DE1514149A1 - Halbleiter-Gleichrichterzelle - Google Patents

Halbleiter-Gleichrichterzelle

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DE1514149A1
DE1514149A1 DE19651514149 DE1514149A DE1514149A1 DE 1514149 A1 DE1514149 A1 DE 1514149A1 DE 19651514149 DE19651514149 DE 19651514149 DE 1514149 A DE1514149 A DE 1514149A DE 1514149 A1 DE1514149 A1 DE 1514149A1
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semiconductor
cell according
contact
ring
semiconductor rectifier
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Helmut Knuelle
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Description

  • Halbleiter-Gleichrichtereelle.
    Im 8®retah der Halbleiterentwicklung auf @ilz@wc-. oder.
    Germaniumbeeis sind vielfältige $auerteu bekonnt:..be#i .denendie
    äontaktierung der Halbleitertablette- d.i t.. die Hnlbleitersehoibe
    eogebenentolls mit.daran ,fest angebrachten $lektroden,wwnid den
    Gebäu®eteilen,entweder.über hötverbiaduagen oder über Edlmetalll-
    Druckkontakte,: gescvteht. Die Gehfuss worden gew6änliob ;durc4
    Listen oder B.:.hweißen goschl®nnen und gedichtet.
    Der Erfindung liegen iolßende Hauptaufgaben zu Grundes
    1:) Es soll eine weitgehend -löttroie äontaktieruag für die
    Stromleitungen Beschatten werden sit dem Ziel-einen möglichst
    kleinen Llbergaagewideretaadea.
    2.) Gleichseitig soll eine gute Wärmeleitung bei dioaer xon- .
    taktierung erreicht werden,, u einen niedrigen
    zu erzielen. Druckkontakte sind zwar bekannt. aber
    bei Vewwenduavon. Scheiben als Kontakte ist nur eine 8e-
    rührung an einzelnen Punkten vorhanden und somit ein relativ
    hoher elektrischer Widerstand und geringe Wärmeübertragungen:
    Verwendet man Weichmetalle, um eine: größere Berührungsfläche
    zu erhalten, so muß man ebenfalls den Nachteil relativ hohen -
    elektrischen Widerstandes und schlechterärmeleittähi.gkeit
    in Xauf nehmen.
    3.) Es soll eine möglichst einfache Gehäuseverschlußtechnik
    benutzt werden, die speziell. auf die. lötfreie Kontaktierung
    abgestellt ßsat.
    Es ist-bekannt. bei ä'ristallhalbleiter-Gleichrichterzellon
    eine Stromzuleitung unter Verwendung von Glas oder_Eeramik vom
    Gehäusekörper zu isolieren. Glas-.,. Metall.- bzw. Keramik-Metall-
    verbindungen sind sowohl von der Materialseite als auch von der
    Fertigungesdite a.ehr kostspielig, so das eine lotfreie und
    bruchsichere.Gehäusedichtung bei gleichzeitiger hoher Wärmebe-
    atändigkeit erwünscht ist.
    Um die genannten Nachteile zu vermeiden und die gewUnach.-
    tan Ziele zu erreichen, sind bei einer Iffalbleiter-ßleichrichter-
    solle auf Bilisium- oder Gernuaiumbaaie mit Druckkontaktierung
    erfindungeg«U mindestens einer der en sich bekannten Druckken--
    takte zwischen Halbleitertablette und Bodenzuleitung bzw. zwi-
    aohen Halbleitertablette und weiteren Zuleitungen unter Zwischen-
    tUgen von Hulttkontaktkiesen ausgeführt.
    Außerdem ist es zweckmäßig, im Rahmen der Erfindung die
    Zuansmen!'Iigung der Gehäuseteile in en eich bekannter Weise Uh#i-
    Preßdiohtungen vorzunehmen, wobei die Dichtung gleichzeitig die
    Isolierung dar Zuleitungen zur-Halbleitertablette liefert so das
    keinerlei Tenpeaturbeanepruchuf des Halbleitergebildes beim
    Zuaswaenbau der Zellen nötig ist und sämtliche äoritakte und
    ' Gehäuseverbindungen kra.tschliiaeig is Preßaitz aueget sind.
    Zudem schließt die Erfindung gegebenenfalls auch noch die.
    'Vexwrenduag von Multikontaktkisnen :wisoheä Zellehkürper und
    zügehürigem äühlkörper oder
    ein:
    Die Pißurenn 1 bis 4 zeigen in zum Teil schematischer Dar-
    atellung einige äusrungebeispiele von Helbleiterzeileia nach
    der Xrfinäung, an denen diese näher erläutert. wird.
    .Nach Pig.1 nimmt das Bodenteil 1 aus gut atrom- und wärme-
    leitendes Material. ( s.H. Kupfer, [email protected]®Silber. üsw..) ,als
    Xontaktplatte ein Nuitikontaktkiesen 2 auf, das aus einem fein-
    drähtigen fil$artigen Itetallpre81fnW besteht= der die Nigeneohaft
    hat, durch seine Elastizität eine formechlü®siga EQataktier=g
    :u garantieren. Als Auegafswerkstoff eignet eich z.8. Euprar,
    850n e, Aluminium, Silber u$w. Qelvlnieohe Überzüge von &:e1#
    metaUen können wahlweise die Imtalctqualtät steigern. Die Ken-
    taktkiseen x sind in ihrer Beschaffenheit genau so wie das Kon-
    taktkissen 2 und haben die Aufgabe, als Abnahaekontakte für
    die Anode und. 8athode au dienen. Die Halbleitertablett® 4 ist
    zentral zwischen dem Kontaktkissen 3 angeordnet. Wahlweise kann
    einseitig ein Kontaktlossein 3 entfallen und die Blamenttablette 4
    kann einseitig aufgelötet sein,. Auch die Kontattkissen 2 und 3
    können durch: einseitige Tötungen mit den Kontaktflächen verbun--
    den sein. Das übergangestück 5, Welche® wie das Bodenteil 1 aus
    gut Strom- und wärmeleitendem Material besteht, liegt an dem
    Kohtaktkissen 3. Das obere Bade des Übergangsstückes. 5 ist alz
    Hülse ausgebildet, in die das A.nschlußseiI 13 sowie das Tauch-
    rohr-15 eingequatscht sind.
    Verbunden mit einer Ringdurchführung 6 t,st sie Steakan-
    schlußfehne als Steuerleitungeanachluß vorgesehen. Über einen
    aus federndem Kontaktmaterial (z.B. Federbronze) bestehenden -
    $ontaktkranz 7, dessen innen- und Außenränder gefiedert sind,
    wird'der Steuerkontakt (im Kultikontektprinzip) am Rand der
    Halbleitertablette 4 und der Riagdurchfübrung 6 unter redervor-,
    spannung kontaktiert. Wahlweise sind galvanische Edelmetall- .
    ifberzüge, sA. Gold, Silber usw. zur Erhöhung der Kontaktquali-
    tät tUr den bontaktkranz 7 und die äußere Anschluafahne der
    Ring$urchfübrung t vorgesehen. Als Isolatoren und Dichtringe 8
    und 9 sind swischen dea Übergangsstück 5 und der Ringdurchfüh-
    rang 6, sowie dem Bodenteil 1 Porastücke, Unpreeaungen oder
    8chrumpfaahläuehe aus hitzebeständigem Kunststoff vorgesehen.
    Wahlweise können sie auch aus Glas, Keramik u:.a. bestehest dann
    müssen aber die Dichtprcblone mittels Zusatz von Dichtmitteln,
    z.8. mit Dichtuageringen oder geeigneten Klebern, gelöst werden..
    Mit Isolierstoff tapreßte bzw, beschichteteetal.lsinlagen,@a.B.
    Ring- und Telleri®dern, sind nach Bedarf anwendbar.
    Ebenfalls besteht die Möglichkeit, das Übergangsstück 5,
    die Ringdurchführung 6 und die Dicbtringe 8 und 9 gemeinsam
    als Pregliag mit Matalleinpressung herzustellen. Tina Profil-
    dichtung 10 mit ruadent oder eckdgea Querschnitt, welche aus
    Kunststoff besteht, hat die Aufgabe, zwischen Bodenteil. 1 und
    Isolator 8 $u dichten;
    Lieh Bördrlring 11, welcher 3n Bund federnd oder mit
    Voll- bzw. Tellerfedern unterlegt ist, hat die Aggabs, den
    Kontaktdruck und gleichzeitig-die Dichtpressung zu übernehmen*
    .
    Die Büräelung an Hals den ftatsile 1 ist somit unter ®o hohem
    lagresdnuox vorgesehen, *ie s® eine sichere Kontsktierung der
    Halbleitertablette erfordert. Statt den &3rdeirings 11 kam
    nuoh eine Vberwurfsutter wrgeeeheu sein, welche auf ein Gevi"#
    am aale den Bodenteils 1 geschraubt wird und den Xmtaktd:ruck
    direkt oder über Well# bsv: Tellerfedern überträgt. Beechri!-
    tuageu können auf der auenfli@oll wrorgesehen veräan.
    Der Anechlußseil 13 hat erf indungegeneäß nicht nur die Auf-
    gabs als elektrischer Leiter zu dienen,, sondern ist in wsaent-
    liehen auch dazu gedacht, durch die lutapreiaung den AnachluB#
    Seiles als Kühlkörper au wirken. Durch eine Scheibe 14 mit
    entsprechender Randaussparung kann die Spreizung nusgestütst-
    werden. Zur weiteren * Steigerung der Konvektion viril den An.
    acälußsel 13, $.B. bei Eigenbelüftung, vorteilhaft mit herb-
    überzügea wie duakslgre. oder matt-echwarz, versehen.
    Auf der Mitte dar Änaohlußquttsohstelie des Seilest ist
    wahlweise ein Tauchrohr 15 eingestellt, welches als Zugang
    tür
    oder als äuslaß für Zuleitungen eines Bi-
    netall-WÜrsewächters 12 dient, der die Avfgabe.hat, gefährliche
    Bpitsentesporaturen &as=egea oder Abschaltungen aussulösen.
    Ei kafentii 16t: reichen in Bodenteil 1 angeordnet
    ist und *.B. durch eine elastische Zuaststoftkugel gedichtet
    ist, bewirkt nach Evakuierung im aagrlüfteten Zustünä ein. eia-
    fachet Füllee mit einen 11delgesaüberäruck.
    Die Ansßhlußfnline 17 ist so angeordnet und gelocht, daß
    die Kontaktierung auf den Rand des Bodenteilen 'i erfolgt. Der
    erforderliche Kontaktdruck wird durch die Tellerfeder 18 garen
    tiert, welche die gleiche Lochung hat und gleichzeitig über
    eine Schraubverbindumg die Seeamte Einheit gegen den ZUhlkörper
    19 spannt.
    Fig.2 stellt eine Variante der Halbleiterzelle nach pig.1
    dar, wobei für gleiehe Einzelteile die gleichen Bezugeseichen
    wie in Yig.1 vorgesehen sind. Die Halbleitertab fette 4 ist in
    dieser Ausführung allerdings ohne Steuerkontakt gewählt.
    Das .Übergangs$tück 25 ist so ausgebildet, dag eine Isola-
    tions- und Dichtbeschichtung 2? als Umpressung, Yormstück oder
    Schrumpfteil vorgesehen ist.
    Das Ansehlußseil 13 ist hier z.D. mittels einer Hohleahrau-
    ba mit Innenkonus 28 eingesetzt. Durch ein Innengewinde Im An-
    echlughale vom Übergangeetück 25 und einem Kontaktkissen 29,
    welches im Prinzip wie das Kontaktkiszen 3 ausgeführt ist, wird
    unter Anzug der Hohlschraube 28 eine Sti.rnkontaktierung des
    AnschluBseiles 13 erreicht.
    Pig.3 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Halbleiter-
    solle nach der Erfindung, welche vorzugsweise aeinbau zwischen
    äühlpiatten und Kühl)törpern besondere für Säulen"- und Leisten-
    einheiten vorgesehen sein kann.
    Besonderes Merkmal ist, daß zwei gleiehe ßehäusebüdea 35
    torgesehen eiöd; die -auo gut trom. und würmeletendem Material
    bestehet. In InnensentraIpunkt sind wieder Kultikontaktkisaen 3
    eingesetzt. 4. :Lot eine stsiperbar® Halbleitertablette. Wah1ueiee
    sind Tellerfedern 38 vrorgesehenwelche als Versteifung und.Er-
    aUungsitütse eingesetzt werden könnea.Dicht- und Isclatme-
    beschiahtungen 39, welche als Profilringe oder ümproesungen und
    an :der Dichtsoge mit ein- oder mehrfachen Dichtlippen ansge-
    stattst nein können, umschließen die Randzonen der Gehäuseböidea
    35 einschließlich der Tellerfedern e8.
    $in Imtaktkreuat mit Steckerfahne 40 ist zwischen den Dicht-
    und Ieoliesbeachichtungen 39 angeordnet. An der ä®atakt®t:lle 41
    wird die Steuerkontektierwng von dem federnden, geliedrrten Kon-
    taktkranz vorgenommen. Das Material besteht vorzug®weiee aus
    federnden Kontektmetal ,vtl a mit. Edelmetallbeschichtung. Die
    Durchtübimngaatelle 42 kena in Bördelring 44 freigearbeitet,.
    dichtgelötet oder mtttel® Kunststoff vergossen seine
    Der Kontaktkranz mit ®teckerfabne 40 kann bei einer Aua-
    fUhrwng ohne Steuerkontakt entfallen.
    Kultikontaktkiesen 43 sind (wie bei Pig.1 Multiaontaktkieaex
    2 beschrieben), ei agssetzt@
    Fig.4 zeigt eine weitere Ausführungsfora einer Halbleiter-
    zelle, welche ähnlich der nach fig.3 ans alrsmetri®ehen Gehäuse-
    hälften besteht, und für einen Einsatz ohne Kühlkörper ausgeführt
    :ist. Füge 4a zeigt einen Schnitt an der Stolle A-A. Die Kulti#
    kontektkissen 3, die Halbleitertablette. 4, die Anschlusseile 13
    tmd die Scheiben 14 sind wie bei Fig. 1 beschrieben auegetührt.
    Die Hohlschrauben 28 und die Kultikontaktkissen 29 entsprechen
    denen nach Pig.2. Der Kontaktkranz mit der Steckerfßhne 40,
    die Kontaktstelle 41, die Durchführungsstelle 42 und der Bör4el-
    ring 44 sind im Prinzip Arie bei der Zelle nach ?ig. 3 beschrie-
    ben.; mu®geführt. Die Übergeng®etüeke 50 entsprechen den über-
    gengestüchen 25 nach Fig. 2, während die Dicht- und Isolierbe-
    schichtungen 51 mit den Beschichtungen 39 nach Fig.3 entsprechen..
    Die Spanndeckel 52 sind wahlweise einsetzbar, um über Toller-
    oder Wellfedern 55 zusätzlich *Bpeandrücke für äontaktierung und
    Dichtung zu erhalten, die z.B. von@Rohrnieten oder Vereohrau-
    bungen.57 ausgehen (Fig. 4a).
    Die Kabelschuhe 58,sind wie üblich vorgesehen. Die Befesti-
    gungsplatte 64 ist als Befeetigungebeispiel angedeutet.
    Der Kontaktkranz und die Steokerfahne 40, die Kontaktstelle
    41 und die Durchführungsstelle 42 können-wahlweise bei Halblei-
    texn ohne Steuerkontakt entfallen.
    Die beschriebenen, Ausführungsarten nach den Fig. 1, 2, 3 und
    4 lassen die Möglichkeit zu, Einzelheiten aus allen Bauarten
    gemischt auszuwählen, fortzulassen oder anzuwenden.
    Die wesentlichsten Vorteile der Zelle nach der Erfindung
    gegenüber den augenblicklichen Entwicklungsstand sind folgende:
    Der Verzicht auf Lötungen bzw. ßchweiBste3-len an den Kontakt-
    stellen und beim Gehäuse mindert Verunreinigungen und WärmespemuD.
    gen wesentlich. .
    Die Anwendung von fileartigen Metailfsserpreßlingea als
    Multikontaktki®sen für Strom- und Wärmekoatactieruag gewähr-
    leisten bruchsichere und elastische Kontaktieruung mit geringsten
    Übergangawideratänden. Eine gute Anlage ist auch bei unebenen
    und muhen Kontakt- btw. iühltlächea vorhanden. Eine einseitige
    Montageverspannung wird unkritisch,
    ßehliu®edichtungen, dis gleichzeitig hochwertige Isolatoren
    mit langen grieahwegen aind,habeu durch Verwendung von isolie-
    renden Kunststoffen die Eigenechattbei häufigen Temperatur-
    wechsel (bis + 240a 0) und.mechaanischen Stößen ihre Aufgabe
    zu erfüllen, ohne Schaden au nehmen. :Ausfälle durch Umdichtig-
    -
    keit werden vermindert.
    Ring- oder sagnentfärmige Rendateuerkontaktetellen ermög-
    lichen einfache und sichere lötfreie MMultikontaktierung durch
    gefiederte Kranfedern. Die Steckerßahne zum Steuerkontakt
    erspart ein Anschlußeeil und einen Klemmatützpunkt. Die Stock-
    verbindung ermöglicht schnellem Anschließen und Lösen der
    Zelle.
    Eine ötfn"g Über das Rücksablagventil ermöglicht Gasfül-
    langen mit höherer Dichte tandeinen verschluß ohne L®tuag.
    Gleichzeitige Vereinfachung der Dichtigkeitspritung. Der Einbart
    eines Wärmewächter® ermöglicht Sigualisierung und Auslösung ton
    Abschaltungen bei gefährlichen Temperaturgreneh.
    Durch@Lu=epreizuag des AnschluSseilee sowie Lackierung wird.
    eine höhere Wärmeabgabe erzielt und die Kühlkörper werden einge-
    spart.
    Die Plachbauweise bringt eine kürzere Wäraelei,tung. Die An.-
    achlußfehnenkontakti®ruag am Gehäuserand bietet den Vorteil, daH
    die zusätzlichen Wärmeübergänge an der Bodenfläche entfallen.
    Unkomplizierte Gehäuse- und Kontaktteile, die auf Massen-
    fertifg abgestimmt sind, ermöglichen rationelle Fertigunge-
    möglichkeiten.
    Die Vibderverwenduägvon fast allen Gehäuse-- und $ontekt-_
    teilen sowie eine Reparatur nach prüfungedetekt und Betriebs-
    auafa11 ist gegeben.
    Unter Berücksichtigung aller dieser Gesichtspunkte der
    Er£indung ist eine Verbilligung der Herstellungskosten bei
    gleichzeitiger Qualitätsateigerung vorhanden.
    Zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit erhöhter
    Leistung kaue, die Halbleitertablette 4- In einem Hauelement mehr-
    fach (statt einzeln) sngedxxlnet sein, wobei die Fugen durch hitze-
    beständige Jtunetstotfe isoliert und. bzwp die Kultikontaktkissea 2
    durch entsprechend erhabene Kßntaktetollen auf clen einzelnen
    Tabletten kontaktieren.
    Der Kontaktkranz ? kann im Prinzip wie bei Einzeltabletten
    ausgebildet dein, jedoch sind entsprechend der Anzahl von
    Tabletten *Auseperumgen für die Übergangsfugen vorgesehene

Claims (1)

  1. Patent a n g p r ü c h e
    1.) bleiter-Gleichriehterzelle: auf Bilizium- oder Ger. maniunbasie mit Druckkontaktierung, dadurch gekannzeichnet,da8 mindestens einer der an eich Wkannten Druckkontakte zwiechen Halbleitertablette und Bodenzuleitung bxw. zwischen Halbleitor:- tablette und weiteren Zuleitungen unter Zwia$hentügen von Multi- kontaüctkiaeea urgeführt sind. 2.) Halbleiter-Gleichrichterselle nach Anspruch `! , daeuCh gekennzeichnet, daß die Muultikontaktkneen aus filzartiges Metali- preglingen bestehen, der®n Schichtev uni Fasern vorwiegend axial. verlaufen. 3y ) Halbleiter-Gleiohrichtarzelle nach Anapruch 1 und 2, dadurob#-$ekennzeichnet, daß die Multikentaktkiesen ala Ausgangs- werkstoff aus Silber, .Hupfer, Gold, Aluminium, federbreuze oder Pedermeseiag bestehen. 4.1 Halbleiter-Gleichriohterze i l e nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kul L:ikentaktkiseen wahlweise mit galvanischen Überzügen aus Edelmetallen, VB. Silber, Gold usw. ausgestattet sind. 5@ ) Halbleiter-Gle ithrichterzelle nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, das die Multikonteßkissen (3) wahlweise: mit der Halbleitertablette direkt verschmolzen bzw. anlogiert sind oder als Druckkontakt lötfrei. aufliegen.
    6.) iialbleiter-Gleichrichterzell e nach Anspruch '! bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Gehäuseteile in an-sich bekannter Weise über Preßdiehtungen verbunden nind, wobei die Dichtungen gleiehztltig als lsolior=g der Zuleitungen zur Halbleiter- tablette dienen. _ . 7.) Ralbleiter-Gleichrichterzelle nach Anspruch 'l bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Ringdurchführung (6) mit Stsck- anscblu8 vorgesehen ist, die über einen Kontaktkranz (?) als Leiter für das Bteuerpotentiel dient und genormte Steekerab- . meneüngen aufweist. 8.) Halbleiter-Gleiahrichtermelle nach Anspruch 1 b1®69 dadurch gekennzeichnet, daß die Wlageflächen zur Kontaktierung der Multikontaktkissen wahlweise aufgerauht und uneben.eind. 9:) Halbleiter-Gleichrichterzelle nach änaprüch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Ringdurchführung (.6) mit Steck- anechluß vorzugsweie® aus Federbronze, Federmessing usw. be- steht und gegebenenfalls mit galvanischen Edelmetallüberzügen aus Silber, Gold usw. versehen -sind. 14.) Halbleiter-Gleichrichter$elle nach.Anepruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontaktkrans (?) vorgesehen ist, dessen Innen- und Außenrand Wahlweine gefiedert ist, und der so gefozmt ist, daB der Steuerkontakt ring- oder segment- flächig auf den Band der Halbleitertablette@unter Vorspennung vorgenommen wird.
    11.) Halbleiter-Gleiabriohtes:olle nach Anspruch 1 bis 10, dadurch daß die RiNgdu`chiUITung (6) mit Stock.- an echluß und der Kontaktkranz, (?) Wählweise aus einem Stuck ge- zogen .oder durch geschlitzte Rndzentrierung unter Vorepennuag steckbar ausgefUärt ist. 12.) 8albleiter-ßlrichrichterselld nach Insprnoh 1 bis 11' dadurch gektanaeiehnet, dsg Dicht- und Isolierringe (g, 9) »t- gesehen sind, die an den tunen von Übergengsstück (5) und der Diaeurchfrung (f) svr forahaülsaigen Zulage kcmen. 13.) Nalbletsr-ßleiahrichterselle nach Anspruch 12, da- durch gekennzeichnet, daß die Dicht- und Isolierriege aus hitze- beständigem Kunststoff bestehen. °1h.) Halbleiter-Gleichrichtersolle nach Anspr%#ch 12, da- durch gekennzeichnet, daß die Isolierringe aus Glas oder Xerasik bestehen und zusätzliche Dichtmittel, $.H. dünne Profilringe aus statotf sowie flüssige tatnft-Dichtmittel verwendet sind,, 15.) Hä,bleiter-GGlochrichterzelle nach Spruch 1 bin 14, dadurch gekennzeichnet, daD Dicht- und Isolierringe (8, 9) wehlmeine eise gemein naxer Poraepreßlimg ist, welcher die .. dhhs (6) ysundcht einschl.8t. 96.) Halbleiter-Gleiabrichterzelle nach Anspruch 1 bis 15, dadurch gehustichnot, daB eint @rdelrng (11) vorgesehen ist, der aus Niobteiseaaetall oder Stahl besteht und unter d« zur Eoataktieruag erforderlichen Druck » Hals der Bod®nteles (1) , umgebördelt ist, und daß gegebenentalis unter denn lind 4ee Bürdelringes Teller- oder Wallfedern eingelegt ein.
    17.) Halbleiter-G1eichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 151 dadurch gekennzeichnet, äaß ein Dichtprafilring (1dä) aus Kunsis%- stoff vorgesehen ist, welcher durch einen Bördel ring ,(11) dich- tend zwischen Gehäueehale und leolierring (8) gequetscht Ist.- 18.) Halbleiter-Gleiahrichterzelle nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet,daß anstelle des Bördelringee (11) wahl- weine eine Überwurtmutter vorgesehen ist, welche in ein Gewinde am Bale den Bodenteiles ('!) geschraubt ist. 19.) Halbleiter-Gleichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 181 dadurch gekennzeichnet, daß der Bördelring (11) gleichzeitig als Beschriftungsring vorgesehen ist. 20.) Halbleiter-Gleichricht®rzalle nach Anspruch 1 bis 191 dadurch gekennzeichnet, daß ein Temperaturwächter (12) möglichst in der Nähe der Halbleitertablette eingesetzt ist und bei kri- tischer Erwärmung über Zuleitungen eignalieiert oder Abschal- tungen auslöst. 21.) Halbleiter-Gleichrichterzelle nach Anepruoh 1 bis 209 dadurch gekennzeichnet, daB das Anschlußseil ('R5) mittels-einer Spreiascheibe (14), welche am Außenrand Aussparungen hat, aue# gestützt igt. 222) Heibleiter-Gleichrichteraelle nach Anspruch 'i bis 211 d#durch gekennzeichnet., daß in Mittelpunkt der Queteahverbindung ein Tauchrohr vorgesehen ist, welchen für Zuleitungen zum Wime- wächter (12) oder wahlweise für den Einsatz von Thermoelementen dient. _
    23.) Halbleiter-ßleichrichterselle nach Anspruch 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß in Bodenteil (1) ein Rüokeablegveatit (1C) eingesetzt ist4 das mit einer $unststottkugel dichtet. 24:) Halbleiter-Gsichriehterselle nach Anspruch 1 bin 25, dadurch da& die imahlufahae (17) auf des Rind des Bodenteiles (1) kontaktiert wird aM en dieser Stelle die glsiahea Durahbrifohe - trägt wie dis Soheibeateder (18). 251) Halbleiter-GGleiahriahterselle nach Anspruch 24, dadurch fpkenaseahnet, daß die Anschluiai@ae als Uhlblech ausgebildet @st. 26.) Hilbleiter-ßleahrichterzelle nach "spr=h °I bis 25, dadurch gekemreichnet, daß das Übergangsstück (25) ein Innen- gsviaäe trägt und das Aneehlufieeil (13) mittels gohlsohraube (28), die, einen Innenkonus eingequetscht und #ber Multikontaktkiseen (29) stirnkontaktiert Ist. 27.) Halbleiter-Qleiehrichterselle nach Anspruch 1 bin 6 und 26, dadurch gekennseichnot, daß eine Dicht- und Isolierbe- 4chichtung (2?) aus äumtrtolvorgesehen ist und aus Forapre8- liegen bsw: aus eines Sobruaptachlauch bestehen kann. 28.) Halbleiter-Qleiohriahteraelle nach Anspruch 9 bis 6 und 27, dadurch gekennzeichnet, daB zwei gleiche, tlaahe Ge- hAneehitlften (35) vorgesehen sind, die innen über Multikontekt# kisaen (36) kontaktiert sind:
    29.' Halbleiter-Gleichrichterzelle nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, da8 Tellerfedern d.°28) vorgesehen Bind, die Versteifungsaufgaben Übernehmen. 30.) Halbleiter-Qleichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 6, 28 und 29, dadurch gekennzeichnet, daß Dicht- und Isolierbe- achichtungen (39) vorgesehen sind, welche die Sandzonen,der Gehäusehälften formschlüssig umgeben und zusätzlich an den Diehtetellen wahlweise Dichtlippen aufweisen, sowie an den Außenseiten Vuletprofile als Eriechwegverlängerung. 31.) Halbleiter-Gleichri.chterzelle nach Anspruch 1 bis 6 und 28 bis -30,dadurch geke=zeicbnet, -da8 eine Krenzkontakt-- ach.eibe mit genormter Steekerfabne (40) vorgesehen ist, die federnd en der Kontaktstelle (4'1) das Steuerpotential kontak- tiert. und leitet. 32.i Halbleiter--Gleichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 6 und 28 bis 31, dadurch gekeisnzeiclinet, -daß ein Bördelring (44) vorgesehen ist, der die Gehäusehälften (35.1 einschließlich der Kranzkontaktocheibe (40) und Tellerfedorn (28) sowie Isolier- beschichtung (39) unter ffontaktvorspannung zueammenproßt und gleichzeitig dichtet. 33.j Halbleiter-Gleichrichterzelle nnoh Anspruch 1 bis 6 und 28 bis 32, dadurch gekennzeiÜhaet, daß zwei gleiche Über- gengastücke (50) vorgesehen sind, welehe Anschlu®aeile (13) mit Spreizscheibe ('14) nach zwei Seiten gleichzeitig als Kühl- kärper aufnehmen..
    .) Hobleiter-ßleichrichterzslle nach Anspruch 1 bis-ß und 28 bis 33, dadurch goksnnseiohnet, daß die lnschlu&ieile (13) Zweiseitig mittels Hohlerhraube (28) und Multikontakt- ki.ssen (29) gequetscht und stirnkontaktiert sind: 35 # Halbleiter.4leichrichtersella nach Anspruch: 1 bis S und 28 bis *349 dadurch gkenaseichnet, daß Überwurtdeckel (52) zusätzlich über Teller- bsw. Vollfedern (55) .angeordnet sind, -welche mittels lliriaieten bcr. (5?) unter Yörspewung gegsneiaander gespannt sind, so das einer Bmüdung der Dicht-. und Zontaktierqualität entgegengewirkt wird.
    36.) Halbleiter-Gleichrichtersslle nach Anopruoh 35, da- durch geidtuseiohnet, daü die überwurtdocksl (52) eckig oder rund sein hömnen und gleichzeitig als leseioaiusssträger Md Bslastia3,iobi@si$ d3,@e@.
DE19651514149 1965-07-26 1965-07-26 Halbleiter-Gleichrichterzelle Pending DE1514149A1 (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0013707A1 (de) * 1978-12-22 1980-08-06 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Mannheim Leistungs-Halbleiterbauelement
DE2936816A1 (de) * 1979-08-17 1981-03-26 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Buerstenkontakt fuer leistungshalbleiterbauelemente

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0013707A1 (de) * 1978-12-22 1980-08-06 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Mannheim Leistungs-Halbleiterbauelement
DE2936816A1 (de) * 1979-08-17 1981-03-26 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Buerstenkontakt fuer leistungshalbleiterbauelemente

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