DE1564383A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

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DE1564383A1
DE1564383A1 DE19661564383 DE1564383A DE1564383A1 DE 1564383 A1 DE1564383 A1 DE 1564383A1 DE 19661564383 DE19661564383 DE 19661564383 DE 1564383 A DE1564383 A DE 1564383A DE 1564383 A1 DE1564383 A1 DE 1564383A1
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electrode
electrodes
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lead
semiconductor device
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DE19661564383
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Gesinus Diemer
Felix Van Der Maesen
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterverriohtunß mit einem Halbleiterkörper mit iswei An«oblveeel.ektrod«n ua «inen Str· -durch einen awiechen den An*chlu«eelektreden liegenden« »chiolit-
. ♦ t artigen Teil dee Halbleiterkörper· zu »chicken, wobei %\it de» artigen Teil eine^elek^trieoli leeliere«d· SchlchJJ angtbjiwht let, avf 4er eich eine Stetierelektred· atiedehnt, ; -
3ei »eichen bekannten Halbleltervf.rrlchtimgen fli^eet ie · Betrieb infolge eines SpannvnVexmterschie&e zwischen den Anechluaeelektroden oin Stroo zwiachen dienen Ansehluaaelektroden durch «ii»*n siriechen die pen Elektroden liegender, aohichtartlgen ^iI des BalbloiterkiJrpprH, deseeh Sioke vnd/eder Leitfähigkeit duroh. dl· ■it dem Halblei te rVSrper vr.d der zwischenliegenden Ieeliereohicht einen Kendensator bildende SteuewleV+rode bpeinfluEst werden. Dies« lot ortaabhHngig dadurch| dass ein
-in der. eohichtarti^n Teil awftritt wodunh der Strom fliaeatt
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-2- FH!T. 712
Die Feldstärke in den schichten artigen Teil ist infolgedessen such
• ·
orteabhÄngig,
Der Erfindung liegt unter andere« die Erkenntnis« eugrunde, dass diese ortsabh&ngige Feldstärke unerwünscht ist und vermieden, oder doch wenigstens verringert werden kann· ·
Die Erfindung bezeckt, eine Halbleitervorrichtung eingangs erwähnter Art χυ β chaff en, bei· der der erwShnte Nachteil nicht oder doch in geringeres Masse auftritt;
Gemtas der Erfindwig ist eine Halbleitervorrichtung ervthnter Art dadurch gekenntelehnet, decs dl« Ieelierschicht zwischen den Anschlusselektroden in Richtung von einer Ansohluseelektrode auf die ander· eine praktisch linear sunehaendo Dicke aufweist*
Vie dlep weiter leiten nSher erläutert xirdf ist auf '..
dies« Weise ein· praktisch ertsunafchlnfige Ftldettrk* ersielearp ^ ;:i d.h. eine Feldstlrke, dl· Wi kens tan ten Spanmmgen an den ll*k- .'''"" trod en von einer bis zur anderen Slektrode in dem eohichtartigen -'' Teil des HalbleiterkBrpers Qberal praktisoh den gleichen konstanten Wert hat. ' -. ... . -.. ·.:'.· ' - ' , ' '. ' ;· * :-
Eine solche konstante feldstlrke let unter andere« wichtig, da die üeberquertei't d«r Ladung·trig*r twischen 4#n Blektrode« bei " konstanter Feldatlrke sinlsml 1st. Ein· kaufetsnU ΨψIdsttrtte eAringt^ dabei die !*9gliohkelt eins· »axiAalen Frequenzbereiche, {'.
Weiter tritt bei einer konstanten Feldst&rke bereits bei geringen Str8nen zwischen den Anschltisselektroien eine hohe Transdiiktan« g auf) g ist das Verhältnis zwischen einer Aenderung Acs zwischen d«n Anschlusselektroden fliossenden Stroms ( ^I) hervorgerufen von ainer Aenderun^; der Spannung der Steuerelektrode (/Iv) und dieser letzte Aenderung Δ V.,si ο £% I ■ g„.£*l·
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-3- . FH*. 712
Dabei kann die HaTblei testvorrichtung bei geringen StrSmen günstig betrieben verier., was eine gerinne W^rsedissipation Bit eich bringt.
Da die Feldstärke konstant ist, werden aueeerde« du örtliche Auftreten hoher Feldetlrken und daraue T»eumerende Wsrx·- disuipationetrseheinuncen vni die Gefahr eines Durchschlafe durch «in· Isolierechioht oder lange der Oberfläche dee Halbleite χ* Srpara vtr-
Kielen· * · " ·
Die erwKhnten Vorteil· treten avf infolße der nur geringen
wihrerd der Herstellunc bequea einsufChrenden Aer.de-rune der Struktur einer HnIblei tervorrichtune n*ch der Erfinivrc in bezug avf bekannte Verriehtuncen, d»H. infolc« der erwähnten linear ztmehaenden ■ Dicke der Isolierschicht.
Sie Erfindung ist besonder» γοη Bedeutung für TFT- " Transistoren (Hthin fila transistore·*). Solche Traneietoren b·« stehen ε«ηζ oder teil weine ai:s einer Ansahl dflimer Schichten, die •avf einen isolierenden TrSger liegen· Dahor wird «ine wiohtif· · , AKSfiJhrungsfon! einer Halbleitervorrichtr:r^ nach der Erfindung dadurch £βkennzeichnet, dass der mit Elektroden versehene Halt»- loi+erkSrper auo einer axif eines elektrisch isolierenden Trlf«r. ' angebrachten, nit Elektroden versehenen Halbreiterechicht besteht, :
Sine incbeaonder« für TPT*a «iohtige AuefChrung»f«r»
einer Halblaiterverrioh^uBg naoh der Brflndtmf ist dadurch fftkenn-
zeichnet, da··' d«r H«ltil*ii«xk9rj>ert »antreten· der Teil alt den beiden Ansohlu»a«lektroden hoeefen ·νο«ε1·1οΐΜηι Leitflhigkeiiit^rf 1st und das* £i-tt«l vorgesehen «ind um an einer d«r Aneohlue·- ' •l«Vtro£en>« flrr Abfuhr«lektr·!« ein· Bpaannre f»gpnifar 4*t .^ anderen An*ehlwiaal»ktro4«; 9 -*cr Zufuhr»2»ktre3· rul«e*&, M
90983e/07if
Η0· 712
ein Strom durch der. Halbleiterkörper im wesentlichen daduroh auftritt, dass KehrheitBladunee tracer s.ich von der Zu fuhr· lek tr ede zu der Abfuhrelektrode bewegen und das· weiter Mittel vorgesehen cind um der Steuerelektrode eine Spannung euzufChren, wobei das Potential der Zuführe lek tr ode. swischen denen der Steuerelektrode vnd der Abführelektrod©·liegt, eo dass der Strex »wischen der Zufuhr- vnd Abfuhrelektrode beeinfluß»t wird laid das* die isolierschicht zwischen der Zufuhr- und der Abführelektrol· in Bichtung von 3er Zufuhrelektrode avf die Abfuhrelektrode eine praktieoh linear zunehrer.de Dicke aufweist. Bei dieser AuefChrungsfor» wird der Strom zwischen Zufuhr- und Abführelektrot*· Ri'ttels der Steuerelektrode beeinflusst, daduroh daet sattel« der Steuerelektrode die Konzentration an freien Ladung·trlgern an der Cfeerfllohe de·', HalbleiterkSrpers zwischen Zufuhr· und Abfuhrelektrode verringert wird, woivrch der Querschnitt des Strocpfados »wischen Zufubr-Abfuhrelektrede beschrankt wird* '.-■': * ' .♦ :
Eine weitere, insbesondere für TTT*β wichtige form einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der HalbleitorkSrper, wenigsten· 4er Veil ait
den beiden Anschlüsse lektroden, eine praktisch intrinsike Leit- *
fähigkeit aufweist, dass Kittel vorgesehen sind las en einer'der AnBchluuselektroden eine Spannung gegenüber der anderen Aneohiuseelektrode, der Zufuhrelektrode, und üb ar. der Steuerelektrode eine ' Spannung gegenüber der Zuführelektrodt »u legen, wobei da· Potential der Abfuhrelektroie zwischen de« der Zufuhrelektrode laid ' den der Steuerelektrode liegt, se das· die Konzentration art freien' Ladunestrauern in einer swisohen der Zufuhr- und der Abfuhrelektrode
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BAD OWeiNAjC
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liegender, CberflSohenschioht dee HalbleiterV:8rpers verbessert wird und ein Strom zwischen der Zufuhr- und der Abführelektrode duroh diese Oberflächenschicht flieset-und dass die Iseliersohicht xwtschen der Zufuhr- und· der Abfuhr©lefctrede ven der Abführelektrede zu Ier Zuführelektrede- ein« praktisch linear zunehmend· Dicke aufweist« Bei dieser Aueführungefera wird alttels der Steuerelektrode die Konzentration an Ladungsträgern nah· der Oberfläche vergr&aeert, so daee die Leitfähigkeit llngs die··? Oberfl&ohe verbessert wird. .· ·
Wenn die Sicke der Iaeliereohioht über den «ohichtwiartigen Teil, duroh den ein Stre* svisohen den Anechlu«»elektroden ' geschickt werden seil,.in Richtung auf eine dieser llektreden, ·" praktisch dem Vert Hull nSherkeamt, ·· kann jeder praktisch lineare Gradient der Dioke der Icoliereohioht Resultate liefern. In der Praxis jedoch hat» im wesentlichen «υ« fiibrikaterisehen Gründen, die Isolierschicht über dea echichten-• artigen Teil eine endliche Dicke, In diesen Falle bewShrt eich eine Iselierochicht zwischen den MechlURselektroden( die in Richtung von eise? &%st die csnd@!F3 AsiGOotiieeelekts·©^© ©irsäQOteme eiwo Biskess«
alt ^iney Dlök«»i«iBÄEa ^d ©.Iäss Fakt« ^e© säaäootC/a-% g
& tenaBosnia
Feldstftrke aiclit nnr &v::-?M~ &'Iq ' lin®&s& Ssimkme Sqs1 M@ls© öoi?
-werden-kann.
■ 909838ZiIII m ■ ά BAD ·ς
158*583
Die Erfindung; kann weiter Yen Bedeutung sein für M.C.S.Trane te toren ("metal exüe seni-cenduoter transistors" | di· Isoliereohicht besteht c«w8hnlich ave einen Oxyd). Solche Transistoren enthalten'einen HalbleiterkSrper s.B. aus Silicium des einen LeitfShigkeitetype, webei an einer CberflSche des HalbleiterkBrf«rs 2.B. di'rch Diffusion einer wirke «ten Verunreinigung erhaltene Gebiete entgegengeeetsten LeitfÄhigkeitety»e Terhsr.deη sind, auf denen 3 ie Aneshlueselektroien angebracht sind, wBhrend ic Be trie» zwischen den Anechlueselektroden ein Streu durch, eine diese Oeaiete verbindende Oberfllcher.echicht ent^egengeeeteten LeltfShi^eitstyys . flieset, deren Leitfähigkeit sittels der Steuerelektrode Boduliert wird. ■' m '- .." ■-.■
Die Erfindung wird naonstehend an Hand einiger ix»-. .·,..^1' ftihmr.frsbeiepiele und der Zeiehntmg nlher erllutort, In der >J
Fie. ^ schematise», teilweise i· Queraohnitt ein AlM- : einer Halbleiterrorrichtune nach der Erfindimg,
2 eine Drauf eicht auf diese Yorrichtvng, . ■ .; ;·«■..
3 eine Strosr-S^anmmgs-Tennlinie des AusfPhxvnga>· ■ .-. der Fv;% 1 vnd 2 und ein* «trcr-Spanrvrga-keonlinie einer ¥$?χΛ?ΛΛνΛ& der erfindvn£9g*sJUs«n Art« - · ■■ . . ■ ·
Tig,.4 sehesAtisok, Uilweiae i» ^u«rsolmlttf «in «veite« >
einer Halbleittrverriohtung naok der Irfindung «eigen,
Sie Fi£. 1 \m\ 2 »eigen ein erstes AusfChrungsbeisfiel einer Halbleitervorrichtung mit oine« HaibleiterkBrper 4 »i* V«i Anschl«ssel.ektr®d<»n 2 \md 3, wobei ein Stren-durch «inen «wischen · den AntJchlueseliktroden liegendens o^hichtartifen Teil des
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4 geechicfct vird und avf des schishtertigen Teil eine elektrisch Isolierende Schicht 5 und avf dieser Steuerelektrode 6 angebracht i«t« ·
Gectltm der Erfindung ve ist die Isolierschicht 3 s wischen den Anschlueoelektroden 2 und 3 in Richtung von einer Anschluss· elektrode 3 auf die andere Anschlussolektrode 2 «ine praktisoh linear zunehmende Dicke «if· ' * . ' .
Das su erörternde AusfOhrungsbeispiel iet ein WT» bei dem der mit Flfktreden versehene Halbleiterkörper aus einer auf einem elektrisch isolierenden Tracer 1 angebrachten, mit Elektroden 2, 3 und 6 versehenen Kalbleiterschicht 4 besteht«
Xn dem vorliegenden AusfQhrungBbelspiel ist der Halbleiterkörper 4 heisegen des gleichen Leitfähigkeit«type, das heisst
• ." ■ . "■"■>·
η-leitend. Es sind Mittel vorgesehen (Jattevio 8 in Fig,O1 durch -. welche eine gegenCber der Inechluseelektrode 2, der Abfuhreloktrede,r". peeitive Spannung an der. Ane©hiuaeelektrodet ά%τ Zuführe Icktrod· angelegt wird, wobei ein Strea duroh den HalbleiterkSrper 4 Ii · wesentlichen dadurch avf tritt» da·· Kehrheitsladunestrlger, hler. , "J=
■ . '"!■
Elektronen, sioh von der 2ufuhrelektrode 3 *v de? Aifuhreloktrode 2 < bewegen, Bs sind weiter Vittol in Pe» elfter Batterie 9 vt»rhandtnf '; durch welche ei^e gegenüber der ZtiiVferoitktred· 3 negative Spannung j der Steuerelektrode 6 zugeführt wird, wobei da« Potential dor SSo- .'} fuhrelektrede 3 zwischen den der Steuerelektrode 6 und den der Ab» fuhrelektrede 2 liect, wodurch der Stroa zwischen den Elektroden 2 und 3 beeinflusst wird» Bio Isolierschicht 3 b&t in Richtung von dor Zuführelektrede 3 auf die Abführelektrede 2 eine praktisch linear zunehmende Dicke· · . ' "
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Infolge der gegenüber den Elektroden 2 und 3 und «»«it gegenüber dem Halbleiterkörper negativen Spannung an der Steuerelektrode 6 werden Elektronen unter der Isolierschicht 5 ausgelist, wodurch in einer Oberflächenschicht de· Halbleiterkörper« 4 unter der !isolierschicht die Konzentration an Elektronen verringert wird,
. und wodurch auch der Querschnitt der von dem Stroe zwischen den Elektroden 2 und 3 'surCckzulegenden·Strecke auch herabgemindert wird·
Bei homogen«r Dicke der Isolierschicht 5 iat infolge de« Petentialabfalls in dem Halbleiterkörper 4 sviachen den Elektroden 2 und 3, die Dicke der Oberflächenschicht mit einer verringerte« Elektronenkonzentration, nicht überall gleich, Die Dicke der Oeer-
' flächenschicht weiet einen Gradienten auf, der dea Petentialabfall in des HaloleiterkVrper. 4 entspricht vni die Dicke des verbleibenden Teiles des KalbleitorkSryere 4 «wischen den Elektroden 2 und 3» ; durch den noch Strom fliesaen kann, hat dann einen entsprechenden ' Gradienten, wodurch keine konstante Feldstlrke in letstgenannter
• · ■ -
• Schicht auftritt.
Die Dicke der durch die Steuerelektrode 6 induzierten / Oberflächenschicht in dem Halsleiterklrser 4 ist ferner von der .' DTcke der Isolierschicht 3 abhlngig, da die Steuerelektrode 4", '
die Isoliorschipht $ und der Malsleiterktrser 4 einen Kondensator bilden« Infolge der linear zuneheenden Dicke der Isolierschicht 5 gemäse der Erfindung kann trotz des Potentialabfalles in des Halbleiterkörper 4 swiechen den Elektroden 2 uni 3 eine indueierte OberflScher^chicht ait einer geringeren Elektrenenkenzontratienen mit praktisch konstanter Dicke erhalten werden, wodurch in der verbleibenden, Strois führenden Schicht zwischen den Elektroden 2
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und 3 eine praktisch konstante Feldstärke auftritt, deren Vorteile vorstehend beschrieben sind. In Fig.1. iet durch eine gestrichelte Linie 12 echenatiech die induxierte OberfISchensshioht mit einer verringerten Elektrononkonsentration angedeutet] die untenliegend«, Strom führende Schicht iet mit 13 bezeichnet. %
Die Vorrichtung nach den Fig. 1 und 2 kann, mit Ausnahm der Isolierschicht 5, vollständig durch ein bei TFT'β Cbliohes Verfahren hergestellt werden. Dax» Verfahren geht ».3. aus τοη eine« elektrisch icoliorer.den OlantrSger 1 mit Abmeeeuncen von etwa 1 ca χ 1 cm χ 0,5 mm. Darauf werden die elektroden 2 und 3 durch Auf* dampfen von Gold durch eine Maske angebracht. Der Abstand »wischen diesen Elektroden beträft etwa 20 /tun. Di« Elektroden haben Abmessungen von z.B. 1 ran χ 1 MX 1000 £, Dana wird «ine η-Typ fc . . Cadraiumsulphid-Sehioht 4 du roh Aufdampfen durch «ine* Kaske angebracht. Die Cadmiumsulphid-Sohicht 4 bat Abmessungen von «91Ϊ· etwa 1 mm χ 1,5 mn χ 2000 £ und einen Schichtwiderstand von e$w& 10 Ohr?
pro Quadrat. . , "
Die Isolierschicht 5, die in Fig. 2 Aboessuneenrvon *.B. ..' 28 Arn χ 1,7 mm hat, kann durch Aufdampfen von Silloiusoxyd aittele ; einer Maske Bit einer Oe ffnunf * erhalten werden. Indes dl· KmIm alt ·· eines Schieber, versehen wird, der die Oeffmmg is ά*τ:Χ**\Λ VT* ^ echliee3en kann, tmd indem dieeor"Schieber während des Aufdampfene langeam f.ort^eschoben wird, s.B. mittels eines Mikromanipulator·, kann der keilförmige Querschnitt der .Isolierschicht 5 naoh Fig»1 ' erhalten werden. Die grSeste Dicke der Isoliereohioht 5 beträft, ».B. etwa 1,5 AiK. lieber dem Zvioch^nraua syiaohen den elektroden 2 vnd 3, also Ober dem Teil des Halblei terk8rp«»r3, durch d<m la
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Betrieb der Strom·zwischen ien Elektroden ? vn-i 3 fliesnt, rimat die Dick·=? äer Isolierschicht 3 von links nnch rechte in Fig. 1 von etwa 1500 % bis etwa 13*000 £ zv. Dies iet eine Zunahce um einen Faktor 8 bis 9· Ee hat sich ergeben, das· es vorzuziehen ist, diesen Faktor grü&sser als 2 su wählen und besonders günstige Itesultate werden erhalten, wenn dieser Faktor rindestens 5 *a"*d höchstens beträgt. , .
Auf 3*sr Isoliereehicfct 5 wird die Steuerelektrode 6 durch Aufdampfen einer Ooldschicht mit einer Dinfce von etwa 1000 X angebracht. Der Teil 1 der Elektrode 6 dient zur Xontakthereteilung.
Wird bei der geschilderten Ausführungshorn Bitteis der' Batterio 8 der Abfvhrelektrod· 2 eine Spannung von 10 ▼ fftgen ü· Zufuhrelektrode 3 und der Steuerelektrode 6 eine Spannung von —1^3 V gegen die Z\?fuhrelektrode 3 avgeftJr.i 4 so betragt der Stron I7, -iurrl. ',i·.·■» Vorrichtung etwa 50 yuA, während gp etwa 0,5 bA/T iet. £ /i-, eine wichtige Qualitatoeahl der Vorrichtungen gonSss dor
Erfindung, betragt etwa 10 V , wShrend bei einer ähnlichen Vor
richtiirg nsit einer Isoliernchicfct konstanter Dicke von etwa 1 diaee Zahl etwa 1 V*" sein vCrde.
Fig. 3 zeift eine Kennlinie de« geschilderten bci&piels, wobei da« Potential V* d-r Steuerelektrode $ C*f«n Zn aufgetragen, ist. Si« Kurve λ deutet T- in Abhängigkeit von V. b«l der beschriebenen Vorrichtung nach der Erfindung und die Kurv« ^ zeigt die gleiche Abhängigkeit bei einer entsprechenden, bekannten Vorrichtung icit konetanter Dicke der Isolierschicht. Die Kurve η ist bei einem bestim«teη Vert I« steiler als die Kurve b. Dies bedeutet, dass bei der Vorriebtt;ng nach 4er Erfindung bei niodrigen
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■ ■
S-trttaen I* eine höhere Verstärkung erhalten werden kann* vobei auseerdere eine besonders geringe VSncediaeipatior: miglich wird*
Ee sei bereitet, dass Eingangssignal© flher eine Signalquelle 16 der Vorrichtung z'.'gefßhrt werden können, vShrerid Auegang·- sigr.ale Ober eine Belastung 10 durch die Klemmen 18 entnomiren werden kennen. . .
tfird ein p-Typ HalbleiterklSrper verwendet, so müM der Elektrode 2 eine negative Spannung vrA ieT Elektrode 6 eine positive Spannung gegen die Elektrode 3 zugeführt werden»
Fig. 4 zeigt «in «weitee AusfChrungebeiepiel ein·* TFT'e nach der Erfindung, der den Aueftthrungsbeispiel der Tic· ^ vn^ 2 sehr Ihnlich ist. 2ntepr*ohtn4e Einrelteil· «lqd nit den fl«ioh«n Bezugsziffern be ie lohnet. ' . . -.*' --.'·,' . . .'r sl"
In den vorliegenden luBfOhruncabeiepiel trird «in KaIbleiterkSrpp.r 2p s.l. a>ioh aun Cadnivmeulphjd verwendet, der eine praktisch intrinsike Leitf&higkeit «.B. »cbwaoh n-Typ Leitfähigkeit
8 aufweiot. Der Schichtwiderstand betrügt z."B. 10- Ghm pro Quadrat.
Die Anschli>68elektrode 2, die Abfvhrelektrode, wird mittel· 4er. ?attorie 8, ihnlioh wie in den vorhergehenden ATteft)hn?n£*b«i«piel, gegen die Anechlueselektrod« 3, di· Zufuhr«lektrod·, po«ltiv vore©- spannt, iie SteuereleVrtrode & wird in diesen !felle avoh tjef*n dl· Zuführelektrode 3 positiv vorgespannt mittels der Batterie 2J, wobei das Potential der Abfuhrelektrode 2 2 wie eher, dem der Zufuhrelektrode 3 und den der Steuerelektrode 6 liegt· Es werden infolg*· deseen Elektronen zu der Oberfläche des HalbleitorkSrpers 20 nah« * der Isolierschicht 22 gezogen, wodurch eine OberflSehenschioht 21 mit einer erhöhten Eloktronenkonsentration entsteht, durch welohe
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Cbtrfltoheni»ohUht «tr It ro· iwiMaw Aen tl*ktr«4en t mi I
fUtMit . ' " . . · V" ,/'; ■·
Ιμγ flfAtnmt At· ttftftfiutm i*lMfcttt ttMr IUtttoAl:,».!* ,
(2, 3) vnl der CWfltebeneohieht ti kann In Ur ITU» der tlektrwt· (2, 3) tint torch Dotierunc erhBhtt ttltflhlektlt vorff««ek«n «·νΛφβ« Cln« ken·tan*· Sick· d«r (T¥*rflloh«i«oblohi 21 «id «in·
konstant! Feld«tIrk» in di««er Schiokt werden durch di· prmktitoh linear zunehmende Dioke der Itoliertc^^-Vt 22 «rhilten, vob«i in
• *
dieeen Pal le die Ieolienottioht 22 in Riohtvng von der Abfuhrelektrode 2 auf 4ie Zufuhrelektrode 3 eine praktiaok linear tu« nehmende .Dicke* auf ve ie t» ·* .
■ Die Vorrichtung naoh Mf* 4 kann vei.ter anaden eleioh«n Materialien beatehen wie die Torrloktunf naoh den Flg· 1 und 2 und ^ kann durch Ihnliohe Verfahren herceete 11t werdenf wie ar. Hand der * Tig* 1 und 2 beachrieben sind» ■ ■
Jm wird einleuchten, da·· di·, Erfindung «ich nioht mit :r*h die erörterten AuefChrun«eb«ieji·!· besobrlnki und da«· ia Xahpen' ' <v der Erfindung dea Paohnann viel« Abarten möglich sind. Dl· RaIb* * ' lelterkSrper 4 und 29 Ier Fif. 1,2 und 4 können s.B· at» *nd«r9n Halbleitermaterialien al· Cad*itaatul»hid b«etehen, s.B. so·' . " ..
CadmiuMelenid, Tellur, Zinktellurid, Zinnoxyd, Indiuaoxyd oder Oalliunarser.id. Die Ieolierechicht kann z.B. aue fla#rneeiu»flubrid statt Siliciumoxid b«etehen. .
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Claims (1)

  1. -13- FICT. 712
    PATENTAKSPKUFCHE t .
    1, " Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper ait zwei Anschluss«lektroden um einen Strom durch einen ivischen Sen Aneohlu336lektroden liegenden Bchichtenartigen Teil' des Halbleiterkörpers zu schicken, wobei auf dem betreffenden echiohtenartlgeft Teil eine elektrisch isolierend·.' Schicht ancobraoht int, avf der eine Steuerelektrode sich ausdehnt, dadurch gekennzeichnet, dass die Tsoliernchioht zvisehen den AnochlusBelektroden in Richtung von einer. Anachluseelektrode auf die andere eine praVrticch linear zunehmende Dicke aufweint. · ·
    2, Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 „ iadwrch gakenn-i zeichnet, <tasti der mit Elektroden versehene» Halbleiterl:3rper bvb einer auf einem elektrisch isolierender TrSger angebrachten, mit Elektroden versehenen Hi'lbleiterechich* besteht.
    3, HalbIeit«rvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dasr der HalbleitörkSrper venicstenn der Teil mit den beiden Anschlutieelektroden, honogen öee gleichen LeitfRhicfceite·» typs ist, dAüs Mittel vorgesehen sind um an einer der Anschluss» elektro-fcr., der Abführelektrode, «ine Sfanmmg £*&in die anders Anschluscelefetrode, die Zufuhtwlektrodsi mv l«s«nfvob«l ein Stro« durch der. Halbleiterkörper vor allem dadurch auftritt, Λλ*«^ «?*lirheVtxladiintfJtr8{Tor in Richtung von ier ZufuhreleVtrod· auf dte Abfuhr«lektroie waindam, daoa weiter Mittel vorgooehtn sind, un an der Steuerelektrode eine. Spannunc «u lefen,wobei dae* Potential
    der Zuführelelftrod» zvicchan dem der Steunrelaictrod« und din. der , liegt 50 daao den Strom twiechcn Zufuhr« und
    909836/0719 6AD
    -U- · PK?. 712
    elektrode beeinflusst vird und dass die Isolierschicht eviechen Zufuhr- und Abfuhrelektrode in Richtung von der Zufuhrelektrods auf die Abrohrelektrode eine praktisch linear euneheende Dicke aufweist, 4· Halbleitervorrichtung r.ach Anspruch 1 oder 2, dadurch
    gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper wenigstens der Teil nit der. beider Ar.nchlueaelektroder., eine pra>tiech intrinslke Leitfähigkeit aufweist, dass Kittel vorgesehen sind um an einer der Anachluseelektrode, der Abfuhrelektrode, eine Spannung gegen die andere Anschluß ^elektrode, die Zufuhrelektrode., 2U legen und ti» an der Steuerelektrode· eine Spannung gegen die Zufuhrelektrode au Iegen,wobei was Potential der Abführelektrode !wischen dem dor Zufuhrelektrode und den der Steuerelektrode liegt,no du« die Konzentration an froien Ladungsträgern in einer zwischen der Zufvhr- und Abführelektrodo liegenden Oberflächenschicht des Halbleiter· ' körpers vorgrcsflert wirrt und ein Stroa twlechen Zufuhr- und Abfuhreloktrode durch diese Oberflächenschicht flieset, und dft·· die Isolierschicht twiechen Zufuhr- und Abfvhrelektrede in Richtung .' Y von der Abfuhrelektrode auf die Zufvhrelektrode «ine »rakti^oh linear aunehmendo Dioke aufweist»
    5. . Halbleitervorrichtung naah einen oder aehreren der vorher^ehonden AnsyrCche, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht zwischen den Anschlusselektroden in Richtung von einer Anechlueselektrode auf die andere eine Biokenzunahiie ua «inen Faktor von »indestens 2 aufweist·
    6. Halbleitervorrichtung naoh Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht eine Dickenzur.ahfre ua einen Paktor von mindestens 5 und h3chetens 20 aufweist.
    909836/0719 Bad
    is
    Leert«!te
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