DE1513168A1 - Stabilization circuit - Google Patents
Stabilization circuitInfo
- Publication number
- DE1513168A1 DE1513168A1 DE19651513168 DE1513168A DE1513168A1 DE 1513168 A1 DE1513168 A1 DE 1513168A1 DE 19651513168 DE19651513168 DE 19651513168 DE 1513168 A DE1513168 A DE 1513168A DE 1513168 A1 DE1513168 A1 DE 1513168A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- transistors
- base
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/59—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
- G05F1/595—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices including plural semiconductor devices as final control devices for a single load semiconductor devices connected in series
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Frankfurt/Main, den 21.10.1965Frankfurt / Main, October 21, 1965
-Ϊ83Ρ4--Ϊ83Ρ4-
Goerz Electro Gesellschaft m.b.H. in Wien (Oesterreich)Goerz Electro Gesellschaft m.b.H. in Vienna (Austria)
" S tabilis isruagsscha ltung" '5 1 3 T 6 8"S tabilis isruagsscha ltung" '5 1 3 T 6 8
L.L.
Die Erfindung betriff t eine Stabilisieringsschaltung mit zumindest zwei in Serie liegenden Transistoren als regelbarer lan gswi der stand, wobei die Basis des ersten Transistors mit einem iiegelverstärker verbunden ist.The invention relates to a stabilizing circuit with at least two transistors in series as a controllable long gswi, the base of the first transistor is connected to a link amplifier.
Die Serien scha ltung von mehreren Transistoren als längswiderstand ist dann no twendig, wenn die maximale, am Iangswiderstand auftretende Spannung grosser werden kann als die maximal zulässiga Betriebsspannung für einen Transistor. Diese Notwendigkeit der Serienschaltung tritt insbesondere bei Stabilisatorenfür grosse Ausgangsspannungsn auf oder bei Stabilisatoren, bei denen die Ausgangsspanmng in einem weiten Bereich kontinuierlich eingestellt werden kann. Die bekannten Schaltungen beinhalten Ma ssnahinen, wodurch sich die Spannung in jedem Be triebszustand auf alle Transistoren gleichmässig aufteilt. Bei den bisher bekannten Schaltungen dieser Art war ein verhalte ismässig grosser Aufwand an Schaltmitteln erforderlich und meist ergaben sich auch grosse Querströme, die einen empfindlichen Ie is tun gsverlust verursachten.The series connection of several transistors as a series resistance is necessary when the maximum, at the series resistance occurring voltage can be greater than the maximum permissible operating voltage for a transistor. This need for series connection occurs in particular with stabilizers for high output voltages or with stabilizers, where the output voltage can be continuously adjusted over a wide range. The known circuits contain Ma ssnahinen, whereby the voltage in every operating state evenly distributed to all transistors. With the so far known circuits of this type was a cautious great expenditure on switching means is required and, in most cases, there were also large cross currents, which resulted in a sensitive loss of energy caused.
Zur Behebung dieser Nachteile wird vorgeschlagen, bei einer Stabilisierungsschaltung der eingangs angeführten Art erfin dun gsge mass die Basis jedes weiteren 'Transistors einerseits über einen Widerstand mit dem Kollektor dieses Transistors und anderseits über eine Diode, mit deren Katode sie verbunden ist,To remedy these disadvantages, it is proposed at a stabilization circuit of the type mentioned inven dun gsge measured the base of every further transistor on the one hand through a resistor to the collector of this transistor and on the other hand via a diode to whose cathode it is connected,
BAD ORlGSMALORlGSMAL BATHROOM
" 90984170684"90984170684
an den negativen Pol einor IIiIfsspanning zu legen, wobei der positive Pol der Hilf sspan nun g an den Emitter des vorhergBhenden Transistors bzw. an den negativen Pol der vorhergehenden Hilfsspannung angeschlossen ist.to apply an initial tension to the negative pole, the positive pole of the auxiliary voltage now g to the emitter of the previous one Transistor or is connected to the negative pole of the previous auxiliary voltage.
Das Wesen der Erfindmg wird in der folgenden Beschreibung in Gegenüberstellung zu den boreits bekannten Stabilisierungsschaltungen an Hand der Zeichnungen gsnauer erläutert, in weichen Fig. i uad Pig. 2 zwei bekannte Stabilisierungsschaltun- £pn zeigen, während in Fig. 5 eine erfindungsge masse Stabilisierungsschaltung mit zwei in Serie liegenden Transistoren ind in Fig. Ij. eine solche Schaltung mit insgesamt drei in Serie liegenden Transistoren veranschaulicht ist.The essence of the Erfindmg gsnauer is explained in the following description, in contrast to the known stabilizing boreits circuits to the drawings, in soft Fig. I uad Pig. 2 show two known stabilization circuits, while in FIG. 5 a stabilization circuit according to the invention with two transistors in series is shown in FIG. such a circuit with a total of three series transistors is illustrated.
Bei der in Fig. 1 gezeigten Schaltung wird die gleichmassige Aufteilung der Spanning auf die beiden Transistoren dadurch erreicht, dass die Basis des einen Transistors (Trχ) direkt vom Ra ge lver stärker V, der mit dem Diskriminator D in Verbindung steht, ausgesteuert wird und die Basis des zweiten Transistors !Cr2 am Mittelpunkt eines Spannungsteilers liegt, welcher an die Spanning, die an beiden Transistoren liegt, angeschlossen ist, und dessen beide Widerstände Rj ind Rjj gleich gross sind. Auf diese weise ist die Spannung am Transistor Trx gleich der Spannung am Transistor Tr2- Aus der Schaltung ist weifers zu entnehmen, tess die Basis des Transistors Tr2 mit dem Widerstand Rj parallel Rjj abgeschlossen ist. Bekanntlich ist aber die für einen Transistor zulässige Betriebsspannung von der Grosse des Basis-Abschlusswiderstandes - mit Ausnahme der meisten Silizium-Transistoren - stark abhängig. In der Praxis ergibt sich aber, dass der Spannungsteiler nicht gsnügBnd niederohmig ga-In the circuit shown in Fig. 1, the even distribution of the spanning between the two transistors is achieved in that the base of one transistor (Trχ) is controlled directly from the Ra ge lver V, which is connected to the discriminator D, and the base of the second transistor! Cr 2 is at the midpoint of a voltage divider, which is connected to the voltage that is applied to both transistors, and whose two resistors Rj and Rjj are equal. In this way, the voltage at the transistor Tr x is equal to the voltage at the transistor Tr 2 - The circuit also shows that the base of the transistor Tr 2 is terminated with the resistor Rj parallel to Rjj. As is known, however, the operating voltage permissible for a transistor is heavily dependent on the size of the base terminating resistor - with the exception of most silicon transistors. In practice, however, it turns out that the voltage divider does not
BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
macht wer (fen kann, um den Transistor Tr2 mit der maximalen Betriebsspannung beaufschlagen zu können.makes who (fen can to apply the transistor Tr 2 with the maximum operating voltage.
Un diesen Nachteil zu beseitigen ist schon vorgeschlagen worden» zwischen den Spannungsteiler und den Transistor Tr2 einen weiteren !transistor Tr, zu legen (Fig· 2), der zwar nur eine verminderte leistung, aber die gesamte Betriebsspannung des Transistors Tr2 aushalten muss. Bei dieser Schaltung ist je doch darauf zu achten, dass der Beststrom des Transistors Tr2 nicht grosser wird als der Emitterstrom des Transistors Tr^, da sonst die Basis-Emitter strecke des Transistors Tr* in Sperr ichtun g kommt, womit'der niederohmige Abschluss der Basis des (transistors Tr2 verlorengeht. Meist wird sich die Notwendigkeit ergeben, einen Widerstand Hui zur Yorgrössering des Emitterstromes von Tr^ einzufügen, wie in Fig. 2 eingezeichnet. In den meisten praktischen Fallen zeigt sich aber, dass für den Transistor Tr^ kaum eine geeignete, billige ü*ype gefunden werden kann. Dazu kommt noch, dass die Ströme, die durch Rj, Rjj und Rjjj fliessen, besoudors bei Geräten mit in weiten Grenzen kontinuierlich einstellbarer Ausgangsspannung, meist grosse tferte annehmen und einen empfindlichen Ie is tu ig sver lust verursachen.In order to eliminate this disadvantage, it has already been proposed to place a further transistor Tr between the voltage divider and the transistor Tr 2 (FIG. 2), which has to withstand only a reduced power but the entire operating voltage of the transistor Tr 2. In this circuit, however, care must be taken that the maximum current of the transistor Tr 2 is not greater than the emitter current of the transistor Tr ^, otherwise the base-emitter section of the transistor Tr * comes into blocking, which means that the low-resistance termination the base of the (transistor Tr 2 is lost. In most cases, it will be necessary to insert a resistor Hui for the size ring of the emitter current of Tr ^, as shown in Fig. 2. In most practical cases, however, it appears that for the transistor Tr ^ In addition, the currents that flow through Rj, Rjj and Rjjj, especially in devices with an output voltage that can be continuously adjusted within wide limits, usually assume large values and a sensitive Ie is tu ig s cause loss.
Der erf indtmgsgemassen Schaltung, welche die genannten Kachteile vermeidet, liegt der Gedanke zu Grunde, dass es nicht notwendig ist, die Spannungen auf die Transistoren in jedem Arbeitspunkt gleichmässig auizuteilen, sondern dass es vielmehr genügt Vor sorge zu treffen, dass an keinem Transistor ein bestimmter maximaler Spannungsv«rt überschritten werden kann. Bei zwei Serientransistoren kann daher ein Transistor praktisch kurzgeschlossen sein, während der andere, geregelte TransistorThe circuit according to the invention, which the said Avoiding Kachteile, the underlying idea is that it is not it is necessary to divide the voltages on the transistors equally at each operating point, but rather that it is It is sufficient to take precaution that no transistor has a specific one maximum voltage can be exceeded. With two series transistors, one transistor can therefore come in handy be short-circuited while the other, regulated transistor
■ BAD■ BATHROOM
■ ■ " §09841/0664■ ■ "§09841 / 0664
die gesamte Spannung bis zu einem vorbestimmten Maximalwert aufnimmt. Wird die Spannung an beiden längstransistoren grosser, bleibt dereine Transistor auf seinem Maximalwert, während der andere Transistor die Spannung, die über diesen Maximalwert hinausgeht, aufnimmt.absorbs the entire voltage up to a predetermined maximum value. If the voltage on both series transistors increases, one transistor remains at its maximum value while the other transistor the voltage that is above this maximum value goes out, takes in.
2h Fig. 5 ist diese Schaltung mit zwei Transistoren dargestellt.2h Fig. 5 is this two transistor circuit shown.
Hiebei sind die beiden in Serie liegenden !Transistoren wieder mit 'Hr1 und Tr2 bezeichnet· Die Basis des ersten transistors Tr^ steht in unmittelbarer Verbindung mit dem -tiegslverstarker V, der seinerseits mit dem Diskriminator D verbinden ist. Die Basis des zweiten Uran sis tors !Pr2 ist einerseits über den Widerstand!^ mit dem Kollektor des zweiten Transistors Tr2 verbunden und ist anderseits über eine Diode IL, an deren Katode sie angeschlossen ist, an den negativen Pol einer HiIisspanning ]]ft gelegt. Der positive Pol dieser Hilf sspannung liegt am Emitter des vorhergehenden Transistors Trχ.The two transistors in series are again designated with 'Hr 1 and Tr 2 . The base of the second uranium sis tor! Pr 2 is on the one hand connected to the collector of the second transistor Tr 2 via the resistor! ^ And on the other hand is connected to the negative pole of a high voltage spanning ]] ft via a diode IL, to whose cathode it is connected placed. The positive pole of this auxiliary voltage is at the emitter of the preceding transistor Trχ.
Diese Schal ting wirkt wie folgt: Solange die Spanning U0 - üat kleiner ist aas 1^, ist die Diode \ gesperrt. Diß Basis des Transistors Tr2 liegt über % an seinem Kollektor, wodurch seine Kollektor-Emitterstrecke leitend wird. Die Spannung U0 - Ust und ihre Aenderuagen werden daher vom Transistor Tr^ aufgenommen. Wird die Spannung I^ - U8^ aber grosser als die Spanning %, dann wird die Diode Ife leitend und die Basis das Transistors !Er2 nimmt das flotentiai des Minuspunktes der Spannung L^ an. Der Emitter des Transistors Tr2 nimmt praktisch das gleiche Potential an, womit der Spanniagswert % an der Ko üektor-iämi tiers trecke dee !fceneietors Tr^ auf tritt, u*zw. »abhängig vom Ifert U0 - U8^, soThis switching works as follows: As long as the voltage U 0 - at is less than 1 ^, the diode \ is blocked. The base of the transistor Tr 2 is about% at its collector, whereby its collector-emitter path is conductive. The voltage U 0 - U st and their changes are therefore recorded by the transistor Tr ^. But if the voltage I ^ - U 8 ^ is greater than the Spanning%, then the diode Ife becomes conductive and the base the transistor! Er 2 assumes the flotentiai of the minus point of the voltage L ^. The emitter of the transistor Tr 2 assumes practically the same potential, with which the voltage value% occurs at the Ko üektor-iämi tiers track dee! Fceneietors Tr ^, u * zw. »Depending on the Ifert U 0 - U 8 ^, see above
909841/0114909841/0114
dieser grosser als % ist. für den fall, das Us.f. bis auf den Wert MJ. garegslt werden kann, wird die Spanning IJj zweckmassigBiweise auf den Wert U0/2 festgelegt, wodurch beim IxtremfaJl von U31J - O an beiden !"ransistoaren die Spanning Uq/2 auftritt. this is greater than%. in the event that U s .f. except for the value MJ. can be garegslt, the Spanning IJJ zweckmassigBiweise to the value U 0/2 is determined, whereby when IxtremfaJl of U 31 J - O at both "ransistoaren the Spanning Uq / 2 occurs.
Der ausschlaggebende YortsiX dieser Schaliiung ist neben deren Bintachheit die Tatsache, dass der transistor (Er2 hasisseitag mit dem niederohmigen Durchlasswiderstand der Diode I^ — abgesehen von den Ihnenwiderständsn der Spannt» gsque Ilen U0 und Ijj, welche entsprechend klein gshalian werden können - abgeschlossen ist, wodurch die maximale Betriebsspannung für die sen 'Irans is tor ausgenützt werden kann.The decisive factor in this connection, in addition to its binary nature, is the fact that the transistor (Er 2 hasisseitag with the low-ohm forward resistance of the diode I ^ - apart from the resistances of the voltage Ilen U 0 and Ijj, which can be correspondingly small gshalian - completed which means that the maximum operating voltage for this sensor can be used.
Die !Datsache, diass eine getrennte Span nun gs^ueiie ^ notwendig ist, stellt in den meisten ü'äiJjsn keinen zusätzlichen Autwand dar, da - insbesondere für den i'all, dass die Spannung Ua1; auf den Wert lull geregelt werden kann -eine Spannmgs^uelle no twendig is t, die e inen Yorstrota JT über den Widerstand % in die Spannungstuelle U91 einspeist. Die Transistoren Ττχ und führen so ©inen Ruhestrom JT, wodurch der ungünstigs Arbeitspmkt für Kollektorströme mit dem Werte Null Termieden wird.The fact that a separate span is now necessary does not represent any additional requirement in most cases, since - especially for the i'all that the voltage U a1; can be regulated to the value lull - a voltage source is necessary, which feeds a Yorstrota J T via the resistor% into the voltage source U 91 . The transistors Ττχ and thus lead © inen quiescent current J T , whereby the unfavorable working point for collector currents with the value zero is termied.
Diese Scha Itaig, sinngemäsö auf eine SerianaohaltuQg von mehreren üiransistoren eiweitert, ist in der fig* k ^ Die Sehaltuag der !Eransistorön ϋ^χ und 3Jp2 entspricht völlig jener gBmä3s der i'ig. 3, wahrend die Baals des dritten, mit diesen beiden transistoren in Serie lie^noen Transistors wieder über einen Widerstand Hx mit to Kollektor von !ö^ verbunden ist t»d ändatrseits über die Bio & D* an · iner HiH sspannungHjj und zwar wieder am negativen BoI derselben, liegt-·"-This Scha Itaig, analogously extended to a series of several transistors, is shown in the fig * k ^ The sehaltuag of the transistors and 3Jp 2 corresponds completely to that of the i'ig. 3, while the Baals of the third transistor, connected in series with these two transistors, is again connected via a resistor Hx to the collector of! Ö ^ on the change side via the Bio & D * to a high voltage Hjj, namely again on the negative BoI of the same, lies- · "-
. BAD. BATH
Die Basis des !ßeansistors Sf* ist so wie Jene des Transistors Tr2 mit der Katode der zugehörigen Diode verbunden; der positive ijb 1 der Hiifcsspanmiig liegt hier ata negativen Pol cter vorhergehenden Hilisspanmng %£· Bie Grosse der Hilf sspannuigsn beträgt beispielsweise jeweils ein Drittel der Spanning U0* Die Funktion dieser Schaltung ist analog jener nach der Fig. 5. Auch bei dieser SchaItmg kann ein Widerstand entsprechend % in der Schaltung nach Kg» 5 - zur Urzeugung eines Vbrstromes eingstügt werden.The base of the ßeansistor Sf *, like that of the transistor Tr 2, is connected to the cathode of the associated diode; The positive ijb 1 of the auxiliary voltage is here at a negative pole cter the preceding auxiliary voltage. The size of the auxiliary voltage is, for example, one third of the voltage U 0 *. The function of this circuit is analogous to that of FIG a resistance corresponding to% in the circuit according to Kg »5 - can be inserted to generate a Vbrstromes.
Ih aoalo^r Weise sind Stabilisierungsschal tun gen mit vier lud auch tnehr iransistoren autgebaut·In the same way, stabilizing shells are included four also loaded more iransistors built
Die gezeigten Schaltungen sind mit den üblichen pip-Sransistoren versehen j natürlich ist es auch möglich, nach entsprechender mastellmgnin-ü^ansistoren anzuwenden» wenn verschiedene Umstände dies wünschenswert erscheinen lassen. The circuits shown are with the usual pip transistors provided j of course it is also possible after appropriate mastellmgnin-ü ^ ansistors to use if different circumstances make this appear desirable.
90 9 841/0SS490 9 841 / 0SS4
Claims (2)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT1044064A AT244462B (en) | 1964-12-10 | 1964-12-10 | Stabilization circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1513168A1 true DE1513168A1 (en) | 1969-10-09 |
Family
ID=3622350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19651513168 Pending DE1513168A1 (en) | 1964-12-10 | 1965-10-22 | Stabilization circuit |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT244462B (en) |
| DE (1) | DE1513168A1 (en) |
| GB (1) | GB1105259A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3901560A1 (en) * | 1989-01-17 | 1990-08-02 | Schleicher Relais | Linear voltage regulator with low power dissipation and a wide input voltage range |
| DE10002037C1 (en) * | 2000-01-19 | 2001-08-23 | Elmos Semiconductor Ag | Circuit arrangement for operating a load via two transistors |
-
1964
- 1964-12-10 AT AT1044064A patent/AT244462B/en active
-
1965
- 1965-10-22 DE DE19651513168 patent/DE1513168A1/en active Pending
- 1965-11-02 GB GB4639565A patent/GB1105259A/en not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3901560A1 (en) * | 1989-01-17 | 1990-08-02 | Schleicher Relais | Linear voltage regulator with low power dissipation and a wide input voltage range |
| DE10002037C1 (en) * | 2000-01-19 | 2001-08-23 | Elmos Semiconductor Ag | Circuit arrangement for operating a load via two transistors |
| US6337587B2 (en) | 2000-01-19 | 2002-01-08 | Elmos Semiconductor Ag | Circuit arrangement for driving a load by two transistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1105259A (en) | 1968-03-06 |
| AT244462B (en) | 1966-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2059933A1 (en) | Digital-to-analog converter | |
| DE2019804C3 (en) | Monolithically integrable monostable multivibrator | |
| DE3133684A1 (en) | "ELECTRONIC ANALOG GEAR DEVICE" | |
| DE2030135C3 (en) | Logic circuit | |
| DE2314015B2 (en) | Signal amplifier | |
| DE1513168A1 (en) | Stabilization circuit | |
| DE1292198B (en) | Broadband logarithmic amplifier | |
| DE1165079B (en) | Transistor multivibrator | |
| DE1295651B (en) | Circuit arrangement for an electronic frequency divider for reducing pulse trains | |
| DE2415629B2 (en) | Circuit arrangement for the temporary blocking of a current branch depending on the size of the variable operating voltage | |
| DE1911959A1 (en) | Trigger circuit | |
| DE1905942A1 (en) | Process for suppressing the effect of an undesired electrical signal, e.g. the dark current of a photomultiplier tube, and electrical circuit for carrying out the process | |
| DE2318092C3 (en) | Electronic shooter control | |
| DE1222973B (en) | Multi-stage pulse amplifier | |
| DE1231348B (en) | Circuit arrangement for digital measurement of the peak value of an electrical pulse | |
| DE2443406C2 (en) | Sawtooth generator with a large frequency variation range | |
| DE1139546B (en) | Relayless delay circuit with transistors | |
| DE1549784C (en) | Photoelectric scanning device with threshold switches assigned to the photo elements | |
| DE2307486C3 (en) | Electronic threshold switch assembly | |
| DE1921213A1 (en) | Transistorized saw tooth voltage generator | |
| DE1151280B (en) | Circuit arrangement for generating pulse-shaped curves | |
| DE1239729B (en) | Multi-input transistor circuitry for selecting the largest of several direct current signals | |
| DE1276094B (en) | Electrical pulse amplifier with transistors | |
| DE1762782A1 (en) | Pulse generator for generating an output pulse that is adjustable in time compared to an input pulse | |
| DE1144338B (en) | Delay switch with very short return time, especially for telephone systems |