DE1564945A1 - Traeger fuer eine Halbleitervorrichtung - Google Patents

Traeger fuer eine Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE1564945A1
DE1564945A1 DE19661564945 DE1564945A DE1564945A1 DE 1564945 A1 DE1564945 A1 DE 1564945A1 DE 19661564945 DE19661564945 DE 19661564945 DE 1564945 A DE1564945 A DE 1564945A DE 1564945 A1 DE1564945 A1 DE 1564945A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
alloy
pig
thermal expansion
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19661564945
Other languages
English (en)
Other versions
DE1564945B2 (de
DE1564945C3 (de
Inventor
Savolainen Unto Uljas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE1564945A1 publication Critical patent/DE1564945A1/de
Publication of DE1564945B2 publication Critical patent/DE1564945B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1564945C3 publication Critical patent/DE1564945C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12486—Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component
    • Y10T428/12917—Next to Fe-base component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

Die jSrflBdung besieht sieh auf '!rager und im besonderen auf Wärme abgebende iräger für eine liohe Leistung steuernde Transistoren und. dergl«,
Beim Arbeiteai von eine iiohe Leistung abgebenden Vorrichtungen ist es notwendig, daß die beim Arbeiten der Torrichtung erzeugte Wärm ti abgegeben und von der Torrichtung so abgeführt wird, da3 diese aichfc in einer Umgebung oberhalb einer vorbestimmten 5emperatur betrieben wird* Ss ist deshalb notwendig, daß die Vorrichtung auf einem Sräger angeordnet wird, der eine gute thermische Leitfähigkeit hat. Ss mirde jedoch festgestellt, daß gute ¥äimeleite5· üblicherweiEie nicht den gleichen Ausd elumngsko effizient en wie das Material haben, aus dem Halbleitervorrichtungen hergestellt sind.
- 2 90 988 7/0821 bad
A 35 465 h - 2 -
6.12.1966
Hierdurch ergibt sich eine Schwierigkeit, wie sie bei der Erwärmung von zwei ungleichen Metallen auftritt. Jedes Metall dehnt sich infolge der Erwärmung aus, wobei das eine sich mehr als das andere ausdehnt. Das Metall mit der größten Ausdehnung kann nun, wenn es mit dem anderen Metall verbunden ist, ein Biegen oder Brechen des Verbundes zwischen den beiden Metallen oder zwischen einem der Metalle und einer darauf angeordneten Vorrichtung verursachen,
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Träger für eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, der Wanne rasch abgibt und der in seiner Wärmeausdehnung dem Material der Vorrichtung ähnlich bzv/. diesem angepaßt ist. Diese Aufgabe wird bei einem Träger für eine Halbleitervorrichtung, ae·.' mindestens einen wärmeleitenden Teilbereich hat, auf dem die HalbleitervorrielvfeuiJg mindestens mittelbar Ln wärmeleitender Verbindung angeordnet ist, gemäß der· Erfindung dadurch gelöst, daß im Teilbereich eine Legierung eingebettet 13t, die die V/änaeausdehnung dieses Teilbereiches begrenst und die theoretische Ausdehnung dieses Teilbereiches so ändert, daß diese ungefähr gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizient ge des Halbleiters ist.
Dabei ist nach einem weiteren Merkmal der Erfindung ein Material mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffiaienten in ein solches mit einem hohea Wärmeausdehnungskoeffizienten eingesetzt, um so einen Gesarntträger mit dem gewünschten Ausdehnungskoeffisienteo zu schaffen.
BAD ORIGINAL
90 9 8 87/0821
A 35 465 Ii - 3 -
6.12.1966
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung im Zusammenhang mit der Zeichnung, die Auaführungebeisplele der Erfindung enthält. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch einen bekannten Träger mit Halbleitervorrichtung,
Fig. 2 einen Träger mit eingebettetem Gitter innerhalb des Bodens,
Fig· 3 ein ausgestanztes Gitter, wie es in der Ausftthrungsform gemäß Fig. 2 verwendet werden kann,
Fig. 4 eine weitere Ausftihrungsform eines Gitters, wie es für den Träger gemäß Fig. 2 benützt werden kann,
Fig. 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einer beliebigen Verteilung einer Legierung im Träger.
In Fig. 1 ist ein Träger dargestellt, in dem eine Halbleitervorrichtung in an sich bekannter Weise montiert ist. Mit 2 ,.ist der Träger bezeichnet, der einen Boden 3 hat, der beispielsweise aus Kupfer oder einem anderen, gut wärmeleitenden Material bestehen kann. Auf üem Teil 3 des Trägers ist ein Metallblock 4 montiert, der üblicherweise aus Molybdän ist. Mit dem Molybdän» block 4 ist ein Haltlelterplättchen 5 fest verbunden, das beispielsweise aus
909887/0821
A 35 465 h
h - ta
30.11.66 - 4 -
Silizium sein kann. Das Siliziumplättchen ist mit lötraaterial mit dem Molybdänblock verlötet. Die thermischen Eigenschaften der verschiedenen Materialien, wie sie eben aufgeführt sind, sind nun wie folgt«
!Thermische
Wärmeleitfähigkeit Wärmeausdehnung
Silizium 0.20 oal/am2/om/°0/Beo. 4.68 χ ΙΟ"6 em/om/°Q Molybdän 0*35 oal/o®2/cn/°G/seo. 4.9 ac ΙΟ"*6 Kupfer 0.94 oaVomVoa/°0/eeeei6.5 χ ΙΟ"*6
Es ergibt sich hieraus, dass die Wärmeausäehnongsfcoeffizienten von Silizium und Molybdän ungefähr die gleichen sind, während Kupfer einen grösseren WärEaeausdehnungskoeffisieaten aXe Molybdän hat. Zn Leistungsvorrichtungen werden groase Mengen von Wanne erzeugt, die dann abgegeben weröen mUßseQ. Der von dem Siliziumplättchen abfliessende ¥äree~ Btrom geht durch den Molybdänblock und den EupfertrQger hindurch· Da der Ausdehnungskoeffizient von Kupfer au Molybdän ein Verhältnis von fast 4sf hat, kann die Kapferanedehnung viermal gröseer als die von Molybdän sein. Ba äie beiden miteinander verbunden sind,ergibt sich ein Tertiegen oder Wölben der beiden Verbundmetalle, was eise des Halbleiters oder sogar ein Losbrechen des Molybdänblookes von seiner Verbindung Kit Kupfer verursachen
- 5-
909887/0821 ^0 original
A 35 465 h
h - ta
Um die in dem Silizitunplättehen erzeugte Wärme abzuführen, wird Molybdän verwendet, weil seine Wärmeausdehnung sehr nahe der von Siliaium ist und weil es eine gute Wärmeleitfähigkeit hat. Um nun die Wärme aus dem Molybdän abzuführen, ist es erwünscht, wenn das Molybdän auf einer Fläche montiert ist, die selbst eine gute Wärmeleitfähigkeit hat. Da Kupfer eine solche gute Wärmeleitfähigkeit aufweist, wäre dieses Metall aehj? vorteilhaft, wenn es nicht einen hohen Wärmeausdehnungskoeffzienten hätte, der Spannungen und damit ein Verbiegen der Konstruktion hervorrufto Dieses Verbiegen führt sum Bruch des Verbundes zwischen Silizium, Molybdän und Kupfer.
Eine Art, um das durch Wärme verursachte Verbiegen infolge der unterschiedlichen Ausdehnung zu überwinden, besteht darin= innerhalb der Basis des Kupferträgers (siehe Fig»2) eine Materialsehicht einzubetten, die eine Wärmeausdehnung ähnlich dem Molybdän hat, beispielsweise eine Eisen-Hickel -Kobalt-Legierung, wie sie unter dem Namen 1-15 bekannt ist· P-I5 ist eine Legierung, die nominell 53^ Eisen, 29$ Mckel und 17% Kobalt hat, wie dies in dar Spezifikation ? 15-610 der American Society for 'Testing and Matοrials festgelegt ist. Dieses Material iat auch allgemein unter dem Hamen "Kovar" bekannt, eine Bezeichnung
9098 8 7/082 1
A 35 465 h
h - ta
30ο11ββ6 - 6 -
der Weetinghouae Electric Corporation. Der in Fig.2 dargestellte napfförmige Träger ist ähnlich dem in Fig.l dargestellten, hat jedoch ein wichtiges unterschiedliches Merkmal. Der Träger 10 mit dem Boden 11 trägt eingebettet ein Gitter einer Legierung mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der dem von Molybdän sehr nahe kommt. Eine derartige Legierung ist, wie oben erwähnt, beispielsweise eine Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung., Das Gitter ist in dem Kupferboden so eingebettet, dass Kupfer auf beiden Seiten des Gitters vorhanden ist und sich auch durch die öffnungen desselben hindurcherstreckt.
Beispiele von geeigneten Gittern sind in den Fig.3 und 4 dargestellt. Das Gitter der Fig.3 ist ein Blechstüok 12 einer solchen Legierung mit Löchern 16, die dort eingestanzt sind, und das Gitter der Pig.4 ist aus Streifen 18 der Legierung hergestellt, die zur Bildung eines gitterartigen Netzwerkes miteinander verachweiast Bind. Eisen-Hickel-Kobalt-Letfierungen, wie beispielsweise Kovar, haben eine Ausdehnung von ungefähr 5,0 χ 10 ci/cm/°C, eine Grosse^die der von Molybdän ausserordentlich nahekommt. Die thermische Leitfähigkeit ist jedoch aehr schlecht und beträgt nur einige Prozent derjenigen von Kupferc
— 7 ~
BAD ORIGINAL 909887/0821
A 35 465 fa
h - ta
30.11066 - 7 -
Um nun diese schlechte Wärmeleitfähigkeit der Legierung zu überwinden und mit Vorteil die Wärmeausdehnungseigenschaften sau benutzen, wird der Trägexboden aus Kupfer und der Legierung wie oben beschrieben hergestellt. Sie Wärmeleitung findet nun von dem Molybdänblock"durch die in den öffnungen des Legierunganetzwerkes vorhandenen Kupferteile des Bodens statt· Die Wärmeleitfähigkeit ist im allgemeinen proportional zur Fläche der Perforationen, und aus diesem Grunde werden die Perforationen in einer geeigneten GrÖsse hergestellt, um so den gewünschten Wärmefluss zu erreichen» Zusätzlich kann der Träger auf einem Halter so montiert werden, dass ein zusätzlicher Wärmefluss durch die Wände des Trägers und zur Montagefläohe stattfindet. Das Legierungsgitter in Kombination mit dem Kupfer verhindert die Ausdehnung des Kupfers, so dass 3ich insgesamt eine thermische Ausdehnung ergibt, die derjenigen von Molybdän sehr nahe kommt. Da die Legierung und das Kupfer nicht in zwei parallelen Schichten miteinander in einem Verbund vereinigt sind, so ist der unterschied der Wärmekoeffizienten der beiden Materialien nicht kritisch, da sich keine Torbiegung hierdurch innerhalb der Konstruktion ergibt. Da Kovar oder andere ähnliche Eickelbasis-"kegierungen eine niedrige Ausdehnung, einen viel höheren Elastizitätsmodul und eine wesentlich höhere Streckgrenze
909887/0821 BAD GRÜNAU
A 35 465 la
fa - ta
30.11.66 - 8 -
ale Kupfer haben, ao widersetzen diese sieb der Aasdehnungswirkung dee Kupfers. Die Wärmeausdehnung der eine niedrige Ausdehnung aufweisenden Gitter-Kupfer-Konstruktion nähert eich derjenigen von Molybdän auoh über einen weiten Bereich von Gitter-Kupfer-Proportionen. Wenn beispielsweise das Gitter 4G# des Volumens des zusammengesetzten Körpers hat, eo iet die Wärmeauadefanung 6,0 χ 10**6em/en/°C „ Andere Proportionen ergeben die folgenden fferte«,
Gittervolumen in f>
der ZnflfVTRfsnsetssunÄ		 6,5 WärmeaufldehnunÄ ΙΟ"« am/ow/ C
35 6,0 χ 10'* CBiZoV0C
40 5,6 χ ιοί« CmZcV0C
50 5,4 χ ΙΟ"«
60 X
In iifi.5 1st ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt· Das aus Kupfer bestehende Trägermaterial wird Io beliebiger Orientierung mit Metallteilchen imprägniert, die eines hohen Modul und eine niedrige Wärmeauedehnung haben. Eiaen-Nickel-Kobalt-Legierungen fallen im allgemeinen unter dieae Klassifikation. Die eingebetteten Partikelchen begrenzen die thermische Ausdehnung des zusatimengeaetaten Materials, wobei jedoch
909887/0821 bad original
A 35 465 h
3o.ll.66 - 9 -
die gute Wärmeleitfähigkeit erhalten bleibt. Der, ganze !Träger 14 kann aus Kupfer sein, das mit Partikelchen 33 imprägniert ist. Die Vorrichtung 30 wird dann auf einem Molybdänblook 13 montiert, der seinerseits mit dem Trägerboden 31 verbunden ist. Der Wärmefluas erfolgt nun durch den Kupferteil des Bodens 31 zu der Montagafläche 32*
- 10 -
909887/0821

Claims (12)

h-24 6.12.1966 Patentansprüche
1. Träger für eine Halbleitervorrichtung, der mindestens einen wärmeleitenden Teilbereich hat, auf dem die Halbleitervorrich tung mindestens mittelbar in wärmeleitender Verbindung angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß im Zeilbereich eine Legierung (12) eingebettet ist, die die Warnemusdehnung dieses Teilbereiches begrenzt und die thermische Ausdehnung dieses Teilbereiches so ändert, daß diese ungefähr gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Halbleiters (14) ist (Pig. 2).
2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung eine geringere Wä:sneausdeliaung als der Träger (10) hat (Pig. 2).
3· Träger nac-ϊ „Aiispruoh 1 oder 2, dadurch gokennseichnet».. cta-ß? die Lsgieruag einen höheren Elastizitätsmodul als der T:cäge-r hat (Pig. 2),
4. Träger nach einem der Toehargehendea Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung eine höhere Streckgrenze ale der Träger hat (Pig. 2).
5. Träger nach einem der vorhergehend en Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung (14) eine Eisen-Hiekel-Sobält-Legierung ist (Pig. 2).
6. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens der Teilbereich des Trägers (10) aus einem sehr gut wärmeleitenden Material, beispielsweise Kupfer, ist (Pig. 2)« ^11
BAD ORtG'NAl. . 909887/0821 ^
6.12.1966
7. Träger nach einem der vorhergehenden .Ansprüche, daöurch gekennzeichnet, daß die Legierung die Jtorm eines Gittere; ,(JI2,) hai; (Fig. 2), ... . ... · ' . .-. ... .. ;■-'·,.,.,
8. IDxäger nach Anspruch 7, dadurch gekenhzeiclinet, daß daß Gitter (ti;), ein BleöhetticJc let, in daß löcher (16) eingeschraubt
,:>#ind
9;· irfeger naefer Anepruoh 7> dadurch gekennzeichnet, daß das Gitter (12) auß Driiliten (13) geMldet ist, die miteinander verechweißt aein können (Pig. 4). l
10. fi-öger nach eineffl der Ansprüche 1 - 5t dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung in Pona von beliebig verteilten Partikelohen (35) hat, die Im 5Erftger (34) imprägniert ist.
11. frager auch ei η am der vorhergehend on Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der !träger (10) eine napf art ige form hat und die Legierung aindeateno lie Boden (11) desselben angeordnet let (Pig. 2).
12. träger nach einem der vorhergehender Ansprüche, dadurch gekennseichnet, daß cut dan träger (1C) ein HetallLlock (13) und auf,diesem die fialbleitervorrichtUDg (14) befestigt ist jund daß der ^Irmeaueäeanungskoeffisient des Metallblockee (13) und der Halblei testvorrichtung (14) ungef Uhr gleich sind (Pig« 2),
13« träger as eh Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Metail-Mook aus Kolybüän iet (S"ig. 2).
r nacli eiv.er^ der vorhergeheßäor= .tcriprüchs, dadurcii gekenzi-Halbleiter (14) aue SiliEJAm ist (Fig. 2).
909887/0821 BAD
Λ.
Leerseite
DE19661564945 1965-12-29 1966-12-08 Träger für Halbleiter Expired DE1564945C3 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US51735065 1965-12-29
US517350A US3399332A (en) 1965-12-29 1965-12-29 Heat-dissipating support for semiconductor device
DET0032709 1966-12-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1564945A1 true DE1564945A1 (de) 1970-02-12
DE1564945B2 DE1564945B2 (de) 1976-02-05
DE1564945C3 DE1564945C3 (de) 1976-09-16

Family

ID=

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2449949A1 (de) * 1973-10-22 1975-09-11 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung
DE2632154A1 (de) * 1975-07-18 1977-02-10 Hitachi Ltd Halbleiteranordnung mit einem an einem metallwaermeabstrahler angeloeteten halbleiterbauelement
DE2824250A1 (de) * 1977-06-03 1978-12-07 Hitachi Ltd Halbleiterbauelement
DE2826252A1 (de) * 1977-06-29 1979-01-04 Semi Alloys Inc Vorgefertigte, waermeuebertragende platteneinrichtung aus verbundmetall
DE3144759A1 (de) * 1980-11-21 1982-06-24 General Electric Co., Schenectady, N.Y. "waermespannungen beseitigende bimetallplatte"

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2449949A1 (de) * 1973-10-22 1975-09-11 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung
DE2632154A1 (de) * 1975-07-18 1977-02-10 Hitachi Ltd Halbleiteranordnung mit einem an einem metallwaermeabstrahler angeloeteten halbleiterbauelement
DE2824250A1 (de) * 1977-06-03 1978-12-07 Hitachi Ltd Halbleiterbauelement
DE2826252A1 (de) * 1977-06-29 1979-01-04 Semi Alloys Inc Vorgefertigte, waermeuebertragende platteneinrichtung aus verbundmetall
DE3144759A1 (de) * 1980-11-21 1982-06-24 General Electric Co., Schenectady, N.Y. "waermespannungen beseitigende bimetallplatte"

Also Published As

Publication number Publication date
GB1158994A (en) 1969-07-23
US3399332A (en) 1968-08-27
DE1564945B2 (de) 1976-02-05
FR1505266A (fr) 1967-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3685849T2 (de) Kaltleiteranordnungen auf basis von leitenden polymeren.
DE69126686T2 (de) Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen
DE69011414T2 (de) In Kunststoff eingekapseltes Halbleiterelement.
DE10066442B4 (de) Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur
DE2824250C2 (de) Trägerelektrode eines Halbleiterbauelements
DE1514055C2 (de) Kühlvorrichtung mit mindestens zwei zueinander parallel verlaufenden Kühlkörpern, insbesondere für Diodenlaser
DE102010054070B4 (de) Thermoelektrische Vorrichtung und thermoelektrisches Modul
DE2713850A1 (de) Waermeuebertragungs-befestigungseinrichtung fuer metallische gedruckte schaltungsplatten
DE102004002030B4 (de) Verbundmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2041497B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE102004024616A1 (de) Wärmeableitkonstruktion
DE112014006793B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE4025163C2 (de) Unterlage für einen Halbleiterlaser
DE102017221778A1 (de) Kühlkörper für eine elektronische Komponente, elektronische Baugruppe mit einem solchen Kühlkörper und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Kühlkörpers
DE2012440C3 (de) Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente
DE3029777A1 (de) Material fuer eine biegsame leitende verbindung insbesondere fuer flugzeuge
DE2839044A1 (de) Halbleiterbauelement mit schottky- sperrschichtuebergang
DE102014109489B4 (de) Elektrisch leitendes element, halbleitervorrichtung mit dem elektrisch leitenden element und verfahren zum herstellen einer wärmesenke
DE1279201B (de) Halbleiteranordnung
DE1564945A1 (de) Traeger fuer eine Halbleitervorrichtung
DE2310051B2 (de) Leistungshalbleiterbauelement
DE102015204915B4 (de) Wärmeleitkörper mit einer Koppeloberfläche mit Vertiefung und Wärmetransfervorrichtung
DE1564945C3 (de) Träger für Halbleiter
DE1465446A1 (de) Bimetall-Element mit Heizkoerper
DE112014005925T5 (de) Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)