Silieiui» heher Reinheit h&t aber bei Kcvtimtemperatur einen hohen elektrisoheri Widers toad. Dieser Wider» 3tand nirafflt bei Erhönufig A&s T^p«ratur echnell ab, Sa ist als« *r~ fov4tirlich, eine zusätsliohs Snar/yiequalla vorsuaeb^, dß^oh welch» der Siliciurakörpdr ait hohes 'Widerstand sunäohst v©n auf eine erhöhte Tesperatar aufg«haist wird, bei »alehasr er LTgitiö.h.i<j ist, um aittals ainee elefctriechen Stroaea auf die vrünschte Zersetaun^itemparatux «rhitat au »ardsn«
Man kann diese ausrätaliehs Saärgie Äufbringan döpefe An®a(tsafi «insr sehr hohen Spannung direkt aadea IRSrper aus dssa hsoh relasa 3ilieiuB9
ua selns Teapgyatur »a arhöhsn pnd meinen litäsrntmiü Ess ist farner bsksmnt, ©insn KÖrpäss· maa Silisiiaa fe«hea diirch ijtrahlun/? ^an außan aufanahelaano Bl®sa Siyaliluag aaH ©.tarfc ^* sein, ua de» Körper so^öit su arwtosan, daß sr «is@a Hos^salsa Stres ieittät» Ein wsifcsr©® Tayfatesa bus toffesis®a =t©s t - tlsu»iag daß as» iha lsi BsKtiteöfiu sit eäsöra
BAD
1613973
ist und daher elektrisch aufgeheizt werden kanne Diese und andere bekannten Verfahren haben den Nachteil, daß sehr hohe Energiemengen gebraucht werden, um den Körper aus Silicium lediglich bis auf die ZersetEungste&peratur aufzuheizen»
Ein Ziel der Erfindung ist ein Verfahren aur Herstellung f«n Silicium auf eine neue Art.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist ein wirtschaftlich®» und praktisches Verfahren zur Herstellung von Silicium für Halblaut?»
Das erflndungsgeaäSe Verfahren betrifft insbesondere dme Aufhalsen τοπ hoch reinem Silicium von Hauateaperatur bis auf siu# aölofe» dftß Däiapfa von Siliciumverbindungen sswaska Ablagerung von Sillol*» ser aetzt werden« ohne daß hierbei große Knargiemesgaii banötigt wertton·
Erfindun ja gemäß verwendet man einen Stab #aa Siliolam, auf 4#«**a fläch» länßewelse eine leitend* Schicht ßag«ordii«t ieti 3Citt«l« Schioht wird der fjeeaiat« Stab aohoa bsi Raiarät^p»¥»twr wsA Spannungen leitend,» -
Die Erfindung betrifft ferner die Verwendung nines zur Entfernung der leitenden Schicht, nachdna der Silis,iuffi»'t»fe dls wiinschto höhere Teaperatur arreioht hat.
Die Erfindung betrifft ferner geeignete Verfahren «um Aafbring^n der laitentlan Schicht auf den. Stab: aus Slllcina»
Der mit dar leitenden Schicht versehene Sllioiuxistati k»fl» ®hae 'au großer:...Ener:Ojiaaen#»h von Rauiateraper^tur auf die der fltiohfci.^en Siliciufflverblndun^ erhitsb werden«.
In lan;^isiehmingen·.: sind ainige Auafiihrun«?sfora»n άβτ Brfindan?
ίΙϊίιΪΏϊϊ f
BAD ORIGINAL
DieFiguren 2"-tjnd 2a zeigen zwei verschiedene Körper aus Silicium in bestiiEaten Stufen des Verfahrens«,
Die Sri indun-!* botrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silicium^ d&a als Halbleiter in Transistoren, Gleichrichtern,Photosellen und ähnlichen Elementen, Vorrichtungen und Schaltungen verwendbar ist. Hierbei wird das bekannte Verfahren verwendet 8 Siliciua aus einer fjaeförwigen Siliciunrverbindunff niederzuschlagen, wobei die Hiederschlagstemperatur auf einen Kern aus Silicltus von hoher R*iaheit-aufrechterhalten wird« :
ErfindungsgeeMB verwendet aan hierzu ein Element aus hochreinem giliciuF. Auf diese» Element bildet man eine leitffthige Schicht, Ba (laß ein leitfähiger Halbleiter entsteht· Ifan erhitst d»n Körper elefctriscli auf eine erhöht· Temperatur t entfernt cLie leitfühlc« 5cMcht und schl%t dann auf den Kern das hftlbleitende Material , nieder. : , '':.■"- -.;; /;V : ."-.""-■ :\ - -f ' -- ;";: -""■""'■- '
Die leitfähi^e Schicht bildet «aif eine« SiiiaitMtaW ein«ft τ»η einem zum anderen Ende liaffsweise verlauf *aä*n imlUet ttix &«ktri«i> tiitc Bas leitende Material soll in solchen Venj^en vorhanden stin, daß der Stab schon bei niedrigen Spannunijen und bei Eaunteaperattir leitfähiff ist.-/ /.. .:'■■ ■ : ; -:;■"■ ;; --; : :. ■: :.■-,. ./ - ■■"'■ l·': .' '_■._
Ein TtoBentlioher Vorteil der Erfindung besteht darin, daß pur nur sehr geringe Kengen, etwa i/ioeetel der bisher benötigten lfenge von.elektrtsciier Energie braucht, um einen Stab aus Silioixui ven Raunteiaperatur auf die XpTtahrenstemperatur su erhitsen.
OiQ Figo 1 aeigt im FlieBbild die einzelnen Schritt· des «rfindunffe-
Verfahrens· Die Figuren 2 und 2a sind sohematieohe Wiedereinoa Siliciuakörpera bei einer beBtiamten Stuf« des Terfahrens» Man "beginnt tait einem Siliciumstab höher Reinheit, der entweder nach dem erfindttngsgamäQen Verfahren oder durch Wachsen aus einer Schmelze von Silicium■;.hergestellt Trerden kann0 Der als Ä.uegangfseaterial ver-
.'" _" ~~ . '-.'-,. ■■.-.·"'"■■ ■.■■-."■"■ .v """'■■■ "*. "."■-". **4-00^8387170^
wendete Stab aus Siliciu» hat einen sehr hohen spezifischen Widerstand von etwa Too Ohm-cm und einen elektrischen Widerstand van ettra 2cooo Ohm»
Vorzugsweise verwendet man das Silicium in Pore eines Stabese Ea keimen aber auch andere Ausgangseleaente verwera&et warden, beispielsweis© Scheiben, Plattep oder dergl«
Beim ersten Verfahrenasohritt bringt man avf den Slliciumetab eiaa Schicht von leitendes Material auf« Die Maas» dies·* Materials anfl /jenüg-end sein, um den Stab bei ftaomteaperavtur leitfähig se «achesu Hierdurch wird der Widerstand des Stabes «of einen Wert voa etwa i/ioostel des ursprünglichen herabgesetzt« Torsugswalse bringt Mta das leitfähig Material in LgngaTichtung anf dam Stalte an, so da* ein sueamaenhBngander Pfad, für dab elektrischen ätros t®a eine* Sode aua anderen des Stabea entateht· Bei« Anait»«n eines Syanm&ag ISuft d#r Strom aleo dam Stab· «ntlaae, ; . .
Als tlbereujaaateriAl kann ei» nach dem Erhitaen Aas Stabes leient entfalmt vevA«a tatam· Beia]ii«le solcher leitenden Stoffe sind Phosphor, Ber, Ju^imon, Axsea, Gallium, Indius, Sian und der$l· > .
Das leitfähig» Material kam ami den Stab la üblicher Welae bracht «erdea. Mut kann b.B. aaefa de« DiffuiionarerfalireÄ axteaitea, nan kann die stoffe «ufaprühen oder derch elektrisches Flattieren aufbringe». Andere an sieh bekannte Verfahren sind blersa ebenfalls verwendbar. Daa EindlffundiereR von leitenden Teroarglnigongen wie Phosphor und Bor in den Stab ist besonders vorteilhaft für die Bildung der leitf eMgen Schioht* Ski kann after auen Kotalle direkt «of dan Stcb aafbrin^vn· So kanu nan beispieleweise Zins eof Aem 9te>b «nf« Bprühan. Sts@ii80 kann das Terfahren der etroeloaea Plattl^nuaff verwendet werd@ne
Dia Figwsii 2 nsA 2a «eigen den Siliciuakörpex alt der auf gebrachten : laitondsa Schisst» BIe Fi^. 2 aei^t eine Ausführanjafer», bei weloher
-5-
' BAD ORIGINAL
die leitende Schicht durch eiadif fundierte Verunreinigungengebildet wird· In dieser Figur wird de? Slllciuastab adi 1o bezeichnete Das die leitenden Verunreinigungen enthaltende Gebiet ist mit 11 bezeichnet» Sas (tablet 11 ait den Verunreinigungen erstreckt sich längsweise über den ganaen Körpero
Each der Figo 2a 1st die leitende Schicht so auf de» Stab· angeordnet, daS ein Teil seines Durchmessers vergrößert Ist«'Di··· Ausführunffsforsa wird vorgesogen. Man kaum aber auch «inen Teil der ■ leitenden Schicht 12 sich im den Stab hinein erstrecken 1&ββα&, oder man kann die Schicht den Stab umgeben lassena Bbesju» braucht auch die leitende Schicht 11 naoa Fij» 2 nioht den gaasea Anfang des Stabes au umfassen.
Kach diesem Verfahrensschritt kann der Sllioitmst&b «lektriftQh Raumtemperatur auf die Hiede^schlö-setesperatus· -ifhitvti wurden* See Erhitzen geschieht Torarugeweis« durch ^ndü^oltliiiteB etna» Strcmes durch d»o Stal:,, oder *fe«r ,*■» erhitat d*a $tilri&t*·!* Xniuktiea» In jedes Falle veresndat maä. <S£e I«itfahi)gk«it ifies · 9&Hel»MrUke9#" «*
ihn auf die .setrüneehte Tesfadpaitaar se ^»ingaai· ϊ|β«β sasa s?as einen durch<^5leitet«n elektrlsshsn Strea νβτ««»6β
Spannung brauoheffi, wi· ei· benutift wird» «a des Steife asif ümt"■■&»·
setzungsteaperfttu? »a heltea9 Has erhitst sleö^'deß Silisiiossta.'b «af eine erhöht® Ssafag'e.tur v©a ϊί®1β|>1βϊ«β·1·» ^m -lii» 4* weise ßiäf H@@© Ms 12oo°S0 Biese Teapar&tts^ tan» öl® »®lb® aeia
der TeJBpe^stnr»; b«i wird» .■■■■/■■■■ : '
entfesiit msn &%» 1*1 tend* Schicht: dnsrebyiü&te&m. Bit ββ·* Die Temperatur isaS hierbei ©a feoeh »©ia, dag äai
Abfttsene etwas antorlialb des1 Temperatur des
Sue Abätses, -r®n?ö^!©§ mm ^m:mi$m*±M» ein alt »iaeiB ina?t®» ©aa wie
•lenentee»
BCl vorzuziehen ist· In de? Regel genügt schon ein geringer Gehalt von HCl in Wasserstoff bei einer Temperatur τοη etwa 1ooo bis I2ooe um die gesamte leitende Schicht in kurzer Zeit zu entfernen·
Die leitfähig« Schicht muß so dünn sein, daß sie leicht entfernt werden kann, ohne den Durchmesser des Siliciumstabes asu verringern· Sie muß ferner so dünn sein, daß das Abätzen nit Gar^kaine «u lang· Zeit in Anspruch nimmt· In der Re^eI genuin Schichtdicken τοα etwa 2 bis 2o Mikron) die Schichten können aber auch dickejr oder dünner ssin, vas von der Art des leitenden Materials, tob Xtamittel und τοη der Temperatur abhängt.
Wach dem Entfernen der leitenden Schicht kann Silicium au· der Dampfphase abgeschieden «erden· Hierzu können beliebig« Vorrichtungen und chemische Systems verwendet werdenο Man kana s.B« alt eine» Reaktor für Silicium arbeiten, in weichest einer oder nehrer« Stäbe au« Silieiua angeordnet sind und elektrisch in Gegenwart fines Oases geheist werden* So läßt sich Ίδ·Β· eine Vorrichtung verwenden* die τολ Theuerer in der Zeitschrift "Bell I*bs Reoord«, September 1?55r Seiten 327-33o beschrieben wurde. Andere ähnliche Vorrichtungen sind ebenfalls in der Literatur beschrieben. Da« reagierend· 3j«te« gesteht übliohtrw·!·· aua einen Oeaisoh einer Silioiumverbisidang, Toreufreweise ein·» Silioitsehalo<*enido0 wie Siiiaiuntetraehlorid oder Slllciusohlorefon alt Wasserstoff 0 Dieses Gasgemisoh wird über den erhitzten SilioiuKstab geleitet, wobei elemontares Silicium auf ihm anwächst·
Ee lassen sich natürlich auch andere hal?"üitesd· Stoff« auSer Silieimi , auf die beschriebene Art herstellen.
Beispiel I
Verwendet wurde ein Stab aus hochreinen Sliioitt» mi% «iner LKn^· τοη 91 ca und einem Durchmesser τοη fm. Ber Stab hatte «inen «peaificohen Widerstand τοη ioo Ohjt«cm und einen elektriaohen Wideretaaä von «o.ooo QhKe Mti bracke den Stab in einen Diffusientofen bei 1t?«°C. Sana
BAD ORiQlNAL
gab man eine Quelle für Phosphor au und ließ sie während 2 Stunden in Berührung mit dem Stabe. Hach dieser Zeit «ar der Stab längeweise bis asu einer Tiefe von etwa 5 Mikron mit Phosphor dotiert. An der
21 3
Oberfläche enthielt der Stab sehr ale 1o P Ato«· je ca 0 Der
•lektrieche widerstand des so behandelten Stabes lag bei etwa $6 Oh*. Dann erhitzte nan den Stab durch länssweises Hindurchleiten eines Stromes mit einer Spannung von etwa too Y auf eine Temperatur von etna 11oo°C. Hftch Erreichen dieser Temperatur leitete lan Wasserstoff alt einenr Gehalt von etwa Zf> WX über den Stab. Praktisch die gesamte leitende Schicht tear nach etwa 15 Minuten abgeätzt. Dann leitete nan ein Gemisch von Wasserstoff mit 1o# Siliciumchloroform über den Stab und ließ das abgeschiedene Silicium aufwachsen»
Beispiel II
Auf «inen r>iliciurastabf wie er in Beispiel I beschrieben war, ein leitfähiger Streifen von Zinn aufgesprüht. Die Dicke des Streifens betrug etwa 1o bi· 2© täkrdn» Däaa Terfuhr man weiter se wie ea la Beispiel I beechriete«n
"Der Sesenstand der Erfindunfif ist nicht beMhpSfe&t auf d£@ im Um. Bei»
spielen wiedergesehenen AusfÜhrunssformen· .
BAD ORIGINAL

Claims (4)

1· Verfahren zur Herstellung τοη halbleitendea Material hoher Reinheit unter Vervendung eines Ausgangeelemente hub dieaea Material, dadurch gekennzeichnet, daB nan auf dea Ausgangselement (to) ein· leitende Schicht (11, 12) bildet, dag man den so entstandenes Korper elektrisch auf eine erhöhte Temperatur bringt, daß man datm die leitende Schicht entfernt und auf den Körper das halbleitend· Material niederschlägt*
2ο Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daB man al· halbleitend··1 Material Silicium verwendet.
t Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daB man als Ausgangaelewent einen Stab tor Silicium Terweadat, und die leitend· Schicht lSngsweice auf diesen Stab aufbringt«
4. Verfahren nach eines der Anspruch« 1 - 3, dadurch gekefmseiohMt, &*β «on τοη d«e arhitsten Stab· dl· !«IWaA· Schlont «ereh ItMn alt
Gas entfernt· ' \ ' "
^* Verfahren nach einen der Anspruch· 1-4, dadarCB e«k«iBU«lelaMtt das man die leitend· Schicht durch Mffaalen, AsfspxUbett ·4«τ »trial···· Plattieren bildet. -
6» Verfahren nach eine» der Aneprüoh· 1 - % dbAareh 9»k«wia»lo1aaTt9 ü»A aan den mit der leitenden Schicht Tersshmten Eurp«r eof 9— - i3««eC erhitst und dann die leitende Schioht mittels eia»· HDl «ad HaeMV· stoff enthaltenden Oases abatist, - ~
7· MIttel zur Darehftihrung des Verfahrens naoh einem der JLmsprüen· 1 - 6, bestehend aus einem Körper aus Silicium mit einer IBagsw·!·· Aarauf
Terlaufenden leitenden Schicht.
- ' - ■ BAD OHIQIMAL
009838/1T05
θ ο Mittel nach Ansprach I9 dadurch gekexmaelelmet, d*B Ä*r fffirpss» mit de? leitenden Schicht eineia elektrischen Widersi&sd -vea etva t/1 Qostel dee Widerstands hst, Sas der Körper ohne die Schicht besitzt.
9« Mittel nach Anspruch ? oder 8B d&dnroh gekcnsnseichnet, das die leitende Schicht eine Sicke voa atwa 2 bis .to KLkren ImW
Mittel Mich eines der Ansprüche 1 « 9» dadurch -geketsaseieSaet, dag die leitende Schicht asf defei Silioiim*tel»e eindifftinSiesrt« enthält ·
ο Mittel.,nach eiaes der Anspruch» 7-9» dadoreh e*«aaseichaet, die leitend© Schicht auf des Silieiusstab« ess eines fetall besteht·
009838/17-05 ßAD
L e er seife
DE1619973A 1966-04-04 1967-03-03 Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial durch Abscheiden aus der Gasphase Expired DE1619973C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US54001866A 1966-04-04 1966-04-04

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1619973A1 true DE1619973A1 (de) 1970-09-17
DE1619973B2 DE1619973B2 (de) 1971-06-16
DE1619973C3 DE1619973C3 (de) 1974-07-18

Family

ID=24153635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1619973A Expired DE1619973C3 (de) 1966-04-04 1967-03-03 Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial durch Abscheiden aus der Gasphase

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3438810A (de)
DE (1) DE1619973C3 (de)
FR (1) FR1517452A (de)
GB (1) GB1165959A (de)
NL (1) NL6704773A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3979490A (en) * 1970-12-09 1976-09-07 Siemens Aktiengesellschaft Method for the manufacture of tubular bodies of semiconductor material
DE2253411C3 (de) * 1972-10-31 1978-06-08 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von aus Halbleitermaterial bestehenden, direkt beheizbaren Hohlkörpern für Diffusionszwecke
DE19780520B4 (de) * 1996-05-21 2007-03-08 Tokuyama Corp., Tokuya Stab aus polykristallinem Silicium und Herstellungsverfahren hierfür
US6322575B1 (en) * 2000-01-05 2001-11-27 Steven Schraga Lancet depth adjustment assembly
DE102010042869A1 (de) * 2010-10-25 2012-04-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliciumstäben
PL2670040T3 (pl) * 2012-06-01 2015-06-30 Aeg Power Solutions Gmbh Układ zasilania prądem z falownikiem do wytwarzania jednofazowego prądu przemiennego

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL271345A (de) * 1960-11-30
US3279946A (en) * 1962-08-14 1966-10-18 Merck & Co Inc Hydrogen chloride treatment of semiconductor coating chamber

Also Published As

Publication number Publication date
DE1619973B2 (de) 1971-06-16
GB1165959A (en) 1969-10-01
FR1517452A (fr) 1968-03-15
DE1619973C3 (de) 1974-07-18
US3438810A (en) 1969-04-15
NL6704773A (de) 1967-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1589810C3 (de) Passiviertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2052424C3 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen
DE68906478T2 (de) Herstellungsverfahren eines szintillators und so erhaltener szintillator.
DE2013576B2 (de) Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsaure filmen auf Halbleiteroberflachen
DE2510757C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Trägersubstraten für hochintegrierte Halbleiterschaltungsplättchen
DE2313106C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines mindestens einlagigen elektrischen Verbindungssystems
DE2252832C2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1910736B2 (de) Verfahren zum herstellen von gegeneinander elektrisch isolierten, aus aluminium bestehenden leiterbahnen und anwendung des verfahrens
DE1619973A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium
DE69025784T2 (de) Nichtflüchtige Speicher-Halbleiteranordnung
DE2355661A1 (de) Magnetempfindliches duennschichthalbleiterelement und verfahren zu seiner herstellung
DE3411960A1 (de) Verfahren zur selbstausrichtung einer doppelten schicht aus polykristallinem silicium mittels oxydation in einer integrierten schaltung
DE2503989B2 (de) Anzeigevorrichtung mit einem GalliumphosphidkristaU
DE2537327A1 (de) Halbleiterbauelement mit einem pn- uebergang gleichfoermiger stromdichteverteilung und verfahren zum herstellen eines solchen halbleiterbauelements
DE1614135C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines aus zwei übereinanderliegenden Siliciumdioxid-Schichten unterschiedlicher Ätzbarkeit in ein und demselben Ätzmittel bestehenden Ätzmaske hoher Genauigkeit
DE1944416C2 (de) Verfahren zum Herstellen von flächenhaften Transistoren lateraler Struktur und geringer Kapazität
DE2250989A1 (de) Verfahren zur bildung einer anordnung monolithisch integrierter halbleiterbauelemente
DE1564136A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE1803025A1 (de) Elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2139631B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, bei dem der Rand einer Diffusionszone auf den Rand einer polykristallinen Siliciumelektrode ausgerichtet ist
DE2543079A1 (de) Verfahren zum herstellen von festkoerperkondensatoren
DE1764282C3 (de) Halbleiteranordnung mit einer eine Aluminiumschicht tragenden, aus Siliziumoxid bestehenden Schicht
DE2012080A1 (de) Verfahren zum Herstellen von dichten Metalloxidbelegungen auf Halbleiteroberflächen
AT225236B (de) Verfahren zur Herstellung von abgeschlossenen Schaltungseinheiten sehr geringer Abmessungen
DE2041819A1 (de) Herstellungsverfahren fuer integrierte Schaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee