DE1489751C - Solid-state infrared image intensifier - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf einen Festkörper- sich leicht und genau einstellen, und er kann genauThe invention relates to a solid state that is easy and precise to adjust, and it can be precise

Infrarotbildverstärker, der zwischen zwei an eine geeicht und gegen das Altern seiner Elemente kom-Infrared image intensifier, which is calibrated between two and against the aging of its elements.

Wechselstromspannungsquelle angeschlossenen trans- pensiert werden.AC voltage source connected to be transpensated.

parenten Elektroden eine Widerstandsschicht mit Eine besonders hohe Temperaturabhängigkeit und temperaturabhängiger elektrischer Leitfähigkeit und 5 somit Empfindlichkeit ergibt sich nach einer Auseine elektrisch leitend mit dieser verbundene Elektro- gestaltung der Erfindung dadurch, daß der Leitwert lumineszenzschicht aufweist. der Widerstandsschicht in an sich bekannter Weiseparent electrodes have a resistive layer with a particularly high temperature dependence and temperature-dependent electrical conductivity and thus sensitivity results after a breakdown electrically conductive with this associated electrical design of the invention in that the conductance Has luminescent layer. the resistance layer in a manner known per se

Derartige Bildverstärker können mit besonderem einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.Such image intensifiers can particularly have a positive temperature coefficient.

Vorteil dazu verwendet werden, um einen unsicht- Zur Ausblendung von Störungen kann — in Strah-Advantageously, it can be used to hide an invisible

baren, aber Wärmestrahlung abgebenden Körper io lungsrichtung gesehen — hinter der Elektrolumi-but the body emitting heat radiation is seen in the direction of flow - behind the electroluminescent

genau in seiner Lage zu erfassen und gegebenenfalls neszenzschicht ein optisches Filter angeordnet sein,to be recorded precisely in its position and, if necessary, an optical filter can be arranged with a nescent layer,

seine Umrisse und Struktur zu betrachten. Sie finden Zur Erhöhung der Abbildungsschärfe weist nachto look at its outline and structure. You will find evidence to increase the sharpness of the image

Anwendung in Nachtsichtgeräten für Kampffelder, einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung dieUse in night vision devices for combat fields, a further embodiment of the invention

Landeführungsgeräten für Luftfahrzeuge, Verfolge- Widerstandsschicht durch eine Vielzahl von Ein-Landing guidance devices for aircraft, tracking resistance layer through a variety of input

systemen für Satelliten, Flugkörper oder Untersee- 15 schnürungen eine mosaik- oder rasterartige Struktursystems for satellites, missiles or subsea lacing a mosaic or grid-like structure

boote, Geräten zur Zielfeststellung und Steuersyste- auf.boats, target setting devices and control systems.

men für Raumfahrzeuge, um nur einige Beispiele Besonders günstige Ergebnisse lassen sich erzielen,spacecraft, to name just a few examples. Particularly favorable results can be achieved

zu nennen. Sie können vorteilhaft auch in der Astro- wenn die Widerstandsschicht und/oder die Elektro-to call. They can also be used advantageously in the astro- if the resistance layer and / or the electrical

nomie, der medizinischen Diagnostik, bei der Mate- lumineszenzschicht eine Dicke von 0,1 bis 10 Mikron,nomy, medical diagnostics, the mate- luminescent layer has a thickness of 0.1 to 10 microns,

rialprüfung und zur Feststellung von heißen Stellen 20 vorzugsweise von 1 Mikron, aufweisen,rial testing and hot spots 20, preferably 1 micron,

in mechanischen oder elektrischen Baueinheiten Im folgenden wird die Erfindung an Hand einesin mechanical or electrical structural units In the following, the invention is based on a

eingesetzt werden. in der Zeichnung vereinfacht und schematisch dar-can be used. simplified and shown schematically in the drawing

Ein Bildverstärker dieser Art ist aus der franzö- gestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert,
sischen Patentschrift 1 364 972 bekannt. Die dort In der Zeichnung, die sich auf ein typisches Ausgezeigte Vorrichtung ist jedoch relativ unempfindlich 25 führungsbeispiel bezieht, ist ein Gehäuse mit 10 und hat einen relativ hohen Stromverbrauch, so daß bezeichnet, das eine Öffnung 12 aufweist, in der eine sie für schwach strahlende Körper und für tragbare Linse 14 angeordnet ist, die das Bild des abzubilden-Geräte, die auf Batteriespeisung angewiesen sind, den Gegenstandes auf den im Innern des Gehäuses nur schlecht geeignet ist. 10 angeordneten Festkörper-Infrarotbildverstärker 16An image intensifier of this type is explained in more detail from the exemplary embodiment presented in France,
sischen patent 1,364,972 known. The there in the drawing, which relates to a typical device shown is relatively insensitive 25 reference example, is a housing with 10 and has a relatively high power consumption, so that denotes that has an opening 12 in which they are for weakly radiating Body and for portable lens 14 is arranged, which the image of the devices, which are dependent on battery power, the object on the inside of the housing is poorly suited. 10 arranged solid-state infrared image intensifier 16

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, 30 fokussiert. Der Bildverstärker 16 hat als Elektrode einen Festkörper-Infrarotbildverstärker der eingangs eine sehr dünne leitende und durchscheinende genannten Art zu schaffen, der besonders empfind- Schicht 18, welche der Linse 14 zugewandt ist und lieh und stromsparend ist. Dies wird erfindungs- fest auf einer dünnen Widerstandsschicht 20 aus gemäß dadurch erreicht, daß die Widerstandsschicht einem Material haftet, dessen spezifischer Widerstand aus Vanadiumdioxid besteht und durch eine Heiz- 35 sich umgekehrt mit der Temperatur des Materials Vorrichtung in unbestrahltem Zustand auf jene Tem- ändert. In Berührung mit dieser temperaturempfindperatur vorgewärmt ist, bei der die stärkste Tempe- liehen dünnen Schicht 20 und gegebenenfalls verklebt raturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit ein- mit ihr ist eine dünne, elektrolumineszierende setzt, daß die Elektrolumineszenzschicht mit ihrer Schicht 22 vorgesehen, die aus einem Material heräußeren Elektrode direkt und mit ihrer inneren 4° gestellt ist, dessen Lumineszenz sich als Funktion Elektrode über eine einstellbare Kapazität an eine der an dieses Material angelegten elektrischen Spannut der Wechselspannungsquelle verbundene Induk- nung ändert. Eine zweite dünne leitende und durchtivität angeschlossen ist und daß der dadurch ge- scheinende Schicht 24 haftet fest auf der elektrobildete Serienschwingkreis auf Resonanz mit der lumineszierenden Schicht 22 und dient dort als Frequenz der Wechselspannungsquelle abgestimmt 45 Elektrode,
ist. Das Gehäuse 10 hat eine weitere Öffnung 26, inThe invention is now based on the object 30 focused. The image intensifier 16 has to create a solid-state infrared image intensifier of the type mentioned at the beginning, the particularly sensitive layer 18, which faces the lens 14 and is lent and energy-saving. According to the invention, this is achieved on a thin resistive layer 20 in that the resistive layer adheres to a material, the specific resistance of which consists of vanadium dioxide and, by means of a heating device, changes inversely with the temperature of the material in the non-irradiated state to that temperature . In contact with this temperature-sensitive temperature is preheated, at which the strongest Tempe- borrowed thin layer 20 and possibly bonded temperature dependence of the electrical conductivity with it is a thin, electroluminescent sets that the electroluminescent layer is provided with its layer 22, which are made of a material Electrode is placed directly and with its inner 4 °, the luminescence of which changes as a function of the electrode via an adjustable capacitance to an induction connected to the electrical flux of the AC voltage source applied to this material. A second thin, conductive and permeable layer is connected and that the layer 24 which appears through it adheres firmly to the electro-formed series oscillating circuit at resonance with the luminescent layer 22 and serves there as the frequency of the AC voltage source, tuned 45 electrode,
is. The housing 10 has another opening 26 in

Dabei ist es bei ganz andersartigen Bildverstärkern der eine Okularlinse 28 angeordnet ist. ZwischenIn the case of image intensifiers of a completely different type, it is in this case that an ocular lens 28 is arranged. Between

an sich bereits bekannt, einerseits die zur Anregung dem Bildverstärker 16 und der Okularlinse 28 ist einalready known per se, on the one hand the one for exciting the image intensifier 16 and the ocular lens 28 is a

einer Elektrolumineszenzschicht dienende Wechsel- Filter 30 vorgesehen, das in der Praxis besonders beian electroluminescent layer serving interchangeable filter 30 is provided, which in practice particularly with

spannung durch eine Schicht aus einem Stoff mit 50 solchen Anwendungen eingesetzt wird, bei denen estension through a layer of a fabric with 50 such applications is used in which it

großer Temperaturabhängigkeit seiner Dielektrizitäts- erwünscht ist, bestimmte unerwünschte Lichtfrequen-large temperature dependence of its dielectricity - is desirable, certain undesired light frequencies

konstanten zu steuern, wobei diese Schicht in unbe- zen auszufiltern oder den Kontrast des beobachtetenconstant control, with this layer in infinity to filter out or the contrast of the observed

strahltem Zustand bis zu jener Temperatur vor- Bildes zu erhöhen. Das Innere des Gehäuses 10 istto increase the radiant state up to the temperature before. The interior of the housing 10 is

gewärmt wird, bei der die stärkste Temperatur- vorzugsweise evakuiert, um das Erzeugen von ört-is heated, at which the highest temperature - preferably evacuated in order to generate local

abhängigkeit der Dielektrizitätskonstante einsetzt 55 liehen Temperaturunterschieden der Widerstands-dependence of the dielectric constant sets in 55 borrowed temperature differences of the resistance

(deutsche Auslegeschrift 1 057 251), und andererseits schicht 20 durch das Wärmestrahlungsbild zu ermög-(German Auslegeschrift 1 057 251), and on the other hand, layer 20 to be made possible by the thermal radiation image

in Verbindung mit einem Bildverstärker einen elek- liehen bzw. zu erleichtern.in connection with an image intensifier an electronic or to facilitate.

irischen Schwingungskreis zu verwenden (deutsche Der Bildverstärker 16 ist in Reihe mit einem elek-Irish oscillation circuit to use (German image intensifier 16 is in series with an elec-

Auslegeschrift 1062 840). Überraschenderweise er- trischen Schwingkreis, der eine WechselstromquelleInterpretation document 1062 840). Surprisingly, the resonant circuit has an alternating current source

gibt die Erfindung in Kombination mit diesen an sich 60 32 hat, deren Anschluß 34 über eine Leitung 36 mitgives the invention in combination with these in itself 60 32, the connection 34 of which via a line 36 with

bekannten Maßnahmen die erstrebte Wirkung. der ersten leitenden Schicht 18 des Bildverstärkers 16known measures the desired effect. of the first conductive layer 18 of the image intensifier 16

Der Bildverstärker nach der Erfindung hat den verbunden ist. Der andere Anschluß 38 ist über eineThe image intensifier according to the invention has the is connected. The other port 38 is via a

Vorteil, daß er billig hergestellt werden kann und Leitung 40 mit dem einen Ende einer Induktivität 42The advantage that it can be manufactured cheaply and line 40 with one end of an inductance 42

sich für eine Massenfertigung eignet sowie robust, verbunden. Das andere Ende der Induktivität 42 istsuitable for mass production and robust, connected. The other end of inductor 42 is

mechanisch unempfindlich und von einer äußeren 65 über eine Leitung 44 an die zweite leitende Schichtmechanically insensitive and from an outer 65 via a line 44 to the second conductive layer

Energiequelle unabhängig ist, so daß er ohne weite- 24 des Bildverstärkers 16 angeschlossen. Der eineEnergy source is independent, so that it is connected without further 24 of the image intensifier 16. The one

res auch unter schwierigen Bedingungen im Felde Anschluß eines einstellbaren Kondensators 46 ist mitres even under difficult conditions in the field connection of an adjustable capacitor 46 is with

verwendet werden kann. Seine Empfindlichkeit läßt dem zweiten Ende der Induktivität 42 und seincan be used. Its sensitivity leaves the second end of the inductor 42 and 42

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anderer Anschluß über eine Leitung 48 mit der Berührungsfläche 50 zwischen der temperaturempfindlichen dünnen Schicht 20 und der elektrolumineszierenden dünnen Schicht 22 verbunden.other connection via a line 48 with the contact surface 50 between the temperature-sensitive thin layer 20 and the electroluminescent thin layer 22 connected.

Die Gesamtkapazität des Stromkreises besteht im wesentlichen aus der Kapazität des Bildverstärkers 16 parallel zur einstellbaren Kapazität des Kondensators 46. Die Gesamtkapazität wird vor dem Betätigen der Vorrichtung auf Resonanz mit der Frequenz der Wechselstromquelle 32 eingestellt, und Änderungen in der Kapazität des Systems, beispielsweise infolge von Altern des Materials der Bildzelle, können durch Nachstellen des Kondensators 46 kompensiert werden.The total capacitance of the circuit consists essentially of the capacitance of the image intensifier 16 parallel to the adjustable capacitance of the capacitor 46. The total capacitance is before actuation the device is set to resonate with the frequency of the AC power source 32, and Changes in the capacity of the system, for example due to aging of the material of the image cell, can be compensated for by adjusting the capacitor 46.

Die Linse 14 — beispielsweise eine ///-Linse — entwirft das Bild eines Objekts auf die Oberfläche der temperaturempfindlichen dünnen Schicht 20. Diese besteht aus Vanadiumdioxyd VO₂ einer Dicke in der Größenordnung von 1 Mikron, doch wurden auch gute Ergebnisse mit Schichten erzielt, die eine Dicke zwischen 0,1 Mikron und 10 Mikron hatten. Die elektrolumineszierende dünne Schicht 22 besteht beispielsweise aus Zinksulfid (ZnS), Galliumphosphid (GaP) od. dgl., die mit verschiedenen Aktivatoren, wie beispielsweise Spuren von Kupfer oder Chlor, dotiert werden. Die Dicke der elektrolumineszierenden dünnen Schicht 22 ist von der gleichen Größenordnung wie die Dicke der temperaturempfindlichen dünnen Schicht 20. Die sehr dünnen, leitenden und durchscheinenden Schichten 18 und 24 bestehen aus Metall, wie beispielsweise Gold. Die Wechselstromquelle 32 ist in der Lage, eine Spannung von 10 mV bei einer Frequenz von 20 kHz abzugeben. Ferner ist die Induktivität 42 in der Größenordnung von 10 ~³ Henry und der Kondensator 46 zwischen 0 und 0,1 Mikrofarad einstellbar.The lens 14 - for example a /// lens - projects the image of an object onto the surface of the temperature-sensitive thin layer 20. This consists of vanadium dioxide VO ₂ a thickness of the order of 1 micron, but good results have also been achieved with layers, which were between 0.1 microns and 10 microns thick. The electroluminescent thin layer 22 consists, for example, of zinc sulfide (ZnS), gallium phosphide (GaP) or the like, which are doped with various activators such as traces of copper or chlorine. The thickness of the electroluminescent thin layer 22 is of the same order of magnitude as the thickness of the temperature sensitive thin layer 20. The very thin, conductive and translucent layers 18 and 24 are made of metal such as gold. The alternating current source 32 is able to deliver a voltage of 10 mV at a frequency of 20 kHz. Furthermore, the inductance 42 is ^{adjustable on the order of 10 -3} Henry and the capacitor 46 between 0 and 0.1 microfarads.

Bei der Betätigung wird der Kondensator 46 so lange verstellt, bis der elektrische Stromkreis in Resonanz mit der Frequenz der Wechselstromquelle 32 ist. Wenn dies der Fall ist, so ist die Gesamtimpedanz des Stromkreises im wesentlichen gleich Null, und der einzige im Stromkreis vorhandene Widerstand ist der Innenwiderstand der Wechselstromquelle 32, der in der Praxis von der Größenordnung von 10~² Ohm ist, wobei die gesamten Stromkreiswiderstände einschließlich des Leitungswiderstandes, des Widerstandes der Induktivität 42 und der Kontaktwiderstände dadurch auf sehr niedrigen Werten gehalten werden können, daß die Bauelemente sorgfältig ausgewählt und sorgfältig zusammengebaut werden und so der gesamte Stromkreiswiderstand klein im Vergleich zum mittleren Widerstand der temperaturempfindlichen dünnen Schicht 20 ist, der im allgemeinen in der Größenordnung von 0,1 Ohm für eine Filmfläche 1 cm² liegt.When actuated, the capacitor 46 is adjusted until the electrical circuit is in resonance with the frequency of the alternating current source 32. If this is the case, then the total impedance of the circuit is substantially equal to zero, and the only existing in the circuit resistance is the internal resistance of the AC power source 32, which is in practice of the order of 10 ~ ² ohms, the total circuit resistance including the line resistance, the resistance of the inductance 42 and the contact resistances can be kept at very low values by carefully selecting the components and carefully assembling them so that the total circuit resistance is small compared to the average resistance of the temperature sensitive film 20, which is generally is on the order of 0.1 ohms for a 1 cm ² film area.

Die dünne Schicht 20 besteht aus Vanadiumdioxyd, einem Material, das wie oben erwähnt, die Eigenschaft hat, daß sein spezifischer Widerstand sich umgekehrt mit seiner Temperatur ändert. Wenn auf Teile der dünnen Schicht 20 eine thermische Strahlung auftrifft, beispielsweise eine solche, die mit Hilfe der Linse 14 fokussiert wird, so sinkt deren spezifischer Widerstand infolge der örtlichen Temperaturerhöhung im Vergleich zu dem spezifischen Widerstand der nicht bestrahlten Teile der dünnen Schicht 20 ungefähr auf die Hälfte ab. Ein Abfall des örtlichen, spezifischen Widerstandes des Materials der dünnen Schicht 20 verursacht eine Erhöhung der quer zur elektrolumineszierenden dünnen Schicht 22 anliegenden Spannung.The thin layer 20 consists of vanadium dioxide, a material which, as mentioned above, the Has the property that its specific resistance changes inversely with its temperature. When a thermal radiation impinges on parts of the thin layer 20, for example one which is focused with the help of the lens 14, its specific resistance decreases as a result of the local temperature increase compared to the resistivity of the non-irradiated parts of the thin ones Layer 20 down about halfway. A drop in the local specific resistance of the material of the thin layer 20 causes an increase in the transverse electroluminescent thin layer 22 applied voltage.

Die Lumineszenzeigenschaft der dünnen Schicht 22 ändert sich als Funktion der angelegten Spannung V im wesentlichen nach V", wobei η üblicherweise von der Größenordnung von 5 ist. Aus diesem Grund überdecken auch ziemlich kleine Änderungen der Spannung an der elektrolumineszierenden dünnen Schicht 22 den ganzen Bereich der Lumineszenz von voller Dunkelheit bis zu voller Helle. Das unsichtbare Wärmestrahlungsbild, das auf die Oberfläche der temperaturempfindlichen dünnen Schicht 20 fokussiert ist, erzeugt in dieser eine entsprechende Temperatur- und Widerstandsverteilung, die ihrerseits entsprechende örtliche Spannungsänderungen quer zur elektrolumineszierenden Schicht 22 bewirkt, so daß nun die elektrolumineszierende Schicht ein sichtbares Bild des unsichtbaren Wärmestrahlungsbildes wiedergibt. Das sichtbare Bild kann nun mit Hilfe der Okularlinse 28 betrachtet werden.The luminescence property of the thin layer 22 changes as a function of the applied voltage V essentially according to V ", where η is usually of the order of magnitude of 5. For this reason, even rather small changes in the voltage across the electroluminescent thin layer 22 cover the entire range of the Luminescence from full darkness to full light. The invisible thermal radiation image, which is focused on the surface of the temperature-sensitive thin layer 20, generates a corresponding temperature and resistance distribution in this, which in turn causes corresponding local voltage changes across the electroluminescent layer 22, so that now the electroluminescent layer reproduces a visible image of the invisible thermal radiation image. The visible image can now be viewed with the aid of the ocular lens 28.

Gegebenenfalls kann ein bestimmtes Filter 30, wie oben erwähnt, zwischen der elektrolumineszierenden Schicht 22 und der Okularlinse 28 eingesetzt werden. um die unerwünschten Lichtfrequenzen auszufiltern oder um den Kontrast des durch die elektrolumineszierenden Schicht 22 wiedergegebenen Bildes zu erhöhen.Optionally, a particular filter 30, such as mentioned above, may be inserted between the electroluminescent layer 22 and the ocular lens 28. to filter out the unwanted light frequencies or to reduce the contrast of the electroluminescent Layer 22 to increase the reproduced image.

Die dünne Vanadiumdioxydschicht 20 kann durch eine schematisch bei 52 als Heizspule angedeutete Heizvorrichtung thermostatisch so erwärmt werden, daß die Temperatur der dünnen Vanadiumdioxydschicht in der Nachbarschaft des Wertes gehalten wird, an dem das Vanadiumdioxyd die größte Änderung in seinem spezifischen Widerstand als Funktion der Temperatur hat, beispielsweise bei einer Temperatur von 65° C.The thin vanadium dioxide layer 20 can be indicated schematically at 52 as a heating coil Heating device are thermostatically heated so that the temperature of the thin layer of vanadium dioxide is kept in the vicinity of the value at which the vanadium dioxide has the greatest change in its resistivity as a function of temperature, for example at a temperature from 65 ° C.

Es wurde ferner festgestellt, daß die temperaturempfindliche dünne Schicht 20 mit Vorteil derart hergestellt werden kann, daß sie eine Vielzahl von quer angeordneten Diskontinuitäten in Form von Einschnürungen, ähnlich einem Gitter oder einer mosaikartigen Anordnung hat, so daß sich nun viele einzelne mikroskopische Teilstücke ergeben, die thermisch gegeneinander isoliert sind. Eine derartige Anordnung ergibt wesentlich höhere Temperaturgradienten zwischen den Teilen der Schicht, auf die das thermische Bild fokussiert wird und die damit eine Temperaturerhöhung erfahren, und den unbestrahlten Bereichen der Schicht, wodurch nun eine besser abgestufte Temperaturverteilung der temperaturempfindlichen Schicht und damit eine verbesserte Auflösung des sichtbaren Bildes auf der elektrolumineszierenden Schicht 22 erreicht wird.It has also been found that the temperature sensitive film 20 advantageously so can be made to have a plurality of transversely arranged discontinuities in the form of Constrictions, similar to a grid or a mosaic-like arrangement, so that there are now many result in individual microscopic parts that are thermally isolated from one another. Such a one Arrangement results in much higher temperature gradients between the parts of the layer on which the thermal image is focused and thus experience a temperature increase, and the non-irradiated Areas of the layer, which now has a better graded temperature distribution of the temperature-sensitive Layer and thus an improved resolution of the visible image on the electroluminescent layer 22 is achieved.

Claims (6)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Festkörper-Infrarotbildverstärker, der zwischen zwei an eine Wechselspannungsquelle angeschlossenen transparenten Elektroden eine Widerstandsschicht mit temperaturabhängiger elektrischer Leitfähigkeit und eine elektrisch leitend mit dieser verbundene Elektrolumineszenzschicht aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (20) aus Vanadiumdioxid besteht und durch eine Heizvorrichtung (52) in unbestrahltem Zustand auf jene Temperatur vorgewärmt ist, bei der die stärkste Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit einsetzt, daß die Elektrolumineszenz-1. Solid-state infrared image intensifier that connects two to an AC voltage source connected transparent electrodes a resistive layer with temperature-dependent electrical conductivity and an electroluminescent layer connected to it in an electrically conductive manner , characterized in that the resistance layer (20) consists of vanadium dioxide and by a heating device (52) in the non-irradiated state that temperature is preheated at which the strongest temperature dependence of the electrical Conductivity sets in that the electroluminescent schicht (22) mit ihrer äußeren Elektrode (24) direkt und mit ihrer inneren Elektrode (50) über eine einstellbare Kapazität (46) an eine mit der Wechselspannungsquelle (32) verbundene Induktivität (42) angeschlossen ist und daß der dadurch gebildete Serienschwingkreis auf Resonanz mit der Frequenz der Wechselspannungsquelle (32) abgestimmt ist.layer (22) with its outer electrode (24) directly and with its inner electrode (50) an adjustable capacitance (46) to an inductance connected to the AC voltage source (32) (42) is connected and that the series resonant circuit thus formed is at resonance is matched to the frequency of the AC voltage source (32). 2. Bildverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Leitwert der Wider-Standsschicht (20) in an sich bekannter Weise einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.2. Image intensifier according to claim 1, characterized in that the conductance of the resistive layer (20) has a positive temperature coefficient in a manner known per se. 3. Bildverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß — in Strahlungsrichtung gesehen — hinter der Elektrolumines- zenzschicht (22) ein optisches Filter (30) angeordnet ist.3. Image intensifier according to claim 1 or 2, characterized in that - seen in the direction of radiation - behind the electrolumines Zenzschicht (22) an optical filter (30) is arranged. 4. Bildverstärker nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (20) durch eine Vielzahl von Einschnürungen eine mosaik- oder rasterartige Struktur aufweist.4. Image intensifier according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the resistive layer (20) a mosaic or grid-like structure through a multitude of constrictions having. 5. Bildverstärker nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (20) in der Bildebene eines Objektivs (14) und die Elektrolumineszenzschicht (22) in der Gegenstandsebene eines Okulars (28) angeordnet ist.5. Image intensifier according to one of the preceding claims, characterized in that the Resistance layer (20) in the image plane of an objective (14) and the electroluminescent layer (22) is arranged in the object plane of an eyepiece (28). 6. Bildverstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (20) und/oder die Elektrolumineszenzschicht (22) eine Dicke von 0,1 bis 10 Mikron, vorzugsweise von 1 Mikron, aufweisen. 6. Image intensifier according to one of the preceding claims, characterized in that the Resistance layer (20) and / or the electroluminescent layer (22) have a thickness of 0.1 to 10 microns, preferably 1 micron. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings