DE1549009C - Circuit arrangement for suppressing interference in a memory circuit - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung betrieben werden und über Leitungen mit den auf zur Unterdrückung von Störungen in einer Speicher- Zimmertemperatur befindlichen Ansteuer-, Schreibschaltung mit mindestens einer einseitig auf Null- und Leseschaltungen verbunden sind,
potential liegenden Ansteuerleitung, die kapazitiv mit Die Erfindung ist im folgenden an Hand der in den einem nicht auf Nullpotential liegenden Leiterelement 5 Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele näher gekoppelt ist, mit dem außerdem eine ebenfalls ein- erläutert. In den Zeichnungen zeigt
seitig auf Nullpotential liegende Leseschaltung kapa- F i g. 1 in schematischer Darstellung ein Speicherzitiv gekoppelt ist, wobei die Störungen von der An- element einer bekannten cryoelektrischen Speichersteuerleitung über das Leiterelement kapazitiv in die anordnung,
Leseschaltung eingekoppelt werden. io F i g. 2 ein die Herkunft der Störungen in der. An-The invention relates to a circuit arrangement that is operated and is connected via lines to the control, write circuit with at least one unilateral zero and read circuits located to suppress interference in a storage room temperature,
potential-lying control line, which is capacitively The invention is coupled in more detail below with reference to the exemplary embodiments shown in the non-zero potential conductor element 5 drawings, with which one is also explained. In the drawings shows
reading circuit on the side at zero potential capac- F i g. 1 a schematic representation of a memory positive is coupled, the interference from the an element of a known cryoelectric memory control line capacitively in the arrangement via the conductor element,
Read circuit are coupled. io F i g. 2 a the origin of the disorders in the. On-

Bei Speichern mit vielen, matrixartig angeordneten Ordnung nach F i g. 1 erläuterndes Ersatzschaltbild,In the case of memories with many orders arranged in a matrix-like manner according to FIG. 1 explanatory equivalent circuit diagram,

Speicherelementen wird das jeweils ein- oder auszu- F i g. 3 und 4 die Wirkungsweise der erfindungs-Storage elements will be turned on or off. F i g. 3 and 4 the mode of operation of the invention

lesende Speicherelement mit Hilfe zweier Ansteuer- gemäßen Anordnung erläuternde Ersatzschaltbilder,reading memory element with the help of two control-appropriate arrangement explanatory equivalent circuit diagrams,

leitungen bestimmt, an deren Kreuzungspunkt sich F i g. 5 das Schaltschema einer vereinfachten Formlines determined, at the intersection of which F i g. 5 shows the circuit diagram in a simplified form

die Ansteuersignale.in ihrer Wirkung zu einem Wert 15 der erfindungsgemäßen Anordnung undthe Ansteuersignale.in their effect to a value 15 of the arrangement according to the invention and

überlagern, bei dem das betreffende Speicherelement F i g. 6 das Schaltschema einer anderen Ausfüh-overlay, in which the relevant memory element F i g. 6 the circuit diagram of another version

ein gleichzeitig zugeführtes Schreibsignal einspeichern rungsform der erfindungsgemäßen Anordnung,a write signal which is supplied at the same time is stored in the form of the arrangement according to the invention,

kann oder ein eingespeichertes Signal ausspeichert. Bei der nachstehenden Beschreibung ist vorausge-can or stores a stored signal. The following description is based on

Infolge der bei solchen Speicherelementen auftreten- setzt, daß die Speicherelemente, die SpeicherebenenAs a result of the occurrence of such memory elements, the memory elements, the memory levels

den, einleitend beschriebenen kapazitiven Koppelun- 2° und bestimmte andere Schaltungskomponenten inthe capacitive coupling described in the introduction and certain other circuit components in

gen können von einer Ansteuerleitung auch an einer cryogenen Umgebung angeordnet sind, was be-genes can also be arranged in a cryogenic environment by a control line, which

Speicherelementen, die gerade nicht angewählt sind, kanntlich dadurch geschehen kann, daß alle dieseStorage elements that are currently not selected can be done by the fact that all of these

Störimpulse in die Leseschaltung überkoppeln, welche Schaltungskomponenten in ein Flüssigheliumbad ein-Coupling interference pulses into the reading circuit, which circuit components are included in a liquid helium bath.

so groß sein können, daß sie fälschlicherweise als aus- getaucht werden und der Oberflächendruck des Badescan be so great that they are mistakenly submerged and the surface pressure of the bath

gelesene Speichersignale gewertet werden. 25 entsprechend kontrolliert wird. F i g. 1 zeigt innerhalbread memory signals are evaluated. 25 is checked accordingly. F i g. 1 shows within

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Vermei- des gestrichelten Blockes die in einer solchen cryoge-The object of the invention consists in avoiding the broken-line block that occurs in such a cryogenic

dung des Auftretens solcher Störimpulse in der Lese- nen Umgebung angeordneten Schaltungskomponen-the occurrence of such interference pulses in the reading environment arranged circuit components

schaltung. ten.circuit. th.

Eine Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Die erfindungsgemäße Schaltung läßt sich auf Störungen in einer Speicherschaltung mit mindestens 30 Speicheranordnungen mit einer oder mehreren Speieiner einseitig auf Nullpotential liegenden Ansteuer- cherebenen anwenden, wobei jede Speicherebene leitung, die kapazitiv mit einem nicht auf Nullpoten- Hunderte bis Hunderttausende von Speicherelementen tial liegenden Leiterelement gekoppelt ist, mit dem enthalten kann. Die einzelnen Speicherebenen entaußerdem eine ebenfalls einseitig auf Nullpotential halten jeweils eine Grundschicht, viele in Reihe geliegende Leseschaltung kapazitiv gekoppelt ist, wo- 35 schaltete Speicherschleifen und mindestens je eine abei die Störungen von der Ansteuerleitung über das und fe-Ansteuerleitung.A circuit arrangement for suppressing the circuit according to the invention can be applied to disturbances in a memory circuit with at least 30 memory arrangements with one or more storage units lying on one side at zero potential, whereby each storage level line that is capacitive with a not zero potential hundreds to hundreds of thousands of Storage elements tial lying conductor element is coupled with which can contain. The individual memory levels also have a base layer that is also one-sided at zero potential, many read circuits in series are capacitively coupled, with switched memory loops and at least one a for interference from the control line via the and fe control line.

Leiterelement kapazitiv in die Leseschaltung einge- In Fig. 1 ist lediglich ein Speicherplatz oder koppelt werden, zeichnet sich zur Lösung dieser Auf- Speicherelement gezeigt. Die übrigen Speicherschleigabe erfindungsgemäß dadurch aus, daß das Leiter- fen der Anordnung brauchen hier. nicht gezeigt zu element über ein induktiv mit der Leseschaltung ge- 40 werden. Das Speicherelement ist über einer Grundkoppeltes Überbrückungselement mit Nullpotential schicht 10 angeordnet, die aus einem Supraleiter wie verbunden ist, dessen Induktivität im wesentlichen Blei bestehen kann. Über der Grundschicht, isoliert gleich der Gegeninduktivität zwischen Leseschaltung von dieser, ist eine Leseleitung s aus einem Supra- und Überbrückungselement ist. leiter wie Zinn angeordnet. Die Leseleitung bestehtConductive element capacitively integrated into the read circuit. In Fig. 1, only one storage location or coupling is shown for solving this storage element. According to the invention, the remaining storage loop is due to the fact that the arrangement needs to be conducted here. not shown to be connected to the element via an inductive 40 with the reading circuit. The storage element is arranged over a basic coupling bridging element with zero potential layer 10, which is made of a superconductor such as, the inductance of which can consist essentially of lead. Over the basecoat, isolated equal to the mutual inductance between reading circuit of this is a sense line s is of a supra- and bridging element. ladder arranged like tin. The reading line exists

Durch diese Maßnahme lassen sich die eingekop- 45 aus einer Eingangsleitung 12, einer AusgangsleitungThis measure enables the input 45 from an input line 12, an output line

pelten Störströme durch den das Uberbrückungsele- 14 und zwei parallelen Stromwegen 16 und 18, diepelten interference currents through the bridging element 14 and two parallel current paths 16 and 18, the

ment durchfließenden Strom genau kompensieren, so eine Speicherschleife 19 für persistenten Strom bilden,exactly compensate the current flowing through it, thus forming a storage loop 19 for persistent current,

daß sie sich in der Leseschaltung nicht mehr auswir- Der Stromweg 16 überquert eine öffnung 20 in derthat it no longer has an effect in the reading circuit. The current path 16 crosses an opening 20 in the

ken können. Bei einer bevorzugten Ausführungsform Grundschicht, während der Stromweg 18 keine solchecan know. In a preferred embodiment, base layer, while current path 18 does not

der Erfindung wird das Überbrückungselement durch 50 öffnung überquert.According to the invention, the bridging element is crossed through an opening.

eine die Leseschaltung umgebende leitende Abschir- Über der Speicherschleife verlaufen zwei Ansteuermung gebildet, die mit ihrem dem Leiterelement ab- leitungen α und b aus einem Supraleiter wie Blei, gewandten Ende mit dem nullpotentialseitigen An- Diese beiden Leitungen liegen in dem Bereich, wo sie Schluß der Leseschaltung verbunden ist. Zur Verhin- die Schleife überqueren, übereinander. Sie sind vonderung weiterer unerwünschter Kopplungen kann fer- 55 einander, von der Grundschicht, von der Leseleitung s ner die Abschirmung noch von zusätzlichen Ab- und von der Speicherschleife 19 isoliert. Die Isolation Schirmhüllen umgeben sein, innerhalb deren die zwischen den einzelnen Leitern, die durch Dünn-Schreibleitungen bzw. die Ansteuerleitungen verlau- schichten aus Siliciummonoxyd od. dgl. gebildet werfen und die an einem Ende mit dem Leiterelement, den kann, ist um der besseren Übersichtlichkeit willen am anderen Ende mit den auf Nullpotential liegen- 60 nicht gezeigt. Die verschiedenen Zinn- und Bleileiden Anschlüssen der Signalquellen für die Schreib- tungen können ebenfalls als Dünnschichten ausgebil- bzw. Ansteuersignale verbunden sind. Dadurch läßt det sein.a conductive shielding surrounding the reading circuit. Two control circuits are formed over the storage loop, with their lead elements α and b from a superconductor such as lead, facing end with the zero potential side. These two lines are in the area where they terminate the reading circuit is connected. To prevent this, cross the loop, one on top of the other. They are isolated from one another, from the base layer, from the read line, from the shield, from additional disconnection and from the storage loop 19. The insulation sheaths must be surrounded, within which the layers formed from silicon monoxide or the like between the individual conductors, which run through thin write lines or the control lines, and which at one end with the conductor element, which can, are better For the sake of clarity, at the other end with the ones at zero potential, 60 is not shown. The various tin and lead connections of the signal sources for the writing can also be designed as thin layers or connected as control signals. This lets it be.

sich zusätzlich eine bessere Entkopplung der zum Um in die Speicherzelle nach Fig. 1 InformationIn addition, there is a better decoupling of the information to be transferred to the memory cell according to FIG. 1

Speicher führenden Ansteuerleitungen und Schreib- einzuschreiben, werden von der SchreibstromquelleDrive lines carrying memory and write to write are taken from the write power source

stromleitungen von der Leseleitung erreichen. 65 30 der Leitung s ein Schreibstrom l_w und von der a- Reach power lines from the reading line. 65 30 of the line s a write current l _w and of the a-

Ein bevorzugtes Anwendungsgebiet der Erfindung und der ft-Ansteuerstromquelle 32 bzw. 34 den Lei-A preferred field of application of the invention and the ft-control current source 32 and 34 the line

liegt bei Speichern mit supraleitenden Speicherele- tungen α bzw. b Ansteuerströme I₀ bzw. I_b zugeleitet,in storage units with superconducting storage elements α and b, control currents I ₀ and I _{b are} supplied,

menten, die in einer sehr tief gekühlten Umgebung Der Schreibstrom I_w verteilt sich entsprechend derin a very deeply cooled environment. The write current I _{w is} distributed according to the

3 43 4

Induktivität der Stromwege 16 und 18 auf diese bei- hältnis so groß ist, daß das Lesesignal wahrgenomden Wege. Wegen der unter dem Weg 16 in der men werden kann. Eine Störquelle besteht in der so-Grundschicht befindlichen Öffnung 20 hat dieser genannten »Halbwählstörung«, die durch die Lese-Stromweg eine sehr viel höhere Induktivität als der ströme hervorgerufen wird. Es wurde gefunden, daß Stromweg 18, so daß anfänglich im wesentlichen der 5 diese Störung auf die in F i g. 2 dargestellte Weise gesamte Schreibstrom in den Weg 18 fließt. hervorgerufen wird.The inductance of the current paths 16 and 18 on this ratio is so great that the read signal is perceived Ways. Because of the path 16 in the men can be. One source of interference is the so base layer located opening 20 has this so-called "half-dialing disturbance" caused by the reading current path a much higher inductance than the currents. It was found that Current path 18, so that initially the 5 this disturbance to the in F i g. 2 way shown all write current flows in path 18. is caused.

Durch die in die Leitungen α und b geschickten Die beiden Ansteuerleitungen α und b verlaufen Ansteuerströme I_a und I_b werden Magnetfelder indu- über einen verhältnismäßig großen Teil ihrer Länge ziert, die sich in den Bereichen, wo die beiden Lei- sehr dicht bei der Grundschicht. Jede dieser Leituntungen übereinander liegen, addieren. Die Stromdich- i° gen ist daher kapazitiv mit der Grundschicht 10 geten werden so gewählt, daß das induzierte Magnet- koppelt. In F i g. 2 ist dies für die Ansteuerleitung α feld ausreicht, um Teile des Stromweges 18 der durch die gestrichelten Kondensatoren 40 und 42 an-Schleife in den normalleitenden (widerstandsbehafte- gedeutet. Diese Kondensatoren und die anderen geten) Zustand zu schalten, wenn gleichzeitig sowohl strichelten Kondensatoren stellen natürlich eine verein Strom I_a als auch ein Strom I_b anwesend ist, je- 15 teilte Kapazität dar. Die Leseleitung s ist ebenfalls doch nicht, wenn nur einer dieser Ströme vorhanden durch verteilte Kapazitäten 44 und 46 kapazitiv mit ist. Als Folge des Schaltens von Teilen des Weges 18 der Grundschicht gekoppelt. (In F i g. 2 und den in den normalleitenden Zustand verschwindet der übrigen Figuren sind die verschiedenen, entlang der Schreibstrom I_w aus dem Weg 18, um in den hoch- Leitung s vorhandenen Speicherschleifen nicht geinduktiven (jedoch widerstandsfreien) Weg 16 zu 20 zeigt. Ebenso ist in einigen der Figuren die Ansteuern. Steuerleitung b nicht gezeigt.)By α in the pipes and b sent α The two drive lines and b extend drive currents I _a and I _b are magnetic fields induces its length over a relatively large extent, which in the areas where the two very close to the managerial Base layer. Each of these Leituntungen lie on top of each other, add up. The current density is therefore capacitive with the base layer 10 are chosen so that the induced magnetic coupling. In Fig. 2, this is sufficient for the control line α field to switch parts of the current path 18 through the dashed capacitors 40 and 42 on loop into the normal conducting (resistance-prone. These capacitors and the others shown) state when both dashed capacitors Of course, a combined current I _a and a current I _{b are} present, each representing a divided capacity. The read line s is also not present if only one of these currents is present due to distributed capacitances 44 and 46. As a result of the switching of portions of the path 18 coupled to the base layer. (In Fig. 2 and the normal conducting state of the other figures, the different paths along the write current I _{w are} removed from path 18 in order to avoid inductive (but resistance-free) path 16 to 20 in the high-line s memory loops The control is also shown in some of the figures. Control line b is not shown.)

Die Ansteuerströme I_a und I_b werden jetzt ent- Wie aus F i g. 1 zu ersehen ist, befindet sich dieThe control currents I _a and I _b are now derived from FIG. 1 can be seen, is the

fernt, während der Schreibstrom /„, weiter zugeführt Grundschicht in einem Flüssigheliumbad, währendremoves, while the write current / ", further fed base layer in a liquid helium bath while

wird. Bei Verschwinden der Ansteuerströme kann die Ansteuerstromquelle 32 und der Leseverstärkerwill. When the drive currents disappear, the drive current source 32 and the sense amplifier

der niederinduktive Weg 18 in den supraleitenden 25 38 in einer auf Zimmertemperatur befindlichen Um-the low-inductive path 18 in the superconducting 25 38 in an environment at room temperature

Zustand zurückschalten, und der durch den Schreib- gebung angeordnet sind. Da die Grundschicht sich inSwitch back state, and which are arranged by the writing. Since the base layer is in

strom im Weg 16 induzierte Fluß wird von der. einem erheblichen räumlichen Abstand von beispiels-current in path 16 induced flow is from the. a considerable spatial distance of for example

Schleife 19 eingefangen. Nach dem Zurückschalten weise der a-Ansteuerstromquelle 32 befindet, ist esLoop 19 captured. After switching back, the a-control current source 32 is located, it is

des Weges 18 in den supraleitenden Zustand wird der schwierig (und in der Praxis sogar unmöglich), sie aufthe path 18 in the superconducting state becomes the difficult (and in practice even impossible) to get them on

Schreibstrom I_w entfernt. Der Zusammenbruch des 30 das gleiche wechselstrommäßige Potential wie MasseWrite current I _w removed. The collapse of 30 has the same alternating current potential as ground

eingefangenen Magnetflusses um die Schleife 19 indu- (Nullpotential) zu bringen.Trapped magnetic flux to bring the loop 19 indu- (zero potential).

ziert einen Stromfluß in der Schleife. Dieser Strom ist Das Nullpotential ist durch das übliche Massewegen des Nullwiderstands der Schleife persistent, symbol, ζ. B. bei 47 in F i g. 2, angedeutet. Versucht also ein Dauerstrom, der den in der Schleife einge- man, die Grundschicht 10 mittels einer Leitungsverfangenen Fluß unterhalt. Der Dauerstrom I_p zirkuliert 35 bindung nach Masse zu erden, so wirkt dieser Anin der Schleife 19 in der durch den Pfeil 24 angezeig- schlußdraht als Induktivität (angedeutet durch die ten Richtung. gestrichelte Spule 49 in Fig. 2). Wegen der Längeadorns a current flow in the loop. This current is the zero potential is persistent due to the usual ground movement of the loop's zero resistance, symbol, ζ. B. at 47 in FIG. 2, indicated. So try a continuous current that maintains the flow entangled in the loop, the base layer 10, by means of a conduction-entangled flow. The continuous current I _p circulates to earth the bond, so it acts as an inductance in the loop 19 in the connecting wire indicated by the arrow 24 (indicated by the th direction, dashed coil 49 in FIG. 2). Because of the length

Die durch den gespeicherten Dauerstrom (bzw. die des Drahtes hat diese Induktivität einen ziemlichDue to the stored continuous current (or that of the wire, this inductance has a pretty good

Abwesenheit des Dauerstromes) verkörperten Daten großen Wert (ungefähr 200 nH oder mehr), so daßAbsence of the continuous current) embodied data of great value (about 200 nH or more) so that

können aus der Schleife dadurch ausgelesen werden, 40 sie für die Störfrequenzkomponenten (2 MHz undcan be read from the loop as a result, 40 they for the interference frequency components (2 MHz and

daß bei Abwesenheit des Schreibstroms I_w in der höher) einen erheblichen induktiven Blindwiderstandthat in the absence of the write current I _w in the higher) a considerable inductive reactance

Leseleitung den Ansteuerleitungen α und b Lese- darstellt. Wenn durch auf der Grundschicht ange-Reading line represents the control lines α and b reading. If due to the

ströme zugeführt werden. Die beiden Leseströme sammelte Ladung ein Stromfluß durch diese Induk-currents are supplied. The two read currents collected charge a current flow through this inductive

schalten die beiden Teile des Weges 18 in den Be- tivität 49 erzeugt wird, entsteht eine Spannung, welcheIf the two parts of the path 18 switch into the activity 49, a voltage arises which

reichen unterhalb der Leitungen α und b wieder in 45 die Grundschicht auf einem vom Massepotential ab-extend below the lines α and b again in 45 the base layer at a point away from the ground potential.

den normalleitenden Zustand. Wenn die Schleife weichenden Potential hält.the normally conducting state. When the loop holds deviating potential.

einen Dauerstrom speichert (was die Speicherung Wenn unter diesen Umständen ein Lesestrom beieines Bits eines gegebenen Wertes, beispielsweise spielsweise einer der eine Speicherzelle überquereneiner »1« anzeigt), wird dieser Strom beim Schalten den Ansteuerleitungen, nicht jedoch der anderen Aneines Teils der Speicherschleife in den normalleiten- 50 Steuerleitung zugeleitet wird, wird, obwohl die betrefden Zustand zum Verschwinden gebracht, wobei an fende Speicherzelle nicht gewählt ist (d. h., wenn der der Schleife eine Spannung induziert wird, die an den Weg 18 in F i g. 1 nicht in den normalleitenden Zuäußeren Anschlußklemmen der Leseleitung s als Lese- stand geschaltet wird), ein Teil des Lesestromes kapaspannung wahrgenommen werden kann. Wenn kein zitiv auf die Grundschicht gekoppelt. Von der Grund-Dauerstrom anwesend ist (was die Speicherung eines 55 schicht stehen der sich auf ihr ansammelnden Ladung Bits des anderen Binärwertes, beispielsweise eine »0« eine Anzahl von Parallelwegen zur Verfügung, über anzeigt), wird beim Schalten des Weges 18 in den die ein Strom nach Masse zurückfließen kann. Einer normalleitenden Zustand keine Lesespannung er- dieser Wege verläuft über die verteilten Kapazitäten zeugt. 44 und 46 sowie den Transformator 36 zum Lese-stores a continuous current (which means that if, under these circumstances, a read current for one bit of a given value, e.g. one of the memory cells crossing a "1" indicates), this current is used when switching the control lines, but not the other part of the memory loop in the normalleiten- 50 control line is supplied, although the state in question is made to disappear, whereby the next memory cell is not selected (ie if a voltage is induced in the loop that does not affect the path 18 in FIG normal conducting external connection terminals of the reading line s is switched as reading status), part of the reading current can be perceived. If not coupled to the base layer. From the basic continuous current is present (which indicates the storage of a 55 layer are the accumulated charge bits of the other binary value, for example a "0" a number of parallel paths available, via), when the path 18 is switched to the which a current can flow back to ground. A normally conducting state no reading voltage generates this path running across the distributed capacitances. 44 and 46 as well as the transformer 36 for reading

Die Lesespannung, falls vorhanden, gelangt zur 60 verstärker 38. Es wurde gefunden, daß sogar einThe read voltage, if any, goes to amplifier 38. It has been found that even a

Primärwicklung 35 des Transformators 36, wodurch verhältnismäßig großer Teil des Stromes in diesenPrimary winding 35 of the transformer 36, whereby a relatively large part of the current in these

in der Sekundärwicklung 37 eine Spannung induziert Weg fließt, wobei das durch diesen Strom verkör-in the secondary winding 37 a voltage induced path flows, whereby the current embodied by this

wird, die zum Leseverstärker 38 gelangt. perte Störsignal eine so große Amplitude hat, daßwhich reaches the sense amplifier 38. perte interference signal has such a large amplitude that

Bei einem cryoelektrischen Speicher der oben be- es ein etwa vorhandenes Lesesignal weitgehend verschriebenen Art ist die Lesesignalamplitude verhält- 65 deckt.In the case of a cryoelectric memory of the above, there is a possibly existing read signal largely prescribed Type is the read signal amplitude is proportional.

nismäßig niedrig. Es ist daher wichtig, daß etwa auf- F i g. 3 gibt die erfindungsgemäße Schaltung inmoderately low. It is therefore important that about 3 shows the circuit according to the invention in

tretende Störsignale auf einen minimal kleinen Wert ihrer allgemeinsten Form wieder. Dabei ist die ver-occurring interfering signals to a minimally small value of their most general form again. This is the

herabgedrückt werden, so daß das Signal-Stör-Ver- teilte Kapazität durch ausgezogene Linien wiederge-be pressed down so that the signal-to-interference-distributed capacitance is shown by solid lines.

geben. Die Bezugszeichen sind die gleichen wie in F i g. 1 und 2. Der gemeinsame Schaltungspunkt 10 stellt die Grundschicht dar. Die Spule mit dem Wert L₂ stellt die verteilte Induktivität der gesamten Leseschaltung, gesehen von der Grundschicht über den Leseverstärker nach Masse, dar.give. The reference numerals are the same as in FIG. 1 and 2. The common circuit point 10 represents the base _{layer. The coil with the value L 2} represents the distributed inductance of the entire read circuit, seen from the base layer via the read amplifier to ground.

Erfindungsgemäß ist ein Überbrückungszweig 50 zwischen die Grundschicht und Masse geschaltet. Dieser Überbrückungszweig hat eine Impedanz, die bei den Frequenzen der Halbwähl-Störsignale, d. h. bei Frequenzen oberhalb ungefähr 2 MHz, nur einen kleinen Bruchteil der Impedanz der Leseleitung beträgt. Ferner ist der Überbrückungszweig so ausgebildet, daß er das etwaige Nutzlesesignal nicht kurzschließt. A bridging branch 50 is according to the invention connected between the base layer and ground. This bridging branch has an impedance that at the frequencies of the half-dial interference signals, d. H. at frequencies above about 2 MHz, only one is a small fraction of the impedance of the read line. Furthermore, the bridging branch is designed in such a way that that it does not short-circuit the possible useful read signal.

Erfindungsgemäß ist der Überbrückungszweig nach Fig. 3, damit er die gewünschten Eigenschaften aufweist, induktiv mit der Leseschaltung gekoppelt und ist seine verteilte Induktivität L₁ gleich der Gegeninduktivität M zwischen dem Überbrückungszweig und der Leseschaltung. Schematisch ist dies in Fig.4 angedeutet. Die Störsignalquelle 52 umfaßt dabei die Grundschicht und die kapazitiv damit gekoppelten Lesestromquellen.According to the invention, the bridging branch according to FIG. 3 is inductively coupled to the read circuit so that it has the desired properties and its distributed inductance L _{1 is} equal to the mutual inductance M between the bridging branch and the reading circuit. This is indicated schematically in FIG. The interference signal source 52 comprises the base layer and the read current sources capacitively coupled therewith.

Die folgenden Gleichungen zeigen, daß, wenn L₁ = M, im wesentlichen der gesamte bei 52 erzeugte Störstrom in den Zweig 50 fließt. Die Bedeutung der verschiedenen Ausdrücke und Symbole in den Gleichungen ergeben sich ohne weiteres aus Fig. 4.The following equations show that when L ₁ = M, essentially all of the disturbance current generated at 52 flows into branch 50. The meanings of the various expressions and symbols in the equations are readily apparent from FIG. 4.

e =L -^- ι Μ ^d'^2
1 * di ⁺ di · e = L - ^ - ι Μ ^d ' ^2
1 * di ⁺ di

² di di ² tue tue

e_x = e₂ (durch Untersuchung). e _x = e ₂ (by investigation).

^₂=L₂ ^ ₂ = L ₂

+ M
di + M
di

^d/o _r ^d*'i
di di ^d / o _r ^d * 'i
di di

— M- M

di didi di

+ M+ M

dtGerman

Durch Vereinigen von (5) und (6) ergibt sich:Combining (5) and (6) results in:

_(Ll^M)-^ + M^-(M-L₂)-^ + L₂-^-. _(Ll ^ M) - ^ + M ^ - (ML ₂ ) - ^ + L ₂ - ^ -. dtGerman dtGerman dtGerman dtGerman

Durch Vereinigen der Ausdrücke und Vereinfachen ergibt sich:Combining the expressions and simplifying them gives:

(L₁ + L₂- 2M) -^- = (L₂ - M) -^iI
di di(L ₁ + L ₂ - 2M) - ^ - = (L ₂ - M) - ^ iI
di di

_^dA
dt _ ^d A
German

L_n-ML _n -M

L₁ L ₁

L₂- 2ML ₂ - 2M

dtGerman

Durch Einsetzen von M = L₁ in (8) und anschließendes Vereinfachen ergibt sich:Inserting M = L ₁ into (8) and then simplifying it results in:

L., - L₁ L., - L ₁

didi

L₁+ L₂- 2L₁ d/j d/₀ L ₁ + L ₂ - 2L ₁ d / jd / ₀

dtGerman

didi

(9)(9)

Da gemäß F i g. 3 wegen der Kondensatoren 40, 44 kein Gleichstrom durch die Induktivitäten L₁ und L₀ fließen kann, ist die Konstante C ■
lieh ist:Since according to FIG. 3 because of the capacitors 40, 44 no direct current _{can flow through the inductances L 1} and L ₀ , the constant C ■
borrowed is:

0. FoIg-0. Subsequent

*o ·* o ·

Es wurde gefunden, daß eine Koaxialleitung die oben erörterten Eigenschaften aufweist, d. h., daß die Gegeninduktivität zwischen ihrem Innenleiter und ihrem Außenleiter gleich der Induktivität des Außenleiters ist. Dies gilt ohne Rücksicht auf die Lage desA coaxial line has been found to have the properties discussed above; i.e. that the Mutual inductance between its inner conductor and its outer conductor is equal to the inductance of the outer conductor is. This applies regardless of the location of the

ίο Innenleiters. Wenn man daher für den Überbrükkungszweig 50 den Außenleiter einer Koaxialleitung verwendet und diesen an Masse anschließt, wird das kapazitiv auf die Grundschicht gekoppelte Halbwähl-Störsignal nach Masse abgeleitet oder kurzgeschlossen. ίο inner conductor. So if you go for the bridging branch 50 uses the outer conductor of a coaxial line and connects it to ground, the Half-dial interference signal capacitively coupled to the base layer, derived to ground or short-circuited.

F i g. 5 zeigt eine Anordnung, bei der erfindungsgemäß von diesen Prinzipien Gebrauch gemacht wird. Der Stromweg, bestehend aus dem Impulstransformator 36, dem verdrillten Leitungspaar 60 und dem Leseverstärker 38, ist im Inneren eines Koaxialabschirmrohres 62 angeordnet. Das Abschirmrohr 62 ist über ein verhältnismäßig kurzes Drahtstück 64 direkt mit der Grundschicht 10 verbunden. Die Grundschicht 10 und der Transformator 36 sind in einem Flüssigheliumbad angeordnet, und vorzugsweise ist das Abschirmrohr 62 dort, wo es den Impulstransformator umschließt, durch den Hals des Dewar-Gefäßes (nicht gezeigt), das das flüssige Helium enthält, zu dem auf Zimmertemperatur befindlichen Leseverstärker herausgeführt.F i g. 5 shows an arrangement in which use is made of these principles according to the invention. The current path, consisting of the pulse transformer 36, the twisted wire pair 60 and the Sense amplifier 38 is arranged inside a coaxial shielding tube 62. The shield tube 62 is Connected directly to the base layer 10 via a relatively short piece of wire 64. The base layer 10 and transformer 36 are placed in a liquid helium bath, and preferably is the shielding tube 62 where it encloses the pulse transformer through the neck of the dewar (not shown) containing the liquid helium to that at room temperature Sense amplifier led out.

Beim Halbwählzustand fließt das auf die Grundschicht gekoppelte Störsignal nahezu gänzlich durch den Draht 64 und das leitende Abschirmrohr 62 nach Masse. Praktisch kein Anteil dieses Störsignals gelangt über die Leseleitung s zum Leseverstärker. Wenn dagegen eine Speicherzelle in den normalleitenden Zustand geschaltet wird, entsteht an der Primärwicklung 35 des Leseverstärkers in der bereits beschriebenen Weise eine Spannung, die über die Sekundärwicklung 37 und die verdrillte Doppelleitung 60 zum Leseverstärker gelangt. Dabei ist der Überbrückungszweig 64, 62 im wesentlichen ohne Einfluß, wie aus F i g. 5 und der Erläuterung der F i g. 1 ohne weiteres folgt.In the half-dial state, the interference signal coupled to the base layer flows almost entirely through the wire 64 and the conductive shielding tube 62 to ground. Virtually no portion of this interference signal reaches the read amplifier via the read line s. If, on the other hand, a memory cell is switched to the normally conducting state, a voltage is generated at the primary winding 35 of the sense amplifier in the manner already described, which voltage reaches the sense amplifier via the secondary winding 37 and the twisted pair line 60. The bridging branch 64, 62 has essentially no influence, as shown in FIG. 5 and the explanation of FIG. 1 follows without further notice.

F i g. 6 zeigt eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung. Hier besteht der Innenleiter aus der verdrillten Doppelleitung 60, um die herum drei Koaxialmäntel 70, 72 und 74 angeordnet sind. Die zur <2-Ansteuerleitung führende verdrillte Doppelleitung 76 ist ebenso wie die verdrillte Doppelleitung 78 für die ft-Ansteuerleitung zwischen den Mänteln 70 und 72 angeordnet. Die den Schreibstrom zur 5-Leitung befördernde verdrillte Doppelleitung 80 ist zwischen den Mänteln 72 und 74 angeordnet. Die drei Mäntel 70, 72 und 74 sind an beiden Enden zusammengeschaltet und außerdem gemeinsam an Masse angeschlossen.F i g. 6 shows another embodiment of the arrangement according to the invention. Here is the inner conductor from the twisted pair 60, around which three coaxial jackets 70, 72 and 74 are arranged are. The twisted pair line 76 leading to the <2 control line is just like the twisted pair line 78 for the ft control line between the jackets 70 and 72 are arranged. The write current Twisted double line 80 conveying the 5-line is arranged between the jackets 72 and 74. the three jackets 70, 72 and 74 are connected together at both ends and are also connected together Ground connected.

Die Wirkungsweise der Anordnung nach F i g. 6 ist weitgehend die gleiche wie die der Anordnung nach F i g. 5. Jedoch sind außer dem einzigen Überbrückungszweig nach F i g. 5 zwei zusätzliche Überbrückungszweige 70 und 72 vorhanden. Dadurch werden etwaige Reststörkomponenten, die beispielsweise an der Doppelleitung 60 auftreten können,The mode of operation of the arrangement according to FIG. 6 is largely the same as that of the arrangement according to FIG. 5. However, apart from the single bridging branch according to FIG. 5 two additional bridging branches 70 and 72 available. As a result, any residual interference components, for example can occur on the double line 60,

z. B. auf die Mäntel 72 und 70 und von dort nach Masse abgeleitet. Außerdem wird durch die Mantel 70, 72 und 74 die Möglichkeit verringert, daß der in einer der Doppelleitungen anwesende Ansteuerstromz. B. on the jackets 72 and 70 and derived from there by mass. Also, through the coat 70, 72 and 74 reduces the possibility that the drive current present in one of the double lines

oder Schreibstrom direkt in die zum Leseverstärker führende Doppelleitung gekoppelt wird. Wie bei der Anordnung nach F i g. 5 ist auch hier vorzugsweise der Leiter 74 (oder 70 oder 72) in das Heliumbad hineingeführt, und zwar unter Umhüllen des Impulstransformators am einen Ende, wobei er den Leseverstärker 38 am anderen Ende abschirmt.or write current is coupled directly into the double line leading to the sense amplifier. As with the Arrangement according to FIG. 5 is also here preferably the conductor 74 (or 70 or 72) in the helium bath led into it, encasing the pulse transformer at one end, where it is the sense amplifier 38 shields at the other end.

Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Störungen in einer Speicherschaltung mit mindestens einer einseitig auf Nullpotential liegenden Ansteuerleitung, die kapazitiv mit einem nicht auf Nullpotential liegenden Leiterelement gekoppelt ist, mit dem außerdem eine ebenfalls einseitig auf Nullpotential liegende Leseschaltung kapazitiv gekoppelt ist, wobei die Störungen von der Ansteuerleitung über das Leiterelement kapazitiv in die Leseschaltung eingekoppelt werden, dadurch gekennzeichnet, daß das Leiterelement (Grundschicht 10) über ein induktiv mit der Leseschaltung (Transformator 36, Leitung 60, Leseverstärker 38) gekoppeltes Überbrückungselement (L₁) mit Nullpotential (Masse) ver-1. Circuit arrangement for suppressing interference in a memory circuit with at least one control line lying on one side at zero potential, which is capacitively coupled to a conductor element not lying on zero potential, with which a reading circuit, likewise on one side at zero potential, is capacitively coupled, the interference from the The control line is capacitively coupled into the reading circuit via the conductor element, characterized in that the conductor element (base layer 10) is connected to zero potential (ground) _{via a bridging element (L 1) inductively coupled to the reading circuit (transformer 36, line 60, sense amplifier 38).} bunden ist, dessen Induktivität im wesentlichen gleich der Gegeninduktivität zwischen Leseschaltung und Überbrückungselement ist.is bound, the inductance of which is essentially equal to the mutual inductance between the read circuit and bridging element is. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Überbrückungselement durch eine die Leseschaltung umgebende leitende Abschirmung (Abschirmrohr 62) gebildet ist, die mit ihrem dem Leiterelement (Grundschicht 10) abgewandten Ende mit dem nullpotentialseitigen Anschluß der Leseschaltung verbunden ist.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the bridging element formed by a conductive shield surrounding the reading circuit (shielding tube 62) is, the end facing away from the conductor element (base layer 10) with the zero potential side Connection of the reading circuit is connected. 3. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmung (Abschirmrohr 62) von zusätzlichen Abschirmhüllen (72, 70) umgeben ist, innerhalb deren die Schreibleitungen (80) bzw. die Ansteuerleitungen (76, 78) verlaufen und die an einem Ende mit dem Leiterelement (10), am anderen Ende mit den auf Nullpotential liegenden Anschlüssen, der Signalquellen (30; 32, 34) für die Schreib- bzw. Ansteuersignale verbunden sind.3. Circuit arrangement according to claims 1 and 2, characterized in that the shield (Shielding tube 62) is surrounded by additional shielding covers (72, 70), within which the write lines (80) and the control lines (76, 78) run and the on one End with the conductor element (10), at the other end with the connections at zero potential, the signal sources (30; 32, 34) for the write or control signals are connected. 4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Anwendung bei einem Supraleiterspeicher.4. Circuit arrangement according to claims 1 to 3, characterized by the application in a superconductor storage. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109 539/3241 sheet of drawings 109 539/324