DE1537611A1 - Transistor-Wechselstromverstaerkerschaltung - Google Patents
Transistor-WechselstromverstaerkerschaltungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht .sich auf eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung
und insbesondere auf eine verbesserte Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung, bei
welcher sogar, wenn das Gleichstroinpotential eines Eingangssignals,
das dieser zugeführt wird, schwankt, sein Gleichstromausgaiigspotential stabil gehalten wird, so daß
sie, falls sie in galvanischer Kaskadenverbindung mit einem anderen Transistor-Wechselstromverstärkerkreis gekoppelt
ist, es ermöglicht,■daß das Gleichstromarbeitspotential
der angeschlossenen Schaltkreise im stabilen Zustand gehalten wird»
Wenn ein hochgradig verstärkender Transistor-Wechselstroniverstärker
aus einer Kaskadenverbindung von Traneistoren gebildet wird, indem kürzlich entwickelte integrierte
Halbleiterschaltkreistechniken verwendet werden, ist es vorteilhaft, einen galvanisch gekoppelten Typ von Schaltkreis
ohne irgendwelche Kopplungsmittel, wie z» B. Kondensator und Transformator zu schaffen. Dies hat die Gründe,
daß die Bildung eines induktiven Elements in einem integrierten
Halbleiterkreis konstruktiv schwierig ist, und daß ein Kondensator, obwohl er in integrierter Schaltkreisausbildung
nicht unmöglich erhältlich ist, mit einem hohen Kapazitätswert in dieser Art ziemlich schwierig herzustellen ist. Darüber hinaus hat ein integrierter Halbleiter-
909882/0794 bad
Hm»
kondensator notwendigerweise wegen seines Aufbaues eine
parasitäre Kapazitanz gegen Erde, so daß eines seiner Enden äquivalent geerdet wird. Daher ist ein in einer
integrierten Schaltkreisart erhaltener Kondensator nicht einsatzfähig, mit Ausnahme bestimmter Verwendungen, z. B,
als Uberbrückungskondensator und in einem Kreis, der keine
hohe Kapazität verlangt»
Da indessen galvanisch gekoppelte Transistor-Wechselstromverstärker
in Kaskadenverbindung die gleiche Gleichstrom- und Wechselstromverstärkung haben, wenn die Gleichstromvorspannung
in einer vorhergehenden Verstärkungsstufe
schwankt, wird die Schwankung dieser Vorspannung mit einem ihr überlagerten Wechselstromeingangssignal verstärkt und
läßt den Gleichstromarbeitspunkt der angeschlossenen Schaltkreise erheblich schwanken. Insbesondere im Fall
eines Hochleistungsverstärkerkreises verursacht schon eine kleine Änderung der Vorspannung in einem vorangehenden
Kreise Sättigung oder Abschaltung in den folgenden Schaltkreisen, so daß eine normale Verstärkung unmöglich
gemacht wird. Dies ist ein wesentlicher Fehler dieses Verstärkertyps.
Auch kann in einem üblichen Verstärkerkreis ein Eingangssignal nur als Wechselstromsignal betrachtet werden,
während in einem Oszillator oder in einem aktiven Verstärkungssteuerkreis das Ausgangssignal ein der Änderung einer
Gleichstromvorspannung überlagertes Wechselstromsignal wird, da der Gleichstromarbeitspunkt notwendigerweise im
Betrieb schwankt. Daher ist, wenn das Ausgangssignal eines
solchen Kreises einem galvanisch gekoppelten Verstärker in Kaskadenverbindung zugeführt wird, keine wirkungsvolle Ver
stärkung zu erwarten, da die Schwankung des Arbeitspunkts der Verstärker der folgenden Schaltkreise vorhanden ist.
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Obwohl ein galvanisch gekoppelter Kaskadenverstärker einen äußerst geeigneten Aufbau für einen integrierten
Ilalblei terkreis hat, war seine Verwendung wegen dieser Funktionsfehler auf einen besonderen Fall, wie z. B.
Gleichstromverstärker beschrankt.
Cs ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung
zu schaffen, die für eine integrierte Halbleiterkreisausbildung äußerst geeignet
ist. Dabei soll auch eiiio galvanisch gekoppelte Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung
geschaffen werdenin welche im Betrieb ein liechselstroiiieingangssignal, welches
von schwankendem Gleichstrompotential begleitet wird, verstärkt. Außerdem soll durch die Erfindung eine Transistorl'cchselstromverstärkerschaltung
geschaffen werden, die sich als integrierte Halbleiterschaltung, insbesondere zusammen mit einem Verstärkungsgradsteuerkreis eignet.
Schließlich soll durch die Erfindung eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung
in galvanisch ,gekoppelter Mehrstufenkaskadenverbindung geschaffen werden, die sich
zur Erzielung eines hohen Verstärkungsfaktors eignete
Diese Aufgabe wird durch eine Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung
zur Verstärkung eines einer Gleichspannung überlagerten .-Wechselstromsignals , dessen Gleichstrompotential
schwankend sein kann, erfindungsgemäß im wesentlichen dadurch gelöst, daß sie einen Verstärker-Transistor
mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor zum Verstärken eines seiner Basis zugeführten Wechselstroinsiguals,
einen mit dem Kollektor des Verstärker-Transistors derart verbundenen Lastwiderstand, daß vom
Kollektor dieses Transistors ein Ausgangssignal abgegeben wird, und mit dem Emitter des Verstärker-Transistors
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BAD OB1G>NAL
verbundene Steuerkreiselemente gekennzeichnet ist, die einen Steuer-Transistor mit einer Basis, einem Emitter
und einem Kollektor, der mit dem Emitter des Verstärker-Transistors verbunden ist, Mattel zum Anlegen einer konstanten
Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Steuer-Transistors zwecks Erzeugung eines konstanten
Stromes zum Emitter-Kollektorkreis des Verstärker-Transistors
und einen zwischen dem Kollektor des Steuer-Transistors und Erde angeschlossenen Erdungskondensator
umfassen, wodurch ein verstärktes Wechselstrom-Ausgangssignal mit einem stabilisierten Gleichstrompotential erhalten
wirdo
So wird das Wechselstromeingangssignal, welches der Basis des Verstärker-Transistors zugeführt wird, verstärkt
an seinem Kollektor abgegeben*
Diese Merkmale und weitere Einzelheiten der Schaltung gemäß der Erfindung ergeben sich aus der Erläuterung anhand
der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele. Es zeigern
Fig. 1 das Prinzip einer Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung gemäß der Erfindung;
Fig. 2 a ein Beispiel eines Konstantstromkreises, der
in der Schaltung gemäß der Erfindung verwendet wird;
Fig. 2 b einen Bestandteil in diesem Konstantstromkreis;
Fig. 3 ein anderes Beispiel eines Konstantstromkreises,
der in der Schaltung gemäß der Erfindung verwendet wird;
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*"" ORIGINAL
Fig. 4 eine Schaltung gemäß der Erfindung als Ausführungsbeispiel
j
Fig. 5 ein Beispiel einer Schaltung gemäß der Erfindung,
die besonders für die integrierte Halbleiterschaltungsausbildung geeignet ist;
Fig. 6 eine Schaltung als Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei der es auf bestimmte Effekte
ankommt, und
Fig. 7 Meßergebnisse mit der Schaltung des vorangehenden
Ausführungsbeispieles.
Die Erfindung bezieht sich im wesentlichen auf einen üblichen Emittertyp-Wechselstromverstärker, dessen Grundprinzip in Fig. 1 gezeigt ist. Ein Wechselstromeingangssignal
wird einem Eingangsanschluß 1, welcher mit der Basis
des Transistors 10 verbunden ist, zugeführto Der Kollektor des Transistors 10 ist mit einer positiven Spannungsquelle
2 über einen Lastwiderstand 11 verbunden. Der Emitter des Transistors 10 ist über einen Erdungskondensator 12 geerdet· Ein Konstantstromkreis 13t der dem Transistor
10 einen konstanten Steuerstrom liefert, ist zwischen dem Emitter des Transistors 10 und dem Erdungspunkt
3 vorgesehen. Das dem Eingangsanschluß 1 zugeführte Eingangssignal
erscheint am Kollektor des Transistors 10 verstärkt und wird vom Ausgangsanschluß 5 abgenommen. Der
Konstantstromkreis 13 kann aus mehreren bekannten Kreisen, wie sie in den Figo 2 a und 3 gezeigt sind, ausgewählt
werden.
Figo 2 a zeigt einen Konstantstromkreis, in welchem
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eine Diode 15 zwischen der Basis und dein Emitter eines
Transistors 14 eingeschaltet ist„ Wenn eine angemessene
Spannung an einen Basisanschluß 6 angelegt wird, erscheint eine konstante Spannung zwischen der Basis und
dem Emitter, so daß ein konstanter Strom durch den Kollektorkreis fließt. Der Anschluß k des Kollektors ist
mit dem Emitter des Transistors 10 verbunden, wie im Verstärkerkreis von Fig. 1 gezeigt isto Im Falle eines integrierten
Halbleiterkreises kann die Diode 15 durch ein Element mit zwei Anschlüssen ersetzt werden, welches durch
Kurzschließen der Basis und des Kollektors eines Transistors erhalten wird, wie in Fig. 2 b gezeigt isto
Der Konstantstromkreis, der in Fig. 3 gezeigt ist,
besteht aus den Transistoren 16 und 18. Der Transistor
verstärkt die Potentialschwankung, die sich über einen Widerstand 17 ergibt, der mit dem Emitter des Transistors
16 verbunden ist, und führt sie zum Transistor 16 zurück.
Die Basis des Transistors 16 ist mit einem geeigneten Spannungspunkt 6 verbunden, so daß ein konstanter Strom
über den Kollektor des Transistors 16 fließtο
Die Eigenschaft des Verstärkerkreises gemäß der Erfindung ist die, daß ein Wechselstromverstärkungs-Transistor
durch einen Steuerkreis gesteuert wird, der einen Steuer-Transistor und einen Erdungskondensator umfaßt,
der den Kollektor des Steuer-Transistors mit Erde verbindet,
wobei der Kollektor des Steuer-Transistors mit dem Emitter des Verstärkertransistors verbunden ist und eine
konstante Spannung zwischen der Basis und dem Emitter dieses
Transistors angelegt wird, um einen konstanten Strom zu dem.Emitter-Kollektorkreis des Verstärker-Transistors
zu leiten. Als Ergebnis wird die WechselStromverstärkung
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bad original
in der Weise bewirktp daß das Gleichstrompotential des
Ausgangsanschlusses 5 unabhängig von der Gleichstromhölie
Schwankung des Eingangs signals Icons tantgelial ten wird.
Fig. ^l zeigt eine Wechselstromverstärkerschaltung
gernäß der Erfindung in Kombination mit einem automatischen
Verstärkungsfaktorsteuerkreis (im folgenden mit
A.G.C.-Kreis bezeichnet), wobei der Konstantstromkreis
benutzt wird, der in Fig. 2 a dargestellt ist, um dem
Transistor 10 eine Konstantstroinsteuerung zu geben. Die Bezugsziffer 20 bezeichnet einen Erststufentransistor in
üblicher Jimitterausbildung und die Bezugsziffer 22 einen Kollektorlastwiderstando Ein Wechselstromsignal, welches
der Basis 21 des Transistors 20 zugeführt wird, wird durch diesen Transistor 20 verstärkt und in den Verstärkerkreis
gemäß der Erfindung über die Leitung 23 eingeführt, die
den Kollektor des Transistors 20 mit der Basis des Transistors
10 direkt verbindet, wobei gleiche Bezugsziffern ,
verwendet sind, um gleiche Teile wie in Fig. 1 zu bezeichnen. Ein A.G.C.-Kreis, der aus einer Diode 24 und einem
Transistor 25 gebildet wird, liegt parallel zum Transistor 20 zwischen der Leitung 23 und der Erde. Ein A.G0C.-Signal
wird der Basis 26 des Transistors 25 zugeführt, um den Vorspaimungsstroni über die Diode 2k zu steuern, welche
daher als variables Widerstandselement.arbeitet. Die Diode
2k und der Widerstand 22 bestimmen den Lastwiderstand des
Erststufenverstärkertransistors 20 und steuern seinen
Ausgang entsprechend der WiderstandsSchwankung der Diode
2k, Das A.G.C.-Signal ändert den Strom, der durch die
Diode 2k fließt, mit der Folge einer Gleichstrompotentialschwankung
des Ausgangssignals des Transistors 20. Das der
Basis des Zweitstufentransistors 10 zugeführte Signal
würde daher eine Gleichstrompotentialschwankung erleiden, wenn-die vorliegende Erfindung nicht angewendet würde0
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Es wird nun die Methode gemäß der Erfindung in Anwendung
bei dieser Schaltung betrachtet» Der Emitter des Zweitstufentransistors 10 wird durch einen Konstantstromkreis
gesteuert und über einen Kondensator 12 geerdet«
Der durch den Kollektor fließende Gleichstrom wird daher unabhängig "von der Gleiche tromschw.ankung an der Basis
immer konstant» Infolgedessen hat das am Anschluß 5 ^rscheinende
Äusgangssignal ein konstantes Gleichstrompotential, und es wird nur ein verstärktes Wechselstromsignal
erhalten. Soweit das Basispotentiai V_ des Transistora
10 innerhalb des folgenden Bereiches bleibt * be- -:-
wirkt der Transistor 10 eine normale Verstärkung« ohne
daß er eine Sättigung oder Abschaltung zeigt*
Tfi»10:
Hierin sind Vg10 und fg . die Köllektorsättigungsspannungea
der Transistoren 10 und 14, ?„«,„ ist die Span«
nung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors I und V das Kollektorgleichstrompotential des Transistors
Da sich das Kollektorgleichstrompotential V^ aus der
Gleichung
Vn = V
0 CC
ergibt, worin I der KollektorgleichstrDm des Transistors
10, V die'KollektOrspeisespannüng und E der Widerstand
CC C
des Kollektorlastwiderstandes 11 ist, kann das am Äusgangsanschluß
5 erscheinende.Gleichstromaüsgangspotential
beliebig durch die Kollektorspeisespannung V gesteuert
CG
werden.
909δ82/Q73#
Der oben genannte Kreis schließt den Kondensator ein, der den Zweck hat, den Emitter des Transistors 10 zu
erden. So ist es leicht, solchen Kondensator in einem
integrierten Halbleiterkreis auszubilden«
Fig. 5 zeigt ein Beispiel, in dem ein Kondensator 12* geringerer Kapazität eine der Funktion des oben beschriebenen
Kondensators 12 gleichwertige Funktion hat. In diesem Kreis besteht der Konstantstromtransistorkreis
30 aus Transistoren 31 a und 31 b, welche untereinander
in einer sogenannten Darlington-Verbindung verbunden sind, um sowohl den Stromfaktor h„ als auch den Eingangswiderstand zu erhöhen, Ein Widerstand 33 ist an der Basis des
Transistors .31 b eingeschaltet, um den äquivalenten Basiswiderstand des Transistorkreises 30 zu erhöhen« Der
Basisanschluß 32 ist mit einem Ende eines Erdungskondensators
12' verbunden, dessen anderes Ende mit dem Emitter des Transistors 10 über einen Widerstand 36 verbunden isto
Dioden ^k und 35 sind zur Erzielung einer Konstantspannungssteuerung
zwischen der Basis und dem Emitter des Transistorkreises 30 vorgesehen. Der Transistorkreis 30
dieses Aufbaues erfüllt die Kondensatormultiplikation, wie ein bekannter Reaktanztransistorkreiso Als Ergebnis
wird die äquivalente Kapazität des Kondensators 12', beträchtet
von dem Emitter des verstärkenden Transistors aus, etwa h„ mal so groß wie die Selbstkapazitanz C' „
des Kondensators 12'o So kann der Kapazitätswert C'«
klein sein, selbst wenn eine größere Kapazität für den Transistor 10 erforderlich ist. Der Widerstand j6t der
mit dem Emitterkreis des verstärkenden Transistors 10 in
Reihe geschaltet ist, ändert die I - V„ Eigenschaft des
c Jo
Transistors 10 und erweitert seinen dynamischen Bereich.
Nun soll eine konkrete Wirkungsweise der Erfindung
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unter Bezugnahme auf die Figo 6 und 7 erläutert werden,
in welchen der Versuchskreis und die Ergebnisse gezeigt sind, Versuche wurden gemacht, um zu sehen, ob ein Signal,
welches infolge einer vorausgehenden Schaltungsstufe, z. B. eines Differentialtyp-A.G.C-Kreises ein
extrem schwankendes Gleichstrompotential aufweist, wenn es dem erfindungsgemäßen Transistorverstärkerkreis 10
zugeführt wird, in einer solchen Weise verstärkt wird, daß das Gleichstrompotential des verstärkten Signals
extrem stabilisiert isto
Im Kreis nach Fig. 6 wird ein am Eingangsanschluß
41 zugeführtes Signal durch die Transistoren 40 und 42
verstärkt, wobei der letztere in Kaskade mit dem ersteren verbunden ist0 Ein Ausgangssignal vom Transistor 42
aus wird durch einen Emitterfolgetransistor 44 weiter
verstärkt und tritt in den erfindungsgemäßen Transistorkreis 10 ein. Nach dem Durchlauf durch einen Transistor
19» welcher in Kaskade mit dem Transistor 10 verbunden
ist, erscheint das endgültige Ausgangssignal am Ausgangsanschluß 5» Die Bezugsziffer 13 bezeichnet einen Konstant
Stromkreis und die Bezugsziffer 12 den gleichen Erdungskondensator, wie er in Fig. 1 gezeigt war. Der Kollektor
des Transistors 40 ist auch in Kaskadenverbindung mit einem anderen Transistor 43 parallel zum Transistor
42 verbunden. Ein A.G0C.-Signal wird der Basis des Transistors
43 zugeführt. Ein Teil des Signalstroms, der
durch den Transistor 40 verstärkt ist, fließt durch deii
Transistor 43» der restliche Teil fließt zum folgenden
Kreis 44 durch den Transistor 42. Da das Verhältnis von
Signalströmen, die durch die Transistoren 43 und 42 fließen,
durch d«n Widerstand jedes Transistors bestimmt wird,
ändert ein Wechsel in der Impedanz des Transistors 43 infolge
eines A.G.C.-Signals dieses Verhältnis. Daher kann
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-It-
die Größe des zu der folgenden Kreisstufe kk durch den
Transistor hZ übertragenen Signals automatisch gesteuert
werden. Indessen ändert das A.G,C.-Signal, welches den
Widerstand, wie oben beschrieben, verändert, auch den Gleichstromvorspannungsstrom, der durch den Transistor h2
fließt, sowie das Wechselstromsignal. So ändert sich das
Eingangsgleichstrompotential des Transistors 10 mit der A.G. C -Funktion, Die Eigenschaftskurve, die mit (a) in
Fig. 7 bezeichnet ist, zeigt die Gleichstrompotentialänderung an dem Punkt 1 des Transistorkreises 10 in Abhängigkeit
von der A,G.G«-Spannung. Die Messung wurde
durchgeführt, als die Schaltungskonstanten entsprechend
den Angaben in Fig. 6 gewählt waren.
Die Eigenschaftskurve, die in Fig. 7 mit (b) bezeichnet
ist, zeigt die Gleichstrompotentialsehwankung des Signals am Äusgangsanschluß 5 nach Verstärkung durch den
Transistorkreis 10 und ist trotz der beträchtlichen Potential Schwankung am Eingang fast eben« Dies zeigt die
enorme Wirksamkeit der erfindungsgemäßen Schaltung.
Wie sich aus der oben erwähnten Tatsache ergibt, ist
es offenbar, daß, wenn die erfindungsgemäße Transistorschaltung in einer galvanisch gekoppelten Wechselstromverstärkerschaltung
richtig benutzt wird, die Gleichstrompotentialsehwankung
des vorhergehenden Stufenkreises nicht in die folgenden Kreise übertragen, sondern daß nur
ein verstärktes Wechselstromsignal weitergeleitet wird.
Dieser Effekt wird gleichfalls erzielt, wenn die erfindungsgemäße Schaltung entweder in einem A.G.C.-Typkreis
oder in einem herkömmlichen Wechselstromverstärkerkreis verwendet wird, der die gleiche Wahrscheinlichkeit von
Gieichstrompotentialschwankungen infolge der Schwankung
in der Stromquellenspannung oder Temperatur aufweist.
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Die Anordnung einer galvanisch'gekoppelten~Wechselstromverstärkerschaltung
ohne Verwendung eines Kopplungskondensators ist in der Technik der integrierten Lineartyp-Halbleiterschaltkreise
äußerst wirkungsvoll.
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Claims (1)
- Patentansprüche1. Transistor-Wechselstromverstärkerschaltung zur Verstärkung eines einer schwankenden Gleichspannung überlagerten Wechselstromsignals, gekennzei ohne t durch einen Verstärker-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor zum Verstärken eines seiner Basis zugeführten Wechselstromsignals, einen mit dem Kollektor des Verstärker-Transistors derart verbundenen Lastwiderstand, daß vom Kollektor dieses Transistors ein Ausgangssignal abgegeben wird, und mit dein Emitter des Verstärker-Transistors verbundene Steuerkreiselemente, die einen Steuer-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, der mit dem Emitter des Verstärker-Transistors verbunden ist, Mittel zum Anlegen einer konstanten Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Steuer-Transistors zwecks Erzeugung eines konstanten Stromes zum Emitter-Kollektorkreis des Verstärker-Transistors und einen zwischen dem Kollektor des Steuer-Transistors und Erde angeschlossenen Erdungskondensator umfassen, wodurch ein verstärktes Wechselstrom-Ausgangssignal mit einem stabilisierten Gleichstrompotential erhalten wird.2. Schaltung nach. Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen zwischen dem Emitter des Verstärker-Transistors und den Steuerkreiselementen zur Steuerung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreises angeschlossenen Emitter-Widerstand«3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,809882/0794HßUß Unterlagen. !Art 7 £ l Abs. 2 Nr, I Sate 3 des Änderunflsfl«. S&4» * liflldaß die Steuerkreiselemente weiter einen zweiten Steuer-Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem in Darlington-Anordnung mit dem ersten Steuer-Transistor derartig verbundenen Kollektor aufweisen, daß die Kollektoren des ersten und des zweiten Steuer-Transistors gemeinsam mit dem Emitter des Verstärker-Transistors verbunden sind, daß der Emitter des ersten Steuer-Transistors geerdet ist, daß die Basis des ersten Steuer-Transistors mit dem Emitter des zweiten Steuer-Transistors verbunden ist und daß die Basis des zweiten Steuer-Transistors über einen Basiswiderstand mit einer konstanten Vorspannungsspannung gespeist wird» wobei der Erdungskondensator zwischen den Kollektor des ersten Steuer-Transistors und der Basis des zweiten Steuer-Transistors angeschlossen ist«k, Schaltung nach Anspruch 3t weiter gekennzeichnet durch einen zwischen dem Emitter des Verstärker-Transistors und den Steuerkreiselementen zur Steuerung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreises angeschlossenen Emitterwiderstand.5. Transistor-Wechselstroinverstärkerschaltung, gekennzeichnet durch einen Verstärker-Transistor mit Steuer-, Stromzuführungs- und Stromkollektorelektroden zur Verstärkung eines seiner Steuerelektrode zugeführten Wechselstromsignals, einen mit der Stromkollektorelektrode des Verstärker-Transistors derart verbundenen Lastwiderstand, daß ein Ausgangesignal von der Stromkollektorelektrode des Verstärker-Transistors ableitbar ist, und Steuerkreiselemente in Verbindung mit der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors, wobei die Steuerkreiselemente einen Steuer-Transistor mit Steuer-, Stromzuführungs- und909882/0794- Τ5 -Stromkollektorelektroden, die mit der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors verbunden ist, Mittel zum Anlegen einer konstanten Spannung zwischen der Steuer- und der Stromzuführungselektrode des Steuer-Transistors zwecks Erzeugung eines konstanten Stromes durch den Verstärker-Transistor, und einen zwischen der Stromkollektorelektrode des Steuer-Transistors und Erde angeschlossenen Erdungskondensator umfassen, wodurch ein verstärktes Wechselstroia-Ausgangssignal mit einem stabilisierten Gleichstrompotenti-al erhalten wird.6. Schaltung nach Anspruch 5f weiter gekennzeichnet durch einen zwischen der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors und der Stromkollektorelektrode des Steuer-Transistors zur Verbesserung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreises angeschlossenen Widerstand.7. Schaltung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß sie eine erste und eine zweite Stufe umfaßt, wobei die erste Stufe einen A.G.C.-Kreis mit einem variablen Gleichstrom-Ausgangspotential aufweist, das direkt mit dem Eingang der zweiten Stufe verbunden ist, und wobei die zweite Stufe aus dem Verstärker-Transistor und zwischengeschalteten Steuerkreiselementen besteht.8. Schaltung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerkreiselemente weiter einen zweiten Steuer-Transistor mit Steuer-, Stromzuführungs- und Stromkollektorelektroden in Schaltung nach Darlington-Anordnung mit dem ersten Steuer-Transistor in der Art umfassen, daß ihre Stromkollektorelektro den gemeinsam an die Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors angeschlossen909882/0794sind, daß die Stromzuführungselektrode des ersten Steuer-Transistors geerdet ist, daß die Steuerelektrode des ersten Steuer-Transistors an die Stromzuführungselektrode des zweiten Steuer-Transistors angeschlossen ist und daß die Steuerelektrode des zweiten Steuer-Transistors irber einen Widerstand mit einer konstanten Vorspannungsspannung gespeist wird, wobei der Erduüigskondensator zwischen der Stromkollektarelektrode des ersten Steuer-Tranaistors und der Steuerelektrode des zweiten Steuer-Transistors angeschlossen ist.y ■9» Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,; daß sie- eine erste und eine zweite Stufe/ umfaßt* wobei die erste Stufe einen A.©.G'«-Kreis mit einem; variabjierat Gieiehstromaxtsgangs—Potential! aufweist,, das direkt: mit; dem Eingang der zweiten Stufe verbunden ist, und wotoedi die zweite Stufe aus dem Verstärker-Transistor und zwi— schengeschaltete11^^ Steuerkreiselementen besteht.10. Schaltung nach Anspruch 9» weiter gekennzeiGhi^et durch einen zwischen der Stromzuführungselektrode des Verstärker-Transistors und der StromkollektorelefctrOde des Steuer-Transistors zur Verbesserung des dynamischen Bereichs des Verstärkerkreise.S: angeschlossenen Widerstand»909882/Q794
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