DE1276094B - Electrical pulse amplifier with transistors - Google Patents
Electrical pulse amplifier with transistorsInfo
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Description
DEUTSCHESGERMAN
PATENTAMTPATENT OFFICE
AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL
Int. Cl.:Int. Cl .:
H03kH03k
Deutsche KL: 21 al - 36/04German KL: 21 al - 36/04
Nummer: 1276 094Number: 1276 094
Aktenzeichen: P 12 76 094.0-31 (E 26012)File number: P 12 76 094.0-31 (E 26012)
Anmeldetag: 11. Dezember 1963 Filing date: December 11, 1963
Auslegetag: 29. August 1968Opening day: August 29, 1968
Die Erfindung betrifft einen elektrischen Impulsverstärker zur Formung von Rechteck-Ausgangsimpulsen von im wesentlichen konstanter Dauer in Abhängigkeit von Rechteck-Eingangsimpulsen veränderlicher Dauer.The invention relates to an electrical pulse amplifier for forming square-wave output pulses of essentially constant duration as a function of square-wave input pulses Duration.
Schaltungen zur Impulsformierung sind in mannigfachen Ausführungen, mit Röhren oder mit Transistoren als elektronische Schalter, bekannt.Circuits for pulse shaping are available in various designs, with tubes or with transistors known as electronic switches.
Im einzelnen sind aus dem Buch von M e j e r ο witsch-Selitschenko, »Impulstechnik«, 1959, S. 176 bis 207, Röhrenschaltungen mit Schwingkreisen als Steuerglieder zur Erzeugung von Ausgangsimpulsen vorgegebener Dauer bekannt. Demgegenüber betrifft die vorliegende Erfindung schwingkreisgesteuerte Impulsverstärker mit Transistoren als elektronische Schalter. Aus der unterschiedlichen physikalischen Natur von Transistoren einerseits und Röhren andererseits ergeben sich bei Verwendung der genannten Elemente als elektronische Schalter in Impulsformierungsschaltungen jeweils besondere Probleme. In detail from the book by M e j e r ο witsch-Selitschenko, "Impulstechnik", 1959, pp. 176 to 207, tube circuits with resonant circuits as control elements for generating output pulses given duration known. In contrast, the present invention relates to resonant circuit-controlled Pulse amplifiers with transistors as electronic switches. From the different physical The nature of transistors on the one hand and tubes on the other hand result from the use of the elements mentioned as electronic switches in pulse-forming circuits each have particular problems.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 084 305 ist bereits eine Schaltungsanordnung zur Impulsverformung bekannt, welche durch einen Schwingkreis gesteuerte Transistoren als elektronische Schalter aufweist, wobei die Transistoren mittels Schwingkreisen so gesteuert werden, daß die erzeugten Ausgangsimpulse gegenüber den zur Erregung der Schaltungsanordnungen dienenden Eingangsimpulsen in der Dauer verkürzt, verlängert oder auch zeitlich in der Phase versetzt sind. Bei diesen bekannten Schaltungen ist der Schwingkreis jeweils im Kollektorkreis des Schalttransistors angeordnet und dient zur Beeinflussung des Kollektor-Basis-Potentials. Der durch den Schwingkreis hervorgerufene Durchschwingvorgang des Kollektorpotentials wird durch den Stromfluß vom Kollektor in die Basis gedämpft. Die Probleme, die sich aus den Sättigungseffekten und der Uberscrmßladungsspeicherung in einem Schalttransistor ergeben, sind in dieser Druckschrift nicht berührt.The German Auslegeschrift 1 084 305 already discloses a circuit arrangement for pulse deformation known, which has transistors controlled by an oscillating circuit as electronic switches, wherein the transistors are controlled by resonant circuits so that the output pulses generated compared to the input pulses used to excite the circuit arrangements in terms of duration are shortened, lengthened or staggered in time. In these known circuits the resonant circuit is arranged in the collector circuit of the switching transistor and is used for influencing of the collector base potential. The oscillation of the collector potential caused by the resonant circuit is dampened by the current flow from the collector to the base. The problems that arise from the saturation effects and the excess charge storage in a switching transistor are not affected in this document.
Aus der physikalischen Natur des Transistors als einem im wesentlichen stromgesteuerten Schaltelement (im Gegensatz zu der im wesentlichen spannungsgesteuerten Röhre) sowie aus der damit im Zusammenhang stehenden Uberschußladungsspeicherung in einem Transistor ergeben sich nämlich bei Verwendung von Transistoren als elektronische Schalter in Impulsformerschaltungen der genannten Art besondere Probleme, insbesondere hinsichtlich der Erzielung einer ausreichend hohen Impulsfolgefrequenz. Infolge dieser Ladungsspeicherung im Basisraum eines Transistors muß zur Umschaltung Elektrischer Impulsverstärker mit TransistorenFrom the physical nature of the transistor as an essentially current controlled switching element (in contrast to the essentially voltage-controlled tube) as well as from the im Related excess charge storage in a transistor result from Use of transistors as electronic switches in pulse shaping circuits of the aforementioned Kind of special problems, especially with regard to achieving a sufficiently high pulse repetition rate. As a result of this charge storage in the base space of a transistor, it is necessary to switch over Electrical pulse amplifier with transistors
Anmelder:Applicant:
The English Electric Company Limited, LondonThe English Electric Company Limited, London
Vertreter:Representative:
Dipl.-Ing. C. Wallach, Patentanwalt, 8000 München 2, Kaufingerstr. 8Dipl.-Ing. C. Wallach, patent attorney, 8000 Munich 2, Kaufingerstr. 8th
Als Erfinder benannt:
Reginald Hugh Allmark,
*5 Kidsgrove, Stoke-on-Trent, Staffordshire (Großbritannien)Named as inventor:
Reginald Hugh Allmark,
* 5 Kidsgrove, Stoke-on-Trent, Staffordshire (Great Britain)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 11. Dezember 1962 (46 805)Claimed priority:
Great Britain 11 December 1962 (46 805)
des Transistors aus dem nicht-leitenden Zustand in den leitenden Zustand dem Transistor eine bestimmte Basisladung zugeführt werden; entsprechend muß diese im Basisraum gespeicherte Überschußladung wieder abgebaut werden, bevor der Transistor aus dem leitenden Zustand in den nicht-leitenden Zustand zurückkehren kann.of the transistor from the non-conductive state to the conductive state the transistor a certain Base charge to be supplied; accordingly, this excess charge stored in the base space must be degraded again before the transistor from the conductive state to the non-conductive state can return.
Dabei besteht für viele Anwendungen von mit Transistoren bestückten Impulsformerschaltungen, insbesondere in den modernen elektronischen Digital-Rechenanlagen ein Bedürfnis nach der Erzielung von Impulsen konstanter Dauer und mit hoher Folgefrequenz. Aus den erwähnten, vor allem in der Überschußladungsspeicherung in der Basis des Transistors liegenden Gründen muß zur Erzielung hoher Umschaltgeschwindigkeiten der Schalttransistor in den jeweiligen Zustand, in welchen er übergeführt werden soll, gewissermaßen hineingezwungen werden, wenn eine Erhöhung der Umschaltgeschwindigkeit über die durch den erwähnten Umladungsvorgang gegebene natürliche Umschaltgeschwindigkeit hinaus erzielt werden soll. Um eine schnelle Umschaltung des Transistors aus dem einen seiner beiden Zustände in den anderen zu erreichen, muß eine verhältnismäßig hohe Basis-Emitter-Spannung verwendet werden, welche den erwähnten Auf- bzw. Abbau der Basisüberschuß-So ladung beschleunigt. Auf diese Weise kann erreicht werden, daß dem Transistor im Zeitpunkt der gewünschten Umschaltung in den leitenden ZustandFor many applications of pulse shaping circuits equipped with transistors, in particular in modern electronic digital computing systems, there is a need to achieve Pulses of constant duration and with a high repetition rate. From the ones mentioned, especially in excess charge storage Reasons lying in the base of the transistor must be used to achieve high switching speeds the switching transistor in the respective state in which it is transferred should, as it were, be forced into when an increase in the switching speed over the achieved natural switching speed given by the above-mentioned transfer process shall be. In order to quickly switch the transistor from one of its two states to the to achieve others, a relatively high base-emitter voltage must be used, which the mentioned build-up or breakdown of the base excess So charge accelerated. In this way can be achieved that the transistor at the time of the desired switching into the conductive state
809 598/497809 598/497
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ein besonders hoher Basisstrom zum schnellen Auf- über, sobald die gesamte Basisladung abgebaut ist,
bau der Basisüberschußladung zugeführt wird, und ohne daß noch die Beaufschlagung mit der erwähnentsprechend
kann mittels hoher Basis-Emitter-Sperr- ten Sperrspannung abgewartet werden müßte,
spannungen die Umschaltung in den Sperrzustand Ausgehend von den vorstehend erläuterten Erdadurch
beschleunigt werden, daß die aufgespeicherte 5 kenntnissen ist daher bei einem Impulsverstärker mit
Basisüberschußladung mit hoher Geschwindigkeit ab- einem von einem Schwingkreis gesteuerten Schaltgebaut
wird. transistor gemäß der Erfindung vorgesehen, daß dera particularly high base current for rapid build-up, as soon as the entire base charge has been depleted, is supplied to the base excess charge, and without having to wait for the above-mentioned blocking voltage to be applied by means of a high base-emitter blocking voltage,
voltages the switchover to the blocking state can be accelerated, based on the above-explained earth, by the fact that the stored knowledge is therefore built in a pulse amplifier with excess base charge at high speed from a circuit controlled by an oscillating circuit. transistor according to the invention provided that the
Zwar kann durch diese Maßnahme der Ladungs- Transistor in seinen nicht-leitenden Zustand vorgeabbau aus dem Basisraum ziemlich beschleunigt wer- spannt ist; daß der Schwingkreis als schwach geden; dennoch verbleibt auch so noch eine gewisse io dämpfter Serien-Resonanzkreis zwischen der Basis Verzögerung zwischen dem Anlegen einer hohen und dem Emitter des Transistors mit einem an der Sperrspannung an die Basis-Emitterstrecke und dem Basis des Transistors liegenden Kondensator und tatsächlichen Übergang des Transistors vom leitenden einer Ausgangswicklung eines linearen Impulstransin den nicht-leitenden Zustand. Eine weitere Schwie- formators ausgebildet ist, dessen Eingangswicklung rigkeit bei mit Transistoren als elektronische Schalter 15 in Reihe mit einem auf die Eingangsimpulse ansprebestückten Impulsformer-Schaltungen besteht in fol- chenden steuerbaren Schalter liegt, welcher nach gendem: Wird, wie dies herkömmlich der Fall ist, Maßgabe aufeinanderfolgender Änderungen des Eindie Einleitung des Rückschaltvorgangs des Transi- gangssignals aus dem einen in den anderen seiner stors aus dem leitenden in den nicht-leitenden Zu- beiden möglichen Zustände aufeinanderfolgend und stand ausschließlich der hinteren Flanke eines ent- 20 momentan zwischen seinem nicht-gesättigten Leisprechenden Eingangsimpulses überlassen, so hat jede tungszustand und seinem nicht-leitenden Zustand um-Voreilung bzw. Verzögerung des hinteren Eingangs- geschaltet wird; daß an den Ausgangsklemmen der impulses gegenüber einem angenommenen Normalwert Transistorschaltung als Ausgangssignal eine von dem eine entsprechende Voreilung bzw. Verzögerung der Spannungsabfall an dem Ausgangswiderstand abhänhinteren Flanke des entsprechenden Ausgangsimpul- 25 gige Spannung auftritt; und daß die Schaltung derart ses zur Folge, d. h.: Ein verzerrter Eingangsimpuls bemessen ist, daß ein beim Auftreten der Vordererzeugt einen noch weiter in der gleichen Richtung flanke eines Eingangsimpulses in dem Schwingkreis verzerrten Ausgangsimpuls. Bei den eine Vielzahl von induzierter Auftast-Spannungsimpuls den Transistor hintereinandergeschalteten Schaltstufen aufweisen- in seinen voll leitenden Sättigungszustand überführt, den elektronischen Rechenanlagen stellen die sich in 30 während ein beim Auftreten der hinteren Flanke eines dieser Weise summierenden Impulsverzerrungen ein Eingangsimpulses in dem Schwingkreis induzierter ernsthaftes Problem dar, dem mit einem erheblichen Sperrspannungsimpuls den Transistor nicht-leitend Aufwand an eigenen Impulsgenerationsstufen begeg- macht, und daß bei einem Eingangsimpuls normaler net werden muß. Dauer der Sperrspannungsimpuls auftritt, nachdemIt is true that this measure can reduce the charge transistor into its non-conductive state is quite accelerated from base space; that the oscillating circuit is thought to be weak; nevertheless, there still remains a certain io damped series resonance circuit between the base Delay between the application of a high and the emitter of the transistor with an on the Reverse voltage to the base-emitter path and the base of the transistor lying capacitor and actual transition of the transistor from conducting an output winding of a linear pulse transin the non-conductive state. A further oscillator is formed, the input winding of which rigkeit with transistors as an electronic switch 15 in series with an addressable to the input pulses Pulse shaper circuits consists of the following controllable switch, which is located after gendem: Will, as is conventionally the case, be subject to successive changes in the indie Initiation of the switch-back process of the transition signal from one of its to the other stors from the conductive to the non-conductive to two possible states successively and stood exclusively on the back flank of someone who was momentarily between his unsaturated, low-volume speaker If the input impulse is left to it, then each line state and its non-conductive state are in advance or delay of the rear input is switched; that at the output terminals of the impulses compared to an assumed normal value transistor circuit as an output signal one of the a corresponding lead or delay in the voltage drop across the output resistor Edge of the corresponding output impulsive voltage occurs; and that the circuit is such ses result, d. That is, a distorted input pulse is dimensioned to produce one when the front occurs an even further edge in the same direction of an input pulse in the resonant circuit distorted output pulse. In the case of a large number of induced gating voltage pulse the transistor have switching stages connected in series - transferred to its fully conductive saturation state, the electronic computing systems set themselves in 30 during a when the trailing edge of a occurs in this way summing pulse distortions an input pulse induced in the resonant circuit A serious problem is that with a significant reverse voltage pulse the transistor becomes non-conductive Expenditure on own pulse generation stages countered, and that with an input pulse more normal must be net. Duration of the reverse voltage pulse occurs after
Die Erfindung betrifft somit einen elektrischen 35 die der Basis-Emitter-Strecke des Transistors als
Impulsverstärker mit Transistoren zur Erzeugung von Folge der Induktion des Auftast-Spannungsimpulses
Rechteck-Ausgangsimpulsen von im wesentlichen zugeführte Spannung von sich aus auf Null abgenomkonstanter
Dauer in Abhängigkeit von Rechteck-Ein- men und entgegengesetzte Polarität angenommen hat
gangsimpulsen veränderlicher Dauer, bei welchem der und bevor durch diese nunmehr entgegengesetzt ge-Leitungszustand
eines in Reihe mit einem Ausgangs- 40 richtete Spannung die gesamte in der Basis des Tranwiderstand
liegenden, die Ausgangsimpulse erzeugen- sistors gespeicherte Ladung abgeführt ist.
den Transistors durch einen Schwingkreis gesteuert Die Wirkungsweise des erfindungsgemäß ausgebilwird.
Durch die Erfindung soll ein derartiger Impuls- deten Impulsverstärkers verläuft wie folgt: Die Einverstärker
geschaffen werden, welcher unter Vermei- gangs-Rechteckimpulse erzeugen über den Impulsdung
der sich aus der Eigenträgheit von Transistoren 45 transformator in dem zwischen der Basis und dem
ergebenden Probleme die Erzielung sehr hoher Im- Emitter des Schalttransistors liegenden Reihenresopulsfolgefrequenzen
gestattet. nanzkreis entsprechende »Auftast«- bzw. »Sperr«-The invention thus relates to an electrical 35 that of the base-emitter path of the transistor as a pulse amplifier with transistors for generating sequence of the induction of the gating voltage pulse square-wave output pulses of essentially supplied voltage by itself to zero constant duration depending on square-wave The input pulses of variable duration have assumed the same and opposite polarity, in which and before the conduction state of a voltage in series with an output 40 generated by them is the entire charge stored in the base of the transistor that generates the output pulses is discharged.
the transistor is controlled by an oscillating circuit. The invention aims to create a pulse amplifier of this type as follows: The single amplifier is created which, by way of avoidance, generate square-wave pulses via the pulse generator resulting from the inherent inertia of transistors 45 in the problem between the base and the resulting problems very high series resopulse repetition frequencies in the emitter of the switching transistor are permitted. corresponding »opening« or »blocking« -
Die Erfindung beruht, ausgehend von der vor- Impulse; der Auftastimpuls tritt dabei jeweils als stehend umrissenen Problemstellung, auf der Er- Folge der Vorderflanke eines Eingangsimpulses auf, kenntnis, daß ein Transistor ohne nennenswerte Ver- 50 während der jeweilige Sperrimpuls durch die hintere zögerung in den nicht-leitenden Zustand übergeführt Flanke des Eingangsimpulses induziert wird. Bei Anwerden kann, wenn es gelingt, in diesem Transistor regung durch einen derartigen Auftastimpuls erzeugt nach seiner Umschaltung in den voll-leitenden Zu- der Schwingkreis eine Auftastspannung an der Basisstand (d. h. nach seiner Auf tastung) einen wesent- Emitter-Strecke des Transistors; diese Auftastspanlichen Teil der in der Basis des Transistors gespei- 55 nung treibt den Transistor zunächst in einen stark cherten Überschußladung bereits vor dem Anlegen gesättigten Leitungszustand und fällt sodann von einer Basis-Emitter-Sperrspannung vorbereitend ab- selbst ab, und zwar zunächst auf den Wert Null, worzubauen und somit die genannte, in der Basis ge- auf sie ihre Polarität umkehrt und betragsmäßig wiespeicherte Überschußladung im Augenblick der tat- der zunimmt, entsprechend einer schwach gedämpfsächlichen Beaufschlagung mit der Sperrspannung 60 ten Schwingung. Diese Basis-Emitter-Spannung, die dann bereits klein genug ist, um die Umschaltung nach dem Null-Durchgang entgegengesetzt (d. h. also nicht mehr nennenswert zu verzögern. in Sperrichtung) gepolt ist, bewirkt das Abfließen derThe invention is based on the pre-impulse; the opening pulse occurs as standing outlined problem on the result of the leading edge of an input pulse on, knowledge that a transistor without any noteworthy failure 50 during the respective blocking pulse by the rear delay converted into the non-conductive state edge of the input pulse is induced. When you arrive can, if it succeeds, generated in this transistor excitation by such a pulse after it has been switched into the fully conducting circuit, a gating voltage is applied to the base station (i.e. after being gated) a substantial emitter path of the transistor; these Auftastspanlichen Part of the stored in the base of the transistor initially drives the transistor into a strong state cherten excess charge already before the application saturated conduction state and then falls from a base-emitter reverse voltage from itself in preparation, initially to the value zero, from which to build and thus the named one, in the base it reverses its polarity and stored it in terms of amount Excess charge at the moment of the offense increases, corresponding to a weakly attenuated one Application of the reverse voltage 60 th oscillation. This base-emitter voltage that then it is already small enough to reverse the switching after the zero crossing (i.e. so no longer to be delayed appreciably. is polarized in the reverse direction), causes the
Des weiteren liegt der Erfindung die folgende Er- in der Basis gespeicherten Ladung; dieser Vorgang kenntnis zugrunde. Falls die gesamte im Basisraum setzt sich auch ohne Auftreten eines äußeren Sperrgespeicherte Ladung aus dem Basisraum entfernt 65 impulses von selbst so lange fort, bis schließlich die werden kann, bevor die Sperrspannung an die Basis- gesamte in der Basis gespeicherte Überschußladung Emitter-Strecke angelegt wird, geht der Transistor abgebaut ist und der Transistor so von selbst unter sodann automatisch in den nicht-leitenden Zustand der Wirkung dieser in Sperrichtung wirkenden Basis-The invention also includes the following base stored charge; this process knowledge. If the whole of the base space continues even without occurrence of an outside lock-stored Charge from the base space removes 65 impulses by itself until finally the can be before the reverse voltage to the base total excess charge stored in the base Emitter path is applied, the transistor is degraded and the transistor goes down by itself then automatically into the non-conductive state of the effect of this base acting in the reverse direction
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Emitter-Spannung in den nicht-leitenden Zustand zu- spannungsimpuls ein negativer Rechteckspannungs-Emitter voltage to the non-conductive state voltage pulse a negative square wave voltage
rückkehren würde. impuls konstanter vorgegebener Amplitude und vonwould return. impulse of constant given amplitude and of
Der an dem Ausgangswiderstand auftretende Aus- im wesentlichen konstanter vorgegebener Dauer auf-The output resistance occurring at the output resistance is essentially constant, given duration.
gangsimpuls der Schaltung beginnt mit dem Über- tritt.The input pulse of the circuit begins with the transition.
gang des Transistors in den leitenden Zustand und 5 Die Eingangsstufe 10 weist einen p-n-p-Transistortransition of the transistor into the conductive state and 5 The input stage 10 has a p-n-p transistor
endet mit der Rückkehr des Transistors in den nicht- 14 auf, dessen Emitter mit einer Emiftervorspann-ends with the return of the transistor in the non-14, the emitter of which is biased with an emifter
leitenden Zustand. Diese beiden Änderungen gehen schaltung verbunden ist, welche in Reihe miteinanderconductive state. These two changes go circuit which is connected in series with each other
jeweils praktisch momentan vor sich, derart, daß die einen Widerstand 15 und eine Diode 16 enthält. Diesein each case practically momentarily in front of it, in such a way that it contains a resistor 15 and a diode 16. These
Ausgangsimpulse Rechteckform besitzen. Vorspannschaltung liegt in der gezeigten Weise zwi-Output pulses have a rectangular shape. Bias circuit is in the manner shown between
Des weiteren ist die Beaufschlagung des Schalt- io sehen einem Erdleiter 17 und einer + 5 Volt-Versor-Furthermore, the application of the switching io see a ground conductor 17 and a + 5 volt supply
transistors mit der durch die hintere Flanke des Ein- gungsleitung 18, derart, daß der Emitter auf einemtransistor with the through the rear edge of the input line 18, such that the emitter on one
gangsimpulses erzeugten Sperrspannung zeitlich so Potential von etwa +Va Volt gegen Erde gehaltenThe reverse voltage generated by the input pulse is kept at a potential of about + Va volts to earth
gesteuert, daß sie bei einem Eingangsimpuls von nor- wird.controlled so that it becomes normal on an input pulse.
maler Dauer eintritt, nachdem die Basis-Emitter- Der Kollektor des Transistors ist über eine Primär-Spannung durch den Einschwingvorgang des Schwing- 15 wicklung 19 eines Transformators 20 und über einen kreises ihre Polarität gerade geändert hat; auf diese Widerstand 21 mit einer — 10-Volt-Versorgungslei-Weise ist gewährleistet, daß die in der Basis gespei- tung 22 verbunden; die Basis des Transistors ist über cherte Überschußladung im Zeitpunkt des Auftretens eine Diode 23 mit einer der Eingangsklemmen 11 der Sperrspannung bereits so weit abgebaut ist, daß und über einen Widerstand 24 mit der Verbindungsdie noch verbleibende Restladung so klein ist, daß 20 stelle der Transformatorprimärwicklung 19 und des der Transistor beim Auftreten der Sperrspannung Widerstands 21 verbunden. Die Widerstände 21 und praktisch schlagartig in den Sperrzustand übergeht. 24 sind in ihrem Verhältnis so gewählt, daß beimThe duration occurs after the base-emitter- The collector of the transistor has just changed its polarity via a primary voltage due to the settling process of the oscillating winding 19 of a transformer 20 and via a circle; this resistor 21 with a -10 volt supply line ensures that the power supply 22 in the base is connected; the base of the transistor is the reverse voltage is over-assured excess charge at the time of occurrence of a diode 23 with one of the input terminals 11 is already degraded to the extent that an d remaining residual charge is so small via a resistor 24 to the Verbindungsdie that 20 instead of the transformer primary winding 19 and the transistor connected when the reverse voltage occurs resistor 21. The resistors 21 and 21 practically suddenly go into the blocking state. 24 are chosen in their ratio so that at
Mit anderen Worten: Bei Eingangsimpulsen von Anliegen einer Eingangsspannung Null an den Einnormaler Impulsdauer bestimmen die hinteren Flan- gangsklemmen 11 der Basisstrom durch den Widerken der Eingangsimpulse tatsächlich jeweils den Zeit- 25 stand 24 gerade zur Aufrechterhaltung des Strompunkt, in welchem die hinteren Flanken der Aus- flusses im Kollektorkreis des Transistors ausreicht, gangsimpulse auftreten. wobei sich der Transistor in einem Zustand unmittel-In other words: In the case of input pulses with a zero input voltage applied to the one-normal The rear flange terminals 11 determine the pulse duration of the base current through the counter of the input impulses actually each time the 25 state 24 just to maintain the current point, in which the rear flanks of the outflow in the collector circuit of the transistor is sufficient, impulses occur. whereby the transistor is in a state immediately
Bei einem Eingangsimpuls von längerer als nor- bar vor der Sättigung befindet.With an input pulse of longer than normal before saturation.
maler Dauer hingegen wird der Leitungszustand des Die Ausgangsstufe 12 weist einen p-n-p-TransistorThe output stage 12 has a p-n-p transistor
Transistors automatisch in der obenerwähnten Weise 30 25 auf, dessen Emitter über einen Widerstand 26,Transistor automatically in the above-mentioned manner 30 25, the emitter of which is via a resistor 26,
durch die Wirkung der automatisch ihr Vorzeichen welcher als Emitterlastwiderstand wirkt, mit demby the action of the automatically their sign which acts as the emitter load resistance, with the
umkehrenden Emitter-Basis-Spannung zum Abfließen Erdleiter 17 und dessen Kollektor über einenreversing emitter-base voltage for draining ground conductor 17 and its collector via a
gebracht, derart, daß der Ausgangsimpuls niemals kleinen Kurzschlußstrombegrenzerwiderstand 27 mitbrought so that the output pulse never small short-circuit current limiting resistor 27 with
eine Dauer besitzen kann, die größer als die erwähnte der — 10-Volt-Versorgungsleitung 22 verbunden ist.may have a duration greater than that of the -10 volt supply line 22 connected.
automatische oder selbsttätige Sperrung der Tran- 35 Zwischen Kollektor und dem Erdleiter 17 liegt einautomatic or automatic locking of the trans- 35 between the collector and the earth conductor 17 is a
sistorschaltung sein kann. Siebkondensator 28; die Ausgangsklemmen 13 sindsistor circuit can be. Filter capacitor 28; the output terminals 13 are
Besitzt der Eingangsimpuls hingegen eine kürzere an den beiden Enden des Emitterlastwiderstandes 26If, on the other hand, the input pulse has a shorter one at the two ends of the emitter load resistor 26
als die normale Dauer, so wird die Sperrspannung zu angeschlossen.than the normal duration, the reverse voltage is connected to.
einem früheren Zeitpunkt als normal an die Basis- Zwischen Basis und Emitter des Transistors 25an earlier point in time than normal to the base-intermediate base and emitter of the transistor 25
Emitter-Strecke gelegt, was zur Folge hat, daß die 40 liegt ein schwach gedämpfter Reihenresonanzkreis 29,Emitter path laid, which has the consequence that the 40 is a weakly damped series resonance circuit 29,
Sperrspannung nunmehr die noch in der Basis ge- welcher aus der Sekundärwicklung 30 des Transfor-Reverse voltage is now still in the base, which is from the secondary winding 30 of the transformer
speicherte Überschußladung abbauen muß. Dieser mators20 und einem Kondensator 31 besteht. Diemust reduce stored excess charge. This mators20 and a capacitor 31 consists. the
Abbau der Basisladung nimmt Zeit in Anspruch, der- Basis des Transistors 25 ist ferner auch über einenDepletion of the base charge takes time to complete, the base of the transistor 25 is also via a
art, daß der Transistor daher tatsächlich später in den Widerstand 32 mit der + 5 Volt-Versorgungsleitungart that the transistor is therefore actually later in the resistor 32 with the +5 volt supply line
Sperrzustand zurückkehrt, und entsprechend der Aus- 45 18 verbunden; ein Widerstand 33 parallel zu demLock status returns, and connected accordingly to output 45 18; a resistor 33 in parallel with that
gangsimpuls daher langer dauert, als der hinteren Kondensator 31 dient als Entladungsstromweg fürinput pulse therefore lasts longer than the rear capacitor 31 serves as a discharge current path for
Flanke des Eingangsimpulses entspricht. diesen Kondensator.Edge of the input pulse. this capacitor.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Er- Eine Diode 34 verbindet den Emitter des Transinndung
an Hand der Zeichnung beschrieben; die stors 25 mit der + 5 Volt-Versorgungsleitung 18;
Ausführungsbeispiele betreffen zur Verwandung in 50 sie hat daher das Bestreben, das am Emitter des
einer elektrischen Digital-Rechenanlage geeignete Transistors auftretende positive Potential zu begrenelektrische
Impulsverstärker gemäß der Erfindung; in zen.
der Zeichnung zeigt Der Verstärker kann zur Lieferung von Ausgangs-In the following, exemplary embodiments of the A diode 34 connects the emitter of the Transinndung are described with reference to the drawing; the stors 25 to the +5 volt supply line 18; Embodiments relate to Verwandung in 50 s i e therefore has the tendency that occurring at the emitter of suitable electrical digital computing system positive potential to transistor begrenelektrische pulse amplifier according to the invention; in zen.
the drawing shows The amplifier can be used to supply output
F i g. 1 das Schaltschema eines Verstärkers gemäß Stromimpulsen an eine (nicht dargestellte) Lasteiner Ausführungsform, 55 bzw. Verbraucherschaltung dienen, welche eine Pri-F i g. 1 shows the circuit diagram of an amplifier according to current pulses to a load (not shown) Embodiment, 55 or consumer circuit, which have a priority
F i g. 2 eine graphische Darstellung der Zeitver- märwicklung eines Transformators und einenF i g. 2 a graphical representation of the time mär- winding of a transformer and a
änderlichkeit des Basisstroms an einem Transistor zwischen der Primärwicklung und dem Erdleiter 17Variability of the base current on a transistor between the primary winding and the earth conductor 17
einer Ausgangsstufe, liegenden p-n-p-Torschaltungstransistor aufweisen.an output stage, lying p-n-p gate transistor.
Fig. 3 das Schaltschema eines abgewandelten Im folgenden wird die Wirkungsweise des Ver-Fig. 3 is the circuit diagram of a modified. In the following, the mode of operation of the
Impulsverstärkers. 60 stärkers beschrieben, wenn er eine derartige an denPulse amplifier. 60 more powerful if he has one of these on the
Der in F i g. 1 gezeigte Impulsverstärker weist eine Ausgangsklemmen 13 angeschlossene Verbraucherais Ganzes mit 10 bezeichnete Eingangsstufe auf, schaltung beliefert. Ist das an den Eingangsklemmen deren Eingangsklemmen 11 positive Rechteckspan- 11 anliegende Eingangssignal Null, so befindet sich nungsimpulse der gezeigten Form zugeführt werden; der Transistor 14 in einem stabilen leitenden Zustand des weiteren weist der Verstärker eine als Ganzes mit 65 unmittelbar vor der Sättigung; in diesem ZustandThe in F i g. 1 pulse amplifier shown has an output terminal 13 connected consumer relay Entire with 10 designated input stage on, circuit supplies. Is that at the input terminals whose input terminals 11 positive square wave voltage 11 applied input signal zero, so is voltage pulses of the form shown are supplied; the transistor 14 in a stable conducting state furthermore, the amplifier has an as a whole with 65 just before saturation; in this condition
12 bezeichnete Ausgangsstufe auf, welche von der wird der Stromzufluß im Kollektorkreis gerade durch Eingangsstufe gesteuert wird und Ausgangsklemmen den durch den Widerstand 24 fließenden Basisstrom12 designated output stage, which of the is the current flow in the collector circuit straight through Input stage is controlled and output terminals the base current flowing through resistor 24
13 besitzt, an welchen für jeden derartigen Eingangs- aufrechterhalten. Jeder Änderungstendenz dieses13 possesses at which for each such input maintained. Everyone changes trend this
Kollektorstroms wirkt eine entsprechende und ent- Nebenschlußwiderstand 33 vor der Ankunft des gegengesetzte Änderung des Potentials der Verbin- nächsten Eingangsimpulses an den Eingangsklemmen dungsstelle der Primärwicklung 19 mit dem Wider- 11 abgebaut. Nach der Entladung dieses Kondenstand 21 und damit des Basisstroms entgegen. sators 31 wird die Basis des Transistors 25 von demCollector current acts a corresponding and un- shunt resistor 33 before the arrival of the opposite change in the potential of the connection next input pulse at the input terminals Connection point of the primary winding 19 with the resistor 11 is dismantled. After the discharge of this level of condensation 21 and thus contrary to the base current. Sators 31 becomes the base of transistor 25 of the
Der Transistor 25 wird durch den Stromfluß von 5 Stromfluß durch den Kreis, welcher die Widerstände der + 5 Volt-Versorgungsleitung 18 über die Wider- 32, 33, die Wicklung 30 des Transformators 20 und Standskette 32, 33 und 26 zum Erdleiter 17 mit einem den Widerstand 26 umfaßt, auf dem eingangs ergeeigneten positiven Potential an seiner Basis im wähnten positiven Potential gehalten, nicht-leitenden Zustand gehalten. Die Dauer des negativen Ausgangsimpulses istThe transistor 25 is caused by the current flow of 5 current flow through the circuit, which the resistors the +5 volt supply line 18 via the resistor 32, 33, the winding 30 of the transformer 20 and Standing chain 32, 33 and 26 to earth conductor 17 with a resistor 26 includes, on the initially suitable positive potential held at its base in the mentioned positive potential, kept non-conductive state. The duration of the negative output pulse is
Beim Auftreten eines positiven Impulses an den io größtenteils durch die Parameter der schwach geKlemmen 11 wird die Basis des Transistors 14 posi- dämpften Reihenresonanzschaltung sowie durch den tiv bezüglich des Emitters, derart, daß der Transistor in dem Transistor 25 während der Anfangsphase des 14 plötzlich sperrt. Der rasche Stromabfall in der Basisstroms gespeicherten hohen Basisladungsüber-Primärwicklung 19 des Transformators 20 erzeugt schuß bestimmt.When a positive pulse occurs at the io, largely due to the parameters of the weakly clamped terminals 11, the base of the transistor 14 becomes positive-damped series resonance circuit as well as the tiv with respect to the emitter, such that the transistor in the transistor 25 during the initial phase of the 14 suddenly locks. The rapid drop in current in the base current stored high base charge over primary winding 19 of the transformer 20 generated shot determined.
eine negative Spannung in dem Reihenresonanzkreis 15 Diese überschüssige Basisladung muß beseitigt 29, mit der Folge, daß in dem Transistor 25 ein sein, bevor der Transistor 25 in seinen nicht-leitenden großer Basisstrom fließt. Dieser Basisstrom ist weit Zustand zurückkehren kann; selbst wenn daher der größer als zur Versorgung des zum Anschluß an den Eingangsimpuls von kürzerer als normaler Dauer ist, Ausgangsklemmen 13 vorgesehenen Verbrauchers bewirkt das erforderliche Abfließen der überschüserforderlich, derart, daß der Transistor 25 rasch voll- ao sigen Basisladung in dem Transistor 25 eine Verlänleitend wird. Der hierdurch bedingte Stromfluß im gerung des Ausgangsimpulses gegenüber dem EinEmitter-Kollektorkreis läßt die Spannung sowohl am gangsimpuls.a negative voltage in the series resonant circuit 15 This excess base charge must be eliminated 29, with the result that transistor 25 is on before transistor 25 is non-conductive large base current flows. This base current is far from being able to return to state; even if the is greater than for supplying the for connection to the input pulse of shorter than normal duration, Output terminals 13 provided consumer causes the necessary drainage of the excess required, in such a way that the transistor 25 rapidly has a full base charge in the transistor 25 will. The resulting current flow reduces the output pulse compared to the one-emitter collector circuit leaves the voltage at both the input pulse.
Emitter als auch an der Basis rasch in Richtung Ist die Dauer des Eingangsimpulses länger als nor-Emitter as well as at the base quickly in the direction If the duration of the input pulse is longer than normal
auf die Spannung der — 10-Volt-Speiseleitung 22 mal, so beginnt entsprechend der sich umkehrende absinken, wodurch die steile Anstiegsflanke eines 25 Basisstrom in dem zwischen Emitter und Basis des negativen Ausgangsimpulses an den Klemmen 13 zu- Transistors geschalteten Resonanzkreis den Abbau stände kommt. Das Absinken des Emitter- und des der Überschuß-Basisladung, bevor der Eingangs-Basispotentials kommt zum Stillstand, sobald der impuls zu Ende ist, derart, daß weniger überschüs-Transistor den Sättigungszustand erreicht, und zwar sige Basisladung durch die am Ende des Eingangsinfolge des Ladungsüberschusses im Transistor, wo- 30 impulses in der Resonanzschaltung induzierte bei das Basispotential dann zeitweise unter dem des entgegengesetzt gerichtete treibende Spannung abge-Kollektors liegt. baut werden muß. Die Impulsdauer wird daher der-on the voltage of the -10 volt supply line 22 times, the reversing begins accordingly decrease, causing the steep rising edge of a 25 base current in the between the emitter and base of the negative output pulse at the terminals 13 to the transistor connected resonance circuit the degradation stands comes. The decrease in the emitter and excess base charge before the input base potential comes to a standstill as soon as the pulse is over, so that there is less excess transistor reaches the saturation state, namely sige base charge by the at the end of the input result the excess charge in the transistor, which induced impulses in the resonance circuit at the base potential then temporarily below that of the oppositely directed driving voltage off-collector lies. must be built. The pulse duration is therefore
Der Transistor 25 verbleibt in diesem Sättigungs- jenigen, wie sie bei einem Eingangsimpuls normaler zustand, während der in dem Resonanzkreis fließende Dauer auftritt, sehr nahekommen. Selbst wenn der Basisstrom in der durch die Parameter des schwach 35 Eingangsimpuls sehr lange dauert, hat der in entgedämpften Resonanzkreises bestimmten Weise ab- gegengesetzter Richtung fließende Strom in dem Renimmt, wie in F i g. 2 durch die Kurve a, b, c, d ge- sonanzkreis zur Folge, daß die Basisladung des zeigt. Transistors im Zeitpunkt (g) in Fig. 2 vollständigThe transistor 25 remains in this saturation that very closely approximates the normal state in the case of an input pulse during the duration flowing in the resonant circuit. Even if the base current lasts for a very long time, the current flowing in the opposite direction in the undamped resonance circuit, as shown in FIG. 2 by the curve a, b, c, d as a result that the base charge shows the. Transistor at time (g) in Fig. 2 completely
Schließlich kehrt der Basisstrom bei »d« seine abgebaut ist, derart, daß der Transistor 24 sperrt und Richtung um und beginnt die in dem Transistor 40 der Ausgangsimpuls beendet ist, bevor der Eingangsgespeicherte Basisladung abzubauen. impuls zu Ende ist.Finally, the base current at "d" reverses its dissipated, in such a way that the transistor 24 blocks and reverses direction and the output pulse in the transistor 40 begins to dissipate before the input stored base charge is reduced. impulse is over.
Die Beendigung des Eingangsimpulses an den Der Impulsverstärker gemäß der Erfindung hatThe termination of the input pulse to which the pulse amplifier according to the invention has
Klemmen 11 hat zur Folge, daß der Transistor 14 daher das Bestreben, nach Maßgabe von Eingangsschnell in seinen früheren, nahezu gesättigten Lei- impulsen veränderlicher Dauer Ausgangsimpulse von tungszustand zurückkehrt; die dadurch bedingte 45 mehr oder weniger standardisierter Dauer und kon-Zunahme des Stroms in der Primärwicklung 19 des stanter vorgegebener Amplitude zu erzeugen. Daher Transformators 20 bewirkt die Induktion einer posi- können mehrere derartige Verstärker in Kaskade tiven treibenden Spannung und eines entsprechenden geschaltet werden, ohne daß eine nennenswerte BeStroms in dem Serienresonanzkreis (F i g. 2, Punkte einträchtigung der Impulsform auftritt. e—f). Hierdurch wird die verbleibende Basisladung 50 In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist der des Transistors 25 rasch abgebaut und damit dieser Reihenresonanzkreis 29 direkt mit dem Transforma-Transistor abermals in den nicht-leitenden Zustand tor 20 der Eingangsstufe verkettet; jedoch kann nach gebracht (F i g. 2, Punkt »/«). Als Folge hiervon einer Abwandlung dieses beschriebenen Verstärkers fällt der Emitterstrom dieses Transistors rasch ab vorgesehen sein, daß die in dem Resonanzkreis lie- und beendigt so den an den Klemmen 13 auftreten- 55 gende Sekundärwicklung 30 statt dessen die Sekunden negativen Ausgangsimpuls. därwicklung eines Zwischentransformators ist, des-Die dem Emitter und den Ausgangsklemmen 13 sen Primärwicklung ihrerseits mit einer Sekundärdurch die mit den Klemmen 13 verbundene normale wicklung des Transformators 20 der Eingangsstufe induktive Belastung zugeführte positive Spannung ist verkettet ist.Terminal 11 has the consequence that the transistor 14 therefore endeavors to return output pulses from the conduction state to its earlier, almost saturated conduction pulses of variable duration in accordance with the input fast; the resulting 45 more or less standardized duration and con-increase of the current in the primary winding 19 of the constant predetermined amplitude to be generated. Therefore, transformer 20 causes a positive driving voltage and a corresponding one can be switched in cascade without a significant current in the series resonant circuit (FIG. 2, points impairment of the pulse shape. E - f). As a result, the remaining base charge 50. In the exemplary embodiment described, that of transistor 25 is rapidly reduced and this series resonant circuit 29 is thus once again linked directly to the transformer transistor in the non-conductive state gate 20 of the input stage; however, it can be brought to (Fig. 2, point "/"). As a result of this, a modification of this amplifier described, the emitter current of this transistor drops rapidly. Provision is made that the secondary winding 30 that occurs at terminals 13 instead ends the negative output pulse for seconds. is the winding of an intermediate transformer, the-the emitter and the output terminals 13 sen primary winding is in turn linked to a secondary by the normal winding of the transformer 20 connected to the terminals 13 of the input stage inductive load positive voltage.
durch die Leitung der Diode34 auf einen Betrag 60 Fig. 3 zeigt das Schaltschema eines in dieser von + 5 Volt begrenzt; der positive Impulszug im Weise abgewandelten Verstärkers. Die Eingangs-Ausgangssignal dauert daher etwa doppelt so lang und die Ausgangsstufe 10 bzw. 12 sind dieselben wie wie der negative Impulszug. in F i g. 1; jedoch liegt die Sekundärwicklung 35 desby conduction of diode 34 to an amount 60 Fig. 3 shows the circuit diagram of one in this limited by + 5 volts; the positive pulse train in a modified amplifier. The input-output signal therefore takes about twice as long and the output stage 10 and 12 are the same as like the negative pulse train. in Fig. 1; however, the secondary winding 35 of the
Der Kondensator 31 des Resonanzkreises bleibt Transformators 20 der Eingangsstufe im Emitterkreis am Ende des negativen Ausgangsimpulses mit einer 65 eines Transistors 36 in Basisschaltung. Der Kollekhohen Aufladung zurück, und zwar in solchem torkreis dieses Transistors weist die Primärwicklung Sinne, daß der Transistor 25 im nicht-leitenden Zu- 37 eines Zwischentransformators 38 und einen Kurzstand gehalten wird; diese Ladung wird über den schlußstrombegrenzerwiderstand39 auf. Der Emit-The capacitor 31 of the resonance circuit remains transformer 20 of the input stage in the emitter circuit at the end of the negative output pulse with a 65 of a transistor 36 in common base. The Kollekhöhen Charging back, namely in such a gate circuit of this transistor has the primary winding Meaning that the transistor 25 in the non-conductive 37 of an intermediate transformer 38 and a short stand is held; this charge is raised via the short-circuit current limiter resistor39. The issuer
terkreis des Transistors wird durch eine aus einer Diode 40 und einem Widerstand 41 bestehende Schaltung vorgespannt, und zwar ist der Emitter negativ bezüglich der Basis vorgespannt, derart, daß dieser Transistor sich normalerweise im nicht-leitenden Zustand befindet.The transistor's circuit is formed by a diode 40 and a resistor 41 Circuit biased, the emitter is negatively biased with respect to the base, such that this transistor is normally in the non-conductive state.
Eine Unterbrechung des Stroms in der Primärwicklung 19 des Eingangstransformators 20 beim Auftreten eines Eingangsimpulses bewirkt, daß der Transistor 36 leitend wird; die hierdurch bedingte Zunahme des Kollektorstroms in der Primärwicklung des Zwischentransformators 38 bewirkt in der Sekundärwicklung 30 des Reihenresonanzkreises im Basisemitterkreis des Transistors 25 eine Spannung in derselben Weise wie für F i g. 1 beschrieben.An interruption in the current in the primary winding 19 of the input transformer 20 at The occurrence of an input pulse causes transistor 36 to become conductive; the resulting Increase in the collector current in the primary winding of the intermediate transformer 38 causes in the Secondary winding 30 of the series resonant circuit in the base-emitter circuit of transistor 25 has a voltage in same way as for F i g. 1 described.
Bei dieser abgewandelten Ausführungsform kann der Verstärker durch Wahl eines Untersetzungs-Verhältnisses der Windungszahlen für den Transformator 20 der Eingangsstufe so ausgelegt werden, daß er einen höheren Ausgangsstromimpuls zu liefern vermag; der Zwischentransformator 38 kann ferner gegebenenfalls mit einer weiteren Sekundärwicklung 42 zur gleichzeitigen Erregung einer zweiten Ausgangsstufe von gleicher Art versehen werden.In this modified embodiment, the amplifier can be selected by selecting a reduction ratio the number of turns for the transformer 20 of the input stage are designed so that he capable of delivering a higher output current pulse; the intermediate transformer 38 can also optionally with a further secondary winding 42 for the simultaneous excitation of a second output stage be provided of the same type.
Claims (4)
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1084 305;
L. A. MejerowitschjL. G. Selitschenko:Considered publications:
German Auslegeschrift No. 1084 305;
LA MejerowitschjL. G. Selitschenko:
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- 1963-12-11 DE DE1963E0026012 patent/DE1276094B/en active Pending
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