DE1514149A1 - Semiconductor rectifier cell - Google Patents

Semiconductor rectifier cell

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DE1514149A1
DE1514149A1 DE19651514149 DE1514149A DE1514149A1 DE 1514149 A1 DE1514149 A1 DE 1514149A1 DE 19651514149 DE19651514149 DE 19651514149 DE 1514149 A DE1514149 A DE 1514149A DE 1514149 A1 DE1514149 A1 DE 1514149A1
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semiconductor rectifier
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Description

Halbleiter-Gleichrichtereelle. Im 8®retah der Halbleiterentwicklung auf @ilz@wc-. oder. Germaniumbeeis sind vielfältige $auerteu bekonnt:..be#i .denendie äontaktierung der Halbleitertablette- d.i t.. die Hnlbleitersehoibe eogebenentolls mit.daran ,fest angebrachten $lektroden,wwnid den Gebäu®eteilen,entweder.über hötverbiaduagen oder über Edlmetalll- Druckkontakte,: gescvteht. Die Gehfuss worden gew6änliob ;durc4 Listen oder B.:.hweißen goschl®nnen und gedichtet. Der Erfindung liegen iolßende Hauptaufgaben zu Grundes 1:) Es soll eine weitgehend -löttroie äontaktieruag für die Stromleitungen Beschatten werden sit dem Ziel-einen möglichst kleinen Llbergaagewideretaadea. 2.) Gleichseitig soll eine gute Wärmeleitung bei dioaer xon- . taktierung erreicht werden,, u einen niedrigen zu erzielen. Druckkontakte sind zwar bekannt. aber bei Vewwenduavon. Scheiben als Kontakte ist nur eine 8e- rührung an einzelnen Punkten vorhanden und somit ein relativ hoher elektrischer Widerstand und geringe Wärmeübertragungen: Verwendet man Weichmetalle, um eine: größere Berührungsfläche zu erhalten, so muß man ebenfalls den Nachteil relativ hohen - elektrischen Widerstandes und schlechterärmeleittähi.gkeit in Xauf nehmen. 3.) Es soll eine möglichst einfache Gehäuseverschlußtechnik benutzt werden, die speziell. auf die. lötfreie Kontaktierung abgestellt ßsat. Es ist-bekannt. bei ä'ristallhalbleiter-Gleichrichterzellon eine Stromzuleitung unter Verwendung von Glas oder_Eeramik vom Gehäusekörper zu isolieren. Glas-.,. Metall.- bzw. Keramik-Metall- verbindungen sind sowohl von der Materialseite als auch von der Fertigungesdite a.ehr kostspielig, so das eine lotfreie und bruchsichere.Gehäusedichtung bei gleichzeitiger hoher Wärmebe- atändigkeit erwünscht ist. Um die genannten Nachteile zu vermeiden und die gewUnach.- tan Ziele zu erreichen, sind bei einer Iffalbleiter-ßleichrichter- solle auf Bilisium- oder Gernuaiumbaaie mit Druckkontaktierung erfindungeg«U mindestens einer der en sich bekannten Druckken-- takte zwischen Halbleitertablette und Bodenzuleitung bzw. zwi- aohen Halbleitertablette und weiteren Zuleitungen unter Zwischen- tUgen von Hulttkontaktkiesen ausgeführt. Außerdem ist es zweckmäßig, im Rahmen der Erfindung die Zuansmen!'Iigung der Gehäuseteile in en eich bekannter Weise Uh#i- Preßdiohtungen vorzunehmen, wobei die Dichtung gleichzeitig die Isolierung dar Zuleitungen zur-Halbleitertablette liefert so das keinerlei Tenpeaturbeanepruchuf des Halbleitergebildes beim Zuaswaenbau der Zellen nötig ist und sämtliche äoritakte und ' Gehäuseverbindungen kra.tschliiaeig is Preßaitz aueget sind. Zudem schließt die Erfindung gegebenenfalls auch noch die. 'Vexwrenduag von Multikontaktkisnen :wisoheä Zellehkürper und zügehürigem äühlkörper oder ein: Die Pißurenn 1 bis 4 zeigen in zum Teil schematischer Dar- atellung einige äusrungebeispiele von Helbleiterzeileia nach der Xrfinäung, an denen diese näher erläutert. wird. .Nach Pig.1 nimmt das Bodenteil 1 aus gut atrom- und wärme- leitendes Material. ( s.H. Kupfer, [email protected]®Silber. üsw..) ,als Xontaktplatte ein Nuitikontaktkiesen 2 auf, das aus einem fein- drähtigen fil$artigen Itetallpre81fnW besteht= der die Nigeneohaft hat, durch seine Elastizität eine formechlü®siga EQataktier=g :u garantieren. Als Auegafswerkstoff eignet eich z.8. Euprar, 850n e, Aluminium, Silber u$w. Qelvlnieohe Überzüge von &:e1# metaUen können wahlweise die Imtalctqualtät steigern. Die Ken- taktkiseen x sind in ihrer Beschaffenheit genau so wie das Kon- taktkissen 2 und haben die Aufgabe, als Abnahaekontakte für die Anode und. 8athode au dienen. Die Halbleitertablett® 4 ist zentral zwischen dem Kontaktkissen 3 angeordnet. Wahlweise kann einseitig ein Kontaktlossein 3 entfallen und die Blamenttablette 4 kann einseitig aufgelötet sein,. Auch die Kontattkissen 2 und 3 können durch: einseitige Tötungen mit den Kontaktflächen verbun-- den sein. Das übergangestück 5, Welche® wie das Bodenteil 1 aus gut Strom- und wärmeleitendem Material besteht, liegt an dem Kohtaktkissen 3. Das obere Bade des Übergangsstückes. 5 ist alz Hülse ausgebildet, in die das A.nschlußseiI 13 sowie das Tauch- rohr-15 eingequatscht sind. Verbunden mit einer Ringdurchführung 6 t,st sie Steakan- schlußfehne als Steuerleitungeanachluß vorgesehen. Über einen aus federndem Kontaktmaterial (z.B. Federbronze) bestehenden - $ontaktkranz 7, dessen innen- und Außenränder gefiedert sind, wird'der Steuerkontakt (im Kultikontektprinzip) am Rand der Halbleitertablette 4 und der Riagdurchfübrung 6 unter redervor-, spannung kontaktiert. Wahlweise sind galvanische Edelmetall- . ifberzüge, sA. Gold, Silber usw. zur Erhöhung der Kontaktquali- tät tUr den bontaktkranz 7 und die äußere Anschluafahne der Ring$urchfübrung t vorgesehen. Als Isolatoren und Dichtringe 8 und 9 sind swischen dea Übergangsstück 5 und der Ringdurchfüh- rang 6, sowie dem Bodenteil 1 Porastücke, Unpreeaungen oder 8chrumpfaahläuehe aus hitzebeständigem Kunststoff vorgesehen. Wahlweise können sie auch aus Glas, Keramik u:.a. bestehest dann müssen aber die Dichtprcblone mittels Zusatz von Dichtmitteln, z.8. mit Dichtuageringen oder geeigneten Klebern, gelöst werden.. Mit Isolierstoff tapreßte bzw, beschichteteetal.lsinlagen,@a.B. Ring- und Telleri®dern, sind nach Bedarf anwendbar. Ebenfalls besteht die Möglichkeit, das Übergangsstück 5, die Ringdurchführung 6 und die Dicbtringe 8 und 9 gemeinsam als Pregliag mit Matalleinpressung herzustellen. Tina Profil- dichtung 10 mit ruadent oder eckdgea Querschnitt, welche aus Kunststoff besteht, hat die Aufgabe, zwischen Bodenteil. 1 und Isolator 8 $u dichten; Lieh Bördrlring 11, welcher 3n Bund federnd oder mit Voll- bzw. Tellerfedern unterlegt ist, hat die Aggabs, den Kontaktdruck und gleichzeitig-die Dichtpressung zu übernehmen* . Die Büräelung an Hals den ftatsile 1 ist somit unter ®o hohem lagresdnuox vorgesehen, *ie s® eine sichere Kontsktierung der Halbleitertablette erfordert. Statt den &3rdeirings 11 kam nuoh eine Vberwurfsutter wrgeeeheu sein, welche auf ein Gevi"# am aale den Bodenteils 1 geschraubt wird und den Xmtaktd:ruck direkt oder über Well# bsv: Tellerfedern überträgt. Beechri!- tuageu können auf der auenfli@oll wrorgesehen veräan. Der Anechlußseil 13 hat erf indungegeneäß nicht nur die Auf- gabs als elektrischer Leiter zu dienen,, sondern ist in wsaent- liehen auch dazu gedacht, durch die lutapreiaung den AnachluB# Seiles als Kühlkörper au wirken. Durch eine Scheibe 14 mit entsprechender Randaussparung kann die Spreizung nusgestütst- werden. Zur weiteren * Steigerung der Konvektion viril den An. acälußsel 13, $.B. bei Eigenbelüftung, vorteilhaft mit herb- überzügea wie duakslgre. oder matt-echwarz, versehen. Auf der Mitte dar Änaohlußquttsohstelie des Seilest ist wahlweise ein Tauchrohr 15 eingestellt, welches als Zugang tür oder als äuslaß für Zuleitungen eines Bi- netall-WÜrsewächters 12 dient, der die Avfgabe.hat, gefährliche Bpitsentesporaturen &as=egea oder Abschaltungen aussulösen. Ei kafentii 16t: reichen in Bodenteil 1 angeordnet ist und *.B. durch eine elastische Zuaststoftkugel gedichtet ist, bewirkt nach Evakuierung im aagrlüfteten Zustünä ein. eia- fachet Füllee mit einen 11delgesaüberäruck. Die Ansßhlußfnline 17 ist so angeordnet und gelocht, daß die Kontaktierung auf den Rand des Bodenteilen 'i erfolgt. Der erforderliche Kontaktdruck wird durch die Tellerfeder 18 garen tiert, welche die gleiche Lochung hat und gleichzeitig über eine Schraubverbindumg die Seeamte Einheit gegen den ZUhlkörper 19 spannt. Fig.2 stellt eine Variante der Halbleiterzelle nach pig.1 dar, wobei für gleiehe Einzelteile die gleichen Bezugeseichen wie in Yig.1 vorgesehen sind. Die Halbleitertab fette 4 ist in dieser Ausführung allerdings ohne Steuerkontakt gewählt. Das .Übergangs$tück 25 ist so ausgebildet, dag eine Isola- tions- und Dichtbeschichtung 2? als Umpressung, Yormstück oder Schrumpfteil vorgesehen ist. Das Ansehlußseil 13 ist hier z.D. mittels einer Hohleahrau- ba mit Innenkonus 28 eingesetzt. Durch ein Innengewinde Im An- echlughale vom Übergangeetück 25 und einem Kontaktkissen 29, welches im Prinzip wie das Kontaktkiszen 3 ausgeführt ist, wird unter Anzug der Hohlschraube 28 eine Sti.rnkontaktierung des AnschluBseiles 13 erreicht. Pig.3 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Halbleiter- solle nach der Erfindung, welche vorzugsweise aeinbau zwischen äühlpiatten und Kühl)törpern besondere für Säulen"- und Leisten- einheiten vorgesehen sein kann. Besonderes Merkmal ist, daß zwei gleiehe ßehäusebüdea 35 torgesehen eiöd; die -auo gut trom. und würmeletendem Material bestehet. In InnensentraIpunkt sind wieder Kultikontaktkisaen 3 eingesetzt. 4. :Lot eine stsiperbar® Halbleitertablette. Wah1ueiee sind Tellerfedern 38 vrorgesehenwelche als Versteifung und.Er- aUungsitütse eingesetzt werden könnea.Dicht- und Isclatme- beschiahtungen 39, welche als Profilringe oder ümproesungen und an :der Dichtsoge mit ein- oder mehrfachen Dichtlippen ansge- stattst nein können, umschließen die Randzonen der Gehäuseböidea 35 einschließlich der Tellerfedern e8. $in Imtaktkreuat mit Steckerfahne 40 ist zwischen den Dicht- und Ieoliesbeachichtungen 39 angeordnet. An der ä®atakt®t:lle 41 wird die Steuerkontektierwng von dem federnden, geliedrrten Kon- taktkranz vorgenommen. Das Material besteht vorzug®weiee aus federnden Kontektmetal ,vtl a mit. Edelmetallbeschichtung. Die Durchtübimngaatelle 42 kena in Bördelring 44 freigearbeitet,. dichtgelötet oder mtttel® Kunststoff vergossen seine Der Kontaktkranz mit ®teckerfabne 40 kann bei einer Aua- fUhrwng ohne Steuerkontakt entfallen. Kultikontaktkiesen 43 sind (wie bei Pig.1 Multiaontaktkieaex 2 beschrieben), ei agssetzt@ Fig.4 zeigt eine weitere Ausführungsfora einer Halbleiter- zelle, welche ähnlich der nach fig.3 ans alrsmetri®ehen Gehäuse- hälften besteht, und für einen Einsatz ohne Kühlkörper ausgeführt :ist. Füge 4a zeigt einen Schnitt an der Stolle A-A. Die Kulti# kontektkissen 3, die Halbleitertablette. 4, die Anschlusseile 13 tmd die Scheiben 14 sind wie bei Fig. 1 beschrieben auegetührt. Die Hohlschrauben 28 und die Kultikontaktkissen 29 entsprechen denen nach Pig.2. Der Kontaktkranz mit der Steckerfßhne 40, die Kontaktstelle 41, die Durchführungsstelle 42 und der Bör4el- ring 44 sind im Prinzip Arie bei der Zelle nach ?ig. 3 beschrie- ben.; mu®geführt. Die Übergeng®etüeke 50 entsprechen den über- gengestüchen 25 nach Fig. 2, während die Dicht- und Isolierbe- schichtungen 51 mit den Beschichtungen 39 nach Fig.3 entsprechen.. Die Spanndeckel 52 sind wahlweise einsetzbar, um über Toller- oder Wellfedern 55 zusätzlich *Bpeandrücke für äontaktierung und Dichtung zu erhalten, die z.B. von@Rohrnieten oder Vereohrau- bungen.57 ausgehen (Fig. 4a). Die Kabelschuhe 58,sind wie üblich vorgesehen. Die Befesti- gungsplatte 64 ist als Befeetigungebeispiel angedeutet. Der Kontaktkranz und die Steokerfahne 40, die Kontaktstelle 41 und die Durchführungsstelle 42 können-wahlweise bei Halblei- texn ohne Steuerkontakt entfallen. Die beschriebenen, Ausführungsarten nach den Fig. 1, 2, 3 und 4 lassen die Möglichkeit zu, Einzelheiten aus allen Bauarten gemischt auszuwählen, fortzulassen oder anzuwenden. Die wesentlichsten Vorteile der Zelle nach der Erfindung gegenüber den augenblicklichen Entwicklungsstand sind folgende: Der Verzicht auf Lötungen bzw. ßchweiBste3-len an den Kontakt- stellen und beim Gehäuse mindert Verunreinigungen und WärmespemuD. gen wesentlich. . Die Anwendung von fileartigen Metailfsserpreßlingea als Multikontaktki®sen für Strom- und Wärmekoatactieruag gewähr- leisten bruchsichere und elastische Kontaktieruung mit geringsten Übergangawideratänden. Eine gute Anlage ist auch bei unebenen und muhen Kontakt- btw. iühltlächea vorhanden. Eine einseitige Montageverspannung wird unkritisch, ßehliu®edichtungen, dis gleichzeitig hochwertige Isolatoren mit langen grieahwegen aind,habeu durch Verwendung von isolie- renden Kunststoffen die Eigenechattbei häufigen Temperatur- wechsel (bis + 240a 0) und.mechaanischen Stößen ihre Aufgabe zu erfüllen, ohne Schaden au nehmen. :Ausfälle durch Umdichtig- - keit werden vermindert. Ring- oder sagnentfärmige Rendateuerkontaktetellen ermög- lichen einfache und sichere lötfreie MMultikontaktierung durch gefiederte Kranfedern. Die Steckerßahne zum Steuerkontakt erspart ein Anschlußeeil und einen Klemmatützpunkt. Die Stock- verbindung ermöglicht schnellem Anschließen und Lösen der Zelle. Eine ötfn"g Über das Rücksablagventil ermöglicht Gasfül- langen mit höherer Dichte tandeinen verschluß ohne L®tuag. Gleichzeitige Vereinfachung der Dichtigkeitspritung. Der Einbart eines Wärmewächter® ermöglicht Sigualisierung und Auslösung ton Abschaltungen bei gefährlichen Temperaturgreneh. Durch@Lu=epreizuag des AnschluSseilee sowie Lackierung wird. eine höhere Wärmeabgabe erzielt und die Kühlkörper werden einge- spart. Die Plachbauweise bringt eine kürzere Wäraelei,tung. Die An.- achlußfehnenkontakti®ruag am Gehäuserand bietet den Vorteil, daH die zusätzlichen Wärmeübergänge an der Bodenfläche entfallen. Unkomplizierte Gehäuse- und Kontaktteile, die auf Massen- fertifg abgestimmt sind, ermöglichen rationelle Fertigunge- möglichkeiten. Die Vibderverwenduägvon fast allen Gehäuse-- und $ontekt-_ teilen sowie eine Reparatur nach prüfungedetekt und Betriebs- auafa11 ist gegeben. Unter Berücksichtigung aller dieser Gesichtspunkte der Er£indung ist eine Verbilligung der Herstellungskosten bei gleichzeitiger Qualitätsateigerung vorhanden. Zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit erhöhter Leistung kaue, die Halbleitertablette 4- In einem Hauelement mehr- fach (statt einzeln) sngedxxlnet sein, wobei die Fugen durch hitze- beständige Jtunetstotfe isoliert und. bzwp die Kultikontaktkissea 2 durch entsprechend erhabene Kßntaktetollen auf clen einzelnen Tabletten kontaktieren. Der Kontaktkranz ? kann im Prinzip wie bei Einzeltabletten ausgebildet dein, jedoch sind entsprechend der Anzahl von Tabletten *Auseperumgen für die Übergangsfugen vorgesehene Semiconductor rectifiers. In the 8®retah of semiconductor development on @ ilz @ wc-. or. Germanium ice cream is known for a variety of things: ..be #i .denendie Contacting the semiconductor tablet - di t .. the semiconductor sheath Also great with fixed electrodes attached to it, ww n id den Building parts, either via hötverbiaduagen or via precious metal Pressure contacts ,: gescvteht. The walking foot has been increased by 4 Lists or B. .: welding, gosling and sealing. The invention has many major objectives 1:) There should be a largely -löttroie äontaktieruag for the Power lines will shade the target-one as much as possible small Llbergaagewideretaadea. 2. ) At the same time, good heat conduction should be achieved with dioaer xon- . clocking can be achieved, u have a low to achieve. Pressure contacts are known. but at Vewwenduavon. Discs as contacts is only an 8- Touching at individual points and therefore a relative one high electrical resistance and low heat transfer: If you use soft metals to create a: larger contact area to obtain, one must also have the disadvantage of relatively high - electrical resistance and poor conductivity take in Xauf. 3.) It should be as simple a housing locking technology as possible used that specifically. on the. solderless contact turned off ßsat. It is-known. with “crystal semiconductor rectifier cell” a power supply line using glass or ceramic from To insulate the housing body. Glass-.,. Metal or ceramic-metal connections are from the material side as well as from the Manufacturing dite a.very expensive, so the one solder-free and break-proof housing seal with simultaneous high heat resistance persistence is desired . In order to avoid the disadvantages mentioned and the usual Achieving tan goals are, with an Iff alder-rectifier should be on Bilisium or Gernuaiumbaaie with pressure contact Inventiong «U at least one of the known printing symbols between the semiconductor tablet and the floor lead or between aohen semiconductor tablet and other supply lines under intermediate tUgen carried out by Hulttkontaktkiesen. It is also useful in the context of the invention Close the housing parts in a known manner Uh # i- Make Preßdiohtungen, the seal at the same time the Insulation of the supply lines to the semiconductor tablet provides that no tenpeaturbeanepruchuf of the semiconductor structure Zuaswaenbau the cells is necessary and all Äoritakt and 'Housing compounds kra.tschliiaeig is pre ß are aueget AITZ. In addition, the invention may also include the. 'Vexwrenduag of multi-contact cells: wisoheä cell bodies and associated outer body or a: The pictures 1 to 4 show in partly schematic representation at some examples from semiconductor lines the Xrfinäung, on which this is explained in more detail. will. According to Pig. 1, the bottom part 1 takes atrom- and heat- conductive material. ( see copper , Il @ .us3.niw®Silber . etc.), as Xontaktplatte a Nuitikontaktkiesen 2 , which consists of a fine wiry fil $ like Itetallpre81fn W consists = of the nigeneohaft has, due to its elasticity, a formechlü®siga EQataktier = g : u guarantee. As Auegafswerkstoff eich z.8 is suitable. Euprar, 850n e, aluminum, silver u $ w. Q e lvlnieohe covers of &: e1 # Metals can optionally increase the quality of the intact. The Ken- taktkiseen x are in their nature exactly the same as the tactkissen 2 and have the task of accepting contacts for the anode and. 8athode au serve. The semiconductor tablet® 4 is arranged centrally between the contact pad 3 . Optionally can On one side there is no contactless 3 and the blament tablet 4 can be soldered on one side. Also the contact pads 2 and 3 can be connected by: one-sided killings with the contact surfaces to be The transition piece 5, Which® like the bottom part 1 from good current and heat conducting material is due to the Kohtaktkissen 3. The upper bath of the transition piece. 5 is alz Sleeve formed into which the connection cable 13 and the immersion Rohr-15 are gossiped. Connected to a 6 t ring bushing, it steaks Terminal lug intended as a control line connection. About a made of resilient contact material (e.g. spring bronze) - $ contact wreath 7, the inner and outer edges of which are feathered, will'der control contact (in the Kultikontektprinzip) on the edge of the Semiconductor tablet 4 and the Riag penetration 6 under redervor-, voltage contacted. Optional are galvanic precious metal . ifberzüge, sA. Gold, silver etc. to increase the contact quality for the contact wreath 7 and the outer connection flag of the Ring passage t provided. As insulators and sealing rings 8 and 9 are between the transition piece 5 and the ring feed-through rank 6, as well as the bottom part 1 Pora s tücke, unpreeaungen or 8chrumpfaahläuehe made of heat-resistant plastic . Optionally, they can also be made of glass, ceramics, etc. then insist but must the sealing prcblone by means of the addition of sealants, z.8. with sealing rings or suitable adhesives. Etal.lsinlage, @ aB, pressed or coated with insulating material Ring and plate rings can be used as required. It is also possible to use the transition piece 5, the ring bushing 6 and the Dicbtrings 8 and 9 together to be produced as a Pregliag with Matal injection. Tina Profile seal 10 with ruadent or eckdgea cross-section, which consists of Plastic consists, has the task of between the bottom part. 1 and Seal insulator 8 $ u; Lent Bördrlring 11, which 3n collar resilient or with Is underlaid with full or disc springs, has the Aggabs, the Contact pressure and at the same time - to take over the sealing pressure * . The Büräelung on the neck of ftatsile 1 is therefore under ®o high lagresdnuox provided * ie s® a secure contact of the Semiconductor tablet requires. Instead of the & 3rdeirings 11 came nuoh be a throwout mother, who on a Gevi " # the bottom part 1 is screwed on the eel and the X mtaktd: jerk directly or via Well # bsv: disc springs transfers. Beechri! - Tuageu can be seen on the auenfli @ oll wror. According to the invention, the connection cable 13 not only has the gabs to serve as an electrical conductor , but is in wsaent- borrowed also intended to use the lutapreiaung the anachluB # Rope act as a heat sink au. By a disk 14 with corresponding edge recess, the expansion nut stud will. To further * increase the convection viril the on. acälusssel 13, $ .B. with self-ventilation, advantageous with astringent transfer a like duakslgre. or matt e black, provided. In the middle is the Änaohlußquttsohstelie des Seilest optionally a dip tube 15 set, which as access door or as an outlet for supply lines of a double metal-WÜrsewächers 12 serves, who has the Avfgabe., dangerous Bpitsentesporaturen & as = egea or trigger shutdowns. Ei kafentii 16t: range arranged in bottom part 1 is and * .B. sealed by an elastic Zuaststoftkugel is, after evacuation in the ventilated state causes ün ä a. egg- folds abundance with a 11 delgesaüberäruck. The connection line 17 is arranged and perforated so that the contact is made on the edge of the bottom parts' i. Of the required contact pressure is cooked by the plate spring 18 which has the same perforation and at the same time over a screw connection the maritime officials unit against the auxiliary body 19 cocks. Fig.2 shows a variant of the semiconductor cell according to pig.1 with the same reference symbols for the same individual parts as provided in Yig.1. The semiconductor tab fat 4 is in this version was chosen without a control contact. The transition piece 25 is designed in such a way that an isolating tion and sealing coating 2? as extrusion, Yorm piece or Shrink part is provided. The connection cable 13 is here zD by means of a hollow ba with inner cone 28 inserted. Through an internal thread echlughale from transition piece 25 and a contact pad 29, which is designed in principle like the contact pin 3 is by tightening the banjo bolt 28, a pin contact of the Connection rope 13 reached. Pig. 3 shows another embodiment of a semiconductor should according to the invention, which preferably a e installation between outer plates and heat sinks are specially designed for pillars and strips units can be provided. A special feature is that two identical housing buildings a 35 seen eiöd; the -auo good trom. and dicing material exists. In the center there are again Kultikontaktkisaen 3 used. 4 .: Solder one stsiperbar® semiconductor tablet. Choices disk springs 38 are provided, which are used as reinforcement and. a . Sealing and Isclatme- Beschiahtungen 39, which as profile rings or ümproesungen and on: the suction seal with single or multiple sealing lips instead of no, enclose the edge zones of the housing body 35 including the disc springs e8. $ in Imtaktkreuat with connector lug 40 is between the sealing and foil seals 39 are arranged. At the ä®atakt®t: ll 41 the control connection is controlled by the resilient, articulated clock wreath made. The material consists preferably of white resilient contact metal, possibly with. Precious metal coating. the Cleared by tübimn gaatelle 42 kena in flanged ring 44 , . tightly soldered or molded by mtttel® plastic The contact ring with ®teckerfabne 40 can be There is no need for a guide without a control contact. Kultikontaktkiesen 43 are (as in Pig.1 Multiaontaktkieaex 2), ei agssetzt @ Fig. 4 shows another embodiment of a semiconductor cell, which is similar to the housing shown in fig. halves, and designed for use without a heat sink :is. Add 4a shows a cut at cleat AA. The Kulti # Kontektkissen 3, the semiconductor tablet. 4 , the connecting cables 13 The disks 14 are designed as described in FIG. 1. The banjo bolts 28 and the culture contact pads 29 correspond those according to Pig. 2. The contact ring with the connector base 40, the contact point 41, the execution point 42 and the Bör4el- ring 44 are in principle aria in accordance with the cell. 3 described ben .; mu® led. The Übergeng®etüeke 50 correspond to the counterstitched 25 according to Fig. 2, while the sealing and insulating coatings 51 correspond to coatings 39 according to Fig. 3 .. The clamping lids 52 can be used optionally to or corrugated springs 55 additionally To obtain a seal, e.g. from tubular rivets or Vereohrau- Exercises. 57 go out (Fig. 4a). The cable lugs 58 are provided as usual. The fastening transmission plate 64 is indicated as a fastening example. The contact ring and the Steoker flag 40, the contact point 41 and the implementation point 42 can - optionally at Hal lead - tex n without control contact are not applicable. The embodiments described according to FIGS. 1, 2, 3 and 4 allow the possibility of details from all types mixed select, omit or apply. The main advantages of the cell according to the invention compared to the current state of development are the following: The waiver of soldering or welding points on the contact and in the case of the housing reduces contamination and heat retention. gen essential. . The use of fil-like Metailfsserpreßlingea as Multicontact tips for electricity and heat cooperation guarantee make break-proof and elastic contact with the least Transition resistance. A good system is also uneven and muhe contact- btw. iühltläch e a available. A one-sided Assembly tension is not critical, ßehliu®edichtung, dis at the same time high quality insulators with long grieahwegen aind, habeu through the use of isola- the self-chatting of plastics with frequent temperature change ( up to + 240a 0) and mechanical impacts their job to meet without being damaged. : Failures due to re-sealing - are reduced. Ring or saga-like return contact points enable simple and safe solderless multicontacting feathered crane springs. The connector bracket to the control contact saves a connection part and a terminal support point. The stick connection enables quick connection and disconnection of the Cell. A ötfn "g via the return valve enables gas filling Long with higher density ta n your closure without L®tuag. Simultaneous simplification of the leak test . The beard a heat monitor® enables signaling and triggering of the sound Shutdowns at dangerous temperature levels. By @ Lu = epreizuag of the connecting rope as well as painting. a higher heat dissipation is achieved and the heat sinks are saves. The flat construction brings a shorter Wäraelei, tung. The An.- achlußfehnenkontakti®ruag at the outer rim has the advantage daH there is no need for additional heat transfers on the floor surface. Uncomplicated housing and contact parts based on mass are matched to manufacture, enable efficient manufacturing options. The Vi b derused von almost all housing and $ ontekt-_ parts as well as a repair after inspection detection and operational auafa11 is given. Taking into account all of these aspects of the He £ indung is a cheapening of production costs simultaneous increase in quality available. For the production of semiconductor components with increased Power chew, the semiconductor tablet 4- More in one building element- fold (instead of individually) sngedxxlnet, whereby the joints by heat- constant Jtunetstotfe isolated and. or the Kultikontaktkissea 2 by appropriately raised Kßntaktetollen on the individual Contact tablets. The contact ring? can in principle as with single tablets trained your, however, are according to the number of Tablets * Auseperumgen provided for the transition joints

Claims (1)

Patent a n g p r ü c h e
1.) bleiter-Gleichriehterzelle: auf Bilizium- oder Ger. maniunbasie mit Druckkontaktierung, dadurch gekannzeichnet,da8 mindestens einer der an eich Wkannten Druckkontakte zwiechen Halbleitertablette und Bodenzuleitung bxw. zwischen Halbleitor:- tablette und weiteren Zuleitungen unter Zwia$hentügen von Multi- kontaüctkiaeea urgeführt sind. 2.) Halbleiter-Gleichrichterselle nach Anspruch `! , daeuCh gekennzeichnet, daß die Muultikontaktkneen aus filzartiges Metali- preglingen bestehen, der®n Schichtev uni Fasern vorwiegend axial. verlaufen. 3y ) Halbleiter-Gleiohrichtarzelle nach Anapruch 1 und 2, dadurob#-$ekennzeichnet, daß die Multikentaktkiesen ala Ausgangs- werkstoff aus Silber, .Hupfer, Gold, Aluminium, federbreuze oder Pedermeseiag bestehen. 4.1 Halbleiter-Gleichriohterze i l e nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kul L:ikentaktkiseen wahlweise mit galvanischen Überzügen aus Edelmetallen, VB. Silber, Gold usw. ausgestattet sind. 5@ ) Halbleiter-Gle ithrichterzelle nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, das die Multikonteßkissen (3) wahlweise: mit der Halbleitertablette direkt verschmolzen bzw. anlogiert sind oder als Druckkontakt lötfrei. aufliegen.
6.) iialbleiter-Gleichrichterzell e nach Anspruch '! bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Gehäuseteile in an-sich bekannter Weise über Preßdiehtungen verbunden nind, wobei die Dichtungen gleiehztltig als lsolior=g der Zuleitungen zur Halbleiter- tablette dienen. _ . 7.) Ralbleiter-Gleichrichterzelle nach Anspruch 'l bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Ringdurchführung (6) mit Stsck- anscblu8 vorgesehen ist, die über einen Kontaktkranz (?) als Leiter für das Bteuerpotentiel dient und genormte Steekerab- . meneüngen aufweist. 8.) Halbleiter-Gleiahrichtermelle nach Anspruch 1 b1®69 dadurch gekennzeichnet, daß die Wlageflächen zur Kontaktierung der Multikontaktkissen wahlweise aufgerauht und uneben.eind. 9:) Halbleiter-Gleichrichterzelle nach änaprüch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ringdurchführung (.6) mit Steck- anechluß vorzugsweie® aus Federbronze, Federmessing usw. be- steht und gegebenenfalls mit galvanischen Edelmetallüberzügen aus Silber, Gold usw. versehen -sind. 14.) Halbleiter-Gleichrichter$elle nach.Anepruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontaktkrans (?) vorgesehen ist, dessen Innen- und Außenrand Wahlweine gefiedert ist, und der so gefozmt ist, daB der Steuerkontakt ring- oder segment- flächig auf den Band der Halbleitertablette@unter Vorspennung vorgenommen wird.
11.) Halbleiter-Gleiabriohtes:olle nach Anspruch 1 bis 10, dadurch daß die RiNgdu`chiUITung (6) mit Stock.- an echluß und der Kontaktkranz, (?) Wählweise aus einem Stuck ge- zogen .oder durch geschlitzte Rndzentrierung unter Vorepennuag steckbar ausgefUärt ist. 12.) 8albleiter-ßlrichrichterselld nach Insprnoh 1 bis 11' dadurch gektanaeiehnet, dsg Dicht- und Isolierringe (g, 9) »t- gesehen sind, die an den tunen von Übergengsstück (5) und der Diaeurchfrung (f) svr forahaülsaigen Zulage kcmen. 13.) Nalbletsr-ßleiahrichterselle nach Anspruch 12, da- durch gekennzeichnet, daß die Dicht- und Isolierriege aus hitze- beständigem Kunststoff bestehen. °1h.) Halbleiter-Gleichrichtersolle nach Anspr%#ch 12, da- durch gekennzeichnet, daß die Isolierringe aus Glas oder Xerasik bestehen und zusätzliche Dichtmittel, $.H. dünne Profilringe aus statotf sowie flüssige tatnft-Dichtmittel verwendet sind,, 15.) Hä,bleiter-GGlochrichterzelle nach Spruch 1 bin 14, dadurch gekennzeichnet, daD Dicht- und Isolierringe (8, 9) wehlmeine eise gemein naxer Poraepreßlimg ist, welcher die .. dhhs (6) ysundcht einschl.8t. 96.) Halbleiter-Gleiabrichterzelle nach Anspruch 1 bis 15, dadurch gehustichnot, daB eint @rdelrng (11) vorgesehen ist, der aus Niobteiseaaetall oder Stahl besteht und unter d« zur Eoataktieruag erforderlichen Druck » Hals der Bod®nteles (1) , umgebördelt ist, und daß gegebenentalis unter denn lind 4ee Bürdelringes Teller- oder Wallfedern eingelegt ein.
17.) Halbleiter-G1eichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 151 dadurch gekennzeichnet, äaß ein Dichtprafilring (1dä) aus Kunsis%- stoff vorgesehen ist, welcher durch einen Bördel ring ,(11) dich- tend zwischen Gehäueehale und leolierring (8) gequetscht Ist.- 18.) Halbleiter-Gleiahrichterzelle nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet,daß anstelle des Bördelringee (11) wahl- weine eine Überwurtmutter vorgesehen ist, welche in ein Gewinde am Bale den Bodenteiles ('!) geschraubt ist. 19.) Halbleiter-Gleichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 181 dadurch gekennzeichnet, daß der Bördelring (11) gleichzeitig als Beschriftungsring vorgesehen ist. 20.) Halbleiter-Gleichricht®rzalle nach Anspruch 1 bis 191 dadurch gekennzeichnet, daß ein Temperaturwächter (12) möglichst in der Nähe der Halbleitertablette eingesetzt ist und bei kri- tischer Erwärmung über Zuleitungen eignalieiert oder Abschal- tungen auslöst. 21.) Halbleiter-Gleichrichterzelle nach Anepruoh 1 bis 209 dadurch gekennzeichnet, daB das Anschlußseil ('R5) mittels-einer Spreiascheibe (14), welche am Außenrand Aussparungen hat, aue# gestützt igt. 222) Heibleiter-Gleichrichteraelle nach Anspruch 'i bis 211 d#durch gekennzeichnet., daß in Mittelpunkt der Queteahverbindung ein Tauchrohr vorgesehen ist, welchen für Zuleitungen zum Wime- wächter (12) oder wahlweise für den Einsatz von Thermoelementen dient. _
23.) Halbleiter-ßleichrichterselle nach Anspruch 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß in Bodenteil (1) ein Rüokeablegveatit (1C) eingesetzt ist4 das mit einer $unststottkugel dichtet. 24:) Halbleiter-Gsichriehterselle nach Anspruch 1 bin 25, dadurch da& die imahlufahae (17) auf des Rind des Bodenteiles (1) kontaktiert wird aM en dieser Stelle die glsiahea Durahbrifohe - trägt wie dis Soheibeateder (18). 251) Halbleiter-GGleiahriahterselle nach Anspruch 24, dadurch fpkenaseahnet, daß die Anschluiai@ae als Uhlblech ausgebildet @st. 26.) Hilbleiter-ßleahrichterzelle nach "spr=h °I bis 25, dadurch gekemreichnet, daß das Übergangsstück (25) ein Innen- gsviaäe trägt und das Aneehlufieeil (13) mittels gohlsohraube (28), die, einen Innenkonus eingequetscht und #ber Multikontaktkiseen (29) stirnkontaktiert Ist. 27.) Halbleiter-Qleiehrichterselle nach Anspruch 1 bin 6 und 26, dadurch gekennseichnot, daß eine Dicht- und Isolierbe- 4chichtung (2?) aus äumtrtolvorgesehen ist und aus Forapre8- liegen bsw: aus eines Sobruaptachlauch bestehen kann. 28.) Halbleiter-Qleiohriahteraelle nach Anspruch 9 bis 6 und 27, dadurch gekennzeichnet, daB zwei gleiche, tlaahe Ge- hAneehitlften (35) vorgesehen sind, die innen über Multikontekt# kisaen (36) kontaktiert sind:
29.' Halbleiter-Gleichrichterzelle nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, da8 Tellerfedern d.°28) vorgesehen Bind, die Versteifungsaufgaben Übernehmen. 30.) Halbleiter-Qleichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 6, 28 und 29, dadurch gekennzeichnet, daß Dicht- und Isolierbe- achichtungen (39) vorgesehen sind, welche die Sandzonen,der Gehäusehälften formschlüssig umgeben und zusätzlich an den Diehtetellen wahlweise Dichtlippen aufweisen, sowie an den Außenseiten Vuletprofile als Eriechwegverlängerung. 31.) Halbleiter-Gleichri.chterzelle nach Anspruch 1 bis 6 und 28 bis -30,dadurch geke=zeicbnet, -da8 eine Krenzkontakt-- ach.eibe mit genormter Steekerfabne (40) vorgesehen ist, die federnd en der Kontaktstelle (4'1) das Steuerpotential kontak- tiert. und leitet. 32.i Halbleiter--Gleichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 6 und 28 bis 31, dadurch gekeisnzeiclinet, -daß ein Bördelring (44) vorgesehen ist, der die Gehäusehälften (35.1 einschließlich der Kranzkontaktocheibe (40) und Tellerfedorn (28) sowie Isolier- beschichtung (39) unter ffontaktvorspannung zueammenproßt und gleichzeitig dichtet. 33.j Halbleiter-Gleichrichterzelle nnoh Anspruch 1 bis 6 und 28 bis 32, dadurch gekennzeiÜhaet, daß zwei gleiche Über- gengastücke (50) vorgesehen sind, welehe Anschlu®aeile (13) mit Spreizscheibe ('14) nach zwei Seiten gleichzeitig als Kühl- kärper aufnehmen..
.) Hobleiter-ßleichrichterzslle nach Anspruch 1 bis-ß und 28 bis 33, dadurch goksnnseiohnet, daß die lnschlu&ieile (13) Zweiseitig mittels Hohlerhraube (28) und Multikontakt- ki.ssen (29) gequetscht und stirnkontaktiert sind: 35 # Halbleiter.4leichrichtersella nach Anspruch: 1 bis S und 28 bis *349 dadurch gkenaseichnet, daß Überwurtdeckel (52) zusätzlich über Teller- bsw. Vollfedern (55) .angeordnet sind, -welche mittels lliriaieten bcr. (5?) unter Yörspewung gegsneiaander gespannt sind, so das einer Bmüdung der Dicht-. und Zontaktierqualität entgegengewirkt wird.
36.) Halbleiter-Gleichrichtersslle nach Anopruoh 35, da- durch geidtuseiohnet, daü die überwurtdocksl (52) eckig oder rund sein hömnen und gleichzeitig als leseioaiusssträger Md Bslastia3,iobi@si$ d3,@e@.
Patent claims
1.) lead straight cell: on silicon or Ger. maniunbasie with pressure contact, marked by the fact that 8 between at least one of the pressure contacts identified by calibration Semiconductor tablet and floor lead bxw. between half-goal: - tablet and other supply lines with the addition of multi- kontaüctkiaeea are premiered . 2. ) Semiconductor rectifier according to claim `! , euCh characterized that the Muultikontaktkneen made of felt- like metal preglingen exist, the®n layer of uni fibers predominantly axial. get lost. 3y) Semiconductor gauze cell according to Anapruch 1 and 2, daduro b # - $ e indicates that the multi-cycle pebbles ala output Material made of silver, .Hupfer, gold, aluminum, spring crosses or Pedermeseiag exist. 4.1 semiconductor rectifier cells according to claims 1 to 3, characterized in that the Kul L: ikentaktkiseen optionally with galvanic coatings made of precious metals, VB. Silver, gold , etc. are equipped. 5 @) semiconductor glide funnel cell according to claim 1 to 4, characterized in that the multi-cone cushion (3) optionally: directly fused or attached to the semiconductor tablet are solder-free or as pressure contact. rest.
6.) iialbleiter-Gleichrichterzell e according to claim '! until 5, characterized in that the housing parts are known per se Way connected via press seals, the seals equally as insolior = g of the leads to the semiconductor serving tablet. _ . 7.) Ralbleiter rectifier cell according to claim 'l to 6, characterized in that a ring bushing (6) with piece ansc bl u8 is provided, which has a contact ring (?) as Head for the tax potential serves and standardized Steekerab- . has shortages. 8.) Semiconductor rectifier cell according to claim 1 b1®69 characterized in that the bearing surfaces for contacting the multi-contact pad optionally roughened or uneven. 9 :) Semiconductor rectifier cell according to änaprüch 1 to 8, characterized in that the ring bushing (.6) with plug-in anechluß vorzugsweie® made of spring bronze, spring brass etc. and if necessary with galvanic precious metal coatings made of silver, gold, etc. are provided. 14.) Semiconductor rectifiers according to claims 1 to 9, characterized in that a contact crane (?) is provided is, the inner and outer edge of which is pinnate choice wines, and which is shaped in such a way that the control contact is ring- or segment- flat on the band of the semiconductor tablet @ under pretension is made.
11.) Semiconductor Gleiabriohtes: olle according to claim 1 to 10, through this that the Ri N gdu`chiUITung (6) with a stick. at echluß and the contact ring, (?) optionally made of one piece pulled .or through slotted centering under Vorepennuag is pluggable ausgefUär t. 12. ) 8albleiter-ßlrichrichterselld according to Insprnoh 1 to 11 ' thereby gektanaeiehnet, dsg sealing and insulating rings (g, 9) »t- are seen, at the tune of Übergengsstück (5) and the Diaeurchfrung (f) svr forahaülsaigen allowance kcmen. 13. ) Nalbletsr-ßleiahrichterselle according to claim 12, that characterized in that the sealing and insulating bars are made of heat consist of resistant plastic. ° 1h. ) Semiconductor rectifier should according to claim% # ch 12, that- characterized in that the insulating rings are made of glass or Xerasik consist and additional sealant, $ .H. thin profile rings statotf as well as liquid tatnft sealants are used, 15. ) Ha, lead-Glochrichter cell according to Proverb 1 am 14, characterized in that sealing and insulating rings (8, 9) wehlmeine eise mean naxer Poraepreßlimg is who the .. dhhs (6) ysundcht including 8t. 96. ) Semiconductor slip dresser cell according to claim 1 to 15, as a result of coughing difficulties, that a @rdelrng (11) is provided, which consists of niobium ice metal or steel and under the Eoataktieruag required pressure »neck of the Bod®nteles (1) , is beaded, and that given talis under then lind 4ee Bürdelringes disc or wall springs inlaid.
17.) Semiconductor rectifier cell according to claims 1 to 151 characterized by a sealing profile ring (1dä) made of plastic% - fabric is provided, which is sealed by a flanged ring, (11) tends to be squeezed between the housing neck and the leolier ring (8). 18.) Semiconductor rectifier cell according to claim 1 to 16, characterized in that instead of the flanged ring (11) optional cry a nut is provided , which in a thread the bottom part ('!) is screwed to the bale. 19.) Semiconductor rectifier cell according to claim 1 to 181 characterized in that the flanged ring (11 ) at the same time is provided as a label ring. 20.) Semiconductor rectifier clamps according to claims 1 to 191 characterized in that a temperature monitor (12) if possible is inserted in the vicinity of the semiconductor tablet and in the event of critical table heating signaled via supply lines or switch-off triggers. 21.) Semiconductor rectifier cell according to Anepruoh 1 to 209 characterized in that the connecting cable ('R5) by means of a Chopping disc (14), which has recesses on the outer edge, aue # supported. 222) heat conductor rectifier according to claims ' i to 211 d # marked with. that in the center of the pinch connection a dip tube is provided, which is used for supply lines to the Wi m e- monitor (12) or optionally for the use of thermocouples serves. _
23.) Semiconductor rectifier cell according to claim 1 to 22, characterized in that a Rüokeablegveatit in the bottom part (1) (1C) is inserted4 that seals with a $ unstott ball. 24 :) semiconductor Gsichriehterselle according to claim 1 bin 25, through this da & the imahlufahae (17) on the beef of the bottom part (1) is contacted at this point glsiahea Durahbrifohe - wears like dis So heibeateder (18). 251) semiconductor -GGleiahriahterselle according to claim 24, characterized fp kenaseahnet that the connection is designed as a Uhlblech @st. 26.) Hilleiter-ßleahrichter cell according to "spr = h ° I to 25, gekemreichnet characterized in that the transition piece (25) has an inner gsviaäe carries and the Aneehlufieeil (13) by means of gohlsohraube (28), the, an inner cone squeezed and #ber Multikontaktkiseen (29) is face-to-face . 27. ) Semiconductor-Qleiehrichterselle according to claim 1 bin 6 and 26, characterized in that a sealing and insulating 4 layering (2?) Is provided from umtrtol and from Forapre8- lying bsw: can consist of a Sobruapach leek. 28. ) Semiconductor Qleiohriahteraelle according to claim 9 to 6 and 27, characterized in that two identical, flat handles (35) are provided, which are inside via multicontect # kisaen (36) contacted:
29. ' Semiconductor rectifier cell according to Claim 28, characterized by the fact that disc springs d. ° 28) provided bind, Take over the stiffening tasks. 30.) Semiconductor rectifier cell according to claim 1 to 6, 28 and 29, characterized in that sealing and insulating coatings (39) are provided, which the sand zones, the Enclosed the housing halves in a form-fitting manner and additionally to the Diehtetellen optionally have sealing lips, as well as on the Vulet profiles on the outside as an extension of the Eriechweg. 31.) Semiconductor equalizer cell according to claims 1 to 6 and 28 to -30, thereby geke = zeicbnet, -da8 a Krenzkontakt-- ach.eibe is provided with a standardized Steekerfabne (40) that resiliently at the contact point (4'1) the control potential animals. and directs. 32.i semiconductor rectifier cell according to claim 1 to 6 and 28 to 31, thereby gekeisnzeiclinet, -that a flanged ring (44) is provided that the housing halves (35.1 including the Crown contact washer (40) and spring washer (28) as well as insulating the coating (39) is tied together under initial tension and at the same time seals. 33.j semiconductor rectifier cell nnoh claims 1 to 6 and 28 to 32, characterized in that two identical over- Gengas pieces (50) are provided, which connection parts (13) with expansion disc ('14) on two sides simultaneously as a cooling pick up body ..
.) Hobleiter-ßleichrichterzslle according to claim 1 to -ß and 28 to 33, in that the inclusion (13) On both sides by means of a hollow tube (28) and multi-contact ki.ssen (29) are squashed and frontal contact: 35 # semiconductors. 4 leichrichtersella according to claim: 1 to S and 28 to * 349 gkenaseichnet that overwurt cover (52) additionally via plate or Full springs (55) .are arranged, -which means ll iriaieten bcr. (5?) Under Yörspewung are tense against each other, so that of one B m üdung the sealing. and zontacting quality is counteracted.
36.) Semiconductor rectifier shaft according to Anopruoh 35, there- by geidtuseiohnet, that the überurtdocksl (52) angular or to be round and at the same time to be a reading bearer Md Bslastia3, iobi @ si $ d3, @ e @.
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DE (1) DE1514149A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0013707A1 (en) * 1978-12-22 1980-08-06 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Mannheim Semiconductor power element
DE2936816A1 (en) * 1979-08-17 1981-03-26 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau High current silicon semiconductor cooling system - has wires soldered to metallised islands on surface of silicon disc, extending outwards

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DE2936816A1 (en) * 1979-08-17 1981-03-26 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau High current silicon semiconductor cooling system - has wires soldered to metallised islands on surface of silicon disc, extending outwards

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